JPH06251622A - 誘電体磁器及び磁器コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器及び磁器コンデンサInfo
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- JPH06251622A JPH06251622A JP5061163A JP6116393A JPH06251622A JP H06251622 A JPH06251622 A JP H06251622A JP 5061163 A JP5061163 A JP 5061163A JP 6116393 A JP6116393 A JP 6116393A JP H06251622 A JPH06251622 A JP H06251622A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率の温度変化の小さい誘電体磁器の比
誘電率を高める。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モル部のＣ
ａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部のＺｎＯと、０．
１〜０．３モル部のＭｎＯと、０．２〜０．７モル部の
Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）とから成る誘電体磁器とす
る。
誘電率を高める。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モル部のＣ
ａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部のＺｎＯと、０．
１〜０．３モル部のＭｎＯと、０．２〜０．７モル部の
Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）とから成る誘電体磁器とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電率の温度変化が小
さく且つ高い誘電率を有する誘電体磁器及びこれを使用
した単層又は積層の誘電体磁器コンデンサに関する。
さく且つ高い誘電率を有する誘電体磁器及びこれを使用
した単層又は積層の誘電体磁器コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電率の温度変化の小さい誘電体磁器組
成物として、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）にＮｂ
2 Ｏ5 及びＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ等の酸化物を加えた組成物
が知られている。この誘電体磁器組成物の比誘電率は２
０００〜３５００程度である。
成物として、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）にＮｂ
2 Ｏ5 及びＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ等の酸化物を加えた組成物
が知られている。この誘電体磁器組成物の比誘電率は２
０００〜３５００程度である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体磁器
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るためには一対の電極間に介在す
る誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。し
かし、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁
耐圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るためには一対の電極間に介在す
る誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。し
かし、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁
耐圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、−２５℃〜＋８
５℃の範囲における比誘電率の最大変化率が２０％以下
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．０％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が１×１０5 ＭΩ・ｃｍ
以上であり、２０℃の比誘電率が４０００以上である誘
電体磁器及びこれを使用した磁器コンデンサを提供する
ことにある。
５℃の範囲における比誘電率の最大変化率が２０％以下
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．０％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が１×１０5 ＭΩ・ｃｍ
以上であり、２０℃の比誘電率が４０００以上である誘
電体磁器及びこれを使用した磁器コンデンサを提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モ
ル部のＣａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部の亜鉛化
合物と、０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、
０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類原
子はＥｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂの内の１種又は複数種）と
から成る誘電体磁器に係わるものである。なお、請求項
２に示すように、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデン
サの誘電体磁器基体として使用することができる。
の本発明は、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モ
ル部のＣａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部の亜鉛化
合物と、０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、
０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類原
子はＥｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂの内の１種又は複数種）と
から成る誘電体磁器に係わるものである。なお、請求項
２に示すように、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデン
サの誘電体磁器基体として使用することができる。
【０００６】
【発明の作用及び効果】誘電体磁器を本発明で特定した
組成にすると、−２５℃〜＋８５℃の範囲に比誘電率の
最大変化率が２０％以下、２０℃の誘電損失tan δが
１．０％以下、１５０℃における抵抗率ρが１×１０5
ＭΩ・ｃｍ以上、２０℃の比誘電率が４０００以上にな
る。即ち、各成分の相乗効果によって、従来の比誘電率
の温度変化の少ない誘電体磁器組成物よりも比誘電率の
高い誘電体磁器を提供することができる。なお、比誘電
率が向上すると、磁器コンデンサの小型化が可能にな
る。
組成にすると、−２５℃〜＋８５℃の範囲に比誘電率の
最大変化率が２０％以下、２０℃の誘電損失tan δが
１．０％以下、１５０℃における抵抗率ρが１×１０5
ＭΩ・ｃｍ以上、２０℃の比誘電率が４０００以上にな
る。即ち、各成分の相乗効果によって、従来の比誘電率
の温度変化の少ない誘電体磁器組成物よりも比誘電率の
高い誘電体磁器を提供することができる。なお、比誘電
率が向上すると、磁器コンデンサの小型化が可能にな
る。
【０００７】
【第１の実施例】次に、本発明の第１の実施例を説明す
る。この実施例においては、図１に示す誘電体磁器コン
デンサ１０を作製した。この磁器コンデンサ１０は、円
板状の誘電体磁器基体１２と、この一対の主面に設けら
れた一対の電極１４、１６とから成る。
る。この実施例においては、図１に示す誘電体磁器コン
デンサ１０を作製した。この磁器コンデンサ１０は、円
板状の誘電体磁器基体１２と、この一対の主面に設けら
れた一対の電極１４、１６とから成る。
【０００８】図１の磁器基体１２を形成するために、純
度９９．９％のＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）とＣ
ａＺｒＯ3 （ジルコン酸カルシウム）と、亜鉛化合物と
してのＺｎＯ（酸化亜鉛）と、マンガン化合物としての
ＭｎＯ（酸化マンガン）と、希土類化合物として希土類
酸化物Ｒｅ2 Ｏ3 とを用意した。但し、ここで、Ｒｅは
Ｅｒ（エルビウム）、又はＨｏ（ホルミウム）、又はＴ
ｍ（ツリウム）、又はＹｂ（イッテルビウム）である。
従って、希土類酸化物としてはＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビ
ウム）とＨｏ2 Ｏ3 （酸化ホルミウム）とＴｍ2 Ｏ
3 （酸化ツリウム）とＹｂ2 Ｏ3 （酸化イッテルビウ
ム）を用意した。次に、ＢａＴｉＯ3 を１００モル部一
定として、ＣａＺｒＯ3 、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｒｅ2 Ｏ3
を変化させて表１に示す１９種類の誘電体磁器材料（試
料）を用意した。
度９９．９％のＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）とＣ
ａＺｒＯ3 （ジルコン酸カルシウム）と、亜鉛化合物と
してのＺｎＯ（酸化亜鉛）と、マンガン化合物としての
ＭｎＯ（酸化マンガン）と、希土類化合物として希土類
酸化物Ｒｅ2 Ｏ3 とを用意した。但し、ここで、Ｒｅは
Ｅｒ（エルビウム）、又はＨｏ（ホルミウム）、又はＴ
ｍ（ツリウム）、又はＹｂ（イッテルビウム）である。
従って、希土類酸化物としてはＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビ
ウム）とＨｏ2 Ｏ3 （酸化ホルミウム）とＴｍ2 Ｏ
3 （酸化ツリウム）とＹｂ2 Ｏ3 （酸化イッテルビウ
ム）を用意した。次に、ＢａＴｉＯ3 を１００モル部一
定として、ＣａＺｒＯ3 、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｒｅ2 Ｏ3
を変化させて表１に示す１９種類の誘電体磁器材料（試
料）を用意した。
【０００９】
【表１】
【００１０】試料NO. １の誘電体磁器材料に従う磁器コ
ンデンサの製造方法を次に説明する。 まず、ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １．０モル部 ＺｎＯ １．０モル部 ＭｎＯ ０．１５モル部 Ｅｒ2 Ｏ3 ０．５モル部 の割合になるように各成分を秤量し、これ等をボールミ
ルで２４時間湿式混合し、しかる後脱水し、乾燥して磁
器材料粉末を得た。次に、この磁器材料の粉末に有機バ
インダを添加して造粒し、これを直径１０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状成形体にプレス形成した。次に、こ
の磁器材料の成形体を空気（酸化性雰囲気）中において
１３００℃〜１３５０℃で２時間焼成して焼結体から成
る図１に示した誘電体磁器基体１２を得た。なお、誘電
体磁器基体１２の組成は、焼結前の誘電体磁器材料の組
成と実質的に同一である。次に、この磁器基体１２の一
方及び両方の主面に銀ペーストを印刷法で塗布し、しか
る後８００℃で焼付けることによって一対の電極１４、
１６を形成し、磁器コンデンサ１０を完成させた。
ンデンサの製造方法を次に説明する。 まず、ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １．０モル部 ＺｎＯ １．０モル部 ＭｎＯ ０．１５モル部 Ｅｒ2 Ｏ3 ０．５モル部 の割合になるように各成分を秤量し、これ等をボールミ
ルで２４時間湿式混合し、しかる後脱水し、乾燥して磁
器材料粉末を得た。次に、この磁器材料の粉末に有機バ
インダを添加して造粒し、これを直径１０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状成形体にプレス形成した。次に、こ
の磁器材料の成形体を空気（酸化性雰囲気）中において
１３００℃〜１３５０℃で２時間焼成して焼結体から成
る図１に示した誘電体磁器基体１２を得た。なお、誘電
体磁器基体１２の組成は、焼結前の誘電体磁器材料の組
成と実質的に同一である。次に、この磁器基体１２の一
方及び両方の主面に銀ペーストを印刷法で塗布し、しか
る後８００℃で焼付けることによって一対の電極１４、
１６を形成し、磁器コンデンサ１０を完成させた。
【００１１】次に、完成した磁器コンデンサの比誘電率
εr と、誘電損失tan δと、比誘電率の最大変化率Δε
と、抵抗率ρとを次の要領で測定した。 （ａ） 比誘電率εr ２０℃、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定した。 （ｂ） 誘電損失tan δ ２０℃、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定した。 （ｃ） 比誘電率の最大変化率Δε 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の各温度における比誘電率εr
を求め、２０℃の比誘電率に対する変化率をそれぞれ求
め、この内の最大値を読み取り、最大変化率Δεとし
た。 （ｄ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流５０Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定し、
この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗率ρ
を計算した。
εr と、誘電損失tan δと、比誘電率の最大変化率Δε
と、抵抗率ρとを次の要領で測定した。 （ａ） 比誘電率εr ２０℃、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定した。 （ｂ） 誘電損失tan δ ２０℃、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定した。 （ｃ） 比誘電率の最大変化率Δε 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の各温度における比誘電率εr
を求め、２０℃の比誘電率に対する変化率をそれぞれ求
め、この内の最大値を読み取り、最大変化率Δεとし
た。 （ｄ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流５０Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定し、
この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗率ρ
を計算した。
【００１２】試料NO. １の場合、表２に示すように、比
誘電率εr は４８００、tan δは０．７０％、Δεは１
７．５％、ρは８．８×１０5 ＭΩ・ｃｍであった。
誘電率εr は４８００、tan δは０．７０％、Δεは１
７．５％、ρは８．８×１０5 ＭΩ・ｃｍであった。
【００１３】試料NO. ２〜１９においても試料NO. １と
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でεr
、tan δ、Δε、ρを測定したところ、表２に示す結
果が得られた。
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でεr
、tan δ、Δε、ρを測定したところ、表２に示す結
果が得られた。
【００１４】
【表２】
【００１５】表１及び表２から明らかなように、本発明
で特定した組成を満足する試料NO.１、３、６、９、１
２、１４〜１９の磁器コンデンサは、本発明で目標とし
ているεr が４０００以上、tan δが１．０％以下、Δ
εが２０％以下、ρが１×１０5 ＭΩ・ｃｍ以上を満足
している。これに対し、試料NO. ２、４、５、７、８、
１０、１１、１３の磁器コンデンサは本発明で目標とす
る特性を得ることができないので、本発明以外のもので
ある。
で特定した組成を満足する試料NO.１、３、６、９、１
２、１４〜１９の磁器コンデンサは、本発明で目標とし
ているεr が４０００以上、tan δが１．０％以下、Δ
εが２０％以下、ρが１×１０5 ＭΩ・ｃｍ以上を満足
している。これに対し、試料NO. ２、４、５、７、８、
１０、１１、１３の磁器コンデンサは本発明で目標とす
る特性を得ることができないので、本発明以外のもので
ある。
【００１６】誘電体磁器の組成の限定理由を次に述べ
る。試料NO. ２に示すようにＣａＺｒＯ3 が０．５モル
部の場合にはΔεが所望値よりも大きくなる。しかし、
試料NO. １に示すようにＣａＺｒＯ3 が１．０モル部の
場合には所望特性が得られる。従って、ＣａＺｒＯ3 の
下限値は１．０モル部である。試料NO. ４に示すように
ＣａＺｒＯ3 が８．０モル部の場合にはΔεが所望値よ
りも大きくなる。しかし、試料NO. １５に示すようにＣ
ａＺｒＯ3 が７．０モル部の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＣａＺｒＯ3 の上限値は７．０モル部であ
る。
る。試料NO. ２に示すようにＣａＺｒＯ3 が０．５モル
部の場合にはΔεが所望値よりも大きくなる。しかし、
試料NO. １に示すようにＣａＺｒＯ3 が１．０モル部の
場合には所望特性が得られる。従って、ＣａＺｒＯ3 の
下限値は１．０モル部である。試料NO. ４に示すように
ＣａＺｒＯ3 が８．０モル部の場合にはΔεが所望値よ
りも大きくなる。しかし、試料NO. １５に示すようにＣ
ａＺｒＯ3 が７．０モル部の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＣａＺｒＯ3 の上限値は７．０モル部であ
る。
【００１７】試料NO. ５に示すようにＺｎＯが０．２モ
ル部の場合には、ε、tan δ及びΔεがそれぞれの所望
範囲外になる。しかし、試料NO. １４に示すようにＺｎ
Ｏが０．５モル部の場合には所望特性が得られる。従っ
て、ＺｎＯの下限値は０．５モル部である。試料NO. ７
に示すようにＺｎＯが１．７モル部の場合には緻密な焼
結体が得られない。しかし、試料NO. ９に示すようにＺ
ｎＯが１．５モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、ＺｎＯの上限値は１．５モル部である。
ル部の場合には、ε、tan δ及びΔεがそれぞれの所望
範囲外になる。しかし、試料NO. １４に示すようにＺｎ
Ｏが０．５モル部の場合には所望特性が得られる。従っ
て、ＺｎＯの下限値は０．５モル部である。試料NO. ７
に示すようにＺｎＯが１．７モル部の場合には緻密な焼
結体が得られない。しかし、試料NO. ９に示すようにＺ
ｎＯが１．５モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、ＺｎＯの上限値は１．５モル部である。
【００１８】試料NO. １１に示すようにＭｎＯが０．０
６モル部の場合にはtan δ及びρが所望範囲から外れ
る。しかし、試料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．１
モル部の場合には所望特性が得られる。従って、ＭｎＯ
の下限値は０．１モル部である。試料NO. １３に示すよ
うにＭｎＯが０．３３モル部の場合にはρが所望値より
も小さくなる。しかし、試料NO. １２に示すようにＭｎ
Ｏが０．３０モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、ＭｎＯの上限値は０．３０モル部である。
６モル部の場合にはtan δ及びρが所望範囲から外れ
る。しかし、試料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．１
モル部の場合には所望特性が得られる。従って、ＭｎＯ
の下限値は０．１モル部である。試料NO. １３に示すよ
うにＭｎＯが０．３３モル部の場合にはρが所望値より
も小さくなる。しかし、試料NO. １２に示すようにＭｎ
Ｏが０．３０モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、ＭｎＯの上限値は０．３０モル部である。
【００１９】試料NO. ８に示すようにＲｅ2 Ｏ3 即ちＥ
ｒ2 Ｏ3 が０．１０モル部の場合にはΔεが所望値より
も大きくなる。しかし、試料NO. ６に示すようにＲｅ2
Ｏ3が０．２モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、Ｒｅ2 Ｏ3 の下限値は０．２モル部である。試料
NO. １０に示すようにＲｅ2 Ｏ3 が０．８モル部の場合
には緻密な焼結体が得られない。しかし、試料NO. ３に
示すようにＲｅ2 Ｏ3が０．７モル部の場合には所望特
性が得られる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の上限値は０．７モ
ル部である。なお、試料NO. １７、１８、１９に示すよ
うにＲｅ2 Ｏ3としてＨｏ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2
Ｏ3 を使用してもＥｒ2 Ｏ3 と同様な作用効果を得るこ
とができる。また、表１及び表２には示されていない
が、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 をＥｒ2 Ｏ3
と同様に０．１０〜０．３０モル部の範囲で変化させて
も同様な作用効果が得られることが確認されている。ま
た、Ｅｒ2 Ｏ3 とＨｏ2 Ｏ3 とＴｍ2 Ｏ3 とＹｂ2 Ｏ3
から選択された複数種又は全部を０．１０〜０．３０モ
ル部の範囲で混入しても１種の場合と同様な作用効果が
得られることが確認されている。
ｒ2 Ｏ3 が０．１０モル部の場合にはΔεが所望値より
も大きくなる。しかし、試料NO. ６に示すようにＲｅ2
Ｏ3が０．２モル部の場合には所望特性が得られる。従
って、Ｒｅ2 Ｏ3 の下限値は０．２モル部である。試料
NO. １０に示すようにＲｅ2 Ｏ3 が０．８モル部の場合
には緻密な焼結体が得られない。しかし、試料NO. ３に
示すようにＲｅ2 Ｏ3が０．７モル部の場合には所望特
性が得られる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の上限値は０．７モ
ル部である。なお、試料NO. １７、１８、１９に示すよ
うにＲｅ2 Ｏ3としてＨｏ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2
Ｏ3 を使用してもＥｒ2 Ｏ3 と同様な作用効果を得るこ
とができる。また、表１及び表２には示されていない
が、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 をＥｒ2 Ｏ3
と同様に０．１０〜０．３０モル部の範囲で変化させて
も同様な作用効果が得られることが確認されている。ま
た、Ｅｒ2 Ｏ3 とＨｏ2 Ｏ3 とＴｍ2 Ｏ3 とＹｂ2 Ｏ3
から選択された複数種又は全部を０．１０〜０．３０モ
ル部の範囲で混入しても１種の場合と同様な作用効果が
得られることが確認されている。
【００２０】
【第２の実施例】図２は第２の実施例の積層型磁器コン
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １〜７モル部 ＺｎＯ ０．５〜１．５モル部 ＭｎＯ ０．１〜０．３モル部 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．２〜０．７モル部 から成る組成物で形成されている。第１及び第２の内部
電極２２、２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設さ
れ、これ等の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に
露出し、ここに設けられた第１及び第２の外部電極２
６、２８に接続されている。第１及び第２の内部電極２
２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁
器層を介して互いに対向しているので、これ等の間に容
量を得ることができる。
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １〜７モル部 ＺｎＯ ０．５〜１．５モル部 ＭｎＯ ０．１〜０．３モル部 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．２〜０．７モル部 から成る組成物で形成されている。第１及び第２の内部
電極２２、２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設さ
れ、これ等の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に
露出し、ここに設けられた第１及び第２の外部電極２
６、２８に接続されている。第１及び第２の内部電極２
２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁
器層を介して互いに対向しているので、これ等の間に容
量を得ることができる。
【００２１】積層型磁器コンデンサを製造する時には、
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るための導電ペーストを所望パターンに塗布して
積層し、更にこの上下にグリ−ンシ−トを重ね、これ等
を圧着した後に、所望形状にカッテングして焼成する。
これにより、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、
２４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる後、磁
器基体２０の側面に導電ペーストを塗布して焼付けるこ
とによって第１及び第２の外部電極２６、２８を形成す
る。
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るための導電ペーストを所望パターンに塗布して
積層し、更にこの上下にグリ−ンシ−トを重ね、これ等
を圧着した後に、所望形状にカッテングして焼成する。
これにより、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、
２４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる後、磁
器基体２０の側面に導電ペーストを塗布して焼付けるこ
とによって第１及び第２の外部電極２６、２８を形成す
る。
【００２２】図２の積層コンデンサ１８についても、図
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
３、６、９、１２、１４〜１９と同一の組成の種々の試
料を作成し、これ等のεｒ、tan δ、Δε、ρを測定し
たところ、本発明の目標特性を満足していた。
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
３、６、９、１２、１４〜１９と同一の組成の種々の試
料を作成し、これ等のεｒ、tan δ、Δε、ρを測定し
たところ、本発明の目標特性を満足していた。
【００２３】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 焼成温度は例えば１１００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。 （２） 誘電体磁器材料の出発物質として、ＭｎＯの代
りにＭｎＯ2 、Ｍｎ3Ｏ4 等の酸化物、ＭｎＣＯ3 等の
炭酸化物、Ｍｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化
物を使用することができる。また、Ｒｅ2 Ｏ3 の代りに
Ｒｅ（ＯＨ）3（希土類水酸化物）を使用することがで
きる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 焼成温度は例えば１１００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。 （２） 誘電体磁器材料の出発物質として、ＭｎＯの代
りにＭｎＯ2 、Ｍｎ3Ｏ4 等の酸化物、ＭｎＣＯ3 等の
炭酸化物、Ｍｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化
物を使用することができる。また、Ｒｅ2 Ｏ3 の代りに
Ｒｅ（ＯＨ）3（希土類水酸化物）を使用することがで
きる。
【図１】第１の実施例の磁器コンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
【図２】第２の実施例の積層磁器コンデンサを示す断面
図である。
図である。
１２ 誘電体磁器基体 １４、１６ 電極
フロントページの続き (72)発明者 茶園 広一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 １００モル部のＢａＴｉＯ3 と、 １〜７モル部のＣａＺｒＯ3 と、 ０．５〜１．５モル部の亜鉛化合物と、 ０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、 ０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類原
子はＥｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂの内の１種又は複数種）
と、から成る誘電体磁器。 - 【請求項２】 誘電体磁器基体とこの誘電体磁器基体に
接触している少なくとも２つの電極とから成る磁器コン
デンサであって、前記誘電体磁器基体が、 １００モル部のＢａＴｉＯ3 と、 １〜７モル部のＣａＺｒＯ3 と、 ０．５〜１．５モル部の亜鉛化合物と、 ０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、 ０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類原
子はＥｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂの内の１種又は複数種）
と、から成ることを特徴とする誘電体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061163A JPH06251622A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061163A JPH06251622A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251622A true JPH06251622A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13163205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5061163A Pending JPH06251622A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2380062A (en) * | 2001-07-02 | 2003-03-26 | Avx Corp | A method of fabricating a single layer capacitor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157603A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH03171712A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP5061163A patent/JPH06251622A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157603A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH03171712A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2380062A (en) * | 2001-07-02 | 2003-03-26 | Avx Corp | A method of fabricating a single layer capacitor |
| US6816354B2 (en) | 2001-07-02 | 2004-11-09 | Avx Corporation | Single layer capacitor milled part |
| GB2380062B (en) * | 2001-07-02 | 2005-06-08 | Avx Corp | Single layer capacitor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990608 |