JPH062705B2 - ５−シクロデセン−１−オンの製造法 - Google Patents
５−シクロデセン−１−オンの製造法Info
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- JPH062705B2 JPH062705B2 JP60172580A JP17258085A JPH062705B2 JP H062705 B2 JPH062705 B2 JP H062705B2 JP 60172580 A JP60172580 A JP 60172580A JP 17258085 A JP17258085 A JP 17258085A JP H062705 B2 JPH062705 B2 JP H062705B2
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- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- basic amine
- reaction
- sulfate
- cyclodecen
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は５−シクロデセン−１−オンの改良された製造
法に関する。
法に関する。
５−シクロデテン−１−オンはセバシン酸の製造原料な
どとして重要な化合物であり、従来その製造法として、
６−ヒドロキシシクロデカノンを硫酸カルシウム触媒お
よびアンモニアの存在下に気相法により脱水せしめる方
法が知られている（B.P 1,136,696）。
どとして重要な化合物であり、従来その製造法として、
６−ヒドロキシシクロデカノンを硫酸カルシウム触媒お
よびアンモニアの存在下に気相法により脱水せしめる方
法が知られている（B.P 1,136,696）。
しかし、この方法は触媒活性の劣化が極めて激しく、長
時間にわたって反応を継続することができなくなるなど
工業的製法として利用することに大きな困難があった。
時間にわたって反応を継続することができなくなるなど
工業的製法として利用することに大きな困難があった。
このようなことから、本発明者らは上記製法のもつ欠点
を改良し、工業的有利に５−シクロデセン−１−オンを
製造すべく研究の結果、触媒として使用する硫酸塩をあ
らかじめ特定条件下に処理することにより、触媒活性が
長時間持続し、その結果、５−シクロデセン−１−オン
が非常に有利に製造できることを見出し、本発明に至っ
た。
を改良し、工業的有利に５−シクロデセン−１−オンを
製造すべく研究の結果、触媒として使用する硫酸塩をあ
らかじめ特定条件下に処理することにより、触媒活性が
長時間持続し、その結果、５−シクロデセン−１−オン
が非常に有利に製造できることを見出し、本発明に至っ
た。
すなわち本発明は、６−ヒドロキシシクロデカノンを塩
基性アミンおよび触媒の存在下に気相法により脱水して
５−シクロデセン−１−オンを製造するにあたり、あら
かじめ不活性ガスおよび塩基性アミンの存在下に260〜3
20℃で加熱処理してなる硫酸塩を触媒とし、260〜320℃
で脱水反応を行うことを特徴とする５−シクロデセン−
１−オンの製造法を提供するものである。
基性アミンおよび触媒の存在下に気相法により脱水して
５−シクロデセン−１−オンを製造するにあたり、あら
かじめ不活性ガスおよび塩基性アミンの存在下に260〜3
20℃で加熱処理してなる硫酸塩を触媒とし、260〜320℃
で脱水反応を行うことを特徴とする５−シクロデセン−
１−オンの製造法を提供するものである。
本発明において、触媒として使用される硫酸塩としては
硫酸のアルカリ土類金属塩が好ましく、なかでも硫酸マ
グネシウム、硫酸カリシウムが最も好ましい。
硫酸のアルカリ土類金属塩が好ましく、なかでも硫酸マ
グネシウム、硫酸カリシウムが最も好ましい。
かかる触媒は無水物として使用され、粒子としての大き
さ、形状などには特に制限されないが、触媒活性などの
点から５〜100メッシュ程度の粒径であることが好まし
い。
さ、形状などには特に制限されないが、触媒活性などの
点から５〜100メッシュ程度の粒径であることが好まし
い。
また、本発明において塩基性アミンとしてはアンモニ
ア、低級アルキルアミン（たとえばメチルアミンなどの
１級アミン、ジエチルアミンなどの２級アミン、トリエ
チルアミンなどの３級アミン）、ヘテロ環状アミン（た
とえばピペリジン）が使用される。
ア、低級アルキルアミン（たとえばメチルアミンなどの
１級アミン、ジエチルアミンなどの２級アミン、トリエ
チルアミンなどの３級アミン）、ヘテロ環状アミン（た
とえばピペリジン）が使用される。
触媒の前処理は、上記した硫酸塩を上記塩基性アミンお
よび不活性ガス（たとえば窒素）の存在下、260〜320℃
で加熱処理することにより行われる。
よび不活性ガス（たとえば窒素）の存在下、260〜320℃
で加熱処理することにより行われる。
処理方法自体については特に制限されないが、一般には
硫酸塩を充填し、所定の温度に維持した反応管中に塩基
性アミンおよび窒素を通過させることにより行われる。
硫酸塩を充填し、所定の温度に維持した反応管中に塩基
性アミンおよび窒素を通過させることにより行われる。
処理温度は260〜320℃の範囲内にあることが重要であ
り、この範囲を越えると十分な効果が得られない。
り、この範囲を越えると十分な効果が得られない。
また、処理時間についてはそれぞれの処理条件に応じて
適宜決定されるが、一般的に１５分以上である。
適宜決定されるが、一般的に１５分以上である。
かかる前処理に使用される塩基性アミンの使用量は通常
硫酸塩１０ｇあたり１ミリモル以上、好ましくは１〜２
０ミリモルであり、また、不活性ガスの使用量は処理系
が不活性ガス雰囲気下である限り、特に制限されない。
硫酸塩１０ｇあたり１ミリモル以上、好ましくは１〜２
０ミリモルであり、また、不活性ガスの使用量は処理系
が不活性ガス雰囲気下である限り、特に制限されない。
かくして触媒の前処理が行われるが、一般にはかかる前
処理に引さ続き、同一の反応管により脱水反応が行われ
る。
処理に引さ続き、同一の反応管により脱水反応が行われ
る。
すなわち、上記の前処理の終了した触媒の充填されてな
る反応管中に、引き続いて塩基性アミンを供給しながら
６−ヒドロキシクロデカノンを供給させることにより行
われる。
る反応管中に、引き続いて塩基性アミンを供給しながら
６−ヒドロキシクロデカノンを供給させることにより行
われる。
この際、不活性ガスとして引き続き窒素などを供給する
こともできる。
こともできる。
脱水反応時の反応温度は好適には260〜320℃であり、ま
た、このときに使用される塩基性アミンの使用量は６−
ヒドロキシクロデカノンに対して0.01〜0.3モル倍であ
り、この範囲より少ないと十分に反応が進行せず、ま
た、この範囲を越えてもそれに見合うだけの効果が得ら
れないため経済的に不利である。
た、このときに使用される塩基性アミンの使用量は６−
ヒドロキシクロデカノンに対して0.01〜0.3モル倍であ
り、この範囲より少ないと十分に反応が進行せず、ま
た、この範囲を越えてもそれに見合うだけの効果が得ら
れないため経済的に不利である。
反応は一般的には常圧で行われるが、減圧下で行うこと
もできる。
もできる。
もちろん、本発明の方法は前記した方法のみにかかわら
ず、他の方法であってもよく、気相法である限り、何ら
反応方法に制限はない。また、一般には触媒の前処理お
よび脱水反応に使用される塩基性アミンは同一である
が、場合により異っていてもよい。
ず、他の方法であってもよく、気相法である限り、何ら
反応方法に制限はない。また、一般には触媒の前処理お
よび脱水反応に使用される塩基性アミンは同一である
が、場合により異っていてもよい。
尚、本反応に使用される原料６−ヒドロキシシクロデカ
ノンはその製法に特に限定されるものではなく、たとえ
ば９−デカリルヒドロペルオキシドを酸分解することに
より製造されるが、６−ヒドロキシシクロデカノン中の
高沸点不純物の存在は触媒活性に悪影響を与えるので、
その使用にあたってはあらかじめ蒸留などにより高沸点
不純物を除去しておくことが好ましい。
ノンはその製法に特に限定されるものではなく、たとえ
ば９−デカリルヒドロペルオキシドを酸分解することに
より製造されるが、６−ヒドロキシシクロデカノン中の
高沸点不純物の存在は触媒活性に悪影響を与えるので、
その使用にあたってはあらかじめ蒸留などにより高沸点
不純物を除去しておくことが好ましい。
かくして、本発明の方法によれば触媒活性の劣化が非常
に少なく、長時間の反応においても好収率で５−シクロ
デセン−１−オンを得ることができる。
に少なく、長時間の反応においても好収率で５−シクロ
デセン−１−オンを得ることができる。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例１ １０〜２０メッシュの粒度の無水硫酸カルシウム１０ｇ
を反応管に充填し、昇温しながら該反応管中に窒素ガス
およびアンモニアをそれぞれ150ml／分および2.4ml／分
の速度で供給する。300℃になったところで更に３０分
間この状態を維持し、触媒の前処理を行う。
を反応管に充填し、昇温しながら該反応管中に窒素ガス
およびアンモニアをそれぞれ150ml／分および2.4ml／分
の速度で供給する。300℃になったところで更に３０分
間この状態を維持し、触媒の前処理を行う。
この状態を維持しながら、９−デカリルヒドロペルオキ
シドの酸分解より得た６−ヒドロキシシクロデカノン
（純度９２％、但し、蒸留にて高沸点物を除去したも
の）を5.5ｇ／Hrの速度で更に供給して脱水反応を行
う。
シドの酸分解より得た６−ヒドロキシシクロデカノン
（純度９２％、但し、蒸留にて高沸点物を除去したも
の）を5.5ｇ／Hrの速度で更に供給して脱水反応を行
う。
脱水反応開始後、9.5〜１０時間、49.5〜５０時間およ
び99.5〜100時間のそれぞれ３０分間における反応生成
物について分析し、それぞれの反応時間経過後における
６−ヒドロキシシクロデカノン転化率および５−シクロ
デセン−１−オンの収率を求めたところ、表−１に示す
結果が得られた。
び99.5〜100時間のそれぞれ３０分間における反応生成
物について分析し、それぞれの反応時間経過後における
６−ヒドロキシシクロデカノン転化率および５−シクロ
デセン−１−オンの収率を求めたところ、表−１に示す
結果が得られた。
実施例２ アンモニアの代わりにモノイソプロピルアミンを使用
し、かつその供給速度を0.35ｇ／Hrとする以外は実施例
１と同様にして触媒の前処理および脱水反応を行い、実
施例１と同様に所定の反応時間経過後における６−ヒド
ロキシシクロデカノンの転化率および５−シクロデセン
−１−オンの収率を求めたところ、表−１に示す結果を
得た。
し、かつその供給速度を0.35ｇ／Hrとする以外は実施例
１と同様にして触媒の前処理および脱水反応を行い、実
施例１と同様に所定の反応時間経過後における６−ヒド
ロキシシクロデカノンの転化率および５−シクロデセン
−１−オンの収率を求めたところ、表−１に示す結果を
得た。
実施例３ 無水硫酸カルシウムの代わりに無水硫酸マグネシウムを
用いる以外は実施例１と同様にして触媒の前処理および
脱水反応を行い、実施例１と同様に所定の反応時間経過
後における６−ヒドロキシシクロデカノンの転化率およ
び５−シクロデセン−１−オンの収率を求めたところ、
表−１に示す結果を得た。
用いる以外は実施例１と同様にして触媒の前処理および
脱水反応を行い、実施例１と同様に所定の反応時間経過
後における６−ヒドロキシシクロデカノンの転化率およ
び５−シクロデセン−１−オンの収率を求めたところ、
表−１に示す結果を得た。
比較例１ １０〜２０メッシュの粒度の無水硫酸カルシウム１０ｇ
を反応管に充填し、300℃に昇温する。これに実施例１
で使用したと同じ６−ヒドロキシシクロデカノン、窒素
ガスおよびアンモニアをそれぞれ5.5g/Hr、150ml／分お
よび2.4ml／分の速度で供給し、脱水反応を行う。
を反応管に充填し、300℃に昇温する。これに実施例１
で使用したと同じ６−ヒドロキシシクロデカノン、窒素
ガスおよびアンモニアをそれぞれ5.5g/Hr、150ml／分お
よび2.4ml／分の速度で供給し、脱水反応を行う。
反応開始後、1.5〜２時間、3.5〜４時間、9.5〜１０時
間および19.5〜２０時間のそれぞれ３０分間における反
応生成物について分析し、それぞれの反応時間経過後に
おける６−ヒドロキシシクロデカノン転化率および５−
シクロデセン−１−オンの収率を求めたところ、表−１
に示す結果が得られた。
間および19.5〜２０時間のそれぞれ３０分間における反
応生成物について分析し、それぞれの反応時間経過後に
おける６−ヒドロキシシクロデカノン転化率および５−
シクロデセン−１−オンの収率を求めたところ、表−１
に示す結果が得られた。
Claims (6)
- 【請求項１】６−ヒドロキシシクロデカノンをを塩基性
アミンおよび触媒の存在下に気相法により脱水して５−
シクロデセン−１−オンを製造するにあたり、あらかじ
め不活性ガスおよび塩基性アミンの存在下に260〜320℃
で加熱処理してなる硫酸塩を触媒とし、260〜320℃で脱
水反応を行うことを特徴とする５−シクロデセン−１−
オンの製造法。 - 【請求項２】硫酸塩が硫酸のアルカリ土類金属塩である
特許請求の範囲第１項に記載の製造法。 - 【請求項３】硫酸のアルカリ土類金属塩が硫酸マグネシ
ウムまたは硫酸カルシウムである特許請求の範囲第１項
に記載の製造法。 - 【請求項４】塩基性アミンがアンモニア、アルキルアミ
ンまたはヘテロ環状アミンである特許請求の範囲第１項
に記載の製造法。 - 【請求項５】触媒の前処理に用いる塩基性アミンの使用
量が触媒１０ｇあたり１〜２０ミリモルである特許請求
の範囲第１項に記載の製造法。 - 【請求項６】脱水反応に使用する塩基性アミンの使用量
が６−ヒドロキシシクロデカノン１モルあたり0.01〜0.
3モルである特許請求の範囲第１項に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172580A JPH062705B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | ５−シクロデセン−１−オンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172580A JPH062705B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | ５−シクロデセン−１−オンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233131A JPS6233131A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH062705B2 true JPH062705B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15944476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172580A Expired - Lifetime JPH062705B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | ５−シクロデセン−１−オンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062705B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63317438A (ja) * | 1988-03-09 | 1988-12-26 | Sato Gooc:Kk | 係止片群 |
| JP2530228Y2 (ja) * | 1990-07-24 | 1997-03-26 | 日本電信電話株式会社 | マンホール首部回りの寸法測定器 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP60172580A patent/JPH062705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233131A (ja) | 1987-02-13 |
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