JPH0624185B2 - ドライエツチング装置 - Google Patents

ドライエツチング装置

Info

Publication number
JPH0624185B2
JPH0624185B2 JP61201738A JP20173886A JPH0624185B2 JP H0624185 B2 JPH0624185 B2 JP H0624185B2 JP 61201738 A JP61201738 A JP 61201738A JP 20173886 A JP20173886 A JP 20173886A JP H0624185 B2 JPH0624185 B2 JP H0624185B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dry etching
discharge tube
exhaust
gas
vacuum container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61201738A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6358832A (ja
Inventor
嘉一 前垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Engineering Works Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Engineering Works Co Ltd filed Critical Shibaura Engineering Works Co Ltd
Priority to JP61201738A priority Critical patent/JPH0624185B2/ja
Publication of JPS6358832A publication Critical patent/JPS6358832A/ja
Publication of JPH0624185B2 publication Critical patent/JPH0624185B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はドライエッチング装置に関し、特に放電管の外
側で発生するオゾンの排気に改良を施したドライエッチ
ング装置に係わる。
(従来の技術) 従来、ドライエッチング装置としては、例えば第2図に
示すものが知られている。
図中の1は真空容器である。この真空容器1の内部に
は、被処理物2を載置する載置台3が配設され、上記真
空容器1の上面にはエッチングガスを真空容器内に均一
に導入するためのガス分散管4が取り付けられている。
このガス分散管4には、ガス導入管5が接続されてい
る。このガス導入管5の中途部には、石英管からなる放
電管6が設けられており、この放電管6に導波管7を介
して高周波出力8を印加することによりプラズマを発生
させるようになっている。また、上記真空容器1の下面
には、図示しないが真空ポンプに接続されるガス排出管
9がマニホールド10を介して接続されている。
上記装置においては、載置台3の上面に被処理物2を載
置し、ガス排出管9を介して真空容器1の真空排気を行
なう。その後、ガス導入管5によりCF、O等の不
活性ガスを送り、真空容器1内を所定圧力のガス雰囲気
とし、放電管6の外側にマイクロ波発生器11によりマ
イクロ波(μ波)を照射することによりガスプラズマを
発生させる。そして、このガスプラズマの発生によりエ
ッチングガスとしてのフッ素ラジカルが生成され、真空
容器1内の被処理物2のエッチングを行なうようになっ
ている。また、プラズマが放たれると、紫外線が放電管
6の周辺の酸素と反応してオゾンが大量に発生する。
そこで、従来は、第3図に示すように導波管12より窒
素(N)を導入し、酸素と置換することによりオゾン
発生を防いでいる。
しかし、従来技術によれば、Nを大量に使用するので
不経済であるとともに、換気の悪い小さな部屋では酸欠
状態となり作業者が危険である。また、例えば操作ミ
ス、使用中にNボンベが空になる等の理由でNが導
入されなかった場合、放電管6の周辺にOが入り込
み、プラズマ放電の紫外線と反応して大量のオゾンが発
生し部屋中に充満し、危険である。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、放電管の外
側で発生したオゾンが作業部屋内に広がることを防止で
きるドライエッチング装置を提供することを目的とす
る。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段と作用) 本発明は放電管に導波管を介して高周波出力を印加する
ことによりプラズマを発生させ、これにより真空容器内
の被処理物のエッチングを行なうドライエッチング装置
において、 前記導波管に排気用ファンと排気用ダクトとから構成さ
れる排気機構を接続し、この排気機構により前記放電管
の外側で発生したオゾンを排気することを特徴とするド
ライエッチング装置である。
本発明により、オゾンが作業部屋に広がることを防止で
き、作業者の安全を確保できる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説明する。
但し、本発明に係るドライエッチング装置は第2図(従
来装置)と略同じであるため、同部材は同符号を付して
説明を省略し、要部のみを説明する。
図中の21は導波管7の中途部に設けられた排気用ダク
トであり、このダクト21には排気用ファン22が連結
されている。このように排気用ダクト21と排気用ファ
ン22とから排気機構が構成され、これにより放電管の
外側で発生したオゾンが排気される。
上記実施例によれば、導波管7の中途部に排気用ダクト
21と排気用ファン22とからなる排気機構が設けられ
ているため、放電管6の外側でオゾンが発生しても排気
機構により排気される。従って、従来のようにNを全
く使用する必要がなくなり、Nによる作業部屋内の酸
欠や、部屋内にオゾンが充満することがなく、作業者の
安全を確保できる。
なお、上記実施例では、排気機構として排気用ファンと
排気用ダクトを用いた場合について述べたが、これに限
らず、排気用ダクトだけでも放電管の外側に発生したオ
ゾンをある程度排気できる。
[発明の効果] 以上詳述した如く本発明によれば、放電管の外側で発生
したオゾンが作業部屋内に広がるのを防止し、もって作
業者の安全を確保できるドライエッチング装置を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るドライエッチング装置
の要部の断面図、第2図は従来のドライエッチング装置
の説明図、第3図は同装置の要部の断面図である。 1……真空容器、2……被処理物、3……載置台、4…
…ガス分散管、5……ガス導入管、6……放電管、7…
…導波管、8……高周波出力、9……ガス排出管、10
……マニホールド、11……マイクロ波発生器、21…
…排気用ダクト、22……排気用ファン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】放電管に導波管を介して高周波出力を印加
    することによりプラズマを発生させ、これにより真空容
    器内の被処理物のエッチングを行なうドライエッチング
    装置において、 前記導波管に排気用ファンと排気用ダクトとから構成さ
    れる排気機構を接続し、この排気機構により前記放電管
    の外側で発生したオゾンを排気することを特徴とするド
    ライエッチング装置。
JP61201738A 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置 Expired - Fee Related JPH0624185B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201738A JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201738A JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6358832A JPS6358832A (ja) 1988-03-14
JPH0624185B2 true JPH0624185B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=16446116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61201738A Expired - Fee Related JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0624185B2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103340A (ja) * 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6358832A (ja) 1988-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4512868A (en) Microwave plasma processing apparatus
KR0158894B1 (ko) 표면처리장치 및 표면처리방법
JPH03241830A (ja) プラズマエッチングの方法
JP2644758B2 (ja) レジスト除去方法及び装置
JPH0624185B2 (ja) ドライエツチング装置
JPH0897189A (ja) 真空処理装置のクリーニング方法
JPH07135196A (ja) 半導体基板アッシング装置
JPS6389162A (ja) 滅菌処理装置
JPS6236240Y2 (ja)
JP3706414B2 (ja) ラジカル反応を用いた加工装置および加工方法
JPH08330285A (ja) プラズマ処理装置
JPH0426538B2 (ja)
JP2967681B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPS5477573A (en) Operating method of plasma treating apparatus
JPS5524941A (en) Dry etching apparatus
JPS5696841A (en) Microwave plasma treating apparatus
JPS566782A (en) Dry type underwater welding method and welding equipment
JPH0425222Y2 (ja)
JPH01304730A (ja) 半導体製造装置
JPH0441172Y2 (ja)
JPH01299633A (ja) ベーキング装置
JP2714198B2 (ja) レーザ加工装置
JPS6019139B2 (ja) エツチング方法およびプラズマエツチング用混合物ガス
JPH0323303Y2 (ja)
JPS6222652B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees