JPH0627190A - 静電破壊試験装置 - Google Patents
静電破壊試験装置Info
- Publication number
- JPH0627190A JPH0627190A JP4182560A JP18256092A JPH0627190A JP H0627190 A JPH0627190 A JP H0627190A JP 4182560 A JP4182560 A JP 4182560A JP 18256092 A JP18256092 A JP 18256092A JP H0627190 A JPH0627190 A JP H0627190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- switch
- voltage
- device under
- under test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000006378 damage Effects 0.000 title abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイスの静電破壊試験を高精度で行
う。 【構成】 半導体試験装置の電源１１とコンデンサ１２
で構成される充電ループ中に高抵抗２１を直列接続する
とともに、コンデンサ１２と被検デバイス１４との間に
スイッチ２２を設ける。上記充電ループは常時閉となっ
ているので、コンデンサ１２は、これと等価的に並列の
寄生抵抗の存在にかかわらず、常時満充電状態が保持さ
れ、その両端電圧は電源１１の電圧と等しい。このた
め、スイッチ２２をオンすることにより、デバイス１４
には電源１１の電圧と正確に等しい電圧が印加される。
う。 【構成】 半導体試験装置の電源１１とコンデンサ１２
で構成される充電ループ中に高抵抗２１を直列接続する
とともに、コンデンサ１２と被検デバイス１４との間に
スイッチ２２を設ける。上記充電ループは常時閉となっ
ているので、コンデンサ１２は、これと等価的に並列の
寄生抵抗の存在にかかわらず、常時満充電状態が保持さ
れ、その両端電圧は電源１１の電圧と等しい。このた
め、スイッチ２２をオンすることにより、デバイス１４
には電源１１の電圧と正確に等しい電圧が印加される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス等の静
電破壊特性を測定する装置に係わり、特にコンデンサ放
電法を用いた静電破壊試験装置に関する。
電破壊特性を測定する装置に係わり、特にコンデンサ放
電法を用いた静電破壊試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路は、一
般に静電気に対してデリケートな特性を有するため、こ
れらの静電破壊特性を測定する必要があるが、その代表
的な物として、いわゆるコンデンサ放電法がある。この
方法においては、図３に示すように、容量Ｃ0 を有する
コンデンサ１２を、直流電源１１により充電し、所定の
チャージ電圧となった所で、スイッチ１３を接点１３ａ
から接点１３ｂへと切換え、このコンデンサ１２のチャ
ージ電圧を、被検デバイス１４に印加するようになって
いる。これにより、コンデンサ１２に蓄えられた電荷が
デバイス１４に流れ込み、デバイス１４の内部回路が破
壊されるか否かが試験される。
般に静電気に対してデリケートな特性を有するため、こ
れらの静電破壊特性を測定する必要があるが、その代表
的な物として、いわゆるコンデンサ放電法がある。この
方法においては、図３に示すように、容量Ｃ0 を有する
コンデンサ１２を、直流電源１１により充電し、所定の
チャージ電圧となった所で、スイッチ１３を接点１３ａ
から接点１３ｂへと切換え、このコンデンサ１２のチャ
ージ電圧を、被検デバイス１４に印加するようになって
いる。これにより、コンデンサ１２に蓄えられた電荷が
デバイス１４に流れ込み、デバイス１４の内部回路が破
壊されるか否かが試験される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のコ
ンデンサ放電法においては、コンデンサの一端にスイッ
チが設けられ、このスイッチにより電源とデバイス側の
切換えが行われるようになっていた。しかしながら、こ
のコンデンサ１２には、図４に示すように、これと並列
の寄生抵抗１５が接続されたと等価の構成となっている
ため、コンデンサ１２のチャージが終了後スイッチ１３
を接点１３ａから１３ｂへと切換える間に、矢印１７の
方向に自己放電が行われる。このため被検デバイス１４
に印加される電圧は、電源１１によりコンデンサ１２に
チャージされた電圧よりも低い電圧となり、正確な静電
破壊試験が行われないこととなる。
ンデンサ放電法においては、コンデンサの一端にスイッ
チが設けられ、このスイッチにより電源とデバイス側の
切換えが行われるようになっていた。しかしながら、こ
のコンデンサ１２には、図４に示すように、これと並列
の寄生抵抗１５が接続されたと等価の構成となっている
ため、コンデンサ１２のチャージが終了後スイッチ１３
を接点１３ａから１３ｂへと切換える間に、矢印１７の
方向に自己放電が行われる。このため被検デバイス１４
に印加される電圧は、電源１１によりコンデンサ１２に
チャージされた電圧よりも低い電圧となり、正確な静電
破壊試験が行われないこととなる。
【０００４】例えば、コンデンサ１２の容量Ｃ0 が２０
０ｐＦ、寄生抵抗１５の値が１００ＭΩ、電源１１の出
力電圧が１００Ｖであったとすると、仮にスイッチ１３
の切換え時間が３ｍｓの場合には、図５のようになる。
すなわち、スイッチ１３の共通接点１３ｃが接点１３ａ
から離れた時間をｔ1 、接点１３ｂに接した時間をｔ2
とすると、この間に、上記した自己放電によりコンデン
サ１２のチャージ電圧はΔＶだけ低下する。このΔＶと
しては、例えば１５％すなわち１５Ｖ程度の電圧降下と
なる。このため、被検デバイス１４に実際に印加される
電圧は８５Ｖ程度となり、正確な試験が行えないことと
なる。
０ｐＦ、寄生抵抗１５の値が１００ＭΩ、電源１１の出
力電圧が１００Ｖであったとすると、仮にスイッチ１３
の切換え時間が３ｍｓの場合には、図５のようになる。
すなわち、スイッチ１３の共通接点１３ｃが接点１３ａ
から離れた時間をｔ1 、接点１３ｂに接した時間をｔ2
とすると、この間に、上記した自己放電によりコンデン
サ１２のチャージ電圧はΔＶだけ低下する。このΔＶと
しては、例えば１５％すなわち１５Ｖ程度の電圧降下と
なる。このため、被検デバイス１４に実際に印加される
電圧は８５Ｖ程度となり、正確な試験が行えないことと
なる。
【０００５】なお、上記例ではスイッチ１３の切換え時
間を３ｍｓ程度とし寄生抵抗を１００ＭΩとしたが、実
際のスイッチ切換え時間はもっと長い場合が多く、また
寄生抵抗も上記の１／２程度と考えられるため、スイッ
チ切換え期間中におけるコンデンサの自己放電量は更に
大きくなり、実際に被検デバイス１４に印加される電圧
は更に低下しているものと考えられる。
間を３ｍｓ程度とし寄生抵抗を１００ＭΩとしたが、実
際のスイッチ切換え時間はもっと長い場合が多く、また
寄生抵抗も上記の１／２程度と考えられるため、スイッ
チ切換え期間中におけるコンデンサの自己放電量は更に
大きくなり、実際に被検デバイス１４に印加される電圧
は更に低下しているものと考えられる。
【０００６】この発明は、係る課題を解決するために成
されたもので、コンデンサ放電法による静電破壊試験に
おいて、被検デバイスに印加される電圧を正確にコント
ロールでき、精度の良い試験を行うことができる静電破
壊試験装置を得ることを目的とする。
されたもので、コンデンサ放電法による静電破壊試験に
おいて、被検デバイスに印加される電圧を正確にコント
ロールでき、精度の良い試験を行うことができる静電破
壊試験装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る静電破壊
試験装置は、コンデンサのチャージ電圧を被検デバイス
に印加して該被検デバイスの静電破壊特性を測定する装
置であって、(i) コンデンサのチャージを行うための直
流電源と、(ii)この直流電源と前記コンデンサとの間に
直列接続された高抵抗値の抵抗器と、(iii) コンデンサ
の一端と前記被検デバイスとの間に直列接続され、その
オン動作によって該コンデンサのチャージ電圧を前記被
検デバイスに印加させるスイッチと、を有するものであ
る。
試験装置は、コンデンサのチャージ電圧を被検デバイス
に印加して該被検デバイスの静電破壊特性を測定する装
置であって、(i) コンデンサのチャージを行うための直
流電源と、(ii)この直流電源と前記コンデンサとの間に
直列接続された高抵抗値の抵抗器と、(iii) コンデンサ
の一端と前記被検デバイスとの間に直列接続され、その
オン動作によって該コンデンサのチャージ電圧を前記被
検デバイスに印加させるスイッチと、を有するものであ
る。
【０００８】
【作用】この発明に係る静電破壊試験装置によれば、ス
イッチはコンデンサと被検デバイスとの間をスイッチン
グするのみであって、電源とコンデンサとの間をスイッ
チングすることはなく、電源とコンデンサとの間は高抵
抗を介して常時接続されている。このため、電源は、コ
ンデンサが等価的に存在する並列寄生抵抗を介して自己
放電するのを補償することができ、スイッチの接点が閉
状態となる瞬間まで、コンデンサのチャージ電圧が電源
電圧と同一レベルに保持されることとなる。
イッチはコンデンサと被検デバイスとの間をスイッチン
グするのみであって、電源とコンデンサとの間をスイッ
チングすることはなく、電源とコンデンサとの間は高抵
抗を介して常時接続されている。このため、電源は、コ
ンデンサが等価的に存在する並列寄生抵抗を介して自己
放電するのを補償することができ、スイッチの接点が閉
状態となる瞬間まで、コンデンサのチャージ電圧が電源
電圧と同一レベルに保持されることとなる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は、本発明の一実施例における静電破壊
試験装置を表したものである。この図で従来例（図３）
と同一部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略す
る。
説明する。図１は、本発明の一実施例における静電破壊
試験装置を表したものである。この図で従来例（図３）
と同一部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略す
る。
【００１０】この図において、コンデンサ１２の一端
は、大きな抵抗値Ｒ0 を有する抵抗２１を介して直流電
源１１に接続されるとともに、被検デバイス１４に接続
されている。直流電源１１としては１００〜２００Ｖ程
度の直流電圧を出力することができる可変電源が用いら
れる。また、抵抗２１の抵抗値Ｒ0 としては、例えば１
ＭΩ程度のものが用いられる。
は、大きな抵抗値Ｒ0 を有する抵抗２１を介して直流電
源１１に接続されるとともに、被検デバイス１４に接続
されている。直流電源１１としては１００〜２００Ｖ程
度の直流電圧を出力することができる可変電源が用いら
れる。また、抵抗２１の抵抗値Ｒ0 としては、例えば１
ＭΩ程度のものが用いられる。
【００１１】以上のような構成の静電破壊試験装置の動
作を説明する。まず、コンデンサ１２は抵抗２１を介し
て電源１１からの供給電流により充電が行われる。この
時、スイッチ２２は開放状態としておく。そして、コン
デンサ１２のチャージ電圧が電源１１の電圧と等しくな
った所で、スイッチ２２をオン状態とすると、コンデン
サ１２のチャージ電圧が被検デバイス１４に印加され
る。これにより、コンデンサ１２のチャージ電流が被検
デバイス１４の内部回路に流れ込み、これにより静電破
壊が行われたか否かの試験が行われる。
作を説明する。まず、コンデンサ１２は抵抗２１を介し
て電源１１からの供給電流により充電が行われる。この
時、スイッチ２２は開放状態としておく。そして、コン
デンサ１２のチャージ電圧が電源１１の電圧と等しくな
った所で、スイッチ２２をオン状態とすると、コンデン
サ１２のチャージ電圧が被検デバイス１４に印加され
る。これにより、コンデンサ１２のチャージ電流が被検
デバイス１４の内部回路に流れ込み、これにより静電破
壊が行われたか否かの試験が行われる。
【００１２】この場合においても、コンデンサ１２には
従来例（図４）に示したと同様の寄生抵抗１５が存在す
るが、この場合においては、コンデンサ１２の両端には
電源１１の電圧が常時印加されているため、コンデンサ
１２の自己放電が補償される。このため、スイッチ２２
がオンされる直前までコンデンサ１２のチャージ電圧は
電源１１の電圧と等しく保持され、被検デバイス１４へ
の印加電圧も電源１１の電圧と等しくなる。
従来例（図４）に示したと同様の寄生抵抗１５が存在す
るが、この場合においては、コンデンサ１２の両端には
電源１１の電圧が常時印加されているため、コンデンサ
１２の自己放電が補償される。このため、スイッチ２２
がオンされる直前までコンデンサ１２のチャージ電圧は
電源１１の電圧と等しく保持され、被検デバイス１４へ
の印加電圧も電源１１の電圧と等しくなる。
【００１３】図２は、コンデンサ１２のチャージ電圧を
表したものである。この図に示すように、コンデンサ１
２のチャージ電圧は、スイッチ２２がオンされる時点ｔ
3 まで、電源１１の電圧１００Ｖのまま一定に保持され
ることとなり、従来例（図５）に示したように、スイッ
チ切換えに伴う電圧降下は存在しない。このため、期待
した電圧と同一の電圧が被検デバイスに印加されること
となり、被検デバイスの静電特性が高精度で試験可能と
なる。
表したものである。この図に示すように、コンデンサ１
２のチャージ電圧は、スイッチ２２がオンされる時点ｔ
3 まで、電源１１の電圧１００Ｖのまま一定に保持され
ることとなり、従来例（図５）に示したように、スイッ
チ切換えに伴う電圧降下は存在しない。このため、期待
した電圧と同一の電圧が被検デバイスに印加されること
となり、被検デバイスの静電特性が高精度で試験可能と
なる。
【００１４】なお、本実施例においては、コンデンサ１
２にチャージする電圧を１００Ｖとして示したが、電源
１１の電圧を変化させて他の電圧設定値とした場合も同
様である。
２にチャージする電圧を１００Ｖとして示したが、電源
１１の電圧を変化させて他の電圧設定値とした場合も同
様である。
【００１５】また、本実施例においては、コンデンサ１
２のチャージ回路中に高い抵抗値Ｒ0 を有する抵抗２１
を直列接続しているため、スイッチ２２がオンとなった
後は、チャージ回路は実質上オープン状態となり、コン
デンサ１２から被検デバイス１４への放電のみが行われ
ることとなる。
２のチャージ回路中に高い抵抗値Ｒ0 を有する抵抗２１
を直列接続しているため、スイッチ２２がオンとなった
後は、チャージ回路は実質上オープン状態となり、コン
デンサ１２から被検デバイス１４への放電のみが行われ
ることとなる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、電源とコンデンサとの間はスイッチングせず高抵抗
を介して常時接続しておき、コンデンサと被検デバイス
との間をスイッチングするのみとしたので、従来のよう
にスイッチが電源側から被検デバイス側へと切り換わる
間にコンデンサが寄生抵抗を介して自己放電するのを補
償することができる。このため、スイッチの接点が閉状
態となる瞬間まで、コンデンサのチャージ電圧を電源電
圧と同一レベルに保持することができ、精度よく静電破
壊試験を行うことができるという効果がある。
ば、電源とコンデンサとの間はスイッチングせず高抵抗
を介して常時接続しておき、コンデンサと被検デバイス
との間をスイッチングするのみとしたので、従来のよう
にスイッチが電源側から被検デバイス側へと切り換わる
間にコンデンサが寄生抵抗を介して自己放電するのを補
償することができる。このため、スイッチの接点が閉状
態となる瞬間まで、コンデンサのチャージ電圧を電源電
圧と同一レベルに保持することができ、精度よく静電破
壊試験を行うことができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例における静電破壊試験装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】この静電破壊試験装置によりデバイスに印加さ
れる試験電圧特性を示す説明図である。
れる試験電圧特性を示す説明図である。
【図３】従来の静電破壊試験装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図４】従来の静電破壊試験装置の等価回路を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】従来の静電破壊試験装置によりデバイスに印加
される試験電圧特性を示す説明図である。
される試験電圧特性を示す説明図である。
１１ 電源 １２ コンデンサ １４ 被検デバイス ２１ 高抵抗 ２２ スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 コンデンサのチャージ電圧を被検デバ
イスに印加して該被検デバイスの静電破壊特性を測定す
る装置であって、 前記コンデンサのチャージを行うための直流電源と、 この直流電源と前記コンデンサとの間に直列接続された
高抵抗値の抵抗器と、 前記コンデンサの一端と前記被検デバイスとの間に直列
接続され、そのオン動作によって該コンデンサのチャー
ジ電圧を前記被検デバイスに印加させるスイッチと、を
具備することを特徴とする静電破壊試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182560A JPH0627190A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 静電破壊試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182560A JPH0627190A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 静電破壊試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627190A true JPH0627190A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16120411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182560A Pending JPH0627190A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 静電破壊試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153235B2 (en) | 2003-03-17 | 2006-12-26 | Komatsu Forklift Co., Ltd. | Running control device for industrial vehicle |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP4182560A patent/JPH0627190A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153235B2 (en) | 2003-03-17 | 2006-12-26 | Komatsu Forklift Co., Ltd. | Running control device for industrial vehicle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109596960B (zh) | 评估在晶体管器件中的栅极-源极漏电流 | |
| US6593765B1 (en) | Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit | |
| JP2684601B2 (ja) | 低圧蛍光ランプのためのスイッチング制御回路と制御装置 | |
| EP0147921B1 (en) | Method and apparatus for determining the electrostatic breakdown voltage of semiconductor devices | |
| US4823088A (en) | Method of and apparatus for testing semiconductor device for electrostatic discharge damage | |
| JP2002026099A (ja) | エレクトロマイグレーション評価回路 | |
| JPH0627190A (ja) | 静電破壊試験装置 | |
| US5990698A (en) | Test method and apparatus for semiconductor element | |
| CN100507587C (zh) | 用于对电子电路进行放电的系统 | |
| JP2673092B2 (ja) | 集積回路素子のテスト方法 | |
| JPH10293154A (ja) | 半導体試験装置用バイアス電源回路 | |
| JP3965608B2 (ja) | 低圧力蛍光灯の制御装置 | |
| JP2691182B2 (ja) | 集積回路のラッチアップ測定方法 | |
| JPH0480349B2 (ja) | ||
| TWI840904B (zh) | 電壓保持裝置與使用其的電子裝置 | |
| JP2669887B2 (ja) | 静電耐圧試験装置 | |
| JPH0315773A (ja) | 半導体装置用静電破壊試験装置 | |
| JP4380601B2 (ja) | 半導体装置の試験を行うための回路及び半導体装置の試験装置 | |
| JP3932793B2 (ja) | コンデンサの検査方法 | |
| JP2881825B2 (ja) | テスト回路 | |
| JPS6316278A (ja) | 半導体装置静電破壊試験回路 | |
| JPH05188120A (ja) | 静電破壊試験装置及び静電破壊試験方法 | |
| JPH04131770A (ja) | コンデンサの絶縁抵抗測定装置 | |
| US3333195A (en) | Apparatus employing a voltage difference capacitor network for measuring the hold current of negative resistance devices | |
| JPS63113374A (ja) | 集積回路測定装置 |