JPH06271602A - シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH06271602A JPH06271602A JP8792893A JP8792893A JPH06271602A JP H06271602 A JPH06271602 A JP H06271602A JP 8792893 A JP8792893 A JP 8792893A JP 8792893 A JP8792893 A JP 8792893A JP H06271602 A JPH06271602 A JP H06271602A
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- JP
- Japan
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- cyclodextrin
- hydroxyl group
- group
- reaction
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- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 水酸基をシアノ基に置換せしめたシクロデキ
ストリン誘導体を提供する。 【構成】 式［Ｉ］で表わされるシクロデキストリン誘
導体及びこれら誘導体の製造方法。
ストリン誘導体を提供する。 【構成】 式［Ｉ］で表わされるシクロデキストリン誘
導体及びこれら誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なシクロデキストリ
ン誘導体及びその製造方法に関するものである。
ン誘導体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シクロデキストリンは分子内に疎水性の
空洞を有し、外側は親水性で水中油型ミセルに似た機能
を示す化合物である。このようなシクロデキストリンは
その空洞径に応じて疎水性のゲスト分子を取り込み水溶
液中で複合体を形成し、調製法によっては固体の包接化
合物を単離することもできる。この立体選択的な相互作
用によりゲスト分子の物理化学的性質を微妙に変化させ
ることができるため、製剤等への有効利用が期待でき、
各方面で種々に利用され、またその利用が図られている
化合物である。
空洞を有し、外側は親水性で水中油型ミセルに似た機能
を示す化合物である。このようなシクロデキストリンは
その空洞径に応じて疎水性のゲスト分子を取り込み水溶
液中で複合体を形成し、調製法によっては固体の包接化
合物を単離することもできる。この立体選択的な相互作
用によりゲスト分子の物理化学的性質を微妙に変化させ
ることができるため、製剤等への有効利用が期待でき、
各方面で種々に利用され、またその利用が図られている
化合物である。
【０００３】特にシクロデキストリンの２，３又は６位
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性等を大きく変
化させうることが期待できる。
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性等を大きく変
化させうることが期待できる。
【０００４】従ってこのような水酸基を他の置換基に置
換せしめたシクロデキストリン誘導体について種々の研
究がなされてきた。
換せしめたシクロデキストリン誘導体について種々の研
究がなされてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シアノ
基を有する誘導体については、−ＮＨ2 、−ＣＯＯＨ、
−ＣＨＯ各基を有するシクロデキストリン誘導体への変
換に有用であるにもかかわらず、これまでこれらの合成
については全く報告されていなかった。
基を有する誘導体については、−ＮＨ2 、−ＣＯＯＨ、
−ＣＨＯ各基を有するシクロデキストリン誘導体への変
換に有用であるにもかかわらず、これまでこれらの合成
については全く報告されていなかった。
【０００６】従って、本発明の目的は、水酸基をシアノ
基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体及びこれら
の誘導体の製造方法を提供することにある。
基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体及びこれら
の誘導体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記式
［Ｉ］で表わされるシクロデキストリン誘導体を提供す
ることにより達成される。
［Ｉ］で表わされるシクロデキストリン誘導体を提供す
ることにより達成される。
【０００８】
【化２】 また、本発明の上記目的は、（１） シクロデキストリ
ンの６位の水酸基をハロゲン化した後、これとシアン化
アルカリを反応させて６位をシアン化させることを特徴
とするシクロデキストリン誘導体の製造方法、（２）
６位の水酸基を保護基にて保護したシクロデキストリン
にシアン化銅を反応させて６位をシアン化させることを
特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法、又は
（３） （６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シク
ロデキストリンの２位と３位の水酸基を保護基にて保護
した後、脱シリル化し、次いでシアン化アルカリと反応
させて６位をシアン化させることを特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法、により達成される。
ンの６位の水酸基をハロゲン化した後、これとシアン化
アルカリを反応させて６位をシアン化させることを特徴
とするシクロデキストリン誘導体の製造方法、（２）
６位の水酸基を保護基にて保護したシクロデキストリン
にシアン化銅を反応させて６位をシアン化させることを
特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法、又は
（３） （６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シク
ロデキストリンの２位と３位の水酸基を保護基にて保護
した後、脱シリル化し、次いでシアン化アルカリと反応
させて６位をシアン化させることを特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法、により達成される。
【０００９】以下に本発明を更に具体的に説明する。
【００１０】本発明において、シクロデキストリンはｎ
が６のものをα−シクロデキストリン、ｎが７のものを
β−シクロデキストリン、ｎが８のものをγ−シクロデ
キストリンという。
が６のものをα−シクロデキストリン、ｎが７のものを
β−シクロデキストリン、ｎが８のものをγ−シクロデ
キストリンという。
【００１１】本発明に用いられるシアン化アルカリとし
ては、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム等が好ま
しく挙げられる。
ては、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム等が好ま
しく挙げられる。
【００１２】以下、式［Ｉ］で表わされる本発明のシク
ロデキストリン誘導体の具体的反応例を示す。但し以下
場合によりシクロデキストリンをＣＤと略記する。
ロデキストリン誘導体の具体的反応例を示す。但し以下
場合によりシクロデキストリンをＣＤと略記する。
【００１３】
【化３】
【００１４】上記反応は具体的には以下のようにして行
なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに室温で溶解し、次い
でイミダゾールを添加攪拌する。約１時間後ジクロロフ
ェニルホスフィン、続いて臭素（Ｘ＝Ｂｒ）を添加し、
添加後室温で１時間攪拌する。反応終了後ＤＭＦを減圧
下留去し、残渣にアセトンを加え攪拌、沈殿物を濾別す
る。再度少量のＤＭＦに溶解し、大量の水より再沈殿を
行なうことで目的物を得る。（収率：約９０％）
なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに室温で溶解し、次い
でイミダゾールを添加攪拌する。約１時間後ジクロロフ
ェニルホスフィン、続いて臭素（Ｘ＝Ｂｒ）を添加し、
添加後室温で１時間攪拌する。反応終了後ＤＭＦを減圧
下留去し、残渣にアセトンを加え攪拌、沈殿物を濾別す
る。再度少量のＤＭＦに溶解し、大量の水より再沈殿を
行なうことで目的物を得る。（収率：約９０％）
【００１５】反応［２］ ［Ａ］を脱水ＤＭＳＯに溶解し、その系に室温でＮａＣ
Ｎ（又はＫＣＮ）を添加する。添加後８０〜９０℃で２
時間攪拌する。反応終了後沈殿物を濾別し、濾液は減圧
下濃縮し、残渣は大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物
は濾別し、再度少量のＤＭＳＯに溶解、大量の水より再
沈殿を行なうことで［Ｂ］を得る。（収率：約８５％）
Ｎ（又はＫＣＮ）を添加する。添加後８０〜９０℃で２
時間攪拌する。反応終了後沈殿物を濾別し、濾液は減圧
下濃縮し、残渣は大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物
は濾別し、再度少量のＤＭＳＯに溶解、大量の水より再
沈殿を行なうことで［Ｂ］を得る。（収率：約８５％）
【００１６】反応［３］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジンに溶解し、室温でｐ
−トルエンスルホン酸クロリドのピリジン溶液を滴下
し、滴下終了後６時間攪拌する。反応終了後その系に水
を加え、減圧下４０℃以下にて溶媒を留去する。残渣は
中和後アセトニトリル／水系で逆相ＨＰＬＣを用いて分
離を行ない［Ｃ］を得る。（収率：約３５％）
−トルエンスルホン酸クロリドのピリジン溶液を滴下
し、滴下終了後６時間攪拌する。反応終了後その系に水
を加え、減圧下４０℃以下にて溶媒を留去する。残渣は
中和後アセトニトリル／水系で逆相ＨＰＬＣを用いて分
離を行ない［Ｃ］を得る。（収率：約３５％）
【００１７】反応［４］ ［Ｃ］を脱水ＤＭＳＯに溶解し、その系に室温でＣｕＣ
Ｎ、ＫＩを添加する。添加後８０〜９０℃で８時間攪拌
する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液は減圧下濃縮し、
残渣は大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物は濾別し、
再度少量のＤＭＳＯに溶解、大量の水より再沈殿を行な
うことで［Ｂ］を得る。（収率：約８０％）
Ｎ、ＫＩを添加する。添加後８０〜９０℃で８時間攪拌
する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液は減圧下濃縮し、
残渣は大量の水より再沈殿を行なう。沈殿物は濾別し、
再度少量のＤＭＳＯに溶解、大量の水より再沈殿を行な
うことで［Ｂ］を得る。（収率：約８０％）
【００１８】反応［５］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し、窒素雰
囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解
した tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で
１時間、室温で１２時間攪拌する。反応終了後大量の水
より再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥す
る。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、得られた［Ｄ］はエタノールより再結晶を繰り
返す。（収率：約８０％）
囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解
した tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で
１時間、室温で１２時間攪拌する。反応終了後大量の水
より再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥す
る。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、得られた［Ｄ］はエタノールより再結晶を繰り
返す。（収率：約８０％）
【００１９】反応［６］ ［Ｄ］を脱水ＤＭＦに溶解後、窒素雰囲気下室温でＮａ
Ｈを添加する。次いで系を０〜５℃に冷却し臭化ベンジ
ルをゆっくり滴下し、滴下終了後ヨウ化ナトリウムを加
え０〜５℃で６時間、室温で４８時間攪拌する。反応終
了後メタノールを加え攪拌、次いで不溶物を濾別、濾液
に塩化メチレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4、水の順で洗浄
し、有機層を乾燥後減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣
に少量のＤＭＦを加えメタノールより再沈殿を行ない、
析出した沈殿物はエタノールより繰り返し再結晶し
［Ｅ］を得る。（収率：約６０％）
Ｈを添加する。次いで系を０〜５℃に冷却し臭化ベンジ
ルをゆっくり滴下し、滴下終了後ヨウ化ナトリウムを加
え０〜５℃で６時間、室温で４８時間攪拌する。反応終
了後メタノールを加え攪拌、次いで不溶物を濾別、濾液
に塩化メチレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4、水の順で洗浄
し、有機層を乾燥後減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣
に少量のＤＭＦを加えメタノールより再沈殿を行ない、
析出した沈殿物はエタノールより繰り返し再結晶し
［Ｅ］を得る。（収率：約６０％）
【００２０】反応［７］ ［Ｅ］をＴＨＦに溶解し、室温下で１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し、還流下２４時間反応させる。反応終了後Ｔ
ＨＦを減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽
出、ＣＨ2 Ｃｌ2層は乾燥後濃縮する。そして残渣はシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｆ］
を得る。（収率：約８０％）
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し、還流下２４時間反応させる。反応終了後Ｔ
ＨＦを減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽
出、ＣＨ2 Ｃｌ2層は乾燥後濃縮する。そして残渣はシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｆ］
を得る。（収率：約８０％）
【００２１】反応［８］ ［Ｆ］を四塩化炭素に溶解し、室温でトリフェニルホス
フィン、ＮａＣＮ（又はＫＣＮ）を添加する。添加後ゆ
っくりと加温し、還流下４時間反応させる。反応終了後
沈殿物を濾別し、濾液は減圧下濃縮し、残渣はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｇ］を得
る。（収率：約７５％）
フィン、ＮａＣＮ（又はＫＣＮ）を添加する。添加後ゆ
っくりと加温し、還流下４時間反応させる。反応終了後
沈殿物を濾別し、濾液は減圧下濃縮し、残渣はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｇ］を得
る。（収率：約７５％）
【００２２】反応［９］ ［Ｇ］をエタノール／酢酸＝２／１に溶解し、１０％Ｐ
ｄ／Ｃを触媒として添加後水素添加を行う（４０℃，５
kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反応を終
了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮し、残渣を
大量の水より再沈殿を行なうことで［Ｂ］を得る。（収
率：約９０％）
ｄ／Ｃを触媒として添加後水素添加を行う（４０℃，５
kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反応を終
了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮し、残渣を
大量の水より再沈殿を行なうことで［Ｂ］を得る。（収
率：約９０％）
【００２３】尚、上記反応［１］は特願平4-218327号明
細書に記載された方法でも行なうことができる。
細書に記載された方法でも行なうことができる。
【００２４】本発明のシクロデキストリン誘導体の製造
に用いるＳｉ基を持つ物質の合成法としてはJ. Carbohy
dr. Chem., 7 293-308（1988）、Carbohydr. Res., 187
203-221（1989）の竹尾らの論文やCarbohydr. Res., 1
92 366-369（1989）などに詳細に説明されている。
に用いるＳｉ基を持つ物質の合成法としてはJ. Carbohy
dr. Chem., 7 293-308（1988）、Carbohydr. Res., 187
203-221（1989）の竹尾らの論文やCarbohydr. Res., 1
92 366-369（1989）などに詳細に説明されている。
【００２５】またＴｓ基を持つ物質の合成法としてはCh
em. Pharm. Bull., 39 2505-2508（1991）等に記されて
いる。
em. Pharm. Bull., 39 2505-2508（1991）等に記されて
いる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、６位の水酸
基をシアノ基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体
を提供することができる。
基をシアノ基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体
を提供することができる。
【００２７】本発明によれば段階ごとにＣＤの持つ水酸
基を狙って化学修飾するために確実に目的物が得られ
る。また高価な試薬を用いず、しかも個々の反応におい
て副反応が生じにくいため収率が高い。さらに−ＣＮ基
になることで水溶性も大きく変化しＣＤの包接能も大き
く変化すると期待される。−ＣＮ基はまた色々な官能基
に簡単な反応で変えることが出来るため多くのＣＤ誘導
体を合成することが容易となる。
基を狙って化学修飾するために確実に目的物が得られ
る。また高価な試薬を用いず、しかも個々の反応におい
て副反応が生じにくいため収率が高い。さらに−ＣＮ基
になることで水溶性も大きく変化しＣＤの包接能も大き
く変化すると期待される。−ＣＮ基はまた色々な官能基
に簡単な反応で変えることが出来るため多くのＣＤ誘導
体を合成することが容易となる。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記式［Ｉ］で表わされるシクロデキス
トリン誘導体。 【化１】 - 【請求項２】 シクロデキストリンの６位の水酸基をハ
ロゲン化した後、これとシアン化アルカリを反応させて
６位をシアン化させることを特徴とするシクロデキスト
リン誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 ６位の水酸基を保護基にて保護したシク
ロデキストリンにシアン化銅を反応させて６位をシアン
化させることを特徴とするシクロデキストリン誘導体の
製造方法。 - 【請求項４】 （６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリ
ル）シクロデキストリンの２位と３位の水酸基を保護基
にて保護した後、脱シリル化し、次いでシアン化アルカ
リと反応させて６位をシアン化させることを特徴とする
シクロデキストリン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8792893A JPH06271602A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8792893A JPH06271602A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06271602A true JPH06271602A (ja) | 1994-09-27 |
Family
ID=13928585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8792893A Pending JPH06271602A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06271602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006084469A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Aarhus Universitet | Cyclodextrin cyanohydrins |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP8792893A patent/JPH06271602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006084469A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Aarhus Universitet | Cyclodextrin cyanohydrins |
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