JPH0625099A - 光学活性化合物および表示素子 - Google Patents
光学活性化合物および表示素子Info
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- JPH0625099A JPH0625099A JP4185366A JP18536692A JPH0625099A JP H0625099 A JPH0625099 A JP H0625099A JP 4185366 A JP4185366 A JP 4185366A JP 18536692 A JP18536692 A JP 18536692A JP H0625099 A JPH0625099 A JP H0625099A
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- optically active
- compound
- trifluoromethyl
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 単独で室温を含む広い温度領域で反強誘電性
を示す材料を提供する。 【構成】 一般式 （式中、Ｒは炭素数１０〜１３のアルキル基である）具
体的には、例えば（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウン
デシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−
トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカル
ボニル）フェニルエステル、で示される光学活性化合物
および当該光学活性化合物を用いた表示素子。
を示す材料を提供する。 【構成】 一般式 （式中、Ｒは炭素数１０〜１３のアルキル基である）具
体的には、例えば（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウン
デシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−
トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカル
ボニル）フェニルエステル、で示される光学活性化合物
および当該光学活性化合物を用いた表示素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な反強誘電性液晶
化合物に関する。本発明の反強誘電性液晶化合物は、高
速応答性に優れた３つの安定な分子配列状態を有するカ
イラルスメクチックＣA 相を示す反強誘電性液晶材料と
して有用である。
化合物に関する。本発明の反強誘電性液晶化合物は、高
速応答性に優れた３つの安定な分子配列状態を有するカ
イラルスメクチックＣA 相を示す反強誘電性液晶材料と
して有用である。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶化合物を用いた表示素子は、
その低電圧駆動性、低電力消費性及び小型、薄型化の観
点から、広く利用されている。反強誘電性液晶は、強誘
電性液晶が示す２つの安定状態に加え、電界無印加時に
第３の安定状態を示す。また、メモリー性を有し、配向
欠陥が少なく、電界印加による欠陥の修復が可能である
等の優れた特性を有している。
その低電圧駆動性、低電力消費性及び小型、薄型化の観
点から、広く利用されている。反強誘電性液晶は、強誘
電性液晶が示す２つの安定状態に加え、電界無印加時に
第３の安定状態を示す。また、メモリー性を有し、配向
欠陥が少なく、電界印加による欠陥の修復が可能である
等の優れた特性を有している。
【０００３】反強誘電性液晶材料を用いた液晶表示素子
は、２枚の直交する偏光板の間に液晶セルを挟み込み、
スメクチック相における分子層の法線方向と偏光板の１
枚との方向が一致するように設置し、電界無印加時の第
３の安定状態を暗状態とし、電界印加時の他の安定状態
を明状態として、明暗の表示を行わせるものである（図
１参照）。この素子の大きな特徴は、直流しきい値電圧
が明確に存在することと、３つの安定状態にそれぞれメ
モリー性があることである。この特徴により、バイアス
電圧の存在下で、単純マトリックスを用いたマルチプレ
ックス駆動が可能となる。
は、２枚の直交する偏光板の間に液晶セルを挟み込み、
スメクチック相における分子層の法線方向と偏光板の１
枚との方向が一致するように設置し、電界無印加時の第
３の安定状態を暗状態とし、電界印加時の他の安定状態
を明状態として、明暗の表示を行わせるものである（図
１参照）。この素子の大きな特徴は、直流しきい値電圧
が明確に存在することと、３つの安定状態にそれぞれメ
モリー性があることである。この特徴により、バイアス
電圧の存在下で、単純マトリックスを用いたマルチプレ
ックス駆動が可能となる。
【０００４】しかしながら、反強誘電性液晶素子におい
ては、しきい値電圧（図１におけるＶ1 ，−Ｖ1 ）以下
の電圧をかけたときに、第３の安定状態の分子配列が微
小変化することが知られている。このため、素子内の反
強誘電性液晶の光軸が偏光子の方向に対してずれを生じ
るため、偏光が一部透過する現象（図１におけるＡ→Ｂ
の過程における透過光量の増加）が起きる。この現象
は、相転移前駆現象と呼ばれ、マルチプレックス駆動の
際の、コントラスト比低下の大きな原因となっている。
ては、しきい値電圧（図１におけるＶ1 ，−Ｖ1 ）以下
の電圧をかけたときに、第３の安定状態の分子配列が微
小変化することが知られている。このため、素子内の反
強誘電性液晶の光軸が偏光子の方向に対してずれを生じ
るため、偏光が一部透過する現象（図１におけるＡ→Ｂ
の過程における透過光量の増加）が起きる。この現象
は、相転移前駆現象と呼ばれ、マルチプレックス駆動の
際の、コントラスト比低下の大きな原因となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来知られ
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、相転
移前駆現象が少なく、良好なコントラストを示す、反強
誘電性を示す液晶材料を提供するものである。
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、相転
移前駆現象が少なく、良好なコントラストを示す、反強
誘電性を示す液晶材料を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式〔Ｉ〕
で示される反強誘電性液晶化合物、および、一般式
〔Ｉ〕で示される反強誘電性液晶化合物を用いた表示素
子である。
で示される反強誘電性液晶化合物、および、一般式
〔Ｉ〕で示される反強誘電性液晶化合物を用いた表示素
子である。
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、Ｒは炭素数１０〜１３のアルキル
基である） 上記一般式〔Ｉ〕において、Ｒは炭素数１０〜１３のア
ルキル基であり、具体的には、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基が挙げられ、これらは直
鎖状でも、分岐鎖を有していてもよい。
基である） 上記一般式〔Ｉ〕において、Ｒは炭素数１０〜１３のア
ルキル基であり、具体的には、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基が挙げられ、これらは直
鎖状でも、分岐鎖を有していてもよい。
【０００９】本発明の一般式〔Ｉ〕で示される化合物と
しては、以下の化合物が挙げられる。 No. １：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−デシルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロ
メチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェ
ニルエステル No. ２：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフル
オロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）
フェニルエステル No. ３：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ドデシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオ
ロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フ
ェニルエステル No. ４：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−トリデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフル
オロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）
フェニルエステル
しては、以下の化合物が挙げられる。 No. １：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−デシルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロ
メチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェ
ニルエステル No. ２：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフル
オロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）
フェニルエステル No. ３：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ドデシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオ
ロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フ
ェニルエステル No. ４：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−トリデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフル
オロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）
フェニルエステル
【００１０】（製造方法）本発明の一般式〔Ｉ〕で示さ
れる化合物は、以下の反応式に示す方法により製造する
ことができる。以下、反応式で例示するが、式中、Ｒ
は、一般式〔Ｉ〕で規定したものと同一であり、式中の
〔 〕の番号は、上段の化合物を表す。
れる化合物は、以下の反応式に示す方法により製造する
ことができる。以下、反応式で例示するが、式中、Ｒ
は、一般式〔Ｉ〕で規定したものと同一であり、式中の
〔 〕の番号は、上段の化合物を表す。
【００１１】
【化４】
【００１２】反応工程（１）は、脱水縮合剤としてジシ
クロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒としてＮ，
Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩基を用
い、塩化メチレン、クロロホルム等の溶媒中で反応させ
ることによって容易に実施できる。反応工程（２）は、
脱ベンジル化工程であるが、触媒としてパラジウム炭素
等を用い、溶媒としてエタノール、酢酸等を用い、常圧
水添するなどの公知の方法により実施することができ
る。反応工程（３）は、反応工程（１）と全く同様に実
施でき、容易に本発明の目的化合物である一般式〔Ｉ〕
の化合物に導くことができる。
クロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒としてＮ，
Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩基を用
い、塩化メチレン、クロロホルム等の溶媒中で反応させ
ることによって容易に実施できる。反応工程（２）は、
脱ベンジル化工程であるが、触媒としてパラジウム炭素
等を用い、溶媒としてエタノール、酢酸等を用い、常圧
水添するなどの公知の方法により実施することができ
る。反応工程（３）は、反応工程（１）と全く同様に実
施でき、容易に本発明の目的化合物である一般式〔Ｉ〕
の化合物に導くことができる。
【００１３】（素子の製造）本発明の液晶化合物を用い
た素子の作製には、従来の強誘電性液晶を用いる素子の
作製技術が応用できる。即ち、透明電極が設けられ、表
面が配向処理された２枚の透明基板をスペーサーを挟ん
で貼り合わせたものに、液晶化合物を注入することによ
り得られる。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 などを用いること
ができる。また、スペーサーとしては、シリカビーズ、
アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリマーフィルム
などを用いることができる。
た素子の作製には、従来の強誘電性液晶を用いる素子の
作製技術が応用できる。即ち、透明電極が設けられ、表
面が配向処理された２枚の透明基板をスペーサーを挟ん
で貼り合わせたものに、液晶化合物を注入することによ
り得られる。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 などを用いること
ができる。また、スペーサーとしては、シリカビーズ、
アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリマーフィルム
などを用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の光学活性化合物は、従来知られ
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、相転
移前駆現象が少なく、良好なコントラストを示す、反強
誘電性を示すものである。
ている反強誘電性液晶材料とは分子構造を異にし、相転
移前駆現象が少なく、良好なコントラストを示す、反強
誘電性を示すものである。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。なお、実施例中の相転移温度の測定、およ
び相の同定は、ＤＳＣ、および、実施例３で製造する素
子の電場応答を偏光顕微鏡で観察することによって実施
した。また、相転移前駆現象は、透過光量を検光子の透
過軸を回転させ、偏光子の透過軸と一致させたときの値
を１００％とし、図１における（Ｔ2 −Ｔ1 ）（％）で
示した。また、相転移温度（℃）の表示に用いた略号；
Ｃｒｙは結晶相を、ＳｍＣA * はカイラルスメクチック
ＣA 相を、ＳｍＣ* はカイラルスメクチックＣ相を、Ｓ
ｍＡはスメクチックＡ相を、Ｉｓｏは等方性液体相を表
す。また、上段の値は５℃／ｍｉｎで昇温したとき、下
段の値は５℃／ｍｉｎで降温したときの相転移温度を表
す。
に説明する。なお、実施例中の相転移温度の測定、およ
び相の同定は、ＤＳＣ、および、実施例３で製造する素
子の電場応答を偏光顕微鏡で観察することによって実施
した。また、相転移前駆現象は、透過光量を検光子の透
過軸を回転させ、偏光子の透過軸と一致させたときの値
を１００％とし、図１における（Ｔ2 −Ｔ1 ）（％）で
示した。また、相転移温度（℃）の表示に用いた略号；
Ｃｒｙは結晶相を、ＳｍＣA * はカイラルスメクチック
ＣA 相を、ＳｍＣ* はカイラルスメクチックＣ相を、Ｓ
ｍＡはスメクチックＡ相を、Ｉｓｏは等方性液体相を表
す。また、上段の値は５℃／ｍｉｎで昇温したとき、下
段の値は５℃／ｍｉｎで降温したときの相転移温度を表
す。
【００１６】（実施例１） （Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオキシビフ
ェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロメチ
ル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェニル
エステル（化合物Ｎｏ．２） （１）（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベンジルオキシ安息
香酸−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
エステルの製造 ４−ベンジルオキシ安息香酸１．３７ｇ（６．００ｍｍ
ｏｌ）、（Ｒ）−１−トリフルオロメチル−５−メトキ
シペンタノール０．９３ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、およ
び、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．３６ｇ（３．
００ｍｍｏｌ）に、塩化メチレン２０ｍｌを加え、室温
にて攪拌した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１．
５４ｇ（７．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間反
応させた。
ェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロメチ
ル−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェニル
エステル（化合物Ｎｏ．２） （１）（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベンジルオキシ安息
香酸−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
エステルの製造 ４−ベンジルオキシ安息香酸１．３７ｇ（６．００ｍｍ
ｏｌ）、（Ｒ）−１−トリフルオロメチル−５−メトキ
シペンタノール０．９３ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、およ
び、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．３６ｇ（３．
００ｍｍｏｌ）に、塩化メチレン２０ｍｌを加え、室温
にて攪拌した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１．
５４ｇ（７．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間反
応させた。
【００１７】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、５％酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベンジルオキシ
安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペン
チルエステル１．７１ｇ（４．２９ｍｍｏｌ）を得た。
洗、５％酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベンジルオキシ
安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペン
チルエステル１．７１ｇ（４．２９ｍｍｏｌ）を得た。
【００１８】（２）（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−
１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステ
ルの製造 上記（１）で得られた（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベン
ジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メ
トキシペンチルエステル１．７０ｇ（４．２８ｍｍｏ
ｌ）を、酢酸１０ｍｌに溶解した後、水素雰囲気下、５
％パラジウム炭素０．４３ｇを用い、室温にて５時間反
応させた。反応終了後、パラジウム炭素を濾別し、酢酸
を留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目
的の（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオ
ロメチル−５−メトキシペンチルエステル１．３０ｇ
（４．２６ｍｍｏｌ）を得た。
１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステ
ルの製造 上記（１）で得られた（Ｒ）−２−フルオロ−４−ベン
ジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メ
トキシペンチルエステル１．７０ｇ（４．２８ｍｍｏ
ｌ）を、酢酸１０ｍｌに溶解した後、水素雰囲気下、５
％パラジウム炭素０．４３ｇを用い、室温にて５時間反
応させた。反応終了後、パラジウム炭素を濾別し、酢酸
を留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目
的の（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオ
ロメチル−５−メトキシペンチルエステル１．３０ｇ
（４．２６ｍｍｏｌ）を得た。
【００１９】（３）目的化合物（化合物Ｎｏ. ２）の製
造 上記（２）で得られた（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸
−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエス
テル１０１ｍｇ（０．３３ｍｍｏｌ）、３’−フルオロ
−４’−ウンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸
１５０ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−４−アミノピリジン２４ｍｇ（０．２０ｍｍｏ
ｌ）に、塩化メチレン１０ｍｌを加え、室温にて攪拌し
た後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１０３ｍｇ
（０．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間反応させ
た。
造 上記（２）で得られた（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸
−１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエス
テル１０１ｍｇ（０．３３ｍｍｏｌ）、３’−フルオロ
−４’−ウンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸
１５０ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−４−アミノピリジン２４ｍｇ（０．２０ｍｍｏ
ｌ）に、塩化メチレン１０ｍｌを加え、室温にて攪拌し
た後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１０３ｍｇ
（０．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間反応させ
た。
【００２０】反応終了後、析出した固形物を濾別し、水
洗、５％酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシル
オキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフ
ルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニ
ル）フェニルエステル２０２ｍｇ（０．３０ｍｍｏｌ）
を得た。
洗、５％酢酸水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メ
チレンを留去し、粗目的物を得た。このものを、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、目的の（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシル
オキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフ
ルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカルボニ
ル）フェニルエステル２０２ｍｇ（０．３０ｍｍｏｌ）
を得た。
【００２１】1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ｐｐｍ） 0.88(t,3H), 1.16−1.55(m,20H), 1.81−1.97(m,2H),
3.30(s,3H),3.38(t,2H), 4.04(t,2H), 5.52−5.60(m,1
H), 7.04(t,1H), 7.30−7.48(m,4H),7.70(d,2H), 8.18
(d,2H), 8.25(d,2H) ＩＲスペクトル（ｃｍ-1） 2930, 2860, 1740, 1608, 1530, 1500, 1400, 1260, 11
80, 1080, 1020, 850,760, 590 相転移温度（℃）
3.30(s,3H),3.38(t,2H), 4.04(t,2H), 5.52−5.60(m,1
H), 7.04(t,1H), 7.30−7.48(m,4H),7.70(d,2H), 8.18
(d,2H), 8.25(d,2H) ＩＲスペクトル（ｃｍ-1） 2930, 2860, 1740, 1608, 1530, 1500, 1400, 1260, 11
80, 1080, 1020, 850,760, 590 相転移温度（℃）
【００２２】
【化５】
【００２３】（実施例２）透明電極付きの２枚のガラス
基板に、配向膜としてポリイミドをスピンコートし、ラ
ビング処理を施し、それらを、それぞれのラビング方向
が互いに平行となるよう、１．5 μｍのギャップ間隔で
貼り合わせ、セルを組み立てた。それに実施例１で製造
した化合物（化合物Ｎｏ. ２）を等方性液体状態にして
注入し、その後、液晶状態まで徐々に冷却した。これを
透過軸を直交させた偏光子と検光子とで挟み、印加電圧
が０Ｖのとき、透過光量が最小となるよう、偏光子に対
するセルの角度を調整した。
基板に、配向膜としてポリイミドをスピンコートし、ラ
ビング処理を施し、それらを、それぞれのラビング方向
が互いに平行となるよう、１．5 μｍのギャップ間隔で
貼り合わせ、セルを組み立てた。それに実施例１で製造
した化合物（化合物Ｎｏ. ２）を等方性液体状態にして
注入し、その後、液晶状態まで徐々に冷却した。これを
透過軸を直交させた偏光子と検光子とで挟み、印加電圧
が０Ｖのとき、透過光量が最小となるよう、偏光子に対
するセルの角度を調整した。
【００２４】以上の手順で作成した素子に、３７℃にお
いて、印加電圧変化に対する透過光量変化を測定するこ
とにより、相転移前駆現象を求めたところ、１．５％で
あった。
いて、印加電圧変化に対する透過光量変化を測定するこ
とにより、相転移前駆現象を求めたところ、１．５％で
あった。
【００２５】（実施例３） （Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ドデシルオキシビフェ
ニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロメチル
−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェニルエ
ステル（化合物Ｎｏ．３） 実施例１と全く同様にして、上記化合物（化合物Ｎｏ．
３）を合成し、相転移温度を測定した。その結果を以下
に示した。 相転移温度（℃）
ニル−４−カルボン酸−４−（１−トリフルオロメチル
−５−メトキシペンチルオキシカルボニル）フェニルエ
ステル（化合物Ｎｏ．３） 実施例１と全く同様にして、上記化合物（化合物Ｎｏ．
３）を合成し、相転移温度を測定した。その結果を以下
に示した。 相転移温度（℃）
【００２６】
【化６】
【００２７】（実施例４）実施例３で製造した化合物を
用いて、実施例２と同様にして相転移前駆現象を求めた
ところ、１．９％であった。
用いて、実施例２と同様にして相転移前駆現象を求めた
ところ、１．９％であった。
【００２８】（比較例１、２）実施例１と同様にして、
下記一般式〔ＶＩ〕におけるＲが表１に示される化合物
を合成し、それぞれの化合物の相転移前駆現象を測定し
た。これらの結果を表１に示した。
下記一般式〔ＶＩ〕におけるＲが表１に示される化合物
を合成し、それぞれの化合物の相転移前駆現象を測定し
た。これらの結果を表１に示した。
【００２９】
【化７】
【００３０】
【表１】
【００３１】これらの化合物では、いずれも実施例の化
合物に比べ、相転移前駆現象が大きかった。
合物に比べ、相転移前駆現象が大きかった。
【００３２】
【図面の簡単な説明】 図１は、反強誘電性液晶化合物を用いて作成したセル
の、印加電圧に対する透過率の変化を示す。 相転移前駆現象（％）＝Ｔ2 −Ｔ1
の、印加電圧に対する透過率の変化を示す。 相転移前駆現象（％）＝Ｔ2 −Ｔ1
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式〔Ｉ〕で示される光学活性化合
物。 【化１】 （式中、Ｒは炭素数１０〜１３のアルキル基である） - 【請求項２】 一般式〔Ｉ〕で示される光学活性化合物
を用いた表示素子。 【化２】 （式中、Ｒは炭素数１０〜１３のアルキル基である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4185366A JPH0625099A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4185366A JPH0625099A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625099A true JPH0625099A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16169548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4185366A Pending JPH0625099A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光学活性化合物および表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625099A (ja) |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP4185366A patent/JPH0625099A/ja active Pending
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