JPH03171712A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、誘電体磁器と少なくとも２つの電極とから成
る単層又は積Ｎ梢遣の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する． ［従来の技術Ｊ 従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、誘電体磁
器原料粉末から或るグリーンシ一ト（未焼結磁器シート
）に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、１３００℃〜１６００℃の酸化性雰囲気中で焼結させ
た．これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得ら
れる．上述の如く、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気
中で高温で焼結させても目的とする内部電極を得ること
ができる．しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価
であるため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高に
なった． 上述の問題を解決することができるものとして、本件出
願人に係わる特公昭６１−１４６０７号公報には、 （　Ｂ　ａ　　　Ｍ　　）　Ｏ　　Ｔ　ｉ　０２　　（
但し、ＭはＭｋ−ｘｘｋ ｇ及びＺｎの内の少なくとも１種〉から成る基本成分と
、Ｌｉ　　Ｏと３　１　０　２とから成る添加成分２ とを含む誘電体磁器組成物が開示されている．また、特
公昭６１−１４６０８号公報には、上記の特公昭６１−
１４６０７号公報のＬ　ｉ　２　０とＳ　ｉＯ　２の代
りに、Ｌ　１　２　０とＳ　１　０　２とＭＯ（但し、
ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ及びＳｒＯの内の少なくとも１１
ｍ）とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている． また、特公昭６１−１４６０９号公報には、（Ｂａ（−
ｘ−ｙＭｘ　Ｌｙ）Ｏ　　Ｔｉ０２　　（但し、Ｍｋ はＭｇ及びＺｎの少なくとも１種、ＬはＳｒ及びＣａの
内の少なくともｌＭ）から成る基本成分とＬｉ　　Ｏと
Ｓ　ｉ　Ｏ　２とから或る添加成分とを含む２ 誘ｔ体磁器組成物が開示されている． また、特公昭６１−１４６１０号公報には、上記の特公
昭６１−１４６０９号公報におけるＬｉ２０とＳｉＯ　
　の代りに、Ｌｉ　　ＯとＳ　ｉ　Ｏ　２と２２ ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ及びＳｒＯの内の少
なくとも１種）とから成る添加成分を含む誘電体磁器組
成物が開示されている． また、特公昭６１−１４６１　１号公報には、（Ｂａｌ
＜−ｘ　Ｍｘ）ＯｋＴ　ｉ　Ｏ２　（（旦し、ＭはＭｇ
、Ｚｎ，Ｓｒ及びＣａの少なくとも１種）から成る基本
成分と、Ｂ２　０　３とＳ　１　０　２とから或る添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。

また、特公昭６２−１５９５号公報には、（Ｂａｋ−ｘ
　Ｍｘ　）　ｏ　ｋＴ　１　０　２　　（但し、ＭはＭ
ｇ，Ｚｎ，Ｓｒ及びＣａの内の少なくとも１種）から成
る基本成分と、Ｂ２Ｏ３３とＭＯ（但しＭＯはＢａＯ，
ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ及びＣ　ａ．　Ｏの少なくとも
１１Ｉ１！）とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組
成物が開示されている． また、特公昭６２−１５９６号公報には、上記の特公昭
６２−１５９５号公報のＢ２Ｏ３とＭＯの代りに、ＢＯ
　　とＳ　Ｉ　Ｏ　２とＭＯ（１旦しＭ０２３ はＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ，ＳｒＯ及びＣａＯの内の少
なくとも１！）とから或る添加成分とを含む誘電体磁器
組成物が開示されている．これらに開示されている誘電
体磁器組成物は、還元性雰囲気１２００℃以下の条件の
焼成で得ることができ、北誘電率が２０００以上、静電
容量の温度変化率が−２５℃〜＋８５℃で±１０％の範
囲にすることができるものである． ［発明が解決しようとする課題］ ところで、近年の電子回路の高密度化に伴い、８Ｗ層コ
ンデンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する
為に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電
率を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の
比誘電率よりも更に増大させることが望まれている． そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、１２００℃
以下の温度での焼或で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、誘電体磁器と、前
記磁器に接触している少・なくとも２つの電極とから成
る磁器コンデンザにおいて、前記磁器が１００．０重量
部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分とか
ら成り、前記基本成分が、（１−ａ）　　（（Ｂａ　　
　Ｍ　　）Ｏ　　（Ｔｉ　　　Ｒｋ−ｘｘｋ　　　　１
−ｙ ）Ｏ　　　　ｌ　＋αＣａＺｒＯ３　（ただし、ＭはＶ
　　　２−ｙ／２ Ｍｇ，Ｚｎの内の少なくとも１種の金属、ＲはＳｃ，Ｙ
，Ｇｄ，ＤｙＳＨｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ、Ｔｍ，Ｌｕの
内の少なくとも１種の金属、αは０．００５〜０．０４
の範囲の数値、ｋは１．００〜１．０５の範囲の数値、
Ｘは０．０１〜０．１０の範囲の数値、Ｙは０、０４以
下のＯよりも大きい数値）であり、前記添加成分がＢ２
Ｏ３３とＳｉ０２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯ
、ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの内の少なくとも１種の金
属酸化物〉から戒り、且つ前記Ｂ２Ｏ３３と前記ＳｉＯ
２と前記ＭＯとの組成範囲がこれ等の組成をモル％で示
す三角図における前記Ｂ２Ｏ３３が１モル％、前記Ｓ　
Ｉ　Ｏ　２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の点（
Ａ）と、前記Ｂ２Ｏ３３が１モル％、前記Ｓ　１　０　
２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の点（Ｂ）と、
前記Ｂ２Ｏ３３が３０モル％、前記Ｓ　ｉ　Ｏ　２がＯ
モル％、前記ＭＯが７０モル％の点（Ｃ）と、前記Ｂ２
Ｏ３が９０モル％、前記Ｓ１　０　２が０モル％、前記
ＭＯが１０モル％の点（Ｄ）と、前記Ｂ２Ｏ３３が９０
モル％、前記ＳｉＯ２が１０モル％、前記ＭＯが０モル
％の点（Ｅ）と、前記Ｂ　２　０　３が．２０モル％、
前記Ｓ　１　０　２が８０モル％、前記ＭＯがＯモル％
の点（Ｆ）とを順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内の
ものであるコンデンサに係わるものである。なお、基本
成分を示す組成式において、ｋ−ｘ，ｘ，ｋ、１−ｙ，
ｙ、２−ｙ／２は勿論それぞれの元素の原子数を示し、
（１−α）とαは組成式の第１項の（ＢａＭ　　）Ｏ　
　（Ｔｉ　　　Ｒ　　）Ｏ　　　　と第２ｋ−ｘ　　　
ｘ　　　　ｋ　　　　　　１−１／　　　’／　　　　
２−Ｙ／２項のＣａＺｒＯ３との割合をモルで示すもの
であり、Ｂａはバリウム、０は酸素、Ｔ１はチタン、Ｍ
ｇはマグネシウム、Ｚｎは亜鉛である．また、Ｓｃはス
カンジウム、Ｙはイットリウム、Ｇｄはガドリニウム、
Ｄｙはジスブロシウム、Ｈｏはホロニウム、Ｅｒはエル
ビウム、Ｙｂはイッテルビウム、Ｔｂはテルビウム、Ｔ
ｍはツリウム、Ｌｕはルテチウムである．添加成分にお
けるＢ２Ｏ３３は酸化ボロン、ＳｉＯ２は酸化けい素、
ＢａＯは酸化バリウム、ＳｒＯは酸化ストロンチウム、
ＣａＯは酸化カルシウム、ＭｇＯは酸化マグネシウム、
ＺｎＯは酸化亜鉛である． 製造方法に係わる発明は、上記の基本成分と添加成分と
の混合物を用意する工程と、少なくとも２つの電極部分
を有する前記混合物の成形物を作る工程と、前記電極部
分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程
と、前記焼成で得られた戒彫物を酸化性雰囲気で熱処理
する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである． ［作用効果］ 上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器を非酸化
性雰囲気、１２００℃以下の焼成で得ることができる．
従って、ニツゲル等の卑金属の導電性ペーストをグリー
ンシ一トに塗布し、グリーンシ一トと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる．誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が３０００以
上、誘電木損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１
×１０６ＭΩ・ｃｍ以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５
℃を基準）、−２５℃〜８５℃で一１０％〜＋１０％（
２０℃を基準〉の範囲に収まる誘′ｒ４体磁器を備えた
コンデンサを提供することができる． ［実施例］ 次に、本発明に従う実施例及び比較例について説明する
． まず、本発明に従う基本成分の組成式 （１−α）（　（Ｂａｌ＜−ｘ　Ｍ，）Ｏｋ　（Ｔｉ１
，Ｒ，）　０２−ｙ／２　１　＋ａＣａＺｒＯ３におけ
る第１項Ｒ　　）Ｏ の（Ｂａｋ−ｘ　Ｍ．Ｘ）　Ｏｋ（Ｔ１１，　　，　　
２−，，２　（以下第１基本成分と呼ぶ）を第１表及び
第２表の試料ね１のｋ−ｘ，ｘ．ｙ，ｋのａ？；示す割
合で得るため、換言すれば、（Ｂａ０．９６Ｍ０．０６
）Ｏ（ＴＩ０．９９Ｒ０．０１＞０１．９９５、更に詳
細に１．０２ は、Ｍ　　”ＭｇＯ．０５ＺｎＯ．０１及びＲｏ．ｏ１
＝Ｙｂ０．０６ ０．　０１であるので、 （８ａ０．９６Ｍｇｏ．０５ｚｎ０．０１）　０１．０
２　”　ｉ０．９９”　ｂ０．０１）　０１．９９５を
得るために、純度９９．０％以上のＢ　ａ　Ｃ　Ｏ　３
（炭酸バリウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｚｎ
Ｏ（酸化亜鉛）、及びＴ　ｉ　０２　（　Ｍ化チタン）
、Ｙｂ２Ｏ３３　（酸化イッテルビウム｝を用意し、不
純物を目方に入れないで ＢａＣＯ　　：１０４１．９６ｇ（０．９６モル３ 部相当） ＭｇＯ：　１　１．０９ｇ　（０．０５モル部相当）Ｚ
ｎＯ：　４．４８ｇ　（０．０ｆモル部相当），Ｔｉｅ
，，：４３５．０６ｇ　（０．９９モル部相当〉 Ｙｂ　　Ｏ　　：１０．８４ｇ（０．００５モル部２３ 相当）を秤量した． 次に、秤量されたこれ等の原料をボットミル（ｐｏｔ　
ｎｉｌｌ）に入れ、更にアルミナボールと水２，５１と
を入れ、１５時間湿式攪拌した後、攪拌物をステンレス
ポットに入れて熱風式乾燥器で１５０℃、４時間乾燥し
た．次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をトンネ
ル炉にて大気中で１２００℃、２時間仮焼し、上記組成
式の第１基本成分を得た． また、基本成分の組成式の第２項のＣａＺｒＯ３　〈以
下、第２基本成分と呼ぶ）を得るために、ＣａＣＯ　　
（炭酸カルシウム）とＺ　ｒ　Ｏ　２　　（酸化３ ジルコニウム）とが等モルとなる様に前者を４４８．９
６ｇ、後者を５５１．０４ｇをそれぞれ秤量し、これ等
を混合し、乾燥し、粉砕した後に、約１２５０℃で２時
間大気中で仮焼した．つぎに、第１表の試料Ｎα１に示
すようにｌ一αが０、９８モル、αが０．０２モルとな
るように、９８モル部（９８４．３４ｇ）の第１基本成
分（Ｂａ０．９６Ｍｇｏ．ｏｓＺｎ０．０１）　０１．
０２’　Ｔ’　０．９９ＹｂＯ．０１　）　０１．９９
５の粉末と、２モル部（１５、６６ｇ）の第２基本成分
（　Ｃ　ａ　Ｚ　ｒ　Ｏ　３　）の粉末とを混合して１
０００ｇの基本成分を得た．一方、第３表の試料ぬ１の
添加成分を得るために、Ｂ２Ｏ３３を１．０３ｇ　（１
−Ｔ：ル部）と、ＳｉＯ２を７０．５７ｇ　＜８０モル
部）と、ＢａＣ０３を１　１．０３ｇ　（３．’８モル
部〉と、ＣａＣＯ３を１３．９９ｇ　（９．５モル部）
と、ＭｇＯを３．３８ｇ　（５．７モル部）とをそれぞ
れ秤量し，この混合物にアルコールを３００ｃｃ加え、
ポリヱチレンポットにてアルミナボールを用いて１０時
間攪拌した後、大気中１　０　０　０　’Ｃで２時間仮
焼成し、これを３０ＯＣＣの水と共にアルミナポットに
入れ、アルミナボールで１５時間粉砕し、しかる後、１
５０℃で４時間乾燥させてＢ　２　０　３が１モル％、
Ｓ　１　０　２が８０モル％、ＭＯが１９モル％（Ｂａ
Ｏ　　３．８モル％＋Ｃａ０９．５モル％＋ＭｇＯ　　
５．７モル％）の組成の添加成分の粉末を得た．なお、
ＭＯの内容であるＢａＯとＣａＯとＭｇＯとの割合は第
３表に示すように２０モル％、５０モル％、３０モル％
となる．次に、ｉｏｏ重量部（１０００ｇ＞の基本成分
に２重量部（２０ｇ＞の添加成分を添加し、更に、アク
リル酸エステルボリマー、グリセリン、ａろリン酸塩の
水溶液から或る有機バインダを基本成分と添加成分との
合計重量に対して１５重量％添加し，、更に、５０重量
％の水を加え、これ等をボールミルに入れて粉砕及び混
合して磁器原料のスラリーを作製しゾ：：。

次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、この
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受け取ると共に、同フィルム上でこれを１００℃に
加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍの未焼結磁器シート
を得た．このシートは長尺なものであるが、これをｔｏ
ｃ＋ｉ角の正方形に裁断して使用する． 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均１．５μ
ｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロース０，９ｇ
をプチルカルビトール９．１ｇに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、１０時間撹拌することにより得た．この導
電ペーストを長さ１４關、幅７關のパターンを５０個有
するスクリンを介して上記未焼結磁器シートの片側に印
刷した後、これを乾燥させた． 次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シートを２枚Ｗ
ｔ．層した．この際、隣接する上下のシートにおいて、
その印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるよう
に配置した．更に、この８Ｉ贋物の上下両面にそれぞれ
４枚ずつ厚さ６０μｍの未焼結磁器シートを積層した．
次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚さ方向に約４
０トンの荷重を加えて圧着させた．しかる後、この積層
物を格子状に裁断し、５０個の積層チップを得た．次に
、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、大気雰囲
気中で１００℃／ｈの速度で６００℃まで昇温しで、有
機バインダを燃焼させた．しかる後、炉の雰囲気を大気
からＨ２　（２体積％）＋　Ｎ　２　　（　９　８　＃
積％〉の雰囲気に変えた．そして、炉を上述の如き還元
性雰囲気とした状態を保って、積層体加熱温度を６００
℃から焼結温度の１１３０℃まで、１００℃／ｈの速度
で昇温して１１３０℃（最高温度）を３時間保持した後
、１００℃／ｈの速度で６００’Ｃまで降温し、雰囲気
を大気雰囲気（酸化性雰囲気）におきかえて、６００℃
を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで
冷却して積層焼結体チップを作製した．次に、第１図に
示す積層磁器コンデンサ１０を得るために、３つの誘電
体磁器層１２と２つの内部電極１４とから成る＄ＡＮｊ
焼結体チップ１５に一対の外部電極１，６を形成した．
なお、外部電極１６は、電極が露出する焼結体チップ１
５の圓面に亜鉛とガラスフリット（ｇｌａｓｓ　　ｆｒ
ｉｔ）とビヒクル（ｖｅｈｉｃｌｅ）とから成る導電性
ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５０゛Ｃ
の温度で１５分間焼付け、亜鉛電極層１８を形成し、更
にこの上に無電解メッキで法で銅層２０を形威し、更に
この上に電気メッキ法でｐｂ−Ｓｎ半田層２２を設けた
ものから成る．このコンデンサ１０の誘電体磁器層１２
の厚さは０．０２ｎｍ、一対の内部電極１４の対向面積
は５　ｍｔ＋　Ｘ　５　ｍｒ　＝　２　５　１１ｊ＋２
である。なお、焼結後の磁器層１２の組成は、焼結前の
基本成分と添加成分との混合組或と実質的に同じである
． 次に、コンデンサー０の電気的特性を測定し、その平均
値を求めたところ、第３表に示す如く、比誘電率ε３が
３７１０，ｔａｎδが１．１％、拐６ 抗率ρが４．８Ｘ１０　　ＭΩ・ｃｎ，２５℃のｍｐ＝
容量を基準にした−５５℃及び＋１２５℃の静電容量の
変化率ΔＣ　　、ΔＣ１２５が−１１．１％一５５ ＋４．６％、２０℃の静電容量を基準にした−２５℃、
＋８５℃の静電容量の変化率八〇　　、Δ−２５ Ｃ８５は−６．５％、−３，６％であった，なお、電気
的特性は次の要領で測定した．（Ａ）　　比誘電率ε，
は、温度２０’Ｃ、周波数１　ｋＨｚ．ｔ圧（実効値）
１．ＯＶの条件で静電容量を測定し、この測定値一対の
内部Ｗｂ　４Ｎ！１　４の対向面積２５簡２と一対の内
部電極１４間の磁器層１２の厚さ０．０２ａｍがら計算
で求めた．（Ｂ）　　誘電体損失ｔａｎδ（％）は比誘
電率と同一条件で測定した． （Ｃ）　　抵抗率ρ（ＭΩ・同）は、温度２０’Ｃにお
いてＤＣＩＯＯＶをｌ分間印加した後に一対の外部電極
１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づい
て計算で求めた． （Ｄ）　　静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を
入れ、−５５℃、−２５℃、Ｏ℃、＋２０℃、２５℃、
＋４０℃、＋６０℃、＋８５℃、＋１０５℃、＋１２５
℃の各温度において、周波数１　ｋＨｚ、電圧（実効値
）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、２０℃及び２５
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た． 以上、試料ＮＱＩの作製方法及びその特性について述べ
たが、試料Ｎｏ　２〜１３１についても、基本成分及び
添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気での
焼威温度を第１表〜第４表に示すように変えた他は、試
料ＮＱＩと全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製
し、同一方法で電気的特性を測定した． 第１表には、基本威分を示す組成式における（１−α）
とαとｋ−ｘとＸが示され、Ｘの欄のＭｇ，Ｚｎは一般
式のＭの内容を示し、Ｍｇ，Ｚｎの欄にはこれ等の原子
数が示され、合計の棚にはこれ等の合計値（ｘｌｉ！［
）が示されている．第２表には基本成分を示す組或式に
おけるＲの内容と量及びｋの値が示されている．即ち、
ｙの欄のＳｅ．Ｙ，Ｇｄ，Ｄ３／，ＨＯ．．Ｅｒ，Ｙｂ
は一般式のＲの内容を示し、これ等の（資）にはこれ等
の原子数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値（ｙ値
）が示されている． 第３表にはそれぞれの試料の添加成分の添加量及び組成
が示されている．添加成分の添加量は基本成分１００重
量部に対する重量部で示されている．第３表の添加成分
のＭＯの内容の補には、Ｂａｏ，ＭｇＯ．ＺｎＯ，Ｓｒ
Ｏ．ＣａＯの割合がモル％で示されている． 第４表は各試料の焼成温度及び電気的特性を示す．この
第４表において、静電容量の温度特性は、２５℃の静電
容量を基準にした−５５℃及び＋１２５℃の静電容量変
化率ΔＣ−　　　（％）及びΔＣ５５ １２５（％）と、２０℃の静電容量を基準にした−２５
℃及び＋８５℃の静電容量変化率ΔＣ−２５（％）及び
ΔＣ８５（％）とで示されている．第１表〜第４表から
明らかな如く、本発明に従う試料では、非酸化性雰囲気
、１２００℃以下の焼成で、比誘電率ε，が３０００以
上、誘電体損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１
×１０６ＭΩ・ｃｍ以上、静電容量の温度変化率ΔＣ−
５５及びΔＣ１２５が−１５％〜＋１５％、ΔＣ−２５
及びΔＣ８５は−１０％〜＋１０％の範囲となり、所望
特性のコンデンサを得ることが出来る．一方、試料ＮＱ
１１〜１３、３８、４３、４４、４９、５０、５４、５
５、５９、６０、６８〜７０、７６、７７、８１、８２
、８６、９１，９４、＼９７、１００、１０３、１０６
、１０９、１１４、１２６では本発明の目的を達成する
ことができない．従って、これ等は本発明の範囲外のも
のである．第４表にはΔＣ　　、ΔＣ１２５、ΔＣ−２
５、Δ−５５ Ｃ８５のみが示されているが、本発明の範囲に属する試
料の−２５℃〜＋８５℃の範囲の種々の静電へ量の変化
率ΔＣは、−１０％〜＋１０％の範囲に収まり、また、
−５５℃〜＋１２５℃の範囲の種々の静電容量の変化率
ΔＣは、−１５％〜＋１５％の範囲に収まっている． 次に、組成の限定理由について述べる．Ｘの値が、試料
Ｎ０６０、７０に示す如く、零の場合には、ΔＣ−５５
が−１５％〜＋１５％の範囲外となるが、試料Ｎα６１
、６２、７１、αに示す如く、Ｘの値が０．０１の場合
には、所望の電気的特性を得ることができる．従って、
Ｘの値の下限は０．０１である．一方、試料Ｎ０６８、
６９、７６に示す如く、Ｘの値が０．１２の場合には、
ΔＣ８５が−１０％〜＋１０％の範囲外となるが、試料
ＮＱ６６、６７、７５に示す如く、Ｘの値が０．１０の
場合には、所望の電気的特性を得ることができる．従っ
て、Ｘの値の上限は０．１０である．なお、Ｍ成分のＭ
ｇとＺｎとはほぼ同様に働き、これ等から選択された１
つを使用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得
られる．そして、Ｍ成分の１種又は複数種の何れの場合
においてもＸの値を０．０１〜０．１０の範囲にするこ
とが望ましい． ｙの値が、試料ＮＱ９１、９４、９７、１００、１０３
、１０６、１０９、１１４、１２６に示す如く、０．０
６の場合には緻密な焼結体が得られないが、試料１１ｋ
１９０、９３、９６、９９、１０２、１０５、１０８等
に示す如く、ｙの値が０．０４の場合には所望の電気的
特性を得ることができる．従って、ｙの値の上限は０．
０４である．なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ、Ｅ
ｒ，Ｙｂはほぼ同様に働き、これ等から選択された１つ
を使用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得ら
れる．そして、Ｒ成分が１種又は複数種のいずれの場合
に於いてもｙの値を０．０４以下の範囲にすることが望
ましい．また、ｙは０．０４以下であれば、Ｏに近い微
量であってもそれなりの効果がある．なお、組成式でＲ
で示す成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する．
即ち、Ｒ成分の添加によって−５５℃〜１２５℃の範囲
での静電？量の温度変化率ΔＣ−５５〜ΔＣ１■５を−
１５％〜＋１５％の範囲に容易に収めることが可能にな
ると共に、−２５℃〜８５℃の範囲での静電容量の温度
変化率ΔＣ　　〜ΔＣ８５を−１０％〜＋１−２５ ０％の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ各温
度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小さく
することができる．また、Ｒ成分は抵抗率ρを大きくす
る作用及び焼結性を高める作用を有する． αの値が試料ＮＱ５０、５５に示す如く、零の場合には
、ΔＣ−５５が−１５％〜＋１５％の範囲外となるが、
試料ＮＱ５１、５６に示す如く、αの値が０．００５の
場合には、所望の電気的特性を得ることができる．従っ
て、αの値の下限はＯ，ＯＯ５である．一方、試料１１
Ｑ５４、５９に示す如く、αの値が０．０５の場合には
、ΔＣ８５が−１０％〜＋１０％の範囲外となるが、試
料ｆｋｉ５３、５８に示す如く、αの値が０．０４の場
合には所望の電気的特性を得ることができる．従って、
αの値の上限は０．０４である． ｋの値が、試料馳７７、８２に示す如く、１．０よりも
小さい場合には、ρが１ｘｌＯ６ＭΩ・Ｃ一未満となり
、大幅に低くなるが、試料１＋１１７８、８３に示す如
く、ｋの値が１．００の場合には、所望の電気的特性が
得られる．従って、ｋの値の下限は１．００である．一
方、ｋの値が、試料馳８１、８６に示す如く、１．０５
より大きい場合には緻密な焼結体が得られないが、試料
ＮｃＬ８０、８５に示す如く、ｋの値が１．０５の場合
には所望の電気的特性が得られる．従って、ｋの値の上
限は１．０５である． 添加成分の添加量が零の場合には、試料ＮＱ３８、４４
から明らかな如く、焼成温度が１２５０℃であっても緻
密な焼結体が得られないが、試料ぬ３９、４５に示す如
く、添加量が１００重量部の基本成分に対して０．２重
量部の場合には、１１７０℃の焼成で所望の電気的特性
を有する焼結体が得られる．従って、添加成分の下限は
０．２重量部である．一方、試料１１Ｑ４３、４９に示
す如く、添加成分の添加量が７．０重量部の場合には、
ε５が３０００未満となり、更にΔＣ−５５あるいはΔ
Ｃ８５が範囲外となるが、試料馳４２、４８に示す如く
、添加量が５．０重量部の場合には所望特性を得ること
ができる．従って、添加量の上限は５．０重量部である
． 添加成分の好ましい組成は、第２図のＢ２Ｏ３３Ｓ　ｉ
　Ｏ　２　　Ｍ　Ｏの組成比を示す三角図｛二基ついて
決定することができる。三角図の第１の点（Ａ）は、試
料Ｎａ　１のＢＯ　　が１モル％、Ｓ　１　０　２が２
３ ８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第２の点
（Ｂ）は、試料ＮＱ　２のＢ２Ｏ３３が１モル％、Ｓ　
１　０　２が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を示
し、第３の点（Ｃ）は、試料Ｎａ３のＢ２Ｏ３が３０モ
ル％、Ｓ　１　０　２が０モル％、ＭＯが７０モル％の
組成を示し、第４の点（Ｄ）は、試料恥４のＢＯ　　が
９０モル％、Ｓ　１　０　２が０モル％、２３ ＭＯが１０モル％の組成を示し、第５の点（Ｅ）は、試
料Ｎ０．５のＢＯ　　が９０モル％、Ｓ　Ｉ　Ｏ　２２
３ が１０モル％、ＭＯがＯモル％の組或を示し、第６の点
（Ｆ）は、試料ＮＱ　６のＢ２Ｏ３３が２０モル％、Ｓ
　ｉ　Ｏ　２が８０モル％、ＭＯが０モル％の組或を示
す． 本発明の範囲に属する試料の添加成分の組成は三角図の
第１−６の点（Ａ）〜（Ｆ）を順に結ぶ６本の直線で囲
まれた領域内の組成になっている。

この領域内の組成とすれば、所望の電気的特性を得るこ
とができる。一方、試料Ｎｏ１１〜１３のように、添加
成分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な
焼結体を得ることができない．なお、ＭＯ成分は例えば
試料Ｎｏ１４〜１８に示す如（ＢａＯ、ＭｇＯ，ＺｎＯ
，ＳｒＯ，ＣａＯのいずれか１つであってもよいし、又
は他の試料で示すように適当な比率としてもよい． ［変形例］ 以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。

＜ａ）　　基本成分の中に、本発明の目的を団害しない
範囲で微量のＭ　ｎ　Ｏ　２　　（好ましくは０．０５
〜０．１重量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上さ
せてもよい．また、その他の物質を必要に応じて添加し
てもよい． （ｂ）　　出発原料を、実施例で示したもの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい． （ｃ）　　焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を６００℃以外の焼結温度より
も低い温度（好ましくは５　０　０　’Ｃ〜１０００℃
の範囲〉としてもよい．即ち、ニッケル等の電極材料と
磁器の酸化とを考慮して種々変更することが可能である
． （ｄ）　　非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることができる．ニッケルを内部電極
とする場合には、１０５０℃〜１２００゜Ｃの範囲でニ
ツゲル粒子の凝集がほとんど生じない． （ｅ）　　焼結を中性雰囲気で行ってもよい．（ｆ）　
　ＭＭＩ磁器コンデンサ以外の一般的な単層の磁器コン
デンサにも勿論適用可能である．（ｇ）　　組成式にお
けるＲ成分の中のＴｂ，Ｔｍ，Ｌｕについては特に第１
表〜第４表に掲載されていないが、Ｒ成分の他のものと
同様に使用することができることが確認されている．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施飼に係わる積層型磁器コンデンサ
を示す断面図、 第２図は添加成分の組或範囲を示す三角図である． １２・・・磁器層、１４・・・内部電極、１６・・・外
部電極．

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なくと
   も２つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が１００．０重量部の基本成分と、０．２〜５
   ．０重量部の添加成分とから成り、前記基本成分が、 （１−α）｛（Ｂａ＿ｋ＿−＿ｘＭ＿ｘ）Ｏ＿ｋ（Ｔｉ
   ＿１＿−＿ｙＲ＿ｙ）Ｏ＿２＿−＿ｙ＿／＿２｝＋αＣ
   ａＺｒＯ＿３（但し、ＭはＭｇ、Ｚｎの内の少なくとも
   １種の金属、ＲはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
   Ｙｂ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕの内の少なくとも１種の金属、 αは０．００５〜０．０４の範囲の数値、 ｋは１．００〜１．０５の範囲の数値、 ｘは０．０１〜０．１０の範囲の数値、 ｙは０．０４以下の０よりも大きい数値）であり、 前記添加成分がＢ＿２Ｏ＿３とＳｉＯ＿２とＭＯ（但し
   、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＺｎＯの
   内の少なくとも１種の金属酸化物）から成り、且つ前記
   Ｂ＿２Ｏ＿３と前記ＳｉＯ＿２と前記ＭＯとの組成範囲
   がこれ等の組成をモル％で示す三角図における 前記Ｂ＿２Ｏ＿３が１モル％、前記ＳｉＯ＿２が８０モ
   ル％、前記ＭＯが１９モル％の点（Ａ）と、前記Ｂ＿２
   Ｏ＿３が１モル％、前記ＳｉＯ＿２が３９モル％、前記
   ＭＯが６０モル％の点（Ｂ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が３
   ０モル％、前記ＳｉＯ＿２が０モル％、前記ＭＯが７０
   モル％の点（Ｃ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が９０モル％、
   前記ＳｉＯ＿２が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の点
   （Ｄ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が９０モル％、前記ＳｉＯ
   ＿２が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の点（Ｅ）と、
   前記Ｂ＿２Ｏ＿３が２０モル％、前記ＳｉＯ＿２が８０
   モル％、前記ＭＯが０モル％の点（Ｆ）とを順に結ぶ６
   本の直線で囲まれた領域内のものであることを特徴とす
   るコンデンサ。 ［２］１００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０
   重量部の添加成分とから成り、前記基本成分が、 （１−α）｛（Ｂａ＿ｋ＿−＿ｘＭ＿ｘ）Ｏ＿ｋ（Ｔｉ
   ＿１＿−＿ｙＲ＿ｙ）Ｏ＿２＿−＿ｙ＿／＿２｝＋αＣ
   ａＺｒＯ＿３（但し、ＭはＭｇ、Ｚｎの内の少なくとも
   １種の金属、ＲはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ，Ｈ、Ｅｒ、Ｙ
   ｂ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｌｕの内の少なくとも１種の金属、α
   は０．００５〜０．０４の範囲の数値、ｋは１．００〜
   １．０５の範囲の数値、ｘは０．０１〜０．１０の範囲
   の数値、ｙは０．０４以下の０よりも大きい数値）であ
   り、前記添加成分がＢ＿２Ｏ＿３とＳｉＯ＿２とＭＯ（
   但し、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＺｎ
   Ｏの内の少なくとも１種の金属酸化物）から成り、且つ
   前記Ｂ＿２Ｏ＿３と前記ＳｉＯ＿２と前記ＭＯとの組成
   範囲がこれ等の組成をモル％で示す三角図における前記
   Ｂ＿２Ｏ＿３が１モル％、前記ＳｉＯ＿２が８０モル％
   、前記ＭＯが１９モル％の点（Ａ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿
   ３＿３が１モル％、前記ＳｉＯ＿２が３９モル％、前記
   ＭＯが６０モル％の点（Ｂ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が３
   ０モル％、前記ＳｉＯ＿２が０モル％、前記ＭＯが７０
   モル％の点（Ｃ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が９０モル％、
   前記ＳｉＯ＿２が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の点
   （Ｄ）と、前記Ｂ＿２Ｏ＿３が９０モル％、前記ＳｉＯ
   ＿２が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の点（Ｅ）と、
   前記Ｂ＿２Ｏ＿３が２０モル％、前記ＳｉＯ＿２が８０
   モル％、前記ＭＯが０モル％の点（Ｆ）とを順に結ぶ６
   本の直線で囲まれた領域内のものであることを特徴とす
   る混合物を用意する工程と、 少なくとも２つの電極部分を有する前記混合物の成形物
   を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
   成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
   工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。