JPH06250204A - 空間光変調素子 - Google Patents
空間光変調素子Info
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- JPH06250204A JPH06250204A JP6352793A JP6352793A JPH06250204A JP H06250204 A JPH06250204 A JP H06250204A JP 6352793 A JP6352793 A JP 6352793A JP 6352793 A JP6352793 A JP 6352793A JP H06250204 A JPH06250204 A JP H06250204A
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- spatial light
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- light modulator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビデオプロジェクタ等の強い読出し光が必要
な装置をコンパクト且つ安価に実現するのに好適な空間
光変調素子を提供する。 【構成】 ガラス基板8と、このガラス基板8上に順次
積層して設けた読出し側透明電極7と、光変調層6と、
誘電体ミラー5と、光導電体層3と、書込み側透明電極
3とから少なくとも構成された空間光変調素子におい
て、ガラス基板8の読出し光入射面に赤外線反射ミラー
を形成した空間光変調素子。
な装置をコンパクト且つ安価に実現するのに好適な空間
光変調素子を提供する。 【構成】 ガラス基板8と、このガラス基板8上に順次
積層して設けた読出し側透明電極7と、光変調層6と、
誘電体ミラー5と、光導電体層3と、書込み側透明電極
3とから少なくとも構成された空間光変調素子におい
て、ガラス基板8の読出し光入射面に赤外線反射ミラー
を形成した空間光変調素子。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、空間光変調素子に係
り、特にビデオプロジェクタなどに使用されて、非常に
強い読出し光によって情報が読み出されるタイプの空間
光変調素子に関するものである。
り、特にビデオプロジェクタなどに使用されて、非常に
強い読出し光によって情報が読み出されるタイプの空間
光変調素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】空間光変調素子は、インコヒーレント・
コヒーレント光変換またはその逆の変換が可能で、デー
タの並列処理や画像の直接演算処理などに対する応用が
考えられている。また、光の強度増幅を行うようにすれ
ば、ビデオプロジェクタなどの表示システムにも応用す
ることができる。このような空間光変調素子としては、
例えばSID 86 DIGESTp379〜p382
(1986)に開示されたものがあり、図4に示すよう
な構成となっている。同図において、変調材料として液
晶が用いられた光変調層6の書き込み光入射側には、誘
電体ミラー5、不導体の遮光膜4が各々順に積層して形
成されている。そして、この遮光膜4の更に書き込み光
側には、光導電体層3が積層されており、更にその外側
には、透明電極2、ガラス基板1が各々積層されてい
る。他方、光変調層6の読み出し光入射側には、透明電
極7、ガラス基板8が各々積層されている。そして、透
明電極2、7間には、適宜の駆動用電源9が接続されて
いる。
コヒーレント光変換またはその逆の変換が可能で、デー
タの並列処理や画像の直接演算処理などに対する応用が
考えられている。また、光の強度増幅を行うようにすれ
ば、ビデオプロジェクタなどの表示システムにも応用す
ることができる。このような空間光変調素子としては、
例えばSID 86 DIGESTp379〜p382
(1986)に開示されたものがあり、図4に示すよう
な構成となっている。同図において、変調材料として液
晶が用いられた光変調層6の書き込み光入射側には、誘
電体ミラー5、不導体の遮光膜4が各々順に積層して形
成されている。そして、この遮光膜4の更に書き込み光
側には、光導電体層3が積層されており、更にその外側
には、透明電極2、ガラス基板1が各々積層されてい
る。他方、光変調層6の読み出し光入射側には、透明電
極7、ガラス基板8が各々積層されている。そして、透
明電極2、7間には、適宜の駆動用電源9が接続されて
いる。
【0003】以上のような空間光変調素子の概略の作用
を説明すると、所望される情報を含んだ書き込み光は、
矢印F1で示すように素子の光導電体層3に入射する。
光導電体層3では、書き込み光の強度に応じてその導電
性が変化し、書き込み光の強度分布に対応した導電性分
布となる。このため、駆動用電源9の電圧がその導電性
分布、すなわち書き込み光の強度分布に対応して光変調
層6に印加されるようになる。他方、光変調層6には、
矢印F2で示すように読み出し光が入射する。ところ
が、この光変調層6には、書き込み光の強度分布に対応
した電界が影響しており、この電界分布に対応して読み
出し光の光変調が行われることとなる。変調を受けた読
み出し光は、誘電体ミラー5によって反射され矢印F3
で示すように出力される。なお、遮光膜4は、誘電体ミ
ラー5を突き抜けた読み出し光が光導電体層3に達して
電荷像を乱し、読み出し画像のコントラストの低下が起
こらないようにするためのもので、必要に応じて設けら
れるものであり、図3(A),(B)は、誘電体ミラー
5自体に遮光機能を付与することにより遮光膜を省略し
た構成の空間光変調素子を示すものである。
を説明すると、所望される情報を含んだ書き込み光は、
矢印F1で示すように素子の光導電体層3に入射する。
光導電体層3では、書き込み光の強度に応じてその導電
性が変化し、書き込み光の強度分布に対応した導電性分
布となる。このため、駆動用電源9の電圧がその導電性
分布、すなわち書き込み光の強度分布に対応して光変調
層6に印加されるようになる。他方、光変調層6には、
矢印F2で示すように読み出し光が入射する。ところ
が、この光変調層6には、書き込み光の強度分布に対応
した電界が影響しており、この電界分布に対応して読み
出し光の光変調が行われることとなる。変調を受けた読
み出し光は、誘電体ミラー5によって反射され矢印F3
で示すように出力される。なお、遮光膜4は、誘電体ミ
ラー5を突き抜けた読み出し光が光導電体層3に達して
電荷像を乱し、読み出し画像のコントラストの低下が起
こらないようにするためのもので、必要に応じて設けら
れるものであり、図3(A),(B)は、誘電体ミラー
5自体に遮光機能を付与することにより遮光膜を省略し
た構成の空間光変調素子を示すものである。
【0004】以上のように、反射型の空間光変調素子で
は、読出し光の反射手段が不可欠である。また、かかる
反射手段として、金属膜などの導電性材料が原理上使え
ないため、誘電体ミラー5が使用されている。この誘電
体ミラー5は、一般に低屈折率膜と高屈折率膜とを、読
出し光の波長λに対してλ/4の光学厚みで交互に積層
した構造となっている。一般に、このような誘電体ミラ
ー5では、各膜の積層数が増すほど読出し光の反射率が
向上する。別言すれば、読出し光の透過率が下がる。し
かし、その分光特性上の設定波長λをはずれると、反射
率が下がり透過率は上がるようになる。このため、読出
し光が単色光でない場合は、弱い光であっても遮光膜4
が必要になる。なお、積層数を大幅に増加すれば読出し
光の反射率を上げることも可能だが、生産性は非常に悪
くなり、厚みも数μm以上となる。特に、ビデオプロジ
ェクタなどのように非常に強い読出し光を使う場合には
1〜10μmもの厚い遮光膜が不可欠となる。
は、読出し光の反射手段が不可欠である。また、かかる
反射手段として、金属膜などの導電性材料が原理上使え
ないため、誘電体ミラー5が使用されている。この誘電
体ミラー5は、一般に低屈折率膜と高屈折率膜とを、読
出し光の波長λに対してλ/4の光学厚みで交互に積層
した構造となっている。一般に、このような誘電体ミラ
ー5では、各膜の積層数が増すほど読出し光の反射率が
向上する。別言すれば、読出し光の透過率が下がる。し
かし、その分光特性上の設定波長λをはずれると、反射
率が下がり透過率は上がるようになる。このため、読出
し光が単色光でない場合は、弱い光であっても遮光膜4
が必要になる。なお、積層数を大幅に増加すれば読出し
光の反射率を上げることも可能だが、生産性は非常に悪
くなり、厚みも数μm以上となる。特に、ビデオプロジ
ェクタなどのように非常に強い読出し光を使う場合には
1〜10μmもの厚い遮光膜が不可欠となる。
【0005】以下、従来例に係る空間光変調素子のう
ち、誘電体ミラー自体に遮光機能を付与することにより
遮光膜を省略した構成の空間光変調素子(従来例1)
と、遮光膜を用いた構成の空間光変調素子(従来例2)
の詳細な構成及び概略の製造方法について順に説明す
る。尚、図3(A)は従来例1に係る空間光変調素子の
全体構成を示す斜視図であり、同図(B)は、その拡大
部分断面図である。また、図4(A)は従来例2に係る
空間光変調素子の全体構成を示す斜視図であり、同図
(B)は、その拡大部分断面図である。
ち、誘電体ミラー自体に遮光機能を付与することにより
遮光膜を省略した構成の空間光変調素子(従来例1)
と、遮光膜を用いた構成の空間光変調素子(従来例2)
の詳細な構成及び概略の製造方法について順に説明す
る。尚、図3(A)は従来例1に係る空間光変調素子の
全体構成を示す斜視図であり、同図(B)は、その拡大
部分断面図である。また、図4(A)は従来例2に係る
空間光変調素子の全体構成を示す斜視図であり、同図
(B)は、その拡大部分断面図である。
【0006】(従来例1)図3に示す従来例1にあって
は、まず、ITO膜が透明電極2として形成されたガラ
ス基板1上にCVD法により、a−Si:H光導電膜3
を20μm成膜する。この上に光学膜厚λ/4(膜厚d
=λ/n n:膜の屈折率)のSiO2 膜5aとSi膜
5bを交互に8層づつ積層し、更に光学膜厚λ/4のS
iO2 膜5aとTiO2 膜5cを交互に2層づつ積層
し、最後に光学膜厚λ/2のSiO2膜5dを1層加
え、遮光膜を兼ねた誘電体ミラー5を作製する。尚、こ
こでSiO2 膜およびTiO2 膜の成膜は酸素イオンビ
ームアシスト蒸着法によって行われ、Si膜の成膜は真
空蒸着法によって行われる。また、ここではλ=540
nmとした。こうして得られた透明電極2、光導電膜
3、誘電体ミラー5が順次形成されたガラス基板1と、
もう一つの透明電極(ITO膜)7が形成されたガラス
基板8とに垂直配向処理を施して、図示しないスペーサ
を介して張り合わせ、ネマチック液晶(チッソ社製 E
N−38)を注入して、図3(A)の空間光変調素子を
作製する。
は、まず、ITO膜が透明電極2として形成されたガラ
ス基板1上にCVD法により、a−Si:H光導電膜3
を20μm成膜する。この上に光学膜厚λ/4(膜厚d
=λ/n n:膜の屈折率)のSiO2 膜5aとSi膜
5bを交互に8層づつ積層し、更に光学膜厚λ/4のS
iO2 膜5aとTiO2 膜5cを交互に2層づつ積層
し、最後に光学膜厚λ/2のSiO2膜5dを1層加
え、遮光膜を兼ねた誘電体ミラー5を作製する。尚、こ
こでSiO2 膜およびTiO2 膜の成膜は酸素イオンビ
ームアシスト蒸着法によって行われ、Si膜の成膜は真
空蒸着法によって行われる。また、ここではλ=540
nmとした。こうして得られた透明電極2、光導電膜
3、誘電体ミラー5が順次形成されたガラス基板1と、
もう一つの透明電極(ITO膜)7が形成されたガラス
基板8とに垂直配向処理を施して、図示しないスペーサ
を介して張り合わせ、ネマチック液晶(チッソ社製 E
N−38)を注入して、図3(A)の空間光変調素子を
作製する。
【0007】(従来例2)図4に示す従来例2にあって
は、まず、ITO膜が透明電極2として形成されたガラ
ス基板1上にCVD法により、a−Si:H光導電膜3
を20μm成膜する。この上にCdTeの遮光膜4をス
パッタ法により1.5μm形成する。更にその上に光学
膜厚λ/4(λ=540nm)のSiO2 膜5aとTi
O2 膜5eを交互に6層づつ積層し、最後に光学膜厚λ
/2のSiO2 膜5dを1層加え誘電体ミラー5を作製
する。尚、SiO2 膜およびTiO2 膜の成膜は酸素イ
オンビームアシスト蒸着法によって行われる点について
は従来例1と同様である。こうして得られた透明電極
2、光導電膜3、遮光膜4、誘電体ミラー5が順次形成
されたガラス基板1と、もう一つの透明電極(ITO
膜)7が形成されたガラス基板8とに垂直配向処理を施
して、図示しないスペーサを介して張り合わせ、ネマチ
ック液晶(チッソ社製 EN−38)を注入して、図4
(A)の空間光変調素子を作製する。
は、まず、ITO膜が透明電極2として形成されたガラ
ス基板1上にCVD法により、a−Si:H光導電膜3
を20μm成膜する。この上にCdTeの遮光膜4をス
パッタ法により1.5μm形成する。更にその上に光学
膜厚λ/4(λ=540nm)のSiO2 膜5aとTi
O2 膜5eを交互に6層づつ積層し、最後に光学膜厚λ
/2のSiO2 膜5dを1層加え誘電体ミラー5を作製
する。尚、SiO2 膜およびTiO2 膜の成膜は酸素イ
オンビームアシスト蒸着法によって行われる点について
は従来例1と同様である。こうして得られた透明電極
2、光導電膜3、遮光膜4、誘電体ミラー5が順次形成
されたガラス基板1と、もう一つの透明電極(ITO
膜)7が形成されたガラス基板8とに垂直配向処理を施
して、図示しないスペーサを介して張り合わせ、ネマチ
ック液晶(チッソ社製 EN−38)を注入して、図4
(A)の空間光変調素子を作製する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
な従来の空間光変調素子では、必ずしも充分な性能が得
られない場合がある。特に、ビデオプロジェクタ等で
は、明るい投影画像を得るために非常に強い白色光光源
をダイクロイックミラー等で3原色に分離した光が読出
し光として用いられるが、このようにして分離された光
には色再現の為には必ずしも必要がなく、むしろ空間光
変調素子にとって有害な波長域成分が含まれている。特
に赤外域の光は、光導電体層に水素化アモルファスシリ
コン(a−Si:H)膜等の近赤外に高い感度を持つ材
料を使用する場合には有害となる。即ち、この赤外光が
誘電体ミラーを透過して光導電体層に至るのを防止する
ために遮光膜や誘電体ミラーの厚みを非常に厚くする
と、光導電体層3導電性変化に基づいて光変調層6に印
加される電圧の損失が大きくなる。従って、電源9の駆
動電圧は増大し、また、読出し画像のコントラストが低
下することになる。更に、光導電体層3における電界の
横方向の広がりが大きくなり、読出し画像の解像度が低
下するという不都合も生ずるばかりか、このような遮光
層や誘電体ミラーは光を吸収して遮光作用をなすもので
あるため、熱線である赤外光が吸収されることにより空
間光変調素子内で発熱し空間光変調素子の温度が上昇し
てしまうという問題がある。
な従来の空間光変調素子では、必ずしも充分な性能が得
られない場合がある。特に、ビデオプロジェクタ等で
は、明るい投影画像を得るために非常に強い白色光光源
をダイクロイックミラー等で3原色に分離した光が読出
し光として用いられるが、このようにして分離された光
には色再現の為には必ずしも必要がなく、むしろ空間光
変調素子にとって有害な波長域成分が含まれている。特
に赤外域の光は、光導電体層に水素化アモルファスシリ
コン(a−Si:H)膜等の近赤外に高い感度を持つ材
料を使用する場合には有害となる。即ち、この赤外光が
誘電体ミラーを透過して光導電体層に至るのを防止する
ために遮光膜や誘電体ミラーの厚みを非常に厚くする
と、光導電体層3導電性変化に基づいて光変調層6に印
加される電圧の損失が大きくなる。従って、電源9の駆
動電圧は増大し、また、読出し画像のコントラストが低
下することになる。更に、光導電体層3における電界の
横方向の広がりが大きくなり、読出し画像の解像度が低
下するという不都合も生ずるばかりか、このような遮光
層や誘電体ミラーは光を吸収して遮光作用をなすもので
あるため、熱線である赤外光が吸収されることにより空
間光変調素子内で発熱し空間光変調素子の温度が上昇し
てしまうという問題がある。
【0009】この温度上昇の問題を解決する方法として
は、特開昭64−28678号公報に示されているよう
な、読出し光の光源と空間光変調素子との間に不要光を
カットするフィルタを設ける方法や強制冷却する方法等
が考えられるが、いずれも装置のローコスト化や小型化
の上で障害となるという問題がある。
は、特開昭64−28678号公報に示されているよう
な、読出し光の光源と空間光変調素子との間に不要光を
カットするフィルタを設ける方法や強制冷却する方法等
が考えられるが、いずれも装置のローコスト化や小型化
の上で障害となるという問題がある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願発明は、上記問題点
に鑑みなされたものであり請求項1に係る発明は、「読
出し側透明基板と、該透明基板上に順次積層して設けら
れた読出し側透明電極と、光変調層と、読出し光反射層
と、光導電体層と、書込み側透明電極とから少なくとも
構成された空間光変調素子において、該透明基板の読出
し光入射面に読出し光として不要な波長域の光を反射す
る波長選択性ミラーを形成したことを特徴とする空間光
変調素子。」を提供するものであり、
に鑑みなされたものであり請求項1に係る発明は、「読
出し側透明基板と、該透明基板上に順次積層して設けら
れた読出し側透明電極と、光変調層と、読出し光反射層
と、光導電体層と、書込み側透明電極とから少なくとも
構成された空間光変調素子において、該透明基板の読出
し光入射面に読出し光として不要な波長域の光を反射す
る波長選択性ミラーを形成したことを特徴とする空間光
変調素子。」を提供するものであり、
【0011】請求項2に係る発明は、「該光導電体層を
水素化アモルファスシリコンで形成するとともに該波長
選択性ミラーを赤外線反射ミラーとしたことを特徴とす
る請求項1記載の空間光変調素子。」を提供するもので
ある。
水素化アモルファスシリコンで形成するとともに該波長
選択性ミラーを赤外線反射ミラーとしたことを特徴とす
る請求項1記載の空間光変調素子。」を提供するもので
ある。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1は、本発明の実施例である空間光変調
素子の構成を示す斜視図である。本実施例の空間光変調
素子の構成は、読出し側の透明基板8の表面に赤外域の
光を反射する赤外線反射ミラー10が形成されている点
を除いては、図3で示した従来例1に係る空間光変調素
子と同様の構成になっている。そして、この赤外線反射
ミラー10は次のようにして作製される。まず、透明基
板8上に光学膜厚約λ/12のSiO2 膜を成膜し、つ
づいて光学膜厚約6λ/19のTiO2 膜を成膜する。
この上に光学膜厚λ/4のSiO2 膜と光学膜厚λ/4
のTiO2 膜を交互に10層づつ積層する。更に光学膜
厚約2λ/7のSiO2 膜と光学膜厚約3λ/13のT
iO2 膜を積層し、最後に光学膜厚約3λ/20のSi
O2 膜を成膜する。
て説明する。図1は、本発明の実施例である空間光変調
素子の構成を示す斜視図である。本実施例の空間光変調
素子の構成は、読出し側の透明基板8の表面に赤外域の
光を反射する赤外線反射ミラー10が形成されている点
を除いては、図3で示した従来例1に係る空間光変調素
子と同様の構成になっている。そして、この赤外線反射
ミラー10は次のようにして作製される。まず、透明基
板8上に光学膜厚約λ/12のSiO2 膜を成膜し、つ
づいて光学膜厚約6λ/19のTiO2 膜を成膜する。
この上に光学膜厚λ/4のSiO2 膜と光学膜厚λ/4
のTiO2 膜を交互に10層づつ積層する。更に光学膜
厚約2λ/7のSiO2 膜と光学膜厚約3λ/13のT
iO2 膜を積層し、最後に光学膜厚約3λ/20のSi
O2 膜を成膜する。
【0013】図2に、このようにして作製した赤外線反
射ミラー10の分光反射率特性を示す。540nm付近
では反射率は1%以下で、反射防止膜を付与したのと同
様の効果を示すと同時に、近赤外光に対しては、ほぼ1
00%の反射率を有していることがわかる。
射ミラー10の分光反射率特性を示す。540nm付近
では反射率は1%以下で、反射防止膜を付与したのと同
様の効果を示すと同時に、近赤外光に対しては、ほぼ1
00%の反射率を有していることがわかる。
【0014】次に、このようにして得られた本発明の実
施例の空間光変調素子と従来例の空間光変調素子とを図
5に示す評価系で評価した結果を表1に示す。尚、図5
の評価系は、書込み光源としてのLEDアレイ20(波
長680nm)、書込みレンズ21、評価対象である空
間光変調素子22、偏光ビームスプリッタ23、投影レ
ンズ24、および読出し光源である150Wのキセノン
ランプ25、赤外カットフィルタ26、グリーン用ダイ
クロイックミラー27により大略構成されている。
施例の空間光変調素子と従来例の空間光変調素子とを図
5に示す評価系で評価した結果を表1に示す。尚、図5
の評価系は、書込み光源としてのLEDアレイ20(波
長680nm)、書込みレンズ21、評価対象である空
間光変調素子22、偏光ビームスプリッタ23、投影レ
ンズ24、および読出し光源である150Wのキセノン
ランプ25、赤外カットフィルタ26、グリーン用ダイ
クロイックミラー27により大略構成されている。
【表1】 表1より明らかなように、従来例1では、解像度は良い
ものの、読出し光の一部(近赤外光)が誘電体ミラー5
を透過して光導電体層3を感光させるためコントラスト
比が大幅に下がっていることがわかる。一方、従来例2
では、遮光膜4の効果により読出し光の光導電体層3へ
の漏れはなくなりコントラストは良好だが膜厚が厚くな
った影響で解像度が悪化している。これらに対し、本発
明の実施例の空間光変調素子では、コントラスト比、解
像度とも良好で、高解像度プロジェクタ等に好適である
ことがわかる。
ものの、読出し光の一部(近赤外光)が誘電体ミラー5
を透過して光導電体層3を感光させるためコントラスト
比が大幅に下がっていることがわかる。一方、従来例2
では、遮光膜4の効果により読出し光の光導電体層3へ
の漏れはなくなりコントラストは良好だが膜厚が厚くな
った影響で解像度が悪化している。これらに対し、本発
明の実施例の空間光変調素子では、コントラスト比、解
像度とも良好で、高解像度プロジェクタ等に好適である
ことがわかる。
【0015】また、表2に、本発明の実施例の空間光変
調素子と従来例2の空間光変調素子について、図5の評
価系において動作中の素子の表面温度を測定した例を示
す。但し、ここでの測定値は、250Wのキセノンラン
プ25を用いると共に、キセノンランプ25の付近を強
制空冷した条件下でのものである。
調素子と従来例2の空間光変調素子について、図5の評
価系において動作中の素子の表面温度を測定した例を示
す。但し、ここでの測定値は、250Wのキセノンラン
プ25を用いると共に、キセノンランプ25の付近を強
制空冷した条件下でのものである。
【表2】 表2から明らかなように、本発明の実施例の空間光変調
素子では、赤外線反射ミラー10を付与したことにより
空間光変調素子内部での赤外線の吸収が減少し、従来例
2の空間光変調素子に比べ素子の温度上昇が抑えられて
いることがわかる。
素子では、赤外線反射ミラー10を付与したことにより
空間光変調素子内部での赤外線の吸収が減少し、従来例
2の空間光変調素子に比べ素子の温度上昇が抑えられて
いることがわかる。
【0016】
【発明の効果】以上述べたように本発明の空間光変調素
子によれば、波長選択性ミラーが、不要な光を素子の表
面で反射するため、この光を遮光するために遮光膜や厚
い誘電体ミラーを必ずしも設ける必要がなく、高解像
度、高コントラスト比の明るいプロジェクタ等をコンパ
クト且つ安価に製造することができるものである。
子によれば、波長選択性ミラーが、不要な光を素子の表
面で反射するため、この光を遮光するために遮光膜や厚
い誘電体ミラーを必ずしも設ける必要がなく、高解像
度、高コントラスト比の明るいプロジェクタ等をコンパ
クト且つ安価に製造することができるものである。
【図1】本発明の空間光変調素子の実施例の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】本発明の空間光変調素子の波長選択性ミラーの
分光反射率特性を示す図である。
分光反射率特性を示す図である。
【図3】従来の空間光変調素子の構成を示す図である。
【図4】従来の空間光変調素子の構成を示す図である。
【図5】空間光変調素子の評価系の概略構成図である。
1 ガラス基板 2 透明電極 3 光導電体層 4 遮光層 5 誘電体ミラー 6 光変調層 7 透明電極 8 ガラス基板 9 駆動用電源 10 赤外線反射ミラー 20 LEDアレイ 21 書込みレンズ 22 空間光変調素子 23 偏光ビームスプリッタ 24 投影レンズ 25 キセノンランプ 26 赤外線カットフィルタ 27 ダイクロイックミラー
Claims (2)
- 【請求項1】読出し側透明基板と、該透明基板上に順次
積層して設けられた読出し側透明電極と、光変調層と、
読出し光反射層と、光導電体層と、書込み側透明電極と
から少なくとも構成された空間光変調素子において、 該透明基板の読出し光入射面に読出し光として不要な波
長域の光を反射する波長選択性ミラーを形成したことを
特徴とする空間光変調素子。 - 【請求項2】該光導電体層を水素化アモルファスシリコ
ンで形成するとともに該波長選択性ミラーを赤外線反射
ミラーとしたことを特徴とする請求項1記載の空間光変
調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352793A JPH06250204A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 空間光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352793A JPH06250204A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 空間光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250204A true JPH06250204A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13231784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6352793A Pending JPH06250204A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 空間光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250204A (ja) |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP6352793A patent/JPH06250204A/ja active Pending
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