JPH0623939B2 - カレントミラ−回路 - Google Patents

カレントミラ−回路

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JPH0623939B2
JPH0623939B2 JP59135247A JP13524784A JPH0623939B2 JP H0623939 B2 JPH0623939 B2 JP H0623939B2 JP 59135247 A JP59135247 A JP 59135247A JP 13524784 A JP13524784 A JP 13524784A JP H0623939 B2 JPH0623939 B2 JP H0623939B2
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JP
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pnp transistor
transistor
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pnp
emitter
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満 芳賀
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、集積回路におけるカレンミラー回路に関す
る。
(従来の技術) 従来の良く知られたカレントミラー回路は、Alan B.
Grebene「アナログ集積回路」(昭50−9−15)P
118〜P125に記載されているように第2図に示す
ような構成であつた。すなわち、第2図において、Q
11はPNPトランジスタで、コレクタが入力端子11
に接続される一方、エミツタが抵抗R11を介して電源
端子16に接続される。Q12,Q13,Q14,Q
15は同じくPNPトランジスタで、各エミツタが前記
抵抗R11と同一抵抗値の抵抗R12,R13,
R14,R15を介して前記電源端子16に接続される
一方、各コレクタが出力端子12,13,14,15に
個別に接続され、さらにベースが前記PNPトランジス
タQ11のベースに共通接続される。Q16は同じくP
NPトランジスタで、エミツタが前記PNPトランジス
タQ11〜Q15の共通ベースに接続される一方、コレ
クタが接地され、さらにベースが前記PNPトランジス
タQ11のコレクタに接続される。
このように構成されたカレントミラー回路は、PNPト
ランジスタQ11を通して入力端子11から基準電流が
供給され、PNPトランジスタQ12,Q13,
Q14,Q15のコレクタから出力端子12,13,1
4,15の各々に前記基準電流に見合つた電流が取り出
せるように動作する。
また、PNPトランジスタQ16は、基準電流と出力端
子12〜15の出力電流との整合の精度を高めるために
使用されている。
このPNPトランジスタQ16を用いない方法として
は、PNPトランジスタQ11〜Q15の共通ベースを
直接PNPトランジスタQ11のコレクタに接続する方
法があるが、この場合、PNPトランジスタQ11〜Q
15のベース電流がそのままPNPトランジスタQ11
のコレクタに帰還されるため、前記ベース電流がPNP
トランジスタQ11のコレクタ電流Iに加算され、基準
電流と出力電流の整合性が悪くなつてしまう。
例えば、PNPトランジスタQ11〜Q15のエミツタ
面積が同一であり、各々のhfeの整合がとれていると
仮定し、そのhfeをβp,入力端子11の基準電流を
I0,出力端子12〜15の出力電流をI(PNPトラ
ンジスタQ11のコレクタ電流Iに一致する)とすれ
ば、カレントミラーの原理から次式が成立する。
ここで、特に一般集積回路におけるPNPトランジスタ
としては構造柄ラテラルトランジスタが用いられていて
hfeが低いので、式の2項目は無視できなくなる。
以上の説明は、共通ベースから直接PNPトランジスタ
Q11のコレクタに帰還した場合である。
直接の帰還ではなく、PNPトランジスタQ16を介し
て帰還した場合は、PNPトランジスタQ16のhfe
を上記の説明と同様にβpとすれば次式となる。
この式から分かるように、PNPトランジスタQ16
を介在させた場合は、第2項目は式に比べてかなり小
さくなる。
(発明が解決しようとする問題点) 以上説明してきたように、フイードバツク用のPNPト
ランジスタQ16は、カレントミラー回路において必要
不可欠である。しかしながら、フイードバツク素子とし
てPNPトランジスタQ16を用いた場合は、一般集積
回路においてPNPトランジスタとしてラテラルトラン
ジスタが使用されているため、第2図に符号17,18
を付して示す基板容量が回路に形成されてしまう欠点が
あつた。また、PNPトランジスタの応答特性が悪いの
で、フイードバツク時の位相が遅れ、発振しやすいとい
う欠点がある。さらに、基準電流と出力電流の整合性
が、PNPトランジスタのhfeに依存するという欠点
があつた。
(問題点を解決するための手段) そこで、この発明では、従来のPNPトランジスタに代
えて、NPNトランジスタとダイオードと抵抗とにより
フイードバツク回路を構成する。
(作用) このようにすれば、基板容量が形成されても、それがカ
レントミラー回路に直接影響しなくなるとともに、NP
Nトランジスタの応答性がよいことから発振しない安定
な回路となり、さらに電流整合性を抵抗値である程度調
整できる。
(実施例) 第1図はこの発明の一実施例であり、以下この一実施例
について説明する。
第1図において、Q22は第1のPNPトランジスタ
で、エミツタが第1の電源としての電源端子21に接続
される一方、コレクタが基準電流源22の一端に接続さ
れる。この基準電流源22の他端は接地される。Q23
〜Q2nは複数の第2のPNPトランジスタで、ベース
およびエミツタが前記第1のPNPトランジスタQ22
のベースおよびエミツタと共通接続され、コレクタは出
力端子O23〜O2nに個別に接続される。Q21はN
PNトランジスタで、コレクタが前記第1の電源端子2
1に接続され、ベースが前記第1のPNPトランジスタ
Q22のコレクタに接続される。さらに、NPNトラン
ジスタQ21は、エミツタが抵抗23の一端に接続さ
れ、この抵抗23の他端は接地される(すなわち、第2
の電源に接続される)。また、24は直列接続された複
数のダイオードで、アノード側が前記PNPトランジス
タQ22〜Q2nの共通ベースに接続される一方、カソ
ード側が前記NPNトランジスタQ21のエミツタに接
続される。
このように構成された回路においては、第1のPNPト
ランジスタQ22を介して基準電流源22に基準電流が
流れ、第2のPNPトランジスタQ23〜Q2nのコレ
クタから出力端子Q23〜Q2nの各々に前記基準電流
に見合つた電流(出力電流)が取り出せるように動作す
るが、いま、第1および第2のPNPトランジスタQ
22,Q23〜Q2nの整合が完全にとれ、同一のh
feであると仮定し、そのhfeをβp2とし、かつダ
イオード24の順方向電圧をVf、第1および第2のP
NPトランジスタQ22,Q23〜Q2nの各々のエミ
ツタ・ベース間順方向電圧をVBE、基準電流を
Io2、第1のPNPトランジスタQ22のコレクタ電
流をI22、出力電流をI23,I24…I2n、抵抗
23の値をR、NPNトランジスタQ21のhfeをβ
nとすれば、次式が成立する。
I22=I23=I24=……I2n … この同一電流をIpとする。
また、nケのPNPトランジスタ、mケのダイオードが
接続されているとすれば となる。ただし、VCCは電源端子21の電圧値、IE
はNPNトランジスタQ21のエミツタ電流値である。
さらに、NPNトランジスタQ21のベース電流をIb
とすれば となる。
よつて、基準電流Io2は となる。ここで、上記式を満足する条件としては、
式の2項目が0より大でなければならない。つまり、下
記不等式が成立しなければならない。
しかして、第1図の回路においては、前記式からも分
るように、の2項目の値を小さくすることにより、I
o2とIp(基準電流と出力電流)の整合性をよくする
ことができる。つまり、式を満足する最大のRを決め
ればよい。
また、集積回路におけるNPNトランジスタのhfeを
PNPトランジスタに比べて大きくできることからも、
第1図の回路においては、式の第2項が小さくなり、
基準電流と出力電流の整合性がよくなる。
さらに、第1図の回路においては、図に示すように基板
容量25,26が形成されるが、基板容量25の容量成
分が第2図の基板容量18と違いカレントミラー回路
(PNPトランジスタQ22,Q23〜Q2n)に直接
影響しなくなる。さらに、第1図の回路は、NPNトラ
ンジスタQ21の応答性がよいことから、発振をしない
安定な回路であることは明白である。
なお、第1図の一実施例では、ダイオード24が複数個
直列接続されているが、これを1つとすることもでき
る。また、第2のPNPトランジスタおよび出力端子は
少なくとも1つあればよい。
(発明の効果) 以上詳述したように、この発明のカレントミラー回路
は、従来のPNPトランジスタに代えて、NPNトラン
ジスタとダイオードと抵抗とによりフイードバツク回路
を構成するようにしたので、基板容量が形成されても、
それが直接影響しなくなるとともに、NPNトランジス
タの応答性がよいことから発振しない安定な回路とな
り、さらに従来回路では電流整合性がPNPトランジス
タのhfeによつて決定されていたが、抵抗値によつて
ある程度調整することができ、その電流整合性も従来に
比較して向上させることができる。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明のカレントミラー回路の一実施例を示
す回路図、第2図は従来のカレントミラー回路を示す回
路図である。 21……電源端子、22……基準電流源、23……抵
抗、24……ダイオード、Q21……NPNトランジス
タ、Q22……第1のPNPトランジスタ、Q23,Q
24〜Q2n……第2のPNPトランジスタ、O23,
O24〜O2n……出力端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エミツタが第1の電源に接続され、コレク
    タが基準電源に接続された第1のPNPトランジスタ
    と、ベースおよびエミツタが前記第1のPNPトランジ
    スタのベースおよびエミツタと共通接続された単数もし
    くは複数の第2のPNPトランジスタと、コレクタが前
    記第1の電源に接続され、ベースが前記第1のPNPト
    ランジスタのコレクタに接続されたNPNトランジスタ
    と、一端が前記NPNトランジスタのエミツタに接続さ
    れ、他端が第2の電源に接続された抵抗と、アノードが
    前記第1のPNPトランジスタおよび前記単数もしくは
    複数の第2のPNPトランジスタの共通ベースに接続さ
    れ、カソードが前記NPNトランジスタのエミツタに接
    続された単数もしくは直列接続された複数のダイオード
    とからなるカレントミラー回路。
JP59135247A 1984-07-02 1984-07-02 カレントミラ−回路 Expired - Lifetime JPH0623939B2 (ja)

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