JPH06260927A - 相補型電界効果トランジスタ論理回路 - Google Patents

相補型電界効果トランジスタ論理回路

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JPH06260927A
JPH06260927A JP5072915A JP7291593A JPH06260927A JP H06260927 A JPH06260927 A JP H06260927A JP 5072915 A JP5072915 A JP 5072915A JP 7291593 A JP7291593 A JP 7291593A JP H06260927 A JPH06260927 A JP H06260927A
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JP
Japan
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effect transistor
field effect
driving
logic
power supply
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JP5072915A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Komatsu
徹郎 小松
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 駆動用ＭＩＳＦＥＴの雑音マージンを大きく
する。 【構成】 ソ―スを正極性電源端子に、ドレインを論理
信号出力端に接続している駆動用ｐチャンネルエンハン
スメント型ＭＩＳＦＥＴＭ１と、ソ―スを負極性電源端
子に、ドレインをＭＩＳＦＥＴＭ１のドレインに接続し
ている駆動用ｎチャンネルエンハンスメント型ＭＩＳＦ
ＥＴＭ２と、ソ―ス（またはドレイン）をＭＩＳＦＥＴ
Ｍ１，Ｍ２のゲ―トに、ゲ―トを正極性電源端子に、ド
レイン（またはソ―ス）を論理信号入力端に接続してい
るトランスファ用ｎチャンネルデプレッション型ＭＩＳ
ＦＥＴＭ４とを有し、論理信号入力端に高いレベルの論
理入力信号が与えられるとき、駆動用ＭＩＳＦＥＴＭ
１，Ｍ２のゲ―トに、正極性電源端子の電圧レベルより
も高い論理信号が与えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、互に相補性を有する駆
動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタ及び駆動
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタと、それら
に対するトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果ト
ランジスタとを用いた相補型電界効果トランジスタ論理
回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】従来、図２を伴って次に述べる相補型電界
効果トランジスタ論理回路が提案されている。
【０００４】すなわち、ソ―スを正極性の駆動用直流電
源端子Ｅ１に接続し、ゲ―トを論理信号入力端Ｑに接続
し、ドレインを論理信号出力端Ｔ２に接続している駆動
用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ１と、ソ
―スを駆動用直流電源端子Ｅ１と対になる負極性の駆動
用直流電源端子Ｅ２に接続し、ゲ―トを論理信号入力端
Ｑに接続し、ドレインを駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界
効果トランジスタＭ１のドレインと論理信号出力端Ｔ２
との接続中点に接続している駆動用ｎチャンネルＭＩＳ
電界効果トランジスタＭ２と、ソ―ス（またはドレイ
ン）を論理信号入力端Ｑに接続し、ドレイン（またはソ
―ス）を論理信号入力端Ｔ１に接続し、ゲ―トを駆動用
直流電源端子Ｅ１に接続しているトランスファ用ｎチャ
ンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３とを有する。
【０００５】この場合、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界
効果トランジスタＭ１、駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界
効果トランジスタＭ２及びトランスファ用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３がともにエンハンスメ
ント型である。
【０００６】以上が、従来提案されている相補型電界効
果トランジスタ論理回路の構成である。
【０００７】このような構成を有する従来の相補型電界
効果トランジスタ論理回路によれば、駆動用直流電源端
子Ｅ１及びＥ２間に比較的低い電圧（例えば３．３Ｖ）
が得られる駆動用直流電源（図示せず）を接続している
状態で、論理信号入力端Ｔ１に、駆動用直流電源端子Ｅ
２を基準として、正極性の比較的高いレベル（駆動用直
流電源端子Ｅ１のレベル（３．３Ｖ）よりもトランスフ
ァ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３の閾
値電圧（トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果ト
ランジスタＭ３がエンハンスメント型であるので正極性
の例えば０．７Ｖ）分低いレベルよりも高いレベル）を
有する論理入力信号Ｓ１が与えられれば、トランスファ
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３がオフ
またはそれに近い状態になり、論理信号入力端Ｑに、駆
動用直流電源端子Ｅ２を基準として、駆動用直流電源端
子Ｅ１の電圧レベル（３．３Ｖ）よりもトランスファ用
ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３の閾値電
圧（０．７Ｖ）分低いレベル（２．６Ｖ）を有するが論
理入力信号Ｓ１に対応している高レベルの論理信号Ｓ２
が得られ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効
果トランジスタＭ１がオフし、駆動用ｎチャンネルＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタＭ２がオンすることによって、
論理信号出力端Ｔ２に、駆動用直流電源端子Ｅ２を基準
として、その駆動用直流電源端子Ｅ２の電圧レベル（接
地レベル）に対応している低レベルの論理出力信号Ｓ
３′が得られる。
【０００８】また、駆動用直流電源端子Ｅ１及びＥ２間
に上述した駆動用直流電源を接続している状態で、論理
信号入力端Ｔ１に、駆動用直流電源端子Ｅ２を基準とし
て、論理入力信号Ｓ１に比し低レベル（駆動用直流電源
端子Ｅ１のレベル（３．３Ｖ）よりもトランスファ用ｎ
チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３の閾値電圧
（０．７Ｖ）分低いレベル以下のレベル）の論理入力信
号Ｓ１′が与えられれば、トランスファ用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３がオン状態になり、論
理信号入力端Ｑに、論理入力信号Ｓ１′に対応している
低レベルの論理信号Ｓ２′が得られ、このため、駆動用
ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ１がオン
し、駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ
２がオフすることによって、論理信号出力端Ｔ２に、駆
動用直流電源端子Ｅ２を基準として、駆動用直流電源端
子Ｅ１の電圧レベル（３．３Ｖ）に対応している高レベ
ルの論理出力信号Ｓ２が得られる。
【０００９】さらに、図２に示す従来の相補型電界効果
トランジスタ論理回路の場合、上述したところから明ら
かなように、上述した比較的低い電圧の得られる駆動用
直流電源によって駆動されて上述した論理動作を行う
が、論理信号入力端Ｔ１に、上述した比較的低い電圧の
得られる駆動用直流電源で得られるよりも高い電圧
（５．０Ｖ）が得られる直流電源によって上述したと同
様の論理動作を行う図２に示す従来の相補型電界効果ト
ランジスタ論理回路と同様の相補型電界効果トランジス
タ論理回路の論理信号出力端から得られる高レベルの論
理出力信号が与えられることによって、論理信号入力端
Ｔ１に、上述した高レベルの論理入力信号Ｓ１のレベル
に比し高いレベル（５．０Ｖ）の論理出力信号が与えら
れても、この場合、トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ
電界効果トランジスタＭ３がオフし、論理信号入力端Ｑ
に得られる高レベルの論理信号Ｓ２が、駆動用直流電源
端子Ｅ１の電圧レベル（３．３Ｖ）よりもトランスファ
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３の閾値
電圧（０．７Ｖ）分低いレベル（２．６Ｖ）で得られ、
従って、この場合に論理信号入力端Ｔ１に与えられる論
理出力信号の高いレベル（５．０Ｖ）に対応している高
いレベルでは得られず、このため、もし、トランスファ
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ３を有さ
ず、論理信号入力端Ｔ１が直接的に論理信号入力端Ｑに
接続されているとすれば、論理信号入力端Ｑに高レベル
（５．０Ｖ）の論理出力信号が与えられることによっ
て、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ
１及び駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタ
Ｍ２が、そのゲ―トにおいて破損する、というようなお
それを有しない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場
合、論理信号入力端Ｔ１に上述した高レベル（３．３
Ｖ）の論理入力信号Ｓ１が与えられることによって、論
理信号入力端Ｑに上述した高レベルの論理信号Ｓ２が得
られるとき、そのレベルが、上述したように、駆動用直
流電源端子Ｅ１の電圧レベルに対応するレベル（３．３
Ｖ）よりもトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果
トランジスタＭ３の閾値電圧（０．７Ｖ）分低いレベル
（２．６Ｖ）しか有さず、このため、駆動用ｐチャンネ
ルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ１及び駆動用ｎチャン
ネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ２が雑音に影響され
て動作する、というおそれを有し、従って、雑音マ―ジ
ンが小さい、という欠点を有していた。
【００１１】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な相補型電界効果トランジスタ論理回路を提案せん
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による相補型電界
効果トランジスタ論理回路は、図２で上述した従来の相
補型電界効果トランジスタ論理回路の場合と同様に、
（ｉ）ソ―スを正極性の第１の駆動用直流電源端子に接
続し、ゲ―トを第１の論理信号入力端に接続し、ドレイ
ンを論理信号出力端に接続している駆動用ｐチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタと、（ｉｉ）ソ―スを上記
第１の駆動用直流電源端子と対になる負極性の第２の駆
動用直流電源端子に接続し、ゲ―トを上記第１の論理信
号入力端に接続し、ドレインを上記駆動用ｐチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタのドレインと上記論理信号
出力端との接続中点に接続している駆動用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタと、（ｉｉｉ）ソ―ス（ま
たはドレイン）を上記第１の論理信号入力端に接続し、
ドレイン（またはソ―ス）を第２の論理信号入力端に接
続し、ゲ―トを上記第１の駆動用直流電源端子に接続し
ているトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタとを有する。
【００１３】しかしながら、本発明による相補型電界効
果トランジスタ論理回路は、このような構成を有する相
補型電界効果トランジスタ論理回路において、上記駆動
用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタ及び上記駆
動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタが、図２
に示す従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場
合と同様に、エンハンスメント型であるが、上記トラン
スファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタが、
図２に示す従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路
の場合とは逆にデプレッション型である。
【００１４】
【作用・効果】本発明による相補型電界効果トランジス
タ論理回路によれば、第１及び第２の駆動用直流電源端
子間に比較的低い電圧（例えば３．３Ｖ）が得られる駆
動用直流電源を接続している状態で、第２の論理信号入
力端に、第２の駆動用直流電源端子を基準として、正極
性の比較的高いレベル（第１の駆動用直流電源端子のレ
ベルよりもトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果
トランジスタの閾値電圧（トランスファ用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタがデプレッション型である
ので負極性の例えば−０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベ
ルよりも高いレベル（例えば５Ｖ））を有する論理入力
信号が与えられれば、図２で前述した従来の相補型電界
効果トランジスタ論理回路の場合に準じて、トランスフ
ァ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４がオ
フまたはそれに近い状態になり、第１の論理信号入力端
に、第２の駆動用直流電源端子を基準として、第１の駆
動用直流電源端子の電圧レベル（３．３Ｖ）よりもトラ
ンスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタの
閾値電圧（−０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベルを有
し、従って第１の駆動用直流電源端子の電圧レベル
（３．３Ｖ）に対応しているレベルを有する、論理入力
信号に対応している高レベル（３．３Ｖ＋０．３３Ｖ＝
３．６３Ｖ）の論理信号が得られ、このため、駆動用ｐ
チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタがオフし、駆動
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタがオンする
ことによって、論理信号出力端に、第２の駆動用直流電
源端子を基準として、その第２の駆動用直流電源端子の
電圧レベル（接地レベル）に対応している低レベルの論
理出力信号が得られる。
【００１５】また、第１及び第２の駆動用直流電源端子
間に上述した駆動用直流電源を接続している状態で、第
２の論理信号入力端に、第２の駆動用直流電源端子を基
準として、高レベルの論理入力信号に比し低レベル（第
１の駆動用直流電源出力端子の電圧レベルよりもトラン
スファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタの閾
値電圧（−０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベル以下のレ
ベル）の論理入力信号が与えられれば、図２で前述した
従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場合に準
じて、トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタがオン状態になり、第１の論理信号入力端に、
低レベルの論理入力信号に対応している低レベルの論理
信号が得られ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電
界効果トランジスタがオンし、駆動用ｎチャンネルＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタがオフすることによって、論理
信号出力端に、第２の駆動用直流電源端子を基準とし
て、第１の駆動用直流電源端子の電圧レベル（３．３
Ｖ）に対応している高レベルの論理出力信号が得られ
る。
【００１６】さらに、本発明による相補型電界効果トラ
ンジスタ論理回路の場合、上述したところから明らかな
ように、上述した比較的低い電圧の得られる駆動用直流
電源によって駆動されて上述した論理動作を行うが、第
２の論理信号入力端に、上述した比較的低い電圧の得ら
れる駆動用直流電源で得られるよりも高い電圧（例え
ば、５．０Ｖ）が得られる駆動用直流電源によって上述
したと同様の論理動作を行う本発明による相補型電界効
果トランジスタ論理回路と同様の相補型電界効果トラン
ジスタ論理回路の論理信号出力端から得られる高レベル
の論理出力信号が与えられることによって、第２の論理
信号入力端に、上述した高レベルの論理入力信号のレベ
ル（５Ｖ）以上の高いレベル（例えば５．０Ｖ）の論理
出力信号が与えられても、この場合、トランスファ用ｎ
チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタがオフし、第１
の論理信号入力端に得られる高レベルの論理信号が、第
１の駆動用直流電源端子の電圧レベル（３．３Ｖ）に対
応しているレベル（第１の駆動用直流電源端子の電圧レ
ベル（３．３Ｖ）よりもトランスファ用ｎチャンネルＭ
ＩＳ電界効果トランジスタの閾値電圧（−０．３３Ｖ）
の絶対値分高いレベル（３．３Ｖ＋０．３３Ｖ＝３．６
３Ｖ））で得られ、従って、この場合に第２の論理信号
入力端に与えられる論理出力信号の高いレベル（５．０
Ｖ）に対応している高いレベルでは得られず、このた
め、もし、トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果
トランジスタを有さず、第２の論理信号入力端が直接的
に第１の論理信号入力端に接続していれば、第１の論理
信号入力端に高レベル（５．０Ｖ）の論理出力信号が与
えられることによって、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界
効果トランジスタ及び駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効
果トランジスタが、そのゲ―トにおいて破損する、とい
うようなおそれを有しない。
【００１７】また、本発明による相補型電界効果トラン
ジスタ論理回路の場合、第２の論理信号入力端に、上述
した高レベル（５Ｖ）の論理入力信号が与えられること
によって、第１の論理信号入力端に上述した高レベルの
論理信号が得られるとき、そのレベルが、上述したよう
に、第１の駆動用直流電源端子の電圧レベル（３．３
Ｖ）に対応しているレベルを有するとしても、図２で前
述した従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場
合よりも高い第１の駆動用直流電源出力端子の電圧レベ
ルよりもトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果ト
ランジスタの閾値電圧（−０．３３Ｖ）の絶対値分高い
レベル（３．３Ｖ＋０．３３Ｖ＝３．６３Ｖ）で得ら
れ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタ及び駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラン
ジスタが雑音に影響されて動作する、というおそれを有
さず、従って、雑音マ―ジンが、図２で前述した従来の
相補型電界効果トランジスタ論理回路の場合に比し大き
い。
【００１８】
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明による相補型
電界効果トランジスタ論理回路の第１の実施例を述べよ
う。
【００１９】図１において、図２との対応部分には同一
符号を付して示す。
【００２０】図１に示す本発明による相補型電界効果ト
ランジスタ論理回路は、図２で上述した従来の相補型電
界効果トランジスタ論理回路の場合と同様に、ソ―スを
正極性の駆動用直流電源端子Ｅ１に接続し、ゲ―トを論
理信号入力端Ｑに接続し、ドレインを論理信号出力端Ｔ
２に接続している駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果ト
ランジスタＭ１と、ソ―スを駆動用直流電源端子Ｅ１と
対になる負極性の駆動用直流電源端子Ｅ２に接続し、ゲ
―トを論理信号入力端Ｑに接続し、ドレインを駆動用ｐ
チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ１のドレイン
と論理信号出力端Ｔ２との接続中点に接続している駆動
用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ２とを有
するとともに、図２で上述した従来の相補型電界効果ト
ランジスタ論理回路の場合に準じて、ソ―ス（またはド
レイン）を論理信号入力端Ｑに接続し、ドレイン（また
はソ―ス）を論理信号入力端Ｔ１２に接続し、ゲ―トを
駆動用直流電源入力端子Ｅ１に接続しているトランスフ
ァ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４を有
する。
【００２１】この場合、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界
効果トランジスタＭ１及び駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電
界効果トランジスタＭ２が、図２で上述した従来の相補
型電界効果トランジスタ論理回路の場合と同様に、とも
にエンハンスメント型であるが、トランスファ用ｎチャ
ンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４が、図２で前述
した従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場合
とは逆にデプレッション型である。
【００２２】以上が、本発明による相補型電界効果トラ
ンジスタ論理回路の実施例の構成である。
【００２３】このような構成を有する本発明による相補
型電界効果トランジスタ論理回路によれば、駆動用直流
電源端子Ｅ１及びＥ２間に比較的低い電圧（例えば３．
３Ｖ）が得られる駆動用直流電源（図示せず）を接続し
ている状態で、論理信号入力端Ｔ１に、駆動用直流電源
端子Ｅ２を基準として、正極性の比較的高いレベル（駆
動用直流電源端子Ｅ１のレベルよりもトランスファ用ｎ
チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４の閾値電圧
（トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジ
スタＭ４がデプレッション型であるので負極性の例えば
−０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベルよりも高いレベル
（例えば５Ｖ））を有する論理入力信号Ｓ１が与えられ
れば、図２で前述した従来の相補型電界効果トランジス
タ論理回路の場合に準じて、トランスファ用ｎチャンネ
ルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４がオフまたはそれに
近い状態になり、論理信号入力端Ｑに、駆動用直流電源
端子Ｅ２を基準として、駆動用直流電源端子Ｅ１の電圧
レベル（３．３Ｖ）よりもトランスファ用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４の閾値電圧（−０．３
３Ｖ）の絶対値分高いレベルを有し、従って駆動用直流
電源端子Ｅ１の電圧レベル（３．３Ｖ）に対応している
レベルを有する、論理入力信号Ｓ１に対応している高レ
ベル（３．３Ｖ＋０．３３Ｖ＝３．６３Ｖ）の論理信号
Ｓ２が得られ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電
界効果トランジスタＭ１がオフし、駆動用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ２がオンすることによっ
て、論理信号出力端Ｔ２に、駆動用直流電源端子Ｅ２を
基準として、その駆動用直流電源端子Ｅ２の電圧レベル
（接地レベル）に対応している低レベルの論理出力信号
Ｓ３′が得られる。
【００２４】また、駆動用直流電源端子Ｅ１及びＥ２間
に上述した駆動用直流電源を接続している状態で、論理
信号入力端Ｔ１に、駆動用直流電源端子Ｅ２を基準とし
て、論理入力信号Ｓ１に比し低レベル（駆動用直流電源
出力端子Ｅ１の電圧レベルよりもトランスファ用ｎチャ
ンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４の閾値電圧（−
０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベル以下のレベル）の論
理入力信号Ｓ１′が与えられれば、図２で前述した従来
の相補型電界効果トランジスタ論理回路の場合に準じ
て、トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラン
ジスタＭ４がオン状態になり、論理信号入力端Ｑに、論
理入力信号Ｓ１′に対応している低レベルの論理信号Ｓ
２′が得られ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電
界効果トランジスタＭ１がオンし、駆動用ｎチャンネル
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ２がオフすることによっ
て、論理信号出力端Ｔ２に、駆動用直流電源端子Ｅ２を
基準として、駆動用直流電源端子Ｅ１の電圧レベル
（３．３Ｖ）に対応している高レベルの論理出力信号Ｓ
３が得られる。
【００２５】さらに、図１に示す本発明による相補型電
界効果トランジスタ論理回路の場合、上述したところか
ら明らかなように、上述した比較的低い電圧の得られる
駆動用直流電源によって駆動されて上述した論理動作を
行うが、論理信号入力端Ｔ１に、上述した比較的低い電
圧の得られる駆動用直流電源で得られるよりも高い電圧
（例えば、５．０Ｖ）が得られる駆動用直流電源によっ
て上述したと同様の論理動作を行う図１に示す本発明に
よる相補型電界効果トランジスタ論理回路と同様の相補
型電界効果トランジスタ論理回路の論理信号出力端から
得られる高レベルの論理出力信号が与えられることによ
って、論理信号入力端Ｔ１に、上述した高レベルの論理
入力信号Ｓ１のレベル（５Ｖ）以上の高いレベル（例え
ば５．０Ｖ）の論理出力信号が与えられても、この場
合、トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラン
ジスタＭ４がオフし、論理信号入力端Ｑに得られる高レ
ベルの論理信号Ｓ２が、駆動用直流電源端子Ｅ１の電圧
レベル（３．３Ｖ）に対応しているレベル（駆動用直流
電源端子Ｅ１の電圧レベル（３．３Ｖ）よりもトランス
ファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４の
閾値電圧（−０．３３Ｖ）の絶対値分高いレベル（３．
３Ｖ＋０．３３Ｖ＝３．６３Ｖ））で得られ、従って、
この場合に論理信号入力端Ｔ１に与えられる論理出力信
号の高いレベル（５．０Ｖ）に対応している高いレベル
では得られず、このため、もし、トランスファ用ｎチャ
ンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ４を有さず、論理
信号入力端Ｔ１が直接的に論理信号入力端Ｑに接続して
いれば、論理信号入力端Ｑに高レベル（５．０Ｖ）の論
理出力信号が与えられることによって、駆動用ｐチャン
ネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ１及び駆動用ｎチャ
ンネルＭＩＳ電界効果トランジスタＭ２が、そのゲ―ト
において破損する、というようなおそれを有しない。
【００２６】また、図１に示す本発明による相補型電界
効果トランジスタ論理回路の場合、論理信号入力端Ｔ１
に、上述した高レベル（５Ｖ）の論理入力信号Ｓ１が与
えられることによって、論理信号入力端Ｑに上述した高
レベルの論理信号Ｓ２が得られるとき、そのレベルが、
上述したように、駆動用直流電源端子Ｅ１の電圧レベル
（３．３Ｖ）に対応しているレベルで得られるとして
も、図２で前述した従来の相補型電界効果トランジスタ
論理回路の場合よりも高い駆動用直流電源出力端子Ｅ１
の電圧レベルよりもトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ
電界効果トランジスタＭ４の閾値電圧（−０．３３Ｖ）
の絶対値分高いレベル（３．３Ｖ＋０．３３Ｖ＝３．６
３Ｖ）で得られ、このため、駆動用ｐチャンネルＭＩＳ
電界効果トランジスタＭ１及び駆動用ｎチャンネルＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタＭ２が雑音に影響されて動作す
る、というおそれを有さず、従って、雑音マ―ジンが、
図２で前述した従来の相補型電界効果トランジスタ論理
回路の場合に比し大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による相補型電界効果トランジスタ論理
回路の実施例を示す接続図である。
【図２】従来の相補型電界効果トランジスタ論理回路を
示す接続図である。
【符号の説明】
Ｅ１、Ｅ２ 駆動用直流電源端子 Ｍ１ 駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果
トランジスタ Ｍ２ 駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果
トランジスタ Ｍ３、Ｍ４ トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ
電界効果トランジスタ Ｓ１、Ｓ１′ 論理入力信号 Ｓ２、Ｓ２′ 論理信号 Ｓ３、Ｓ３′ 論理出力信号 Ｔ１ 論理信号入力端 Ｔ２ 論理信号出力端 Ｑ 論理信号入力端

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ソ―スを正極性の第１の駆動用直流電源
    端子に接続し、ゲ―トを第１の論理信号入力端に接続
    し、ドレインを論理信号出力端に接続している駆動用ｐ
    チャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタと、 ソ―スを上記第１の駆動用直流電源端子と対になる負極
    性の第２の駆動用直流電源端子に接続し、ゲ―トを上記
    第１の論理信号入力端に接続し、ドレインを上記駆動用
    ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタのドレインと
    上記論理信号出力端との接続中点に接続している駆動用
    ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタと、 ソ―ス（またはドレイン）を上記第１の論理信号入力端
    に接続し、ドレイン（またはソ―ス）を第２の論理信号
    入力端に接続し、ゲ―トを上記第１の駆動用直流電源端
    子に接続しているトランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電
    界効果トランジスタとを有する相補型電界効果トランジ
    スタ論理回路において、 上記駆動用ｐチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタ及
    び上記駆動用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トランジスタ
    がエンハンスメント型であり、 上記トランスファ用ｎチャンネルＭＩＳ電界効果トラン
    ジスタがデプレッション型であることを特徴とする相補
    型電界効果トランジスタ論理回路。
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