JPH06259731A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＲ感磁部の磁区構造の乱れを防止してバル
クハウゼンノイズの発生を抑制し、再生出力の向上を図
る。 【構成】 磁気記録媒体との対接面であるＡＢＳ面１に
臨んで再生用磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ を構成する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドが磁気シールドコア８上に形成され
てなり、上記磁気シールドコア８の表面粗度が中心線平
均粗さＲａで１ｎｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ装置
等に搭載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長
感度に優れることから磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する。）が一般的に使用されてい
る。

【０００３】上記ＭＲヘッドは、例えば先端部と後端部
にそれぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁
気抵抗効果感磁部（以下、ＭＲ感磁部と称する。）と、
このＭＲ感磁部に所要の向きの磁化状態を与えるバイア
ス導体とを有して構成されている。

【０００４】かかるＭＲヘッドは、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ −
ＴｉＣ等よりなるスライダと称される基板上に、所定間
隔を持って相対向して積層配置された一対の磁気シール
ドコア間に設けられ、再生用磁気ギャップをハードディ
スクとの対接面，すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・
サーフェス）面に臨むようにして設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲ感磁部
は、その膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍと非常に薄いため
に、下地の影響を受けやすい。通常ＭＲ感磁部の下地
は、下層再生ギャップとして機能するＡｌ₂ Ｏ₃ やＳｉ
Ｏ₂ 等よりなる絶縁膜が使用され、その面粗度は膜厚が
０．１μｍ〜０．５μｍ程度と薄いこともあって中心線
平均粗さＲａで０．１ｎｍ程度とされている。

【０００６】ところが、上記絶縁膜を介してＭＲ感磁部
を形成する土台となる下層磁気シールドコアの表面粗度
が厳密に管理されていない。例えば、その下層磁気シー
ルドコアの表面粗度は中心線平均粗さＲａで２ｎｍ〜３
ｎｍ程度ある。このため、下層磁気シールドコア上に絶
縁膜を介してＭＲ感磁部を蒸着やスパッタリング等によ
って成膜した場合には、ＭＲ感磁部の磁区構造が乱れ、
バルクハウゼンノイズが発生するという不都合が生ず
る。この結果、再生出力が低下し、正確な情報記録信号
の読出しが行えなくなる。

【０００７】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、ＭＲ感磁部の磁区構造の乱れを防止
してバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、再生出力の
高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、磁気記録媒体と
の対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドが磁気シールドコア上に形成されて
なり、上記磁気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗
さＲａで１ｎｍ以下であることを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、磁気抵抗効果素子を一対
の磁気シールドコアによって挟み込んでなるシールド型
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、アルミナ膜を成膜した
基板上に形成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、上記アルミナ膜が成膜された基板を、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドが形成される前に予めアニール処理するこ
とを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明においては、ＭＲ感磁部が形成される磁
気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗さＲａで１ｎ
ｍ以下と凹凸の無い非常に良好な面粗度とされているの
で、この上に蒸着やスパッタリング等によって膜厚の薄
いＭＲ感磁部を成膜した場合、当該ＭＲ感磁部の磁区構
造の乱れが発生しない。これによって、再生出力の低下
が起こらず、情報記録信号を確実に読み出せることにな
る。

【００１１】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、アルミナ膜が成膜された基板を予めアニー
ル処理した後に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをこの基板
上に形成しているので、アニール処理によってアルミナ
膜の応力が解放され、その後の磁気シールドコアのアニ
ール処理による基板の反りが回避される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
同一基板上に再生用磁気ギャップを構成するＭＲヘッド
である再生ヘッドと、記録用磁気ギャップを構成する誘
導型磁気ヘッド（インダクティブヘッドと称する。）で
ある記録ヘッドを積層した，いわゆる複合型の磁気ヘッ
ドの例である。

【００１３】かかる複合型磁気ヘッドは、図１に示すよ
うに、ハードディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再
生用磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ を臨ませるＭＲヘッドと、
同様にＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ₃ を臨ませる
インダクティブヘッドを、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等よりなる絶縁膜
２が形成されたＡｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣからなる基板３上に
積層形成した，いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘ
ッド構成となっている。

【００１４】ＭＲヘッドは、図２に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極４ａ，４ｂ（以下、ＡＢＳ
面１にその先端を臨ませるようして形成される電極４ａ
を先端電極４ａ、後端側に設けられる電極４ｂを後端電
極４ｂと称する。）が積層された磁気抵抗効果素子のＭ
Ｒ感磁部５と、このＭＲ感磁部５に所要の向きの磁化状
態を与えるバイアス導体６とからなる。

【００１５】ＭＲ感磁部５は、例えばインダクティブヘ
ッドの記録用磁気ギャップｇ₃ のトラック幅Ｔｗよりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記ＡＢＳ面１に対して直交方向となるように設け
られるとともに、その一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むよ
うになっている。かかるＭＲ感磁部５は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が２０ｎｍ〜
５０ｎｍと非常に薄い膜として蒸着やスパッタリング等
によって形成されている。

【００１６】なお、上記ＭＲ感磁部５は、ＭＲ薄膜の単
層の膜であってもよいが、例えばＳｉＯ₂ 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層するようにしてもよい。積層膜構造とすることに
よって、バルクハウゼンノイズの発生が回避できる。

【００１７】先端電極４ａは、上記ＭＲ感磁部５の先端
部に直接積層されるとともに、再生用磁気ギャップ
ｇ₁ ，ｇ₂ のデプスを規制するためのＭＲ感磁部５上に
形成される絶縁膜７ａ上に積層される形で設けられてい
る。このＭＲ感磁部５上に直接積層される配線パターン
は、その一側縁部が上記ＡＢＳ面１に露出するようにな
っている。なお、ＡＢＳ面１に露出する先端電極４ａ
は、上層の再生用磁気ギャップｇ₂ を構成するギャップ
膜としても機能する。

【００１８】一方、後端電極４ｂは、上記先端電極４ａ
と同様ＭＲ感磁部５上に形成される絶縁膜７ａ上にその
一部が積層されるとともに、そのバック側で該ＭＲ感磁
部５に直接積層されるようになっている。

【００１９】上記バイアス導体６は、先端電極４ａと後
端電極４ｂの間に絶縁膜７ｂを介して積層されるととも
に、上記ＭＲ感磁部５に対して略直交する方向，つまり
ＭＲ感磁部５を横切る形で設けられている。このバイア
ス導体６の両端子部には、直流電源からのバイアス電流
が通電されるようになっている。したがって、直流電流
は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流れ
ることになり、上記ＡＢＳ面１と直交する方向にバイア
ス磁界が印加される。

【００２０】このようにして構成された再生ヘッドとし
て機能する磁気回路部は、例えばパーマロイやセンダス
ト等よりなる一対の磁気シールドコア８，９によってそ
の上下より挾み込まれる形で設けられている。つまり、
シールド型構成となっている。シールド型構成をとるの
は、この種の一体型ヘッドでは、短波長再生を要求され
たり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形
と同じものを信号処理上求められるからである。

【００２１】ＭＲ感磁部５の下側に設けられる磁気シー
ルドコア８は、基板３上に形成されたＡｌ₂ Ｏ₃ 等より
なる絶縁膜２上に、上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませ
るようにしてこのＡＢＳ面１に対して略直交する方向に
延在して設けられている。そして、この磁気シールドコ
ア８とＭＲ感磁部５との間には、下層の再生用磁気ギャ
ップｇ₁ を構成するギャップ膜として機能するＡｌ₂ Ｏ
₃ よりなる下地膜１０が設けられている。かかる下地膜
１０は、例えばその膜厚が０．１μｍ〜０．５μｍとさ
れている。

【００２２】一方、ＭＲ感磁部５の上側に設けられる磁
気シールドコア９は、下層の磁気シールドコア８と同様
に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこの
ＡＢＳ面１に対して略直交する方向に延在して設けられ
ている。また、この磁気シールドコア９は、ＡＢＳ面１
側で先端電極４ａに対して直接積層されるとともに、中
央部で絶縁膜１１を介して積層され、且つバック側で下
層磁気シールドコア８と直接接するようになっている。

【００２３】そして、上記ＭＲヘッド上に積層して設け
られるインダクティブヘッドは、ＭＲ感磁部５をシール
ドする上層の磁気シールドコア９を閉磁路を構成する一
方の薄膜磁気コアとし、この磁気シールドコア９に対向
して積層される他方の磁気シールドコア１２とによっ
て、上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ₃ を構成するようになっている。

【００２４】すなわち、ＭＲ感磁部５をシールドする上
層の磁気シールドコア９に対向して積層される磁気シー
ルドコア１２は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部でシー
ルドとして機能する磁気シールドコア９側に屈曲され、
その隙間が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップ
ｇ₃ を構成するようになっている。なお、ＡＢＳ面１側
で屈曲される磁気シールドコア１２は、後方端部でシー
ルドコアとしても機能する磁気シールドコア９と直接接
するようになっている。

【００２５】そして、上記一対の磁気シールドコア９，
１２の接続部である磁気的結合部１３には、この磁気的
結合部１３を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッド
巻線１４が設けられている。ヘッド巻線１４は、閉磁路
を構成する磁気シールドコア９，１２との絶縁性を確保
するために、絶縁膜１５によって埋め込まれるようにな
っている。また、上記ヘッド巻線１４の巻始めと巻終わ
りの端部である端子部には、交流電源からの記録電流が
供給されるようになっている。なお、最上層の磁気シー
ルドコア１２の上には、ＭＲヘッドとインダクティブヘ
ッドを保護するためのＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護膜１６が
設けられている。

【００２６】そして特に、この実施例の複合型磁気ヘッ
ドでは、下層の磁気シールドコア８の表面粗度が中心線
平均粗さＲａで１ｎｍ以下と凹凸がない極めて平滑な面
となされている。このため、上記磁気シールドコア８上
に成膜される下地膜１０の表面粗度も１ｎｍ以下となる
ことから、該下地膜１０上に積層されるＭＲ感磁部５
は、その膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍと非常に薄い膜であ
っても凹凸の無い平らな膜となる。この結果、上記ＭＲ
感磁部５の磁区構造の乱れが発生せず、バルクハウゼン
ノイズを抑制できる。

【００２７】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作成
するには、以下のようにして行う。先ず、図５に示すよ
うに、絶縁膜として機能するアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）膜
２が成膜されたＡｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣからなる基板（以
下、アルチック基板と称する。）３を用意する。このと
きのアルミナ膜２は、表面粗度が中心線平均粗さＲａで
１ｎｍ以下である。

【００２８】次に、このアルチック基板３に対してアニ
ール処理を行う。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する
前段階でアニール処理を行うのは、次のことに基づく。

【００２９】上述したヘッド構成のうち、下層の磁気シ
ールドコア８は、磁気シールドとしてのみ使用されるも
のであり、その磁気特性上センダストが有効である。セ
ンダストの磁気特性を十分発揮させるためにはアニール
が必要であり、通常５２０℃で１時間の保持が必要とさ
れる。

【００３０】ところが、センダストに対してアニールを
行うと、アルチック基板３と下層磁気シールドコア８間
の絶縁のために予め成膜されているアルミナ膜２が応力
解放され、アルチック基板３に反りが発生する。アニー
ル終了後に反りが発生すると、その後の下層磁気シール
ドコア８の平坦化研磨工程において、研磨のばらつきが
大きくなる等の問題が発生する。したがって、本実施例
では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する前に、アル
チック基板３に対してアニール処理を施し、予めアルミ
ナ膜２の応力を解放させておく。

【００３１】通常、センダストのアニールは、磁気特性
を得るために最適な５２０℃で行われる。しかし、ここ
でのアニールは、５２０℃でのアルミナ膜２の応力解放
が行われればよいので、５２０℃〜６００℃程度であれ
ば問題ない。そこで、本実施例では、５２０℃〜６００
℃の真空中、若しくはＮ₂ 雰囲気中にてアニールする。
すると、アニールによってアルミナ膜２が応力解放され
て、図６に示すように、アルチック基板３は数μｍ反る
ことになる。

【００３２】次に、上記反ったアルチック基板３を、最
初にダイヤモンド研磨を行い、次にバフ研磨して図７に
示すように平坦化する。最初の研磨により、アルチック
基板３の厚みをコントロールできるので、スライダー長
規格にあった基板厚を容易に得ることができる。

【００３３】しかる後、図８に示すように、平坦化され
たアルチック基板３のアルミナ膜２上にセンダストをス
パッタリング又はメッキすることにより、下層の磁気シ
ールドコア８を形成する。

【００３４】次いで、図９に示すように、このセンダス
トよりなる磁気シールドコア８を５２０℃でアニール処
理する。そして、この磁気シールドコア８に対して、図
１０に示すように、所定形状となるようにパターニング
とエッチングを施す。

【００３５】次いで、電極形成など所定のプロセスを行
う。しかる後、図１１に示すように、次工程で上記磁気
シールドコア８を平坦化するために例えばＡｌ₂ Ｏ₃ よ
りなる平坦化膜４０を、この磁気シールドコア８の膜厚
よりも０．５μｍ〜１μｍ厚くなるように成膜する。

【００３６】そして、上記平坦化膜４０と磁気シールド
コア８を共に研磨して平坦化を図る。その際、磁気シー
ルドコア８の表面粗度を中心線平均粗さＲａが１ｎｍ以
下となるようにする。磁気シールドコア８の表面粗度を
１ｎｍ以下とするには、ダイヤモンド砥粒を使用した粗
研磨と、シリカ系超微粒子を使用した精研磨（バフ研
磨）を組み合わせて行う。

【００３７】ここで使用する研磨装置は、例えば図３及
び図４に示すように、主として研磨盤として機能する定
盤１８と、この定盤１８上に載置される基板３を左右方
向に揺動させる揺動機構１９とから構成される。

【００３８】粗研磨の際に使われる定盤１８は、例えば
銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状
として形成されてなるもので、平面矩形状をなす装置本
体２０の略中央部に図３中矢印Ａ方向に回転可能に設け
られている。なお、この定盤１８の平面度は、例えば１
０μｍ以下とされている。

【００３９】また、この粗研磨の際に使われる定盤１８
の表面には、ポリエステル不織布や発泡ポリウレタン
（人工皮革）或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ
等よりなる研磨布３９が設けられている。さらに、この
定盤１８の上には、円盤形状とされた基板３が載置され
るが、この基板３をガイドし又は研磨レートをかせぐた
めに加圧する目的で、当該基板３を覆って治具２１が設
けられる。

【００４０】上記治具２１は、外形形状が円形となさ
れ、上記定盤１８と対向する面に上記基板３を嵌合させ
る円形状をなす凹部２２を有している。上記凹部２２の
深さは、治具２１が定盤１８によって研磨されないよう
に基板３の板厚寸法よりも浅くなされている。したがっ
て、上記凹部２２に基板３を嵌合させて定盤１８上に載
置した状態では、基板３のみが定盤１８に接触すること
になる。

【００４１】一方、揺動機構１９は、上記一対の治具２
１を回転可能に保持するキャリア２３と、このキャリア
２３を定盤１８の中心線上に沿って図３中矢印Ｂで示す
左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モータ
２４と、この駆動モータ２４の回転運動を揺動運動に変
換するカム２５とクランクシャフト２６と、一対のスラ
イダー２７，２８とから構成される。

【００４２】上記キャリア２３は、上記一対の治具２１
を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部２９，３
０を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体
として形成されている。そして、このキャリア２３に
は、上記治具収納部２９，３０に収納される治具２１を
回転可能に収納保持するために、センターローラ３１と
ガイドローラ３２，３３が設けられている。

【００４３】センターローラ３１は、上記一対の治具収
納部２９，３０の間に円盤体として回転可能に設けられ
ている。また、ガイドローラ３２，３３は、上記センタ
ーローラ３１と反対側の治具収納部２９，３０の外周囲
に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられてい
る。

【００４４】そして、上記キャリア２３の両側には、該
キャリア２３を左右方向に揺動させるためのスライダー
２７，２８が設けられている。すなわち、上記キャリア
２３の両端部には、円柱状をなす連結部材３４，３５を
介して装置本体２０上をスライド自在とされるスライダ
ー２７，２８が設けられている。これらスライダー２
７，２８のうち一方のスライダー２７には、駆動モータ
２４の回転運動を揺動運動に変換するためのカム２５と
クランクシャフト２６が設けられている。

【００４５】したがって、上記駆動モータ２４の回転運
動は、カム２５に伝達され、該カム２５と係合するクラ
ンクシャフト２６によって揺動運動に変換せしめられ
る。これにより、キャリア２３が左右方向に揺動する。
なお、上記キャリア２３の揺動速さは、装置本体２０上
に設けられる制御装置３６によって適宜調整可能となさ
れている。

【００４６】以上のように構成された研磨装置を用い
て、上記アルチック基板３上に形成された磁気シールド
コア８を研磨し平坦化を図る。最初に、ダイヤモンド砥
粒を使用して粗研磨を行う。すなわち、定盤１８の上に
アルチック基板３を載せる。このとき、平坦化膜４０と
磁気シールドコア８が形成された研磨面が定盤１８と接
触するように前記アルチック基板３を載置する。

【００４７】次に、このアルチック基板３上に治具２１
を落とし込む。すると、治具２１に設けられた凹部２２
にアルチック基板３が嵌合し、当該アルチック基板３の
位置が決まると同時に、該アルチック基板３に荷重が加
わる。

【００４８】なお、アルチック基板３と治具２１とは、
ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接
着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがな
い。また、必要に応じて、治具２１の上に重りを載せて
加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしても
よい。

【００４９】次に、これら治具２１をキャリア２３に設
けられた治具収納部２９，３０内にセットする。この結
果、治具２１は、センターローラ３１とガイドローラ３
２，３３とによって回転可能に保持される。次に、定盤
１８を回転させるとともに、駆動モータ２４のスイッチ
を入れる。

【００５０】すると、駆動モータ２４の回転がカム２５
に伝達され、このカム２５と連結されるクランクシャフ
ト２６によって揺動運動に変換せしめられる。そして、
このクランクシャフト２６に連結された一方のスライダ
ー２７と他方のスライダー２８とによって、上記キャリ
ア２３が左右方向に揺動する。この結果、キャリア２３
に回転可能に保持された治具２１及びアルチック基板３
もこれらと一緒に揺動する。

【００５１】そして、研磨液供給タンク３７に接続され
るノズル３８の先端より、上記定盤１８上にダイヤモン
ドスラリーを供給する。すると、アルチック基板３が定
盤１８の回転運動とキャリア２３による揺動運動とによ
って基板全体に亘って研磨される。

【００５２】なお、アルチック基板３を揺動させない場
合には、該アルチック基板３の内外周の周速差によっ
て、当該基板中央部に偏摩耗が発生する。そして、ある
程度粗削りが終了した時点で、研磨を終了する。

【００５３】次に、シリカ系超微粒子をｐＨ１０前後の
アルカリ溶液に懸濁させた研磨液に取り替え、バフ研磨
を行う。アルカリ溶液は、平坦化膜４０と磁気シールド
コア８を化学的にエッチングさせるためのものであり、
加工液と材料との反応を促進させる機能をする。そし
て、このアルカリ溶液に懸濁させる微粒子は、研磨面の
凹凸をより滑らかにする作用をする。

【００５４】本実施例では、研磨液として粒子径５ｎｍ
〜１００ｎｍのＳｉＯ₂ を、濃度約２０重量％ 〜４０
重量％，ｐＨ９．０〜ｐＨ１１．０のアルカリ溶液に懸
濁させたものを使用した。

【００５５】そして、この研磨液によって先の方法と同
様にして研磨（これをバフ研磨と称する。）を行い、磁
気シールドコア８の表面粗度が中心線平均粗さＲａで１
ｎｍ以下となるまで研磨を行う。ここでの研磨工程で
は、先のセンダストのアニール処理終了時でほとんどア
ルチック基板３が反らず、基板表面がある程度平坦化さ
れているので、平坦化処理が極めて容易に行える。

【００５６】この結果、磁気シールドコア８の表面は、
図１２に示すように、ＳｉＯ₂ 砥粒による機械的作用と
加工液による科学的作用によってその表面粗度がＲａ１
ｎｍ以下と微細な凹凸の無い極めて平滑な面となる。

【００５７】次に、平坦化された磁気シールドコア８の
上にＡｌ₂ Ｏ₃ を成膜し、下層の再生用磁気ギャップｇ
₁ を構成するギャップ膜として機能する下地膜１０を形
成する。上記下地膜１０は、磁気シールドコア８の表面
粗度がＲａ１ｎｍ以下であるので、その表面粗度も同じ
くＲａ１ｎｍ以下となる。

【００５８】次いで、上記下地膜１０の上にＭＲ感磁部
５を蒸着やスパッタリング等によってその膜厚が２０ｎ
ｍ〜５０ｎｍとなるように形成する。ＭＲ感磁部５は、
その膜厚が非常に薄いので下地に影響されやすいが、本
実施例ではその下地の表面粗度が極めて平滑であること
から、磁区構造の乱れが無い。

【００５９】また、下地が平坦化されていることから、
パターニングの際に、マスクと基板の距離のばらつきが
小さくなるため、マスク位置合わせずれを小さくでき
る。また、パターニングの際に、焦点深度が深くとれる
ため、解像度の高いシャープなパターンを形成すること
ができる。

【００６０】次に、上記ＭＲ感磁部５上に絶縁膜７ａを
形成した後、ＭＲ感磁部５と電気的に接続するためのＭ
Ｒ電極接続穴を形成する。そして、先端電極４ａと後端
電極４ｂをそれぞれ形成した後、絶縁膜７ｂを積層し、
その上にバイアス導体６を形成する。

【００６１】次に、上記バイアス導体６上に絶縁膜１１
を積層した後、先端電極４ａと次工程で作成する磁気シ
ールドコア９との接続を図るための先端接続孔を形成す
る。そして、上記絶縁膜１１を覆って磁気シールドコア
９を形成する。この結果、磁気シールドコア９は、ＡＢ
Ｓ面１側で先端電極４ａと直接接するとともに、バック
側で下層の磁気シールドコア８と直接接することにな
る。

【００６２】次いで、この磁気シールドコア９の上にヘ
ッド巻線１４を絶縁膜１５によって埋め込む形で設け
る。そして、上記ヘッド巻線１４を覆って最上層の磁気
シールドコア１２を形成する。上記磁気シールドコア１
２は、ＡＢＳ面１側で絶縁膜１５を介して磁気シールド
コア９と近接して所定ギャップ長となるように設け、バ
ック側で磁気シールドコア９と直接接するように形成す
る。

【００６３】この結果、ＡＢＳ面１側の上下磁気シール
ドコア９，１２とによって挟み込まれた間隙部に記録用
磁気ギャップｇ₃ が構成される。そして最後に、これら
ＭＲヘッドとインダクティブヘッドを覆って保護膜１６
を積層し、ＡＢＳ面１を鏡面加工することによって複合
型磁気ヘッドが作製される。

【００６４】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例ではＭＲヘッドとインダクティブヘッドの磁性体を共
通化した構成としたものであるが、上下に設けられる磁
気シールドコアをＭＲヘッドとインダクティブヘッドと
でそれぞれ専用に設けるようにした構成の複合型磁気ヘ
ッドに対しても適用することができ、その作用効果は同
じである。

【００６５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、ＭＲ感磁部が形成される磁気シールドコ
アの表面粗度が中心線平均粗さＲａで１ｎｍ以下と凹凸
の無い非常に平滑な面とされているので、この上に蒸着
やスパッタリング等によって成膜される膜厚の薄いＭＲ
感磁部の磁区構造の乱れを防止することができ、これに
より再生出力を高めることができる。したがって、情報
記録信号を確実に読み出すことができる。

【００６６】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、アルミナ膜が成膜された基板を予めアニー
ル処理した後に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをこの基板
上に形成しているので、アニール処理によってアルミナ
膜の応力を解放することができ、その後の磁気シールド
コアのアニール処理による基板の反りを回避することが
できる。したがって、その後の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの作製を高精度に行え、信頼性の高い磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】複合型磁気ヘッドの拡大断面図である。

【図２】複合型磁気ヘッドのＭＲヘッド部分を拡大して
示す要部拡大断面図である。

【図３】研磨装置の平面図である。

【図４】研磨装置を一部破断して示す拡大側面図であ
る。

【図５】アルミナ膜が成膜されたアルチック基板の断面
図である。

【図６】アニール処理後のアルチック基板の断面図であ
る。

【図７】平坦化研磨後のアルチック基板の断面図であ
る。

【図８】センダストスパッタ後のアルチック基板の断面
図である。

【図９】センダストスパッタ後にアニール処理した状態
を示すアルチック基板の断面図である。

【図１０】センダストをエッチングした状態を示すアル
チック基板の断面図である。

【図１１】平坦化膜をスパッタした状態を示すアルチッ
ク基板の断面図である。

【図１２】磁気シールドコアを平坦化した状態を示すア
ルチック基板の断面図である。

【符号の説明】

１・・・ＡＢＳ面 ３・・・アルチック基板 ４ａ・・・先端電極 ４ｂ・・・後端電極 ５・・・ＭＲ感磁部 ６・・・バイアス導体 ８，９，１２・・・磁気シールドコア １０・・・絶縁膜 １８・・・定盤 １９・・・揺動機構 ２０・・・装置本体 ２１・・・治具 ２２・・・凹部 ２３・・・キャリア ２４・・・駆動モータ ２５・・・カム ２６・・・クランクシャフト ２７，２８・・・スライダー ４０・・・平坦化膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体との対接面に臨んで再生用
   磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドが磁
   気シールドコア上に形成されてなり、 上記磁気シールドコアの表面粗度が中心線平均粗さＲａ
   で１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】 磁気抵抗効果素子を一対の磁気シールド
   コアによって挟み込んでなるシールド型の磁気抵抗効果
   型磁気ヘッドを、アルミナ膜を成膜した基板上に形成し
   てなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記アルミナ膜が成膜された基板は、磁気抵抗効果型磁
   気ヘッドが形成される前に予めアニール処理されている
   ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。