JPH06267909A - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
- Publication number
- JPH06267909A JPH06267909A JP5048958A JP4895893A JPH06267909A JP H06267909 A JPH06267909 A JP H06267909A JP 5048958 A JP5048958 A JP 5048958A JP 4895893 A JP4895893 A JP 4895893A JP H06267909 A JPH06267909 A JP H06267909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- back surface
- uniformity
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ裏面の付着異物を低減し、かつレジ
スト除去速度の均一性を改善する。 【構成】 リング状の突部とその内側に平坦部を有する
ヒータにウェーハを置き、ウェーハは該突部とのみ接触
し、その接触部の半径方向の幅は１０ｍｍ以下であり、
かつウェーハ裏面と該平坦部表面との距離は１ｍｍ以下
であり、ヒータにより加熱し、ウェーハにオゾンと紫外
線を供給し、オゾンはウェーハ周辺に向かって流れ、ウ
ェーハ上の有機物を除去する。 【効果】 ウェーハ裏面の付着異物を低減し、かつレジ
スト除去速度の均一性を改善できた。
スト除去速度の均一性を改善する。 【構成】 リング状の突部とその内側に平坦部を有する
ヒータにウェーハを置き、ウェーハは該突部とのみ接触
し、その接触部の半径方向の幅は１０ｍｍ以下であり、
かつウェーハ裏面と該平坦部表面との距離は１ｍｍ以下
であり、ヒータにより加熱し、ウェーハにオゾンと紫外
線を供給し、オゾンはウェーハ周辺に向かって流れ、ウ
ェーハ上の有機物を除去する。 【効果】 ウェーハ裏面の付着異物を低減し、かつレジ
スト除去速度の均一性を改善できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト除去装置や、
洗浄装置等の有機物除去装置に関するものである。
洗浄装置等の有機物除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１に示すように枚葉式のレジス
ト除去装置はヒータ上にウェーハを置き、除去処理をす
るため、ウェーハ裏面には異物が多数付着し、次の湿式
洗浄工程でウェーハ裏面の異物が表面に再付着し汚染の
原因になっていた。
ト除去装置はヒータ上にウェーハを置き、除去処理をす
るため、ウェーハ裏面には異物が多数付着し、次の湿式
洗浄工程でウェーハ裏面の異物が表面に再付着し汚染の
原因になっていた。
【０００３】さらにウェーハ上に供給されたオゾンガス
が、ウェーハ周囲に向かって流れるため、ウェーハ周囲
のレジスト除去速度が低下し、均一性が損なわれる場合
があった（照明学会公開研究会「紫外線光源とその応
用」ＵＶ/Ｏ3光アッシャ １９８９年７月を参照のこ
と）。
が、ウェーハ周囲に向かって流れるため、ウェーハ周囲
のレジスト除去速度が低下し、均一性が損なわれる場合
があった（照明学会公開研究会「紫外線光源とその応
用」ＵＶ/Ｏ3光アッシャ １９８９年７月を参照のこ
と）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述のような
従来の問題点、即ちウェーハ裏面の異物付着や均一性の
悪化を防止するものである。
従来の問題点、即ちウェーハ裏面の異物付着や均一性の
悪化を防止するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ヒータにリング状の突部
とその内側に平坦部を設け、該ヒータにウェーハを置
き、ウェーハは該突部とのみ接触し、その接触部の半径
方向の幅は１０ｍｍ以下であり、かつウェーハ裏面と該
平坦部表面との距離は１ｍｍ以下であることにより前記
課題を解決するものである。
とその内側に平坦部を設け、該ヒータにウェーハを置
き、ウェーハは該突部とのみ接触し、その接触部の半径
方向の幅は１０ｍｍ以下であり、かつウェーハ裏面と該
平坦部表面との距離は１ｍｍ以下であることにより前記
課題を解決するものである。
【０００６】
【作用】ウェーハはヒータとはウェーハ周辺部のみでし
か接触しないため、ウェーハ裏面への異物付着はウェー
ハ周辺部のみに限定され、付着異物数を減少できる。
か接触しないため、ウェーハ裏面への異物付着はウェー
ハ周辺部のみに限定され、付着異物数を減少できる。
【０００７】またウェーハの加熱はウェーハ裏面とヒー
タ平坦部との微小な間隙に存在するガスの熱伝達によ
り、主として行われるが、ウェーハ周辺がヒータの突部
と接触していることからこの部分の熱伝導によっても行
われる。そして直接接触していることからウェーハ周辺
の方がウェーハ中央に比較し、ウェーハ温度が高くな
り、レジスト除去速度が向上し均一性を改善できる。
タ平坦部との微小な間隙に存在するガスの熱伝達によ
り、主として行われるが、ウェーハ周辺がヒータの突部
と接触していることからこの部分の熱伝導によっても行
われる。そして直接接触していることからウェーハ周辺
の方がウェーハ中央に比較し、ウェーハ温度が高くな
り、レジスト除去速度が向上し均一性を改善できる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を図２並びに図３を用いて
説明する。
説明する。
【０００９】ヒータ１はその周辺に突部２を有し、その
内側は平坦部３となっている。ウェーハ４は該突部２と
のみ接触するようにヒータ上に乗っている。この時ウェ
ーハとヒータとの接触部の半径方向の幅は１０ｍｍであ
り、ウェーハ裏面と該平坦部３との距離は１ｍｍであ
る。またウェーハ径は１５０ｍｍであり、その表面には
ポジレジスト（ＯＦＰＲ−８００：東京応化製）が１μ
ｍの厚さで塗布されている。ウェーハの上方にはノズル
５が付いている石英板６が設置されており、オゾンガス
は該ノズル５を通してウェーハ表面に供給され、ウェー
ハ周辺に向かって流れていく。また石英板６の上方には
紫外線ランプ７が設置され、ここから放射された紫外線
は石英板６を透過してウェーハ表面に照射される。この
結果、ウェーハ中央付近はヒータ１により２５０℃に、
ウェーハ周辺は２７０℃に加熱され、またオゾンは紫外
線により分解して励起酸素原子となり加熱されたレジス
トと反応しレジストが除去される。その除去速度の測定
結果は図３の（ａ）に示すとおりウェーハ中央に比較
し、ウェーハ周辺の方が高くなり均一性は±６％となっ
ており、従来の結果（ｂ）（均一性±１５％）と比較
し、均一性が改善されていた。
内側は平坦部３となっている。ウェーハ４は該突部２と
のみ接触するようにヒータ上に乗っている。この時ウェ
ーハとヒータとの接触部の半径方向の幅は１０ｍｍであ
り、ウェーハ裏面と該平坦部３との距離は１ｍｍであ
る。またウェーハ径は１５０ｍｍであり、その表面には
ポジレジスト（ＯＦＰＲ−８００：東京応化製）が１μ
ｍの厚さで塗布されている。ウェーハの上方にはノズル
５が付いている石英板６が設置されており、オゾンガス
は該ノズル５を通してウェーハ表面に供給され、ウェー
ハ周辺に向かって流れていく。また石英板６の上方には
紫外線ランプ７が設置され、ここから放射された紫外線
は石英板６を透過してウェーハ表面に照射される。この
結果、ウェーハ中央付近はヒータ１により２５０℃に、
ウェーハ周辺は２７０℃に加熱され、またオゾンは紫外
線により分解して励起酸素原子となり加熱されたレジス
トと反応しレジストが除去される。その除去速度の測定
結果は図３の（ａ）に示すとおりウェーハ中央に比較
し、ウェーハ周辺の方が高くなり均一性は±６％となっ
ており、従来の結果（ｂ）（均一性±１５％）と比較
し、均一性が改善されていた。
【００１０】またウェーハ当たりの裏面の付着異物(粒
径:０.３μｍ以上)は、１６８０個と従来の１２１６０
個に比較し大幅に減少させることができた。
径:０.３μｍ以上)は、１６８０個と従来の１２１６０
個に比較し大幅に減少させることができた。
【００１１】ウェーハとヒータ突部の接触部の半径方向
の幅は小さいほど異物の数が少なくなり良好である。ま
た１０ｍｍより大きくするとウェーハ周辺の温度が高く
なりすぎて均一性を逆に損なう。そしてウェーハ裏面と
ヒータ平坦部との距離が１ｍｍより大きくなるとウェー
ハ中央部の温度が下がりすぎ、均一性を損なうこととな
る（表１、２参照）。
の幅は小さいほど異物の数が少なくなり良好である。ま
た１０ｍｍより大きくするとウェーハ周辺の温度が高く
なりすぎて均一性を逆に損なう。そしてウェーハ裏面と
ヒータ平坦部との距離が１ｍｍより大きくなるとウェー
ハ中央部の温度が下がりすぎ、均一性を損なうこととな
る（表１、２参照）。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【発明の効果】本発明により、ウェーハ裏面に付着する
異物数の低減と、レジスト除去速度の均一性の改善の両
方が同時に実現できる。
異物数の低減と、レジスト除去速度の均一性の改善の両
方が同時に実現できる。
【図１】従来の主要構成図。
【図２】本発明の主要構成図。
【図３】本発明によるレジスト除去結果。
１−ヒータ、４−ウェーハ、２−突部、５−ノズル、３
−平坦部、６−石英板。
−平坦部、６−石英板。
Claims (1)
- 【請求項１】リング状の突部とその内側に平坦部を有す
るヒータにウェーハを置き、ウェーハは該突部とのみ接
触し、その接触部の半径方向の幅は１０ｍｍ以下であ
り、かつウェーハ裏面と該平坦部表面との距離は１ｍｍ
以下であり、ヒータにより加熱し、ウェーハにオゾンと
紫外線を供給し、オゾンはウェーハ周辺に向かって流
れ、ウェーハ上の有機物を除去することを特徴とした有
機物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048958A JPH06267909A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 有機物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048958A JPH06267909A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 有機物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267909A true JPH06267909A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12817794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5048958A Pending JPH06267909A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 有機物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267909A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478401A (en) * | 1994-03-10 | 1995-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for surface treatment |
| WO2004055879A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | オゾン処理装置 |
| JP2014027322A (ja) * | 2007-03-05 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法、記憶素子の作製方法 |
| WO2014129259A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、コンピュータ記憶媒体及び成膜システム |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP5048958A patent/JPH06267909A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478401A (en) * | 1994-03-10 | 1995-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for surface treatment |
| WO2004055879A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | オゾン処理装置 |
| JP2014027322A (ja) * | 2007-03-05 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法、記憶素子の作製方法 |
| WO2014129259A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、コンピュータ記憶媒体及び成膜システム |
| JP2014165252A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜システム |
| CN105074883A (zh) * | 2013-02-22 | 2015-11-18 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜方法、计算机存储介质和成膜系统 |
| US20150357188A1 (en) * | 2013-02-22 | 2015-12-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, computer storage medium, and film forming system |
| TWI565533B (zh) * | 2013-02-22 | 2017-01-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 成膜方法、電腦記憶媒體及成膜系統 |
| US9741559B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-08-22 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, computer storage medium, and film forming system |
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