JPH0365513A - 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法 - Google Patents
超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を
用いた超電導体の製造法に関する。
用いた超電導体の製造法に関する。
(従来の技術)
Te−Ba−Ca−Cu−0系の超電導体は、一般にタ
リウム(T1り、バリウム(Ba)、カルシウム(Ca
) 、銅(Cu)等の出発原料を同時に混合するか又
はBa −Ca −Cu−0化合物とT/化合物とを混
合して超電導体用原料とし、これを焼成するととにより
得ることができる。
リウム(T1り、バリウム(Ba)、カルシウム(Ca
) 、銅(Cu)等の出発原料を同時に混合するか又
はBa −Ca −Cu−0化合物とT/化合物とを混
合して超電導体用原料とし、これを焼成するととにより
得ることができる。
Tl−Ba −Ca Cu−0系の超電導体は、12
0に以上の高い臨界温度(以下T2eroとする)を有
する材料であることは知られている。
0に以上の高い臨界温度(以下T2eroとする)を有
する材料であることは知られている。
しかし出発原料に用いるTI!化合物、詳しくはTI!
酸化物はその融点が酸素中で約717℃と低く、 T
l−Ba−Ca−Cu−0系の超電導体を得るための焼
成温度範囲(800〜900℃)で焼成するとタリウム
が揮散し易い。このため組成ずれが生じ易くなC,T、
も低下し易くなる。
酸化物はその融点が酸素中で約717℃と低く、 T
l−Ba−Ca−Cu−0系の超電導体を得るための焼
成温度範囲(800〜900℃)で焼成するとタリウム
が揮散し易い。このため組成ずれが生じ易くなC,T、
も低下し易くなる。
焼成時のタリウムの揮散を防止する方法としてLri、
Tl−Ba−Ca−Cu−0系の超電導体用原料を
成形した試料を金箔で包み石英管に封入して焼成するか
アルミナ、マグネシア等のセラミックス製の密閉容器で
焼成する方法等が知られてbる。
Tl−Ba−Ca−Cu−0系の超電導体用原料を
成形した試料を金箔で包み石英管に封入して焼成するか
アルミナ、マグネシア等のセラミックス製の密閉容器で
焼成する方法等が知られてbる。
上記に示したセラ□ツクス製の密閉容器で焼成する方法
において、容器の密閉方法としては、容器と蓋の接触面
を銀(Ag)ペーストで7−ルドするなどの工夫がなさ
れていた。
において、容器の密閉方法としては、容器と蓋の接触面
を銀(Ag)ペーストで7−ルドするなどの工夫がなさ
れていた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら出発原料、溶剤等に含有している炭素(C
)が超電導体用原料に多量残存I−でいる状態のとき密
閉容器内で焼成すると、炭素を含む分解ガスにより容器
の内部圧力が高くなり、これによって気密性が保持でき
ず、タリウムが揮散し易くなり1組成ずれが生じるとい
う問題点がある。
)が超電導体用原料に多量残存I−でいる状態のとき密
閉容器内で焼成すると、炭素を含む分解ガスにより容器
の内部圧力が高くなり、これによって気密性が保持でき
ず、タリウムが揮散し易くなり1組成ずれが生じるとい
う問題点がある。
さらに炭素を多量含有しているとTI!化合物が還元さ
れタリウムが揮散し易くなり、また焼結体に気孔が発生
し易くなるなどの問題がある。
れタリウムが揮散し易くなり、また焼結体に気孔が発生
し易くなるなどの問題がある。
本発明Fiかかる問題点を解消した超電導体用原料及び
その製造法並びに核原料を用いた超電導体本発明はタリ
ウム、バリウム、カルシウム及び鋼を主成分とし、その
比率が原子比でタリウム:バリウム:カルシウム:銅が
1.8〜4.1:1.8〜2.1:1.9〜4.12.
.9〜5.1であり、かつ全組成物中に炭素を0.73
ii%以下含有してなる!電導体用原料、上記の組成と
なるようにタリウム。
その製造法並びに核原料を用いた超電導体本発明はタリ
ウム、バリウム、カルシウム及び鋼を主成分とし、その
比率が原子比でタリウム:バリウム:カルシウム:銅が
1.8〜4.1:1.8〜2.1:1.9〜4.12.
.9〜5.1であり、かつ全組成物中に炭素を0.73
ii%以下含有してなる!電導体用原料、上記の組成と
なるようにタリウム。
バリウム、カルシウム及び銅を含む各原料を秤量し、つ
いでバリウム、カルシウム及び銅を含む原料を一次混合
した後、予備焼成、粉砕、仮焼、再粉砕し、さらに前記
粉砕物にタリウムを含む原料を加えて二次混合する超電
導体用原料の製造法並びに該超電導体用原料を焼成する
超電導体の製造法に関する。
いでバリウム、カルシウム及び銅を含む原料を一次混合
した後、予備焼成、粉砕、仮焼、再粉砕し、さらに前記
粉砕物にタリウムを含む原料を加えて二次混合する超電
導体用原料の製造法並びに該超電導体用原料を焼成する
超電導体の製造法に関する。
本発明に釦いて超電導体用原料を構成する主成分のタリ
ウム、バリウム、カルシウム及び銅を含む原料(出発原
料)については特に制限はないが。
ウム、バリウム、カルシウム及び銅を含む原料(出発原
料)については特に制限はないが。
例えばこれらの酸化物、炭r1i!塩、硝酸塩、蓚酸塩
等の1種又は2種以上が用すられる。
等の1種又は2種以上が用すられる。
本発明において、タリウムは原子比で1.8〜4.1の
範囲とされ、1.8未満であるとタリウムが揮散し易く
組成の制御が困難になると共にT:eroが110に以
上の安定した超電導体が得られにくくなり、一方4.1
を越えると均一な組成の超電導体が得られにくくなり、
またタリウムの持つ強い毒性の問題、得られる超電導体
が高価になるという問題などがある。
範囲とされ、1.8未満であるとタリウムが揮散し易く
組成の制御が困難になると共にT:eroが110に以
上の安定した超電導体が得られにくくなり、一方4.1
を越えると均一な組成の超電導体が得られにくくなり、
またタリウムの持つ強い毒性の問題、得られる超電導体
が高価になるという問題などがある。
バリウムは原子比で1.8〜Z1の範囲とされ。
この範囲から外れると超電導体以外の結晶相が生威し易
く、高T:eroの超電導体が得られにくくなり T
:erOが低下する。
く、高T:eroの超電導体が得られにくくなり T
:erOが低下する。
カルシウムは原子比で1.9〜4.1の範囲とされ。
1.9未満であると高T :erOの超電導体が得られ
にくくなり rjeroが低下し、4.lを越えると超
電導体以外の結晶相か生成し易くなる。
にくくなり rjeroが低下し、4.lを越えると超
電導体以外の結晶相か生成し易くなる。
銅#″i原子比で′2..9〜5.1のN囲とされ、2
.9未満であるとr(:eroは低下し、5.1を越え
ると超電導体以外の結晶相が生成し易くなる。
.9未満であるとr(:eroは低下し、5.1を越え
ると超電導体以外の結晶相が生成し易くなる。
炭素の含有量は、全組成物中に0.7重i%以下とされ
、0.7重ffi%を越えるとTJ化合物が還元され易
くなると共に融点が低下してタリウムが揮散し易くなる
。その結果2組成ずれが生じ、超電導体以外の結晶相が
生じ易くなり T :e rQが低下し、また焼結体に
気孔が発生し、密度が低くなるなどの欠点が生じる。
、0.7重ffi%を越えるとTJ化合物が還元され易
くなると共に融点が低下してタリウムが揮散し易くなる
。その結果2組成ずれが生じ、超電導体以外の結晶相が
生じ易くなり T :e rQが低下し、また焼結体に
気孔が発生し、密度が低くなるなどの欠点が生じる。
上記に示す組成の超電導体用原料を焼成すればT %e
roが110 K以上の超電導体を得ることができる。
roが110 K以上の超電導体を得ることができる。
混合方法については特に制限はないが1例えば合成樹脂
製のボールミル内に合成樹脂で被覆したポール、エタノ
ール、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合
することが好壕しb0タリウムを含む原料は、他の原料
を一次混合した後、予備!Aff、粉砕、仮焼し、それ
を粉砕した粉砕物に添加して二次混合するものとし、も
し他の原料と共に一次混合した後予備焼戒及び仮焼成す
るとタリウムが揮散して組成ずれが生じ rP:e r
Oが110に以上の超電導体を得ることができなり0
予備焼成温度及び仮焼温度は各原料の配合割合などによ
り適宜選定されるが、予備焼成温度は830〜900℃
の範囲、仮焼温度は860〜980℃の範囲が好筐しく
、普た雰囲気は大気中。
製のボールミル内に合成樹脂で被覆したポール、エタノ
ール、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合
することが好壕しb0タリウムを含む原料は、他の原料
を一次混合した後、予備!Aff、粉砕、仮焼し、それ
を粉砕した粉砕物に添加して二次混合するものとし、も
し他の原料と共に一次混合した後予備焼戒及び仮焼成す
るとタリウムが揮散して組成ずれが生じ rP:e r
Oが110に以上の超電導体を得ることができなり0
予備焼成温度及び仮焼温度は各原料の配合割合などによ
り適宜選定されるが、予備焼成温度は830〜900℃
の範囲、仮焼温度は860〜980℃の範囲が好筐しく
、普た雰囲気は大気中。
酸素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中等で予備焼成及び
仮焼することができ特に制限はない。
仮焼することができ特に制限はない。
粉砕についてFi特に制限はな〈従来公知の方法。
例えば乳鉢などを用いて粉砕される。
焼成は密閉容器内で焼成することが好ましい。
密閉容器としては、アルミナ、マグネシア等のセラミッ
クス製の容器を用いることが好ましい。
クス製の容器を用いることが好ましい。
焼成温度は各原料の配合割合などによ勺適宜選定される
が、800〜900℃の範囲で焼成することが好筐しい
。
が、800〜900℃の範囲で焼成することが好筐しい
。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例l
BaC05(和光純薬工業製、純度99.9%)。
CaC05(高純度化学研究新製、純度99.99%)
及びCuOC高純度化学研究新製、純度99.9%)を
第1表に示す割合に秤量し出発原料とした。
及びCuOC高純度化学研究新製、純度99.9%)を
第1表に示す割合に秤量し出発原料とした。
この後上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合
成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合、粉砕した
。乾燥後、電気炉を用いて大気中で880℃で10時間
予備焼成し、ついで乳鉢で粉砕した後、酸化雰囲気中で
第1表に示す程を繰り返し行い、賦香8については予備
焼成粉を粉砕したものをその11用いた。
成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合、粉砕した
。乾燥後、電気炉を用いて大気中で880℃で10時間
予備焼成し、ついで乳鉢で粉砕した後、酸化雰囲気中で
第1表に示す程を繰り返し行い、賦香8については予備
焼成粉を粉砕したものをその11用いた。
次にTlzOs f高純度化学研究新製、純度99.9
%)を第1表に示す割合に秤量して上記の粉砕物中に添
加し、乳鉢で均一に混合、粉砕して超電導体用原料を得
た。得られた超電導体用原料について高周波燃焼赤外線
吸収法により炭素の含有量を測定した。この結果を第2
表に示す。iたタリウム、バリウム、カルシウム及び銅
の比率を原子比で第2表に示す。
%)を第1表に示す割合に秤量して上記の粉砕物中に添
加し、乳鉢で均一に混合、粉砕して超電導体用原料を得
た。得られた超電導体用原料について高周波燃焼赤外線
吸収法により炭素の含有量を測定した。この結果を第2
表に示す。iたタリウム、バリウム、カルシウム及び銅
の比率を原子比で第2表に示す。
さらに上記で得た超[導体用原料を金型ブレスで100
MPaの圧力で成形して厚さ2ffilの成形体を得た
。ついでこの成形体を密閉したアルミするつぼ中で86
5℃で第2表に示す時間焼成してT/系の超電導体を得
た。
MPaの圧力で成形して厚さ2ffilの成形体を得た
。ついでこの成形体を密閉したアルミするつぼ中で86
5℃で第2表に示す時間焼成してT/系の超電導体を得
た。
次に得られたT/系の超電導体を長さ20mmX幅3肋
×厚さ2InI11の直方体に加工し、四端子法で抵抗
の温度変化を測定し T Ze roを求めた。その結
果を第2表に示す。
×厚さ2InI11の直方体に加工し、四端子法で抵抗
の温度変化を測定し T Ze roを求めた。その結
果を第2表に示す。
−〇:
*印は不発明に言1れないもの會小丁。
第2表から明らかなように本発明の実施例になる超電導
体用原料を用いた超電導体は rp:erOが110に
以上の値を示し9本発明に含オれない組成の超電導体用
原料を用いた超電導体に比較してTZeroが高いこと
がわかる。
体用原料を用いた超電導体は rp:erOが110に
以上の値を示し9本発明に含オれない組成の超電導体用
原料を用いた超電導体に比較してTZeroが高いこと
がわかる。
(発明の効果)
本発明によれば、タリウムの揮散を押え rp:er。
の高い超電導体を得ることができ、また上記の効果を有
する超電導体を提供する超電導体用原料を得ることがで
きる。
する超電導体を提供する超電導体用原料を得ることがで
きる。
Claims (3)
- 1.タリウム,バリウム,カルシウム及び銅を主成分と
し,その比率が原子比でタリウム:バリウム:カルシウ
ム:銅が1.8〜4.1:1.8〜2.1:1.9〜4
.1:2.9〜5.1であり,かつ全組成物中に炭素を
0.7重量%以下含有してなる超電導体用原料。 - 2.請求項1記載の組成となるようにタリウム,バリウ
ム,カルシウム及び銅を含む各原料を秤量し,ついでバ
リウム,カルシウム及び銅を含む原料を一次混合した後
,予備焼成,粉砕,仮焼,再粉砕し,さらに前記粉砕物
にタリウムを含む原料を加えて二次混合することを特徴
とする超電導体用原料の製造法。 - 3.請求項2記載の超電導体用原料を焼成することを特
徴とする超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202201A JPH0365513A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202201A JPH0365513A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365513A true JPH0365513A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16453640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202201A Pending JPH0365513A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573804A3 (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-11 | Vacuumschmelze Gmbh | Oxide-ceramic supraconducting material and process of fabrication thereof |
| US6001761A (en) * | 1994-09-27 | 1999-12-14 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Ceramics sheet and production method for same |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP1202201A patent/JPH0365513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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