JPH06244228A - リードフレーム及びその樹脂封止用成形型 - Google Patents
リードフレーム及びその樹脂封止用成形型Info
- Publication number
- JPH06244228A JPH06244228A JP5029396A JP2939693A JPH06244228A JP H06244228 A JPH06244228 A JP H06244228A JP 5029396 A JP5029396 A JP 5029396A JP 2939693 A JP2939693 A JP 2939693A JP H06244228 A JPH06244228 A JP H06244228A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- mold
- frame
- runner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子のモールド樹脂成形時に、リード
フレームの外側とモールド型との隙間に樹脂が流出する
という問題点を除去し、成形に優れた半導体素子の樹脂
封止用成形型とリードフレーム形状とを提供する。 【構成】 半導体素子の樹脂封止工程におけるモールド
上下成形型Ａ，ＢとリードフレームＤにおいて、樹脂注
入側であるランナー部Ｇの両端部分にフレーム厚と同じ
高さを有し、かつリードフレームＤの外枠より内側に形
設された凸部Ｊを下型Ｂに設け、下型Ｂに設けられた凸
部Ｊに対向する凹部Ｋをリードフレーム外枠部分に設
け、下型Ｂの凸部Ｊとリードフレーム外枠凹部Ｋとの隙
間Ｌに突設する潰し用スペースＭを、リードフレーム外
枠凹部Ｋのランナー部Ｇの両端部分に設け、モールド成
形型の上下Ａ，Ｂを嵌合する際にその潰し用スペースＭ
を圧潰する凸部を上型Ａに設ける。
フレームの外側とモールド型との隙間に樹脂が流出する
という問題点を除去し、成形に優れた半導体素子の樹脂
封止用成形型とリードフレーム形状とを提供する。 【構成】 半導体素子の樹脂封止工程におけるモールド
上下成形型Ａ，ＢとリードフレームＤにおいて、樹脂注
入側であるランナー部Ｇの両端部分にフレーム厚と同じ
高さを有し、かつリードフレームＤの外枠より内側に形
設された凸部Ｊを下型Ｂに設け、下型Ｂに設けられた凸
部Ｊに対向する凹部Ｋをリードフレーム外枠部分に設
け、下型Ｂの凸部Ｊとリードフレーム外枠凹部Ｋとの隙
間Ｌに突設する潰し用スペースＭを、リードフレーム外
枠凹部Ｋのランナー部Ｇの両端部分に設け、モールド成
形型の上下Ａ，Ｂを嵌合する際にその潰し用スペースＭ
を圧潰する凸部を上型Ａに設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造工程に係
り、特に半導体素子の樹脂封止工程におけるモールド型
とリードフレームの形状に関する。
り、特に半導体素子の樹脂封止工程におけるモールド型
とリードフレームの形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子の封止工程を図２〜図
５を参照して説明する。図２は従来の半導体素子の封止
方法を示す断面図、図３は従来の樹脂封止後のリードフ
レームを上側から見た平面図、図４は図２を上側より見
た平面図、図５は樹脂封止型半導体装置の外観図であ
る。
５を参照して説明する。図２は従来の半導体素子の封止
方法を示す断面図、図３は従来の樹脂封止後のリードフ
レームを上側から見た平面図、図４は図２を上側より見
た平面図、図５は樹脂封止型半導体装置の外観図であ
る。
【０００３】図２に示すように、従来の半導体素子の封
止工程は、まず、モールド型の上型Ａと下型Ｂを合わせ
て閉じた時にできるキャビティ部Ｃに、半導体素子を装
着したリードフレームＤを型の所定の位置に位置決め
し、その後モールド型の上型Ａと下型Ｂとを嵌合する。
そして上下型Ａ，Ｂを一定温度に加熱した状態に保持し
た後、円筒形状に固形化したエポキシ樹脂をポットＥに
投入し、プランジャＦの押圧によりランナー部Ｇからゲ
ートＨへ、さらに半導体素子がセットされたキャビティ
部Ｃへとエポキシ樹脂を注入する。キャビティ部Ｃ内に
注入された樹脂は、充填完了後、成形（凝固）するまで
に一定時間が（４５〜６０秒程）必要である。この間プ
ランジャＦは押圧状態にある。また樹脂成形完了後は、
上下型Ａ，Ｂを開き、成形品の取り出しを行う。
止工程は、まず、モールド型の上型Ａと下型Ｂを合わせ
て閉じた時にできるキャビティ部Ｃに、半導体素子を装
着したリードフレームＤを型の所定の位置に位置決め
し、その後モールド型の上型Ａと下型Ｂとを嵌合する。
そして上下型Ａ，Ｂを一定温度に加熱した状態に保持し
た後、円筒形状に固形化したエポキシ樹脂をポットＥに
投入し、プランジャＦの押圧によりランナー部Ｇからゲ
ートＨへ、さらに半導体素子がセットされたキャビティ
部Ｃへとエポキシ樹脂を注入する。キャビティ部Ｃ内に
注入された樹脂は、充填完了後、成形（凝固）するまで
に一定時間が（４５〜６０秒程）必要である。この間プ
ランジャＦは押圧状態にある。また樹脂成形完了後は、
上下型Ａ，Ｂを開き、成形品の取り出しを行う。
【０００４】図３にはモールド樹脂成形後のリードフレ
ーム形状を示している。１はモールド樹脂パッケージ、
２はタイバー、３は外部リード、４はリードフレームの
外枠、５は不要樹脂を溜めるダム部、６は位置決め用ガ
イド穴である。
ーム形状を示している。１はモールド樹脂パッケージ、
２はタイバー、３は外部リード、４はリードフレームの
外枠、５は不要樹脂を溜めるダム部、６は位置決め用ガ
イド穴である。
【０００５】図４にはリードフレームとモールド型との
関係を示している。下型Ｂとリードフレームとの位置決
め方法は、下型Ｂに設けてある図示しないガイドピン
に、リードフレームの外枠４の両端に設けてある４ケ所
の円形状の位置決め用ガイド穴６が入ることにより、下
型Ｂとリードフレームとの位置決めが行われる。フレー
ムと型とが位置決めされた状態において、フレームの外
枠４の外側と下型Ｂとの間には、リードフレームの製作
上の公差等を考慮して０．０５ｍｍ程度の隙間Ｉが設け
られている。
関係を示している。下型Ｂとリードフレームとの位置決
め方法は、下型Ｂに設けてある図示しないガイドピン
に、リードフレームの外枠４の両端に設けてある４ケ所
の円形状の位置決め用ガイド穴６が入ることにより、下
型Ｂとリードフレームとの位置決めが行われる。フレー
ムと型とが位置決めされた状態において、フレームの外
枠４の外側と下型Ｂとの間には、リードフレームの製作
上の公差等を考慮して０．０５ｍｍ程度の隙間Ｉが設け
られている。
【０００６】ここで、図３において樹脂成形された半導
体装置は、その後図示しない工程であるダム部５の不要
樹脂カス抜き、タイバー２の打抜き、外枠４の外周抜
き、リード曲げ加工等を経て、図５（ａ）〜（ｃ）に示
した外観の半導体装置が製造される。
体装置は、その後図示しない工程であるダム部５の不要
樹脂カス抜き、タイバー２の打抜き、外枠４の外周抜
き、リード曲げ加工等を経て、図５（ａ）〜（ｃ）に示
した外観の半導体装置が製造される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた構成のモールド型とリードフレームにて樹脂封止工
程を行うと、フレーム外枠の外側とモールド型との間に
生じる隙間０．０５ｍｍ程度の幅とフレーム厚分の高さ
とに樹脂が流出し、この流出した樹脂はリードフレーム
にそのまま残ってしまう。この残った樹脂は、後の加工
工程であるタイバー打抜き加工、リードフレーム外周抜
き加工、リード曲げ加工等の各加工工程時やフレーム搬
送時において脱落し、装置の不良原因であるクラックや
キズを生じたり、またはフレームの曲がりを発生させる
等の悪影響をおよぼし、半導体装置の品質の低下を招く
という問題点があった。
べた構成のモールド型とリードフレームにて樹脂封止工
程を行うと、フレーム外枠の外側とモールド型との間に
生じる隙間０．０５ｍｍ程度の幅とフレーム厚分の高さ
とに樹脂が流出し、この流出した樹脂はリードフレーム
にそのまま残ってしまう。この残った樹脂は、後の加工
工程であるタイバー打抜き加工、リードフレーム外周抜
き加工、リード曲げ加工等の各加工工程時やフレーム搬
送時において脱落し、装置の不良原因であるクラックや
キズを生じたり、またはフレームの曲がりを発生させる
等の悪影響をおよぼし、半導体装置の品質の低下を招く
という問題点があった。
【０００８】本発明は以上述べたように、半導体素子の
モールド樹脂成形時において、リードフレームの外側と
モールド型との隙間に樹脂が流出するという問題点を除
去し、成形に優れた半導体素子の樹脂封止用成形型とリ
ードフレーム形状とを提供することを目的とする。
モールド樹脂成形時において、リードフレームの外側と
モールド型との隙間に樹脂が流出するという問題点を除
去し、成形に優れた半導体素子の樹脂封止用成形型とリ
ードフレーム形状とを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】リードフレーム上に形成
された半導体素子を収容するキャビティと前記キャビテ
ィに外部より樹脂を導入するランナとを有する樹脂封止
用成形型により樹脂封止されるリードフレームにおい
て、前記ランナが横断する前記リードフレーム上の横断
部の両端に凸部を形成した事を特徴とするリードフレー
ム。
された半導体素子を収容するキャビティと前記キャビテ
ィに外部より樹脂を導入するランナとを有する樹脂封止
用成形型により樹脂封止されるリードフレームにおい
て、前記ランナが横断する前記リードフレーム上の横断
部の両端に凸部を形成した事を特徴とするリードフレー
ム。
【００１０】リードフレーム上に形成された半導体素子
を収容するキャビティと、前記キャビティに外部より樹
脂を導入するランナとを有する樹脂封止用成形型におい
て、前記成形型は前記キャビティの形状を規定する上型
及び下型とを有し、前記上型は、前記ランナが横断する
前記リードフレーム上の横断部の両端に形成された凸部
に密着する密着部を有する事を特徴とする樹脂封止用成
形型。
を収容するキャビティと、前記キャビティに外部より樹
脂を導入するランナとを有する樹脂封止用成形型におい
て、前記成形型は前記キャビティの形状を規定する上型
及び下型とを有し、前記上型は、前記ランナが横断する
前記リードフレーム上の横断部の両端に形成された凸部
に密着する密着部を有する事を特徴とする樹脂封止用成
形型。
【００１１】
【作用】上記構成により、本発明は樹脂封止工程におい
て、まず樹脂注入側のランナー部の両端部分に凸部を有
するモールド下型と、その凸部と対向する位置に凹部を
有するリードフレームとで所定の位置決めを行う。位置
決めがなされた後、モールド下型と上型とが嵌合され
る。その際、リードフレーム外枠に設けられた潰し用ス
ペースをモールド上型に設けられた凸部によって圧潰す
ることにより、モールド下型凸部とリードフレーム凹部
との隙間、つまりリードフレームの製作上の公差等を考
慮してあらかじめ設定されていた隙間が閉鎖され、リー
ドフレーム外側への樹脂流出は防止される。
て、まず樹脂注入側のランナー部の両端部分に凸部を有
するモールド下型と、その凸部と対向する位置に凹部を
有するリードフレームとで所定の位置決めを行う。位置
決めがなされた後、モールド下型と上型とが嵌合され
る。その際、リードフレーム外枠に設けられた潰し用ス
ペースをモールド上型に設けられた凸部によって圧潰す
ることにより、モールド下型凸部とリードフレーム凹部
との隙間、つまりリードフレームの製作上の公差等を考
慮してあらかじめ設定されていた隙間が閉鎖され、リー
ドフレーム外側への樹脂流出は防止される。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。図
１は本発明の一実施例を示す平面図である。尚、従来例
と同一箇所には同一符号を付している。
１は本発明の一実施例を示す平面図である。尚、従来例
と同一箇所には同一符号を付している。
【００１３】図１に示すように、樹脂封止に際しては、
まずモールド成形型の下型Ｂに半導体素子を搭載したリ
ードフレームＤをセットする。この時、樹脂注入側のラ
ンナー部Ｇに位置するランナー部両端部分には、リード
フレームＤ厚と同じ高さの凸部Ｊが下型Ｂに設けられて
いる。また、樹脂注入側のリードフレームＤには、下型
Ｂの凸部と対向する凹部Ｋが設けられている。そして、
下型Ｂの凸部ＪとリードフレームＤの凹部Ｋとの間に
は、リードフレームＤの製作上の公差等が考慮されて
０．０５ｍｍ程度の隙間Ｌがあらかじめ設けられてい
る。また、リードフレームＤの樹脂注入側のランナー部
Ｇに位置するランナー部両端部分には、モールド成形型
の上下を嵌合した時に上型Ａ（図２参照）により圧潰さ
れ、隙間Ｌに樹脂が流出するのを防止するための潰し用
スペースＭが設けられている。さらに上下型を嵌合する
際に、ここでは図示していないが、上型Ａ（図２参照）
にはリードフレームＤのランナー部両端部分に設けられ
た潰し用スペースＭの位置を０．０２〜０．０５ｍｍ程
度潰すことのできる凸部が設けられている。
まずモールド成形型の下型Ｂに半導体素子を搭載したリ
ードフレームＤをセットする。この時、樹脂注入側のラ
ンナー部Ｇに位置するランナー部両端部分には、リード
フレームＤ厚と同じ高さの凸部Ｊが下型Ｂに設けられて
いる。また、樹脂注入側のリードフレームＤには、下型
Ｂの凸部と対向する凹部Ｋが設けられている。そして、
下型Ｂの凸部ＪとリードフレームＤの凹部Ｋとの間に
は、リードフレームＤの製作上の公差等が考慮されて
０．０５ｍｍ程度の隙間Ｌがあらかじめ設けられてい
る。また、リードフレームＤの樹脂注入側のランナー部
Ｇに位置するランナー部両端部分には、モールド成形型
の上下を嵌合した時に上型Ａ（図２参照）により圧潰さ
れ、隙間Ｌに樹脂が流出するのを防止するための潰し用
スペースＭが設けられている。さらに上下型を嵌合する
際に、ここでは図示していないが、上型Ａ（図２参照）
にはリードフレームＤのランナー部両端部分に設けられ
た潰し用スペースＭの位置を０．０２〜０．０５ｍｍ程
度潰すことのできる凸部が設けられている。
【００１４】リードフレームＤの潰し用スペースＭは、
上型Ａの凸部により潰されて下型Ｂの凸部Ｊとの隙間Ｌ
を閉鎖する。上型凸部によって０．０２〜０．０５ｍｍ
潰された潰し用スペースＭの状態をＮに示す。このＮ部
分は下型ＢとリードフレームＤとの間に流出する樹脂を
防止する。
上型Ａの凸部により潰されて下型Ｂの凸部Ｊとの隙間Ｌ
を閉鎖する。上型凸部によって０．０２〜０．０５ｍｍ
潰された潰し用スペースＭの状態をＮに示す。このＮ部
分は下型ＢとリードフレームＤとの間に流出する樹脂を
防止する。
【００１５】以後の工程は従来の工程と同様に、上下型
Ａ，Ｂを一定温度に加熱した状態に保持した後、エポキ
シ樹脂は、プランジャの押圧によってランナー部Ｇから
ゲートへ、さらに半導体素子が収納されているキャビテ
ィ内部へと注入される。注入された樹脂は充填完了後、
成形（凝固）するまでの一定時間（４５〜６０秒程）プ
ランジャを押圧状態のまま保持し、その後上下型Ａ，Ｂ
を開いて成形品の取り出しを行う。
Ａ，Ｂを一定温度に加熱した状態に保持した後、エポキ
シ樹脂は、プランジャの押圧によってランナー部Ｇから
ゲートへ、さらに半導体素子が収納されているキャビテ
ィ内部へと注入される。注入された樹脂は充填完了後、
成形（凝固）するまでの一定時間（４５〜６０秒程）プ
ランジャを押圧状態のまま保持し、その後上下型Ａ，Ｂ
を開いて成形品の取り出しを行う。
【００１６】
【発明の効果】以上実施例で説明したように、本発明は
リードフレームをモールド上下型にセットする際、リー
ドフレームと上下型との間にできる隙間（リードフレー
ム製造上のクリアランス）を上下型を嵌合する際に閉鎖
するようなリードフレームおよびモールド型の形状を有
しているので、その後の樹脂注入時にリードフレームの
外側に樹脂が流出することを防止することができる。し
たがって、余分に流出した樹脂部分により発生するクラ
ックやキズ、またはフレームの曲がり等の悪影響を防ぐ
ことができ、後工程を進めていく上で半導体装置の安定
した品質と歩留向上に効果を奏する。
リードフレームをモールド上下型にセットする際、リー
ドフレームと上下型との間にできる隙間（リードフレー
ム製造上のクリアランス）を上下型を嵌合する際に閉鎖
するようなリードフレームおよびモールド型の形状を有
しているので、その後の樹脂注入時にリードフレームの
外側に樹脂が流出することを防止することができる。し
たがって、余分に流出した樹脂部分により発生するクラ
ックやキズ、またはフレームの曲がり等の悪影響を防ぐ
ことができ、後工程を進めていく上で半導体装置の安定
した品質と歩留向上に効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】従来の半導体素子の封止方法を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の樹脂封止後のリードフレーム形状を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】図２を上側より見た平面図である。
【図５】樹脂封止型半導体装置の外観図である。
Ａ 上型 Ｂ 下型 Ｄ リードフレーム Ｇ ランナー部 Ｊ 下型凸部 Ｋ リードフレーム凹部 Ｌ 隙間 Ｍ 潰し用スペース
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレーム上に形成された半導体素
子を収容するキャビティと前記キャビティに外部より樹
脂を導入するランナとを有する樹脂封止用成形型により
樹脂封止されるリードフレームにおいて、 前記ランナが横断する前記リードフレーム上の横断部の
両端に凸部を形成した事を特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 リードフレーム上に形成された半導体素
子を収容するキャビティと、前記キャビティに外部より
樹脂を導入するランナとを有する樹脂封止用成形型にお
いて、 前記成形型は前記キャビティの形状を規定する上型及び
下型とを有し、前記上型は、前記ランナが横断する前記
リードフレーム上の横断部の両端に形成された凸部に密
着する密着部を有する事を特徴とする樹脂封止用成形
型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5029396A JPH06244228A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | リードフレーム及びその樹脂封止用成形型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5029396A JPH06244228A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | リードフレーム及びその樹脂封止用成形型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244228A true JPH06244228A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12274984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5029396A Pending JPH06244228A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | リードフレーム及びその樹脂封止用成形型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012080039A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5029396A patent/JPH06244228A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012080039A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8334176B2 (en) | 2010-10-06 | 2012-12-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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