JPH0624919Y2 - 外部メモリのローディング装置 - Google Patents

外部メモリのローディング装置

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JPH0624919Y2
JPH0624919Y2 JP9751288U JP9751288U JPH0624919Y2 JP H0624919 Y2 JPH0624919 Y2 JP H0624919Y2 JP 9751288 U JP9751288 U JP 9751288U JP 9751288 U JP9751288 U JP 9751288U JP H0624919 Y2 JPH0624919 Y2 JP H0624919Y2
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connector
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眞行 湯川
則男 市坪
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Nintendo Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は外部メモリのローディング装置に関する。よ
り特定的には、この考案は、たとえばいわゆるICカー
ドやその他の薄型のカード状メモリやテレビゲーム機の
ためのメモリカートリッジなどの外部メモリをその外部
メモリと協働する情報処理装置にローディングするため
のローディング装置に関する。
〔従来技術〕
昭和62年3月5日付で出願公開された特開昭62−5
1091号公報には、テレビゲーム機用メモリカートリ
ッジをローディングするためのフロントローディング装
置が開示されている。このフロントローディング装置
は、フレームに対して開閉されるトレーを含み、メモリ
カートリッジの挿入口には開閉可能な蓋が設けらる。蓋
を開けてメモリカートリッジの主面がトレーの底面に沿
うようにメモリカートリッジを挿入すると、メモリカー
トリッジがトレー上に載せられる。その状態では、メモ
リカートリッジの挿入方向先端に形成されたコネクタ電
極がローディング装置に対応的に設けられるコネクタ端
子に軽く接触し、その後メモリカートリッジすなわちト
レーを下方に押し下げると、トレーが回動してメモリカ
ートリッジのコネクタ電極がコネクタ端子に強く圧接さ
れて両者が完全に電気的に接続される。
また、昭和62年8月10日付で出願公開された実開昭
62−125967号公報には、ICカード読取装置が
開示されていて、この読取装置は開閉可能な蓋体を有
し、その蓋体の内側面にICカード保持部を一体的に形
成し、蓋体を開いた状態でそのICカード保持部にIC
カードを挿入した後、その蓋体を閉じることによってI
Cカードがローディングされる。
〔考案が解決しようとする課題〕
前者の従来技術では、メモリカートリッジの挿入口に比
較的小さい蓋が設けられているだけであるため、メモリ
カートリッジのローディングおよびアンローディングが
多少やりにくいという問題がある。
また、後者の従来技術では、ICカード保持部は蓋体の
一部としてその内側に一体的に形成されているため、蓋
体は大きく開閉できるものの、ICカードを挿脱するた
めのスペースは固定的であり、前者と同じように、IC
カードのローディングおよびアンローディングに困難性
が伴う。
それゆえに、この考案の主たる目的は、外部メモリのロ
ーディングおよびアンローディングが容易に行なえる、
外部メモリのローディング装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
この考案に従った外部メモリのローディング装置は、簡
単に言えば、それぞれがフレームに対して開閉自在に支
持される、その上に外部メモリを載置するためのトレー
とそのトレーを被うためのカバーとを含むローディング
装置であって、トレーをそのトレーが開く方向に付勢す
るためのばね、およびカバーに関連して設けられ、トレ
ーが閉じた状態と最大に開いた状態との間の中立状態を
境にその付勢方向が反転し、中立状態よりカバーの開度
が小さいときカバーをそれが閉じる方向に付勢しかつ中
立状態よりカバーの開度が大きいときカバーをそれが開
く方向に付勢する反転ばねを備え、それによってカバー
の最大開度はトレーの最大開度より大きくされる、外部
メモリのローディング装置である。
〔作用〕
たとえばカバーを押し下げることによって、トレーもま
た一緒に押し下げられ、トレーのロックが解除される。
トレーはたとえばコイルばねによって、またカバーは反
転ばねによって、それぞれ付勢されてフレームに対して
開かれる。
反転ばねは、中立点を過ぎてその付勢方向が反転するま
では、カバーをトレーに対して押しつける方向に作用す
る。したがって、その状態では、トレーのためのたとえ
ばコイルばねの弾発力によって、反転ばねの弾発力に抗
して、トレーとカバーとが一体的に回動して開かれる。
その後、中立点を過ぎて反転ばねの付勢方向が反転する
と、その反転ばねは今後はカバーをトレーから遠ざける
方向に付勢する。そのため、カバーの最大開度はトレー
の最大開度より大きくなり、トレーとカバーとの間に比
較的大きなスペースが形成される。
トレーおよびカバーが開いた状態で外部メモリをトレー
上に挿入載置し、カバーを反転ばねの弾発力に抗して押
し下げると、やがてカバーがトレーと接触し、トレーと
カバーとが一緒に押し下げられ、トレーは上述のロック
装置によってロックされる。この過程で、中立点を過ぎ
ると反転ばねの付勢方向が再び反転するため、カバーは
トレーと密に接触してトレーを被う。
〔考案の効果〕
この考案によれば、トレーおよびカバーを開放すると
き、トレーとカバーとの間には比較的大きなスペースが
形成されるので、外部メモリのローディングまたはアン
ローディングが非常にやり易くなる。
この考案の上述の目的,その他の目的,特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
〔実施例〕
第1図を参照して、ローディング装置10は、この実施
例では、「ファミリーコンピュータ」(商標)のための
アダプタ12に取り付けられる。しかしながら、この考
案のローディング装置は任意の情報処理装置に取り付け
られ得る。
ローディング装置10は、たとえばプラスチックからな
るトレー14とたとえば透明プラスチックからなるその
トレー14を被うためのカバー16とを含み、これらト
レー14およびカバー16はフレーム22(第2図)に
対してそれぞれ開閉自在に支持されて、アダプタ12に
取り付けられる。そして、外部メモリ18が、その主面
がトレー14の底面に沿うように、トレー14の開放端
から矢印A方向に挿入される。
なお、外部メモリ18としては、この実施例では、同日
付で出願した実開平2−18127号(実願昭63−9
7511号)に開示されたような薄型(カード型)が用
いられる。しかしながら、ローディング装置10のトレ
ー14やカバー16等の形状やサイズを変更することに
よって、任意の形状やサイズの外部メモリをローディン
グすることが可能であろう。
そして、この実施例では、外部メモリ18の両主面には
導電板20が取り付けられていて、この導電板20は、
図示しないが、外部メモリ18内部において、適当な方
法によって、その外部メモリ18の回路基板(図示せ
ず)のアース部分と電気的に接続されている。
ローディング装置10は、第2図に示すようにフレーム
22を含む。フレーム22は側辺22aおよび22bな
らびに前辺22cおよび後辺22dを有する矩形状に形
成され、側辺22aおよび22bにはそれぞれ適当な数
の透孔24が形成される。この透孔24によって、フレ
ーム22が、たとえば第1図に示すようなアダプタ12
内に、ねじで取り付けられる。
トレー14およびカバー16は第2図(A)において1
点鎖線で囲んだ取付部26aおよび26bによって、フ
レーム22に対して回動ないし開閉自在に取り付けられ
る。
第3図を参照して、取付部26aにおいては、フレーム
22の側辺22aに内方に突出する突出部28が形成さ
れ、この突出部28には透孔30が形成される。この透
孔30には、トレー14の外側面に形成されて外方に突
出するボス32が嵌まり込む。そして、カバー16の先
端部16aには、第3図(B)に示す鍵穴状の切欠34
が形成される。この切欠34が上述のボス32の外周に
嵌まり合い、それによって突出部28とトレー14の側
板38との間の隙間には、カバー16の先端部16aが
嵌入される。なお、カバー16は切欠34とボス32と
の係合で支持されるので、カバー16が抜けないように
するために、図示しないが、後述の側板16b(第4図
または第5図)がフレーム22によって拘束される。こ
のようにして、トレー14およびカバー16がフレーム
22に対してそれぞれ開閉自在に支持される。
なお、第3図実施例では、トレー14およびカバー16
が共通のボス32によって支持されているために、カバ
ー16およびトレー14が同一軸線上において支持され
るが、トレー14およびカバー16の支持構造としては
別のものが採用されてもよく、また必ずしも同一軸線上
において支持される必要はない。
トレー14は、第1図からも分かるように、底板36と
その底板36の両側端縁から立ち上がる側板38を有す
る。側板38の開放端側は外方に拡開されていて、それ
によって外部メモリ18が容易にトレー14上に挿入さ
れ得るようにしている。そして、トレー14の底板36
の幅方向ほぼ中央には電極40が形成され、この電極4
0は、外部メモリ18がトレー14上に挿入載置された
とき、前述の導電板20と電気的に接触する。
なお、トレー14の底板38の内側面には突条42が形
成されていて、その突条42の下端面と底板36の上面
との間には、第4図からよく分かるように、外部メモリ
18の厚みよりやや厚い間隔が形成される。したがっ
て、外部メモリ18はその両側端が突条42とトレー1
6の底面との間に嵌まり込むように挿入され、それによ
って突条42が外部メモリ18の厚み方向の移動規制手
段として作用する。
第2図(E)および第4図からよくわかるように、フレ
ーム22の底板22eの上面にはボス44が形成され、
他方、トレー14の底板36の下面には、そのボス44
と対応する位置にボス46が形成される。そして、2つ
のボス44および46の外周には、コイルばね48の一
方端および他方端がそれぞれ嵌め込まれる。コイルばね
48はトレー14を第4図における矢印B方向すなわち
トレー14を開く方向に弾発的に付勢するためのばねで
ある。
コイルばね48の一方端は、詳細には図示しないが、ト
レー14の底板36に形成された前述の電極40と電気
的に接続されていて、コイルばね48の他方端は、フレ
ーム22の底面22eの下面に取り付けられた第2図
(E)に示すアース端子50と電気的に接続される。そ
して、第1図に示すようにトレー14上に外部メモリ1
8を挿入して載置すると、外部メモリ18の導電板20
が電極40と接触する。したがって、たとえば外部メモ
リ18を持つ人間の手に静電気が帯電していても、その
静電気は導電板20,電極40およびコイルばね48を
通してアース端子50に流れるので、そのような静電気
が外部メモリ18に内蔵された半導体メモリ素子(図示
せず)等に電撃を与えるのが防止される。
このようにトレー14を開方向に付勢するためのコイル
ばね48をアース端子50への静電気の中継部材として
兼用することによって、コストダウンが可能になるとと
もに、トレー14のような可動部分に静電気を逃すため
のアースリード線を接続する必要がなく、そのようなリ
ード線の断線の可能性が可及的減じられる。
また、第2図(A)および第4図からよく分かるよう
に、カバー16の一方の外側面には、たとえば、ねじり
コイルばねからなる反転ばね52が取り付けられる。す
なわち、反転ばね52はコイル部52cを含み、そのコ
イル部52cから延びる一方端52aは、フレーム22
の側辺22aに固着され、同様にコイル52cから延び
る他方端52bは、カバー16の側板16b(第4図)
に固着される。そして、反転ばね52のコイル部52c
は、どこにも固定されておらず、変位自在である。
カバー16を閉じるときには、反転ばね52によって、
そのカバー16がトレー14の方向すなわちカバー16
の閉じる方向に回動する付勢力が作用し、カバー16を
開くときにはカバー16がトレー14から離れる方向す
なわちカバー16の開く方向に付勢力が作用する。すな
わち、この反転ばね52は、その中立点を境にばね力の
作用する方向(付勢方向)が反転する。
中立点は第5図(B)に示す状態である。第5図(B)
に示す状態は、反転ばね52のフレーム22の側辺22
a(第2図)に固着された一方端52aとカバー16の
側板16bに固着された他方端52b、すなわち反転ば
ね52の支点と作用点とがカバー16の支持軸30と一
直線になった状態である。このときが中立点である。こ
のような反転ばね52の中立点は、第5図(C)に示す
トレー14が閉じた状態と第5図(A)に示すトレー1
4が最大に開いた状態との間、好ましくはトレー14の
開度が最大開度よりわずかに小さい位置ないし状態に設
定される。
第5図(A)はトレー14およびカバー16がそれぞれ
の最大開度まで開かれた状態を示す。第5図(B)に示
す状態から第5図(A)に示す状態までは、反転ばね5
2のばね力はカバー16を矢印B方向に回動させるよう
に働く。第5図(A)の状態では、反転ばね52の他方
端52bすなわち作用点は、反転ばね52の一方端52
aすなわち支点と支持軸30とを結ぶ直線の上方に位置
し、その直線と他方端52bすなわち作用点との角度X
がカバー16の最大開度を規定する。
第5図(C)はトレー14およびカバー16がそれぞれ
閉じられた状態を示す。第5図(B)に示す状態から第
5図(C)に示す状態までは、反転ばね52のばね力は
カバー16を矢印C方向に回動させるように働く。第5
図(C)に示す状態では、反転ばね52の他方端52b
すなわち作用点は、一方端52aすなわち支点と支持軸
30とを結ぶ直線より下方に、角度Yだけずれて位置す
る。
トレー14のロックを解除して外部メモリ18(第1
図)をローディングまたはアンローディングする場合、
カバー16かつしたがってトレー14を下方に押し下げ
る。そうすると、トレー14はコイルばね48の付勢力
によって第5図(A)に示す最大開度まで開かれる。こ
の過程で、反転ばね52の中立点までは、反転ばね52
の付勢力によってカバー16はトレー14に押し付けら
れている。したがって、コイルばね48が反転ばね52
に抗してトレー14および16を押し上げる。そして、
反転ばね52の中立点を過ぎると、反転ばね52の付勢
方向が反転し、トレー14がその最大開度で止まって
も、カバー16は反転ばね52によってさらに開かれ
る。そのために、トレー14とカバー16との間には、
第4図または第5図(A)に示すように、比較的大きな
間隔が形成される。したがって、外部メモリ18(第1
図)のローディングまたはアンローディングに際して、
カバー16が邪魔になることがない。
逆に、第5図(A)の状態から第5図(C)の状態にす
るとき、カバー16が反転ばね52の付勢力に抗して押
し下げられる。この過程で、反転ばね52の中立点まで
は、反転ばね52の付勢力によってカバー16はトレー
14から離れようとするが、反転ばね52の中立点を過
ぎると、反転ばね52の付勢方向が反転し、カバー16
は、反転ばね52によって矢印C方向に偏奇され、トレ
ー14に対して密に接触しする。したがって、第5図
(C)に示す状態では、カバー16はトレー14内に塵
やほこりのような異物が侵入するのを有効に防止する。
なお、トレー14およびカバー16の第5図における矢
印B方向への回動を規制してそれぞれの最大開度を規定
するために、図示しないが、フレーム22とトレー14
およびカバー16との間にそれぞれ係合部が形成され
る。
また、この実施例では、反転ばね52としてねじりコイ
ルばねを用いた。しかしながら、平板ばね等の同様の効
果を有するばねが利用されてもよい。
さらに、第5図(C)のように閉じた状態でトレー14
をロックするためのロック機構54が、第2図(E)に
示すように、フレーム22の底板22eとトレー14の
先端部裏面に形成される。このようなロック機構54と
しては、たとえば、先に引用した特開昭62−5109
1号公報に開示されたと同様の構成のものが利用可能で
ある。
すなわち、ロック機構54は、フレーム22の底板22
eに設けられたキー機構54aと、トレー14の前方端
部下方に設けられて錠に相当するかつハートカムを含む
ロック用カム機構54bとを含む。しかしながら、ここ
ではこの点は重要ではないので、これ以上の説明は省略
する。
第4図を参照して、トレー14の底板36の下方には、
突起56が形成される。そして、その突起56の下方に
は、フレーム22の底板22eに、この突起56によっ
て作動するスイッチ58が設けられる。スイッチ58
は、トレー14を下方に押し下げるときに突起56によ
って押し下げられる可動接点60と、その可動接点60
がばね62に抗して押し下げられるとき可動接点60が
同時に接触する2つの固定接点62aおよび62bを含
む。そして、第4図に示すようにトレー14が開けられ
た状態では、突起56は可動接点60から離れ、したが
って、可動接点60はばね62によって上方に弾発され
る。そのため、可動接点60は固定接点62aおよび6
2bに接触することはない。このようにして、スイッチ
58は常開スイッチ(normally-opened switch)として構
成される。
スイッチ58は、外部メモリ18(第1図)がトレー1
4上に挿入載置され、トレー14が第5図(C)の状態
に完全に閉じられて初めてその外部メモリ18が電気的
に能動状態になるようにするためのものである。
すなわち、第6図に示すように、スイッチ58の一方の
固定接点62aは図示しない情報処理装置からのR/W
(リード/ライト)端子に接続され、他方の固定接点6
2bはプルアップ抵抗を介して電源Vccに接続される
とともに後述のコネクタ66に接続される。そして、こ
のコネクタ66および外部メモリ18のコネクタ電極
(第10図)を通して、外部メモリ18に収納されてい
る半導体メモリ素子(図示せず)のR/W端子に接続さ
れる。
第4図に示すようにトレー14が開いている状態ではス
イッチ58はオフであり、したがって情報処理装置から
のR/W信号は外部メモリ18には与えられない。すな
わち、外部メモリ18のR/W端子には、プルアップ抵
抗を通して電源Vccからのハイレベルが与えられてい
る。したがって、この状態では、外部メモリ18へのデ
ータの書き込みは禁止され、外部メモリ18は実質的に
不能動化される。
これに対して、第5図(C)に示すようにトレー14が
押し下げられた状態では、突起56によって可動接点6
0が押し下げられ、可動接点60は固定接点62aおよ
び62bに同時に接触するため、スイッチ58がオンと
なる。したがって、外部メモリ18のR/W端子には、
情報処理装置からのR/W信号が与えられ、外部メモリ
18へのデータ書き込みまたは外部メモリ18からのデ
ーターの読み出しが許容され、外部メモリ18が能動化
される。
なお、この実施例では、スイッチ58はトレー14が閉
じられたときオンするようにしたが、逆の動作をするス
イッチを用いて、同様の目的を達成することが可能であ
ろう。したがって、スイッチ58の構成ないし構造自体
も、上述のようにフェイルセーフの働きをする限り任意
である。
第2図に示すように、フレーム22の後辺22dの後方
には、コネクタ66が取り付けられる。このコネクタ6
6は、トレー14上に挿入載置された外部メモリ18
を、第1図のアダプタ12や情報処理装置に電気的に接
続するためのものである。
第7図を参照して、コネクタ66は、下ピース68およ
び上ピース70を含む。下ピース68は情報処理装置ま
たは第1図図示のようなアダプタ12の回路基板72に
取り付けられ、上ピース70はその下ピース68に取り
外し可能に取り付けられる。このようにコネクタ66が
2つのピース68および70によって構成されると、組
み立てるとき大きな1つのコネクタ66を回路基板72
上に装着しなくてもよい、という利点がある。
すなわち、まず、下ピース68を回路基板72に取り付
けて、その下ピース68の端子を回路基板72のパター
ン(図示せず)に電気的に接続しかつ機械的に固定する
ように、たとえばはんだディピングする。その段階で下
ピース68は回路基板72上に固定される。その後、下
ピース68が上ピース70に嵌まり合うように、上ピー
ス70を取り付けると、両ピース68および70が一体
化されて、1つのコネクタ66が完成する。このよう
に、下ピース68のみを取り付けた状態ではんだディピ
ングできるので、大きな1つのコネクタ66が回路基板
72上に装着されている場合に比べて、はんだ作業が容
易に行なえる。
しかも、故障または不良品が生じた場合には、下ピース
68または上ピース70だけを交換すればよいので、製
造工程における作業性がよくなるばかりでなく、メンテ
ナンスにおいても非常に有利である。
第8図を参照して、下ピース68は、たとえばプラスチ
ックからなり、その幅方向略中央に切欠74aが形成さ
れたプレート状のベース74を含み、そのベース74の
下端両側には、フランジ76が形成される。フランジ7
6の下面には、下方に突出するポスト78が形成され
る。このポスト78は、下ピース68を回路基板72
(第7図)に装着する際に同時に回路基板72の穴(図
示せず)に挿入される。なお、ベース74の下端ほぼ中
央にもフランジ80が形成される。
ベース74の一方主面には、その高さ方向に延びかつそ
の幅方向に分布して、多数の端子82が形成される。各
端子82は、第8図(C)からよく分かるような、一定
間隔ごとに形成された薄い仕切り84によって、相互に
絶縁される。すなわち、端子82は、それぞれの仕切り
84の間に配置され、固定される。
詳しくいうと、端子82の上端82aは、第8図(B)
に示すように、ベース74の上端面まで延び、その状態
で両側の仕切り84を熱圧着することによって固定され
る。各端子82は、また、そのやや下より中央におい
て、ベース74の下端の仕切り84によって形成された
押さえ部(図示せず)によって固定される。
第8図(C),第8図(E)および第8図(F)を参照
して、それぞれの端子82はその中央やや下よりで折り
曲げられ、ベース74の下端面の面内において、ベース
74の下方に突出する。注目すべきは、たとえば第8図
(C)における最左端の端子と左から2番目の端子とで
は、第8図(E)および第8図(F)からよく分かるよ
うに、その折り曲げ位置が異なり、したがって、その下
端82bの位置もベース74の厚み方向において異なる
ことである。そのため、各端子82の下端82bは、第
8図(G)に示すように、千鳥状に配置される。そのこ
とによって、ベース74の幅が狭くても、多数の端子8
2を、適度な間隔(耐圧)を維持しながら配置できる。
また、その下端82bが挿入される回路基板72(第7
図)の孔(図示せず)もそれに対応して千鳥状に形成さ
れるため、回路基板72のそれぞれの孔の間の間隔が適
当にあけられることになり、多数の孔を穿けてもその部
分の機械的な強度が弱くなることはない。
第9図を参照して、上ピース70はたとえばプラスチッ
クからなるベース86を含み、このベース86と同様に
プラスチックからなる押さえ部88との間に挟まれて、
特に第7図を参照するとその形状がよく分かるコネクタ
端子90が、多数、薄い仕切り92(第9図(A))に
よって、ベース86の幅方向に分布してかつ互いに絶縁
されて取り付けられる。
第7図からよく分かるように、コネクタ端子90は、そ
の上部90aが上部開口93にまた下部90bが下部開
口94にそれぞれ臨まされるように折り曲げられる。上
部開口93はトレー14の開放端側に向けられ、また下
部開口94は上部開口93とほぼ90度ずれて下方に向
けられる。そして、コネクタ端子90の上部90aの先
端が、後述の外部メモリ18のコネクタ電極106(第
11図)との接点90cとして作用する。また、コネク
タ端子90の下部90bは、下部開口94の内壁面に露
出される。
下部開口94に前述の下ピース68のベース74が差し
込まれると、第10図からよく分かるように、下ピース
68のベース74の主面に露出するそれぞれの端子82
が、対応するそれぞれのコネクタ端子90の下部90b
に圧接される。このとき、コネクタ端子90の下部90
bは、第10図において点線で示す状態から実線で示す
状態に変形される。したがって、コネクタ端子90のこ
のような弾性変形によって、それぞれ対のコネクタ端子
90と端子82との電気的接続が一層完全なものとな
る。このようにして、1つのコネクタ66が完成する。
なお、押さえ部88には、上述のようにして一体化され
たコネクタ66をフレーム22に取り付けるためのねじ
穴96が形成される。また、下部開口94の幅方向ほぼ
中央に形成されているリブ98は、下ピース68を上ピ
ース70に嵌め込むとき、下ピース68のベース74の
切欠74aに嵌まり合う。
上ピース70の上部開口93には、第9図(B)に示す
ように、ベース86の幅方向の中心より僅か偏心した位
置に、コネクタ端子90の接点90cと同じ方向に突出
して、突起100が形成される。突起100は、第10
図に示すように、外部メモリ18がトレー14上をスラ
イドしてその挿入方向先端の開口102がコネクタ66
の上部開口93に押し込まれたとき、その開口102内
に侵入する。ところが、もし正規の厚みより薄い厚みの
外部メモリ18′が誤って挿入されると、2点鎖線で示
すように、突起100がその間違って挿入された薄い外
部メモリ18′の前縁に当接する。したがって、その外
部メモリ18′はコネクタ端子90の接点90cに至る
までに止められるため、その外部メモリ18′の挿入に
よってもコネクタ端子90の変形は生じない。このよう
にして、平面形状やサイズが類似しているが厚さの異な
る外部メモリの誤挿入が防止される。
突起100は、さらに、外部メモリ18と協働して、外
部メモリ18の表裏の逆差しを有効に防止する。すなわ
ち、第11図に示すように、外部メモリ18の回路基板
104の前端縁には、その回路基板104の幅方向に分
布しかつ互いに絶縁されて多数のコネクタ電極106が
形成される。このコネクタ電極106は、回路基板10
4上に装着された半導体メモリ素子(図示せず)等をコ
ネクタ66のコネクタ端子90に接続するためのもので
ある。そして、外部メモリ18の前述の前端開口102
内には、外部メモリ18のケースの幅方向の中心より僅
かに偏心した位置にリブ108が形成されている。その
リブ108が中心からずれている方向は、コネクタ66
の突起100と逆である。
したがって、第11図(A)に示すように、外部メモリ
18が正しく挿入されると、リブ108は突起100の
は当たらないので、外部メモリ18はコネクタ電極10
6がコネクタ端子90の接点90cに達するまで挿入さ
れ得る。しかしながら、第11図(B)に示すように、
外部メモリ18が裏返しに挿入されると、ケースの幅方
向中心に対して、リブ108と突起100とが同じ側に
なってしまい、リブ108は突起100に当たる。した
がって、外部メモリ18はそれ以上挿入できなくなり、
それによって外部メモリ18の表裏の逆差しが防止でき
る。
なお、第7図または第10図において点線で示すよう
に、コネクタ端子90のうち両端のものの接点90cが
実線で示す残余のものの接点より僅かに上方に位置す
る。そして、第11図図示外部メモリ18の回路基板1
04のコネクタ電極106の両端のものに電極Vccお
よびアース(GND)が接続されるようにする。そうす
ると、第10図の状態からトレー14を押し下げると
き、両端のコネクタ電極106がまず両端のコネクタ端
子90の接点90cに接触し、続いて残余のコネクタ電
極が残余のコネクタ端子に接触する。
このように、外部メモリ18をローディングしてコネク
タ電極106をコネクタ端子80に接続すとき、まず電
極Vccおよびアースを接続し、ついで他の信号線を接
続するようにすれば、外部メモリ18でのラッチアップ
を防止し、それによって生じる半導体メモリ素子等の回
路コンポーネントの破壊が防止され得る。すなわち、上
述のようにトレー14を回動してコネクタ端子90の接
点90cをコネクタ電極106に圧接接続する構造で
は、コネクタ電極106は同一平面に形成されているた
め、その接点90cの位置を違えなければ、コネクタ電
極と接点90cとの接続順序を規定できない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例が取り付けられたアダプタ
の一例を示す斜視図である。 第2図はこの実施例を示す図解図であり、第2図(A)
は平面図、第2図(B)は左側面図、第2図(C)は正
面図、第2図(D)は右側面図、そして第2図(E)は
底面図を示す。 第3図はこの実施例のトレーおよびカバーとフレームと
の取付部を示す要部拡大図解図である。 第4図は第2図実施例においてトレーおよびカバーを開
いた状態を示す一部破断正面図である。 第5図はこの実施例の反転ばねとそれによるトレーとカ
バーとの最大に開いた状態の違いを説明するための図解
図であり、第5図(A)はそれぞれの最大に開いた状態
の状態を示し、第5図(B)は反転ばねの中立点の状態
を示し、そして第5図(C)はそれぞれの閉じた状態の
状態を示す。 第6図はスイッチの接続態様の一例を示す部分回路図で
ある。 第7図は実施例のコネクタを下ピースと上ピースとに分
解した断面図解図である。 第8図はこのコネクタの下ピースを示す図解図あり、第
8図(A)は正面図、第8図(B)は平面図、第8図
(C)は底面図、第8図(D)は右側面図、第8図
(E)は第8図(A)の線VIIIE−VIIIEにおける断面
図、そして第8図(F)は第8図(A)の線VIIIF−VI
IIFにおける断面図を示す。 第9図はこのコネクタの上ピースを示す図解図あり、第
9図(A)は正面図、第9図(B)は一部破断平面図、
第9図(C)は底面図、第9図(D)は右側面図、そし
て第9図(E)は背面図を示す。 第10図はコネクタの下ピースと上ピースとを一体化し
て回路基板に装着した状態を示す断面図解図である。 第11図は外部メモリとコネクタとの協働によって外部
メモリの表裏逆差しが防止できることを示す図解図であ
り、第11図(A)は正常な挿入の場合を示し、第11
図(B)は裏向きの状態で挿入された場合を示す。 図において、10はローディング装置、14はトレー、
16はカバー、18は外部メモリ、30は透孔、32は
ボス、34は切欠、40は電極、48はコイルばね、5
0はアース端子、52は反転ばね、66はコネクタを示
す。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】それぞれがフレームに対して開閉自在に支
    持される、その上に外部メモリを載置するためのトレー
    とそのトレーを被うためのカバーとを含むローディング
    装置であって、 前記トレーをそのトレーが開く方向に付勢するためのば
    ね、および 前記カバーに関連して設けられ、前記トレーが閉じた状
    態と最大に開いた状態との間の中立状態を境にその付勢
    方向が反転し、前記中立状態より前記カバーの開度が小
    さいとき前記カバーをそれが閉じる方向に付勢しかつ前
    記中立状態より前記カバーの開度が大きいとき前記カバ
    ーをそれが開く方向に付勢する反転ばねを備え、それに
    よって 前記カバーの最大開度は前記トレーの最大開度より大き
    くされる、外部メモリのローディング装置。
  2. 【請求項2】前記トレーに設けられる電極を備え、 前記トレーを付勢するためのばねは導電材料からなりか
    つ前記電極に電気的に接続され、さらにそのばねはアー
    ス端子に電気的に接続され、 前記外部メモリが前記トレーに載せられたとき前記外部
    メモリの導電部材が前記電極に接触し、それによって静
    電気が前記電極およびばねを通して前記アース端子に至
    るようにした、実用新案登録請求の範囲第1項記載の外
    部メモリのローディング装置。
  3. 【請求項3】前記トレーおよび前記カバーは前記フレー
    ムに対して同一軸線上に支持される、実用新案登録請求
    の範囲第1項または第2項記載の外部メモリのローディ
    ング装置。
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