JPH06256962A - 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 - Google Patents
無電解Ni−Sn−P合金めっき液Info
- Publication number
- JPH06256962A JPH06256962A JP6935093A JP6935093A JPH06256962A JP H06256962 A JPH06256962 A JP H06256962A JP 6935093 A JP6935093 A JP 6935093A JP 6935093 A JP6935093 A JP 6935093A JP H06256962 A JPH06256962 A JP H06256962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- plating
- divalent
- electroless
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Sn含有量の高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn−P合金めっき液を、2価のNi
イオン:0.05〜0.12mol/L(リットル),2価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比: 1.3以上3未満,2価のSn
イオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リン酸イオン: 0.1
〜 0.3mol/Lを含み、pHが8〜12に調整された水溶
液から成る構成とする。
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn−P合金めっき液を、2価のNi
イオン:0.05〜0.12mol/L(リットル),2価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比: 1.3以上3未満,2価のSn
イオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リン酸イオン: 0.1
〜 0.3mol/Lを含み、pHが8〜12に調整された水溶
液から成る構成とする。
Description
【0001】
【従来技術とその課題】この発明は、Sn含有量の高いNi
−Sn−P合金めっき皮膜を安定して形成することができ
る“無電解Ni−Sn−P合金めっき液”に関するものであ
る。
−Sn−P合金めっき皮膜を安定して形成することができ
る“無電解Ni−Sn−P合金めっき液”に関するものであ
る。
【0002】
【従来技術とその課題】プリント回路基板用として用い
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性,耐熱性,ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている(例え
ば特開平4−206889号公報)。
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性,耐熱性,ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている(例え
ば特開平4−206889号公報)。
【0003】このように、Ni−Sn合金めっきが耐食性に
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのPが含有さ
れることになるが、このように“Pを数%から十数%含
有したNi−Sn合金めっき”はNiとSnのみから成るものに
比べて耐食性が更に改善されると言われている。勿論、
このNi−Sn−P合金めっきにおいても、Sn含有量が高く
なるほど耐食性が向上するものと考えられた。
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのPが含有さ
れることになるが、このように“Pを数%から十数%含
有したNi−Sn合金めっき”はNiとSnのみから成るものに
比べて耐食性が更に改善されると言われている。勿論、
このNi−Sn−P合金めっきにおいても、Sn含有量が高く
なるほど耐食性が向上するものと考えられた。
【0004】一方、特開平1−169811号公報によ
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn−P合
金の無電解めっきを施しておくとハンダ付性が向上し、
強固な接続が可能になるとされており、このNi−Sn−P
合金無電解めっき皮膜の形成手段として「表面の粗面化
を行った基材をスズ酸ナトリウム,クエン酸ナトリウ
ム,硫酸ニッケル,塩化アンモニウム並びに次亜リン酸
ナトリウムを含むpH9の水溶液(90℃)中で処理す
る方法」が紹介されている。
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn−P合
金の無電解めっきを施しておくとハンダ付性が向上し、
強固な接続が可能になるとされており、このNi−Sn−P
合金無電解めっき皮膜の形成手段として「表面の粗面化
を行った基材をスズ酸ナトリウム,クエン酸ナトリウ
ム,硫酸ニッケル,塩化アンモニウム並びに次亜リン酸
ナトリウムを含むpH9の水溶液(90℃)中で処理す
る方法」が紹介されている。
【0005】更に、特開平2−208816号公報に
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層,クロム等の下地層,コバルト系合金の磁性薄膜層,
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn−P合金無電解め
っき皮膜とした場合にはノイズが抑制されS/N値が向
上することが開示されており、そのNi−Sn−P合金無電
解めっき皮膜の形成手段として「基材をニッケル:6g/
L(リットル) ,リン酸:13g/L ,スズ:200mg/Lの無電
解めっき浴(90℃)中で処理する方法」が紹介されて
いる。
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層,クロム等の下地層,コバルト系合金の磁性薄膜層,
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn−P合金無電解め
っき皮膜とした場合にはノイズが抑制されS/N値が向
上することが開示されており、そのNi−Sn−P合金無電
解めっき皮膜の形成手段として「基材をニッケル:6g/
L(リットル) ,リン酸:13g/L ,スズ:200mg/Lの無電
解めっき浴(90℃)中で処理する方法」が紹介されて
いる。
【0006】このように、Ni−Sn−P合金のめっき皮膜
には様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題
があった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有
量が48at%(65重量%)という高Sn含有皮膜が得ら
れるとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれま
で精々Sn含有量が10at%程度までの皮膜しか得られて
おらず、そのため実際の用途は制限されざるを得なかっ
たのである。
には様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題
があった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有
量が48at%(65重量%)という高Sn含有皮膜が得ら
れるとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれま
で精々Sn含有量が10at%程度までの皮膜しか得られて
おらず、そのため実際の用途は制限されざるを得なかっ
たのである。
【0007】従って、無電解Ni−Sn−P合金めっきによ
って得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことがで
きれば、耐食性を始めとした更なる皮膜性能の向上が期
待でき、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易に行える
という無電解めっきの特長も活かされてその用途は一段
と広範になると考えられた。
って得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことがで
きれば、耐食性を始めとした更なる皮膜性能の向上が期
待でき、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易に行える
という無電解めっきの特長も活かされてその用途は一段
と広範になると考えられた。
【0008】このようなことから、本発明が目的とした
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を
安定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立
することである。
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を
安定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立
することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、クエン酸を含むアルカリ性水溶液に金属イオンとし
て2価のNiイオン及びSnイオンを添加し、更に還元剤と
しての次亜リン酸イオンを含有させたNi−Sn系無電解め
っき液において、その2価のNiイオン,2価のSnイオン
及び次亜リン酸イオンの含有割合、並びにクエン酸と2
価のNiイオンとのモル比を特定の範囲に規制すると共
に、液のpHをNaOH,KOHあるいはLiOH等といっ
た水酸化アルカリ金属等により特定範囲に調整した場合
には、これまで無電解めっきによっては実現できなかっ
た高いSn含有量のNi−Sn−P合金皮膜を種々の基材上に
安定して形成できるようになることを見出したのであ
る。
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、クエン酸を含むアルカリ性水溶液に金属イオンとし
て2価のNiイオン及びSnイオンを添加し、更に還元剤と
しての次亜リン酸イオンを含有させたNi−Sn系無電解め
っき液において、その2価のNiイオン,2価のSnイオン
及び次亜リン酸イオンの含有割合、並びにクエン酸と2
価のNiイオンとのモル比を特定の範囲に規制すると共
に、液のpHをNaOH,KOHあるいはLiOH等といっ
た水酸化アルカリ金属等により特定範囲に調整した場合
には、これまで無電解めっきによっては実現できなかっ
た高いSn含有量のNi−Sn−P合金皮膜を種々の基材上に
安定して形成できるようになることを見出したのであ
る。
【0010】本発明は、上記知見事項等を基に完成され
たものであり、「無電解Ni−Sn−P合金めっき液を、2
価のNiイオン:0.05〜0.12mol/L,2価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比: 1.3以上3未満,2価のSn
イオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リン酸イオン: 0.1
〜 0.3mol/Lを含み、 pHが8〜12に調整された水溶
液から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn
−P合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に
大きな特徴を有している。
たものであり、「無電解Ni−Sn−P合金めっき液を、2
価のNiイオン:0.05〜0.12mol/L,2価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比: 1.3以上3未満,2価のSn
イオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リン酸イオン: 0.1
〜 0.3mol/Lを含み、 pHが8〜12に調整された水溶
液から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn
−P合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に
大きな特徴を有している。
【0011】以下、本発明においてめっき液成分の濃度
並びにめっき液のpHを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
並びにめっき液のpHを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
a) 2価のNiイオン めっき液中の2価のNiイオン濃度は、 0.05mol/L未満で
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方、0.12mol/L を超えると析出物(めっき皮膜)のSn含
有量が低下することから0.05〜0.12mol/L と定めたが、
より好ましい範囲は0.06〜0.10mol/L である。なお、2
価のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良
い。
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方、0.12mol/L を超えると析出物(めっき皮膜)のSn含
有量が低下することから0.05〜0.12mol/L と定めたが、
より好ましい範囲は0.06〜0.10mol/L である。なお、2
価のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良
い。
【0012】b) 2価のNiイオンに対するクエン酸イオ
ンのモル比 クエン酸(R)イオンはSnイオンに対するよりも優先的
にNiイオンの錯化剤として作用し、Ni−R,Ni−R2 ,
Ni−R3 のキレ−ト(錯体)を形成してSnの析出を促進
する働きをする。しかし、2価のNiイオンに対するクエ
ン酸イオンのモル比“クエン酸イオン/2価のNiイオン
のモル比”が 1.3未満であると2価のNiイオンに対する
錯化力が低下するのでNiの析出が促進され、析出物中の
Ni含有量が多くなり、そのため従来以上のめっき皮膜中
Sn含有量を確保できない。一方、“クエン酸イオン/2
価のNiイオンのモル比”が3以上であると2価のNiイオ
ンがクエン酸イオンと安定度の高いキレ−トを形成し、
次亜リン酸イオンをもってしても還元されなくなってめ
っき反応が起こらなくなる。このため、2価のNiイオン
に対しモル比で 1.3倍以上3倍未満のクエン酸イオンを
含有させることと定めたが、より好ましいモル比の範囲
は 1.5〜 2.5である。
ンのモル比 クエン酸(R)イオンはSnイオンに対するよりも優先的
にNiイオンの錯化剤として作用し、Ni−R,Ni−R2 ,
Ni−R3 のキレ−ト(錯体)を形成してSnの析出を促進
する働きをする。しかし、2価のNiイオンに対するクエ
ン酸イオンのモル比“クエン酸イオン/2価のNiイオン
のモル比”が 1.3未満であると2価のNiイオンに対する
錯化力が低下するのでNiの析出が促進され、析出物中の
Ni含有量が多くなり、そのため従来以上のめっき皮膜中
Sn含有量を確保できない。一方、“クエン酸イオン/2
価のNiイオンのモル比”が3以上であると2価のNiイオ
ンがクエン酸イオンと安定度の高いキレ−トを形成し、
次亜リン酸イオンをもってしても還元されなくなってめ
っき反応が起こらなくなる。このため、2価のNiイオン
に対しモル比で 1.3倍以上3倍未満のクエン酸イオンを
含有させることと定めたが、より好ましいモル比の範囲
は 1.5〜 2.5である。
【0013】なお、めっき液中のクエン酸イオン源とし
ては、クエン酸,クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
ては、クエン酸,クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
【0014】c) 2価のSnイオン めっき液中の2価のSnイオン濃度が0.002mol/L未満であ
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保することができない。そして、Sn
イオンは元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液
中の2価のSnイオン濃度が0.004mol/Lを超えると次亜リ
ン酸イオンの還元力が失われてめっき反応が起こらなく
なる。従って、2価のSnイオン濃度を 0.002〜 0.004mo
l/L と定めたが、より好ましい範囲は0.0025〜0.0035mo
l/L である。
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保することができない。そして、Sn
イオンは元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液
中の2価のSnイオン濃度が0.004mol/Lを超えると次亜リ
ン酸イオンの還元力が失われてめっき反応が起こらなく
なる。従って、2価のSnイオン濃度を 0.002〜 0.004mo
l/L と定めたが、より好ましい範囲は0.0025〜0.0035mo
l/L である。
【0015】なお、2価のSnイオン源としては塩化物等
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、例えば塩化第一スズを水に
溶解し、NaOH溶液を滴下する。この処理によって最初
は白色の沈澱ができるが、NaOHの滴下を続けると液は
透明になる。この際の反応式は下記の通りである。 SnCl2+4NaOH→ Na2SnO2 +2NaCl+2H2 O これをろ過して使用する。
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、例えば塩化第一スズを水に
溶解し、NaOH溶液を滴下する。この処理によって最初
は白色の沈澱ができるが、NaOHの滴下を続けると液は
透明になる。この際の反応式は下記の通りである。 SnCl2+4NaOH→ Na2SnO2 +2NaCl+2H2 O これをろ過して使用する。
【0016】d) 次亜リン酸イオン 次亜リン酸イオンは、Ni,Snを析出させるための還元剤
としての働きをすると同時に、析出物中にPを供給する
P供給源としての役割をも担っているが、その濃度が0.
1mol/L未満では上記作用による所望の効果が得られず、
一方、0.3mol/Lを超えて含有させることは効果面を考え
ると経済的に不利であると判断される。従って、めっき
液中の次亜リン酸イオン濃度は 0.1〜 0.3mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.15〜0.25mol/L である。な
お、次亜リン酸イオンは次亜リン酸,次亜リン酸塩の何
れの形態で供給しても差支えはない。
としての働きをすると同時に、析出物中にPを供給する
P供給源としての役割をも担っているが、その濃度が0.
1mol/L未満では上記作用による所望の効果が得られず、
一方、0.3mol/Lを超えて含有させることは効果面を考え
ると経済的に不利であると判断される。従って、めっき
液中の次亜リン酸イオン濃度は 0.1〜 0.3mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.15〜0.25mol/L である。な
お、次亜リン酸イオンは次亜リン酸,次亜リン酸塩の何
れの形態で供給しても差支えはない。
【0017】〔めっき液のpH〕本発明めっき液の浴組
成であると、めっき液のpHが8未満では次亜リン酸イ
オンの還元力が失われてしまい、一方、pHが12を超
えると副反応である次亜リン酸の分解が激しくなってめ
っき作業に悪影響が出てくることから、めっき液pHは
8〜12と定めたが、好ましくは9〜10に調整するの
が良い。
成であると、めっき液のpHが8未満では次亜リン酸イ
オンの還元力が失われてしまい、一方、pHが12を超
えると副反応である次亜リン酸の分解が激しくなってめ
っき作業に悪影響が出てくることから、めっき液pHは
8〜12と定めたが、好ましくは9〜10に調整するの
が良い。
【0018】次いで、本発明を実施例により更に具体的
に説明する。
に説明する。
【実施例】めっき試験板として圧延銅箔(厚さ70μ
m,幅20mm,長さ30mm)を準備し、これに脱脂,酸
洗,ソフトエッチング,Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
m,幅20mm,長さ30mm)を準備し、これに脱脂,酸
洗,ソフトエッチング,Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
【0019】めっき試験において使用しためっき液の組
成,pH及び液温は表1に示した通りであるが、その調
合には1リットルビ−カを用いた。そして、この際、p
H調整はNaOHにより行った。また、めっき試験では、
上記めっき液を表1に示した所定温度に維持し、これに
上述の活性化処理した試験板を10分間浸漬して表面に
めっき皮膜を無電解析出させた。
成,pH及び液温は表1に示した通りであるが、その調
合には1リットルビ−カを用いた。そして、この際、p
H調整はNaOHにより行った。また、めっき試験では、
上記めっき液を表1に示した所定温度に維持し、これに
上述の活性化処理した試験板を10分間浸漬して表面に
めっき皮膜を無電解析出させた。
【0020】
【表1】
【0021】このようにして形成されためっき析出物
(皮膜)の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
1に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ICP(発光分光
分析)で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
(皮膜)の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
1に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ICP(発光分光
分析)で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
【0022】前記表1に示される結果からも明らかなよ
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量の高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を無電解めっきによ
って実用上支障のない析出速度でもって安定形成できる
ことを確認できる。
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量の高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を無電解めっきによ
って実用上支障のない析出速度でもって安定形成できる
ことを確認できる。
【0023】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、無電解めっきによって10 atm%を超えるSn含有量
のNi−Sn−P合金めっき皮膜を安定形成することがで
き、無電解Ni−Sn−P合金めっき適用分野の更なる拡大
が可能になるなど、産業上非常に有用な効果がもたらさ
れる。
ば、無電解めっきによって10 atm%を超えるSn含有量
のNi−Sn−P合金めっき皮膜を安定形成することがで
き、無電解Ni−Sn−P合金めっき適用分野の更なる拡大
が可能になるなど、産業上非常に有用な効果がもたらさ
れる。
Claims (1)
- 【請求項1】 2価のNiイオン:0.05〜0.12mol/L,2価
のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比: 1.3以上
3未満,2価のSnイオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リ
ン酸イオン: 0.1〜 0.3mol/Lを含み、pHが8〜12
に調整された水溶液から成ることを特徴とする、無電解
Ni−Sn−P合金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935093A JPH06256962A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935093A JPH06256962A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256962A true JPH06256962A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13400027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6935093A Pending JPH06256962A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015021178A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | 無電解Ni−P−Snめっき液 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP6935093A patent/JPH06256962A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015021178A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | 無電解Ni−P−Snめっき液 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5614003A (en) | Method for producing electroless polyalloys | |
| JP3892730B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| TWI572742B (zh) | Reduction Electroless Silver Plating Solution and Reduced Electroless Silver Plating Method | |
| KR20080052479A (ko) | 무전해 금도금욕, 무전해 금도금 방법 및 전자 부품 | |
| JPH0247551B2 (ja) | ||
| CN103339287B (zh) | 用于沉积锡和锡合金的自催化镀液组合物 | |
| JP3482402B2 (ja) | 置換金メッキ液 | |
| JPH04325688A (ja) | 無電解めっき浴 | |
| JPH0257153B2 (ja) | ||
| JP3673445B2 (ja) | 亜鉛置換処理液 | |
| US20160108254A1 (en) | Zinc immersion coating solutions, double-zincate method, method of forming a metal plating film, and semiconductor device | |
| JPH08176837A (ja) | 無電解ニッケルリンめっき液 | |
| JPH06256963A (ja) | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 | |
| JP4230813B2 (ja) | 金めっき液 | |
| TWI804539B (zh) | 無電鍍金鍍浴 | |
| US5494710A (en) | Electroless nickel baths for enhancing hardness | |
| JPH06256962A (ja) | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 | |
| JPH09316649A (ja) | 無電解めっき液 | |
| JPH06256964A (ja) | 無電解Ni−Sn系合金めっき液 | |
| JPS6141774A (ja) | 水性・無電解ニツケル改良浴及び方法 | |
| JP2002226975A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JP2004100014A (ja) | セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品 | |
| JP2560842B2 (ja) | 耐食性皮膜の製造方法 | |
| JPH0633255A (ja) | 無電解めっき浴 | |
| JP2004149824A (ja) | 金めっき液と該金めっき液を使用しためっき方法、及び電子部品の製造方法、並びに電子部品 |