JPS6233131A - 5−シクロデセン−1−オンの製造法 - Google Patents

5−シクロデセン−1−オンの製造法

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JPS6233131A
JPS6233131A JP60172580A JP17258085A JPS6233131A JP S6233131 A JPS6233131 A JP S6233131A JP 60172580 A JP60172580 A JP 60172580A JP 17258085 A JP17258085 A JP 17258085A JP S6233131 A JPS6233131 A JP S6233131A
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JP
Japan
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catalyst
basic amine
sulfate
hydroxycyclodecanone
amount
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JP60172580A
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Kunihiko Tanaka
邦彦 田中
Katsuyuki Shioda
克幸 塩田
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は5−シクロデセン−1−オンの改良された製造
法に関する。
5−シクロデセン−1−オンはセパシン酸の製造原料な
どとして重要な化合物であり、従来その製造法として、
6−ヒドロキシシクロデカノンを硫酸カルシウム触媒お
よびアンモニアの存在下に気相法により脱水せしめる方
法が知られている( B、P 1,136,696 )
しかし、この方法は触媒活性の劣化が極めて激しく、長
時間にわたって反応を継続することができなくなるなど
工業的製法として利用することに大きな困難があった。
このようなことから、本発明者らは上記製法のもつ欠点
を改良し、工業的有利に5−シクロデセン−1−オンを
製造すべく研死の結果、触媒として使用する硫酸塩をあ
らかじめ特定条件下に処理することにより、触媒活性が
長時間持続し、その結果、5−シクロデセン−1−オン
が非常に有利に製造できることを見出し、本発明に至っ
た。
すなわち本発明は、6−ヒドロキシシクロデカノンを塩
基性アミンおよび触媒の存在下tこ気相法により脱水し
て5−シクロデセン−1−オンを製造するにあたり、あ
らかじめ不活性ガスおよび塩基性アミンの存在下に26
0〜320℃で加熱処理してなる硫酸塩を触媒とし、2
60〜320℃で脱水反応を行うことを特徴とする5−
シクロデセン−1−オンの製造法を提供するものである
本発明において、触媒として使用される硫酸塩としては
硫酸のアルカリ土類金属塩が好ましく、なかでも硫酸マ
グネシウム、硫酸カルシウムが最も好ましい。
かかる触媒は無水物として使用され、粒子としての大き
さ、形状などには特に制限さnないが、触媒活性などの
点から5〜100メツシュ程度の粒径であることが好ま
しい。
また、本発明において塩基性アミンとしてはアンモニア
、低級アルキルアミン(たとえばメチルアミンなどの1
級アミン、ジエチルアミンなどの2級アミン、トリエチ
ルアミンなどの3級アミン)、ペテロ環状アミン(たと
えばピペリジン)が使用される。
触媒の前処理は、上記した硫酸塩を上記塩基性アミンお
よび不活性ガス(たとえば窒素)の存在下、260〜3
20℃で加熱処理することにより行われる。
処理方法自体については特に制限されないが、一般には
硫酸塩を充填し、所定の温度に維持した反応管中に塩基
性アミンおよび窒素を通過させることにより行われる。
処理温度は260〜320℃の範囲内にあることが重要
であり、この範囲を越えると十分な効果が得られない。
また、処理時間についてはそれぞれの処理条件に応じて
適宜決定されるが、一般的には15分以上である。
かかる前処理に使用される塩基性ア疋ンの使用量は通常
硫酸塩10.Fあたり1ミリモル以上、好ましくは1〜
20ミリモルであり、また、不活性ガスの使用量は処理
系が不活性ガス雰囲気下である限り、特に制限されない
かくして触媒の前処理が行われるが、一般にはかかる前
−処理に引さ続き、同一の反応管により脱水反応が行わ
れる。
すなわち、上記の前処理の終了した触媒の充填されてな
る反応管中に、引き続いて塩基性アミンを供給しながら
6−ヒドロキシシクロデカノンを供給させることにより
行われる。
この際、不活性ガスとして引き続き窒素などを供給する
こともできる。
脱水反応時の反応温度は好適には260〜320℃であ
り、また、このときに使用される塩基性アミンの使用量
は6−ヒトロキシクロデカノンに対して0.01〜0.
3モル倍であり、この範囲より少ないと十分に反応が進
行せず、また、この範囲を越えてもそれに見合うだけの
効果が得られないため経済的に不利である。
反応は一般的には常圧で行われるが、減圧下で行うこと
もできる。
もちろん、本発明の方法は前記した方法のみにかかわら
ず、他の方法であってもよく、気相法である限り、何ら
反応方法に制限はない。また、一般には触媒の前処理お
よび脱水反応に使用される塩基性アミンは同一であるが
、場合により異っていてもよい。
尚、本反応に使用される原料6−ヒドロキシシクロデカ
ノンはその製法に特に限定されるものではなく、たとえ
ば9−デカリルヒドロペルオキシドを酸分解することに
より製造されるが、6−ヒトワキシシクロデカノン中の
高沸点不純物の存在は触媒活性に悪影響を与えるので、
その使用にあたってはあらかじめ蒸留などにより高沸点
不純物を除去しておくことが好ましい。
かくして、本発明の方法によれば、触媒活性の劣化が非
常に少なく、長時間の反応においても好収率で5−シク
ロデセン−1−オンを得ることができる。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 10〜20メツシユの粒度の無水硫酸カルシウム10g
を反応管に充填し、昇温しながら該反応管中に窒素ガス
およびアンモニアをそれぞれ150m//分および2.
4J/分の速度で供給する。300℃になったところで
更に30分間この状態を維持し、触媒の前処理を行う。
この状態を維持しながら、9−デカリルヒドロペルオキ
シドの酸分解より得た6−ヒドロキシシクロデカノン(
純度92チ、但し、蒸留にて高沸点物を除去したもの)
を5.5J/Hrの速度で更に供給して脱水反応を行う
脱水反応開始後、9.5〜10時間、49.5〜50時
間および99.5〜100時間のそれぞれ30分間にお
ける反応゛生成物について分析し、それぞれの反応時間
経過後における6−ヒドロキシシクロデカノン転化率お
よび5−シクロデセン−1−オンの収率を求めたところ
、表−1に示す結果が得られた。
実施例2 アンモニアの代わりにモノイソプロピルアミンを使用し
、かつその供給速度を0.35ti/Hrとする以外は
実施例1と同様にして触媒の前処理および脱水反応を行
い、実施例1と同様に所定の反応時間経過後における6
−ヒドロキシシクロデカノンの転化率および5−シクロ
デセン−1−オンの収率を求めたところ、表−1に示す
結果を得た。
実施例3 無水硫酸カルシウムの代わりに無水硫酸マグネシウムを
用いる以外は実施例1と同様にして触媒の前処理および
脱水反応を行い、実施例1と同様に所定の反応時間経過
後における6−ヒドロキシシクロデカノンの転化率およ
び5−シクロデセン−1−オンの収率を求めたところ、
表−1に示す結果を得た。
比較例1 10〜20メツシユの粒度の無水硫酸カルシウム1(l
を反応管に充填し、300℃に昇温する。これに実施例
1で使用したと同じ6−ヒドロキシシクロデカノン、窒
素ガスおよびアンモニアをそれぞれ5.5F/Hr 、
 150 d/分および2.4rnl/分の速度で供給
し、脱水反応を行う。
反応開始後、1.5〜2時間、3.5〜4時間、9.5
〜10時間および19.5〜20時間のそれぞれ30分
間における反応生成物について分析し、それぞれの反応
時間経過後における6−ヒドロキシシクロデカノン転化
率および5−シクロデセン−1−オンの収率を求めたと
ころ、表−1に示す結果が得られた。
表  −1

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)6−ヒドロキシシクロデカノンを塩基性アミンお
    よび触媒の存在下に気相法により脱水して5−シクロデ
    セン−1−オンを製造するにあたり、あらかじめ不活性
    ガスおよび塩基性アミンの存在下に260〜320℃で
    加熱処理してなる硫酸塩を触媒とし、260〜320℃
    で脱水反応を行うことを特徴とする5−シクロデセン−
    1−オンの製造法。
  2. (2)硫酸塩が硫酸のアルカリ土類金属塩である特許請
    求の範囲第1項に記載の製造法。
  3. (3)硫酸のアルカリ土類金属塩が硫酸マグネシウムま
    たは硫酸カルシウムである特許請求の範囲第1項に記載
    の製造法。
  4. (4)塩基性アミンがアンモニア、アルキルアミンまた
    はヘテロ環状アミンである特許請求の範囲第1項に記載
    の製造法。
  5. (5)触媒の前処理に用いる塩基性アミンの使用量が触
    媒10gあたり1〜20ミリモルである特許請求の範囲
    第1項に記載の製造法。
  6. (6)脱水反応に使用する塩基性アミンの使用量が6−
    ヒドロキシシクロデカノン1モルあたり0.01〜0.
    3モルである特許請求の範囲第1項に記載の製造法。
JP60172580A 1985-08-05 1985-08-05 5−シクロデセン−1−オンの製造法 Expired - Lifetime JPH062705B2 (ja)

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JPH062705B2 JPH062705B2 (ja) 1994-01-12

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63317438A (ja) * 1988-03-09 1988-12-26 Sato Gooc:Kk 係止片群
JPH0436401U (ja) * 1990-07-24 1992-03-26

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