JPH0315773A - 半導体装置用静電破壊試験装置 - Google Patents
半導体装置用静電破壊試験装置Info
- Publication number
- JPH0315773A JPH0315773A JP2155227A JP15522790A JPH0315773A JP H0315773 A JPH0315773 A JP H0315773A JP 2155227 A JP2155227 A JP 2155227A JP 15522790 A JP15522790 A JP 15522790A JP H0315773 A JPH0315773 A JP H0315773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- semiconductor device
- switch
- test
- electrostatic breakdown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【技術分野］
本発明は半導体装置，とくに半導体集積回路の静電破壊
試験を行なう際に好適な試験装置に関する． ［背景技術コ 半導体集積回路の特性試験は多項目にわたるが，そのう
ちのーっに静電破壊試験がある．この試験には、いわゆ
るコンデンサ方式ともよばれる方法がある．この方法は
、人体の静電容量に対応する２００ＰＦ程度のコンデン
サに充電された電荷を半導体集積回路に印加し、半導体
集積回路の破壊の有無を測定するものである． この方法が採用される技術的思想は、半導体装置を運搬
する際に，ケースと半導体装置との間の静電容量、或い
は人体と半導体装置との間の静電容量に蓄積された電荷
により破壊が発生するとの考えに立脚している． ところで、半導体装置は上述のような蓄積電荷による破
壊のみならず、半導体装置のストレイキャパシティに充
電されていた電荷が放電し，これにより静電破壊が発生
することがある．したがって、このような状況下におけ
る静電破壊試験を行なう必要がある． かかる静電破壊試験の具体的方法は，特開昭５７−８０
５５７号公報に開示されている．かかる公報に開示の方
法は，絶縁外周部いわゆる封止体に直流高電圧を接触電
極から印加し、その後、半導体装置の外部電極いわゆる
外部接続端子を基準電位電極に接触させるものである． しかしながら、かかる方法によれば、接触電極と封止体
との接触状態により半導体装置に誘導される電荷量が不
安定となり一定した静電破壊試験が困難となる． ［発明の目的］ 本発明の目的は、半導体装置に蓄積された電荷による静
電破壊の有無を測定するための新規な試験装置を提供す
ることにある． ［発明の概要］ 本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば
，下記のとおりである． すなわち，所定の電圧を半導体装置の外部設素族端子に
供給し、ストレイキャパシティに充電された電荷を放電
し、この放電時における破壊の有無を測定する試験装置
である．特に，本発明は半導体装置の外部接続端子に接
触させるための一つの接触子と，その接触子に抵抗を介
して電気的接続された試験電圧源と，その接触子とアー
スラインとの間に設けられたスイッチとを有し，そのス
イッチにより接触子とアースラインとを電気的導通をと
ることにより、半導体装置内に充電された電荷を放電さ
せ，放電時の静電破壊試験を行なうものである． ［実施例コ 以下、第１図を参照して、本発明を適用した静電破壊試
験の一実施例を述べる．なお、以下に述べる実施例にお
いて，半導体装置としては、半導体集積回Ｎ（以下にお
いてＩＣという）が用いられている． 本発明の試験装置は、第ｌ図に示す如く半導体装置の外
部接続端子に接触させるための一つの接触子Ｔと、その
接触子Ｔに抵抗Ｒ１を介して電気的接続された試験電圧
ｇＶＬと、その接触子ＴとアースラインＥとの間に設け
たスイッチＳＷ１とを有し、試験電圧Ｖ１は、例えばＤ
ＣＩＯＯＯＶ程度の電圧である．抵抗Ｒ８は，例えばＩ
ＯＯＭΩ程度の抵抗値であり、これは可変抵抗であって
？よい．１００ＭΩもの高抵抗を使用する理由は，急速
充電によりＩＣ■内部の電位分布が不明確な状態で破壊
しないようにするためである．スイッチＳＷエは、ＩＣ
，のストレイキャパシティＣ，に対する充電と、充電さ
れた電荷の放電を行なうためのスイッチである． 静電破壊試験を行なう際は、まず、スイッチＳＷ１を固
定接点ａに切換えてお＜．ｒｃ，の外部接続端子に接触
子Ｔを接触させると．ＩＣ，の外部接続端子には、抵抗
Ｒエを介して試験電圧Ｖ■が供給される．この結果、■
Ｃ１のストレイキャパシティ（浮遊容量）Ｃｌに電荷が
充電される．次に、放電させる際には、スイッチＳＷエ
を固定接点ｂに切換えるのであるが、充電から放電まで
の間にＩＣ■に常に試験電圧ｖＬがかけられている．従
って、スイッチＳＷユの切換え時間中に、ストレイキャ
パシティＣ１に充電された電荷が、工Ｃ１内で放電する
ことがない． ［効果］ （１）半導体装置値内に充電された電荷を放電させ，？
電時の静電破壊試験を行なうことができるので、実際に
則した静電破壊試験となり、そして特に、充電から放電
までの間にＩＣ，に常に試験電圧Ｖ■がかけられている
ために，半導体装置の試験精度が向上する． （２）上記（１）により、静電破壊に対する有効な対策
をとることができ、半導体装置の品質向上を図ることが
できる． （３）試験方法が簡単であるため、高速試験が可能にな
る．すなわち、本発明によれば各実施例の図から明らか
なように、半導体装置の一つの外部接続端子を通して充
放電を行なうものであるため，測定用接触子はその外部
接続端子へ接触させるだけでよく、極めて簡単に行ない
得ることができる．［利用分野］ 本発明は実施例に記載の如く半導体装置の静電破壊試験
装置として有効である．
試験を行なう際に好適な試験装置に関する． ［背景技術コ 半導体集積回路の特性試験は多項目にわたるが，そのう
ちのーっに静電破壊試験がある．この試験には、いわゆ
るコンデンサ方式ともよばれる方法がある．この方法は
、人体の静電容量に対応する２００ＰＦ程度のコンデン
サに充電された電荷を半導体集積回路に印加し、半導体
集積回路の破壊の有無を測定するものである． この方法が採用される技術的思想は、半導体装置を運搬
する際に，ケースと半導体装置との間の静電容量、或い
は人体と半導体装置との間の静電容量に蓄積された電荷
により破壊が発生するとの考えに立脚している． ところで、半導体装置は上述のような蓄積電荷による破
壊のみならず、半導体装置のストレイキャパシティに充
電されていた電荷が放電し，これにより静電破壊が発生
することがある．したがって、このような状況下におけ
る静電破壊試験を行なう必要がある． かかる静電破壊試験の具体的方法は，特開昭５７−８０
５５７号公報に開示されている．かかる公報に開示の方
法は，絶縁外周部いわゆる封止体に直流高電圧を接触電
極から印加し、その後、半導体装置の外部電極いわゆる
外部接続端子を基準電位電極に接触させるものである． しかしながら、かかる方法によれば、接触電極と封止体
との接触状態により半導体装置に誘導される電荷量が不
安定となり一定した静電破壊試験が困難となる． ［発明の目的］ 本発明の目的は、半導体装置に蓄積された電荷による静
電破壊の有無を測定するための新規な試験装置を提供す
ることにある． ［発明の概要］ 本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば
，下記のとおりである． すなわち，所定の電圧を半導体装置の外部設素族端子に
供給し、ストレイキャパシティに充電された電荷を放電
し、この放電時における破壊の有無を測定する試験装置
である．特に，本発明は半導体装置の外部接続端子に接
触させるための一つの接触子と，その接触子に抵抗を介
して電気的接続された試験電圧源と，その接触子とアー
スラインとの間に設けられたスイッチとを有し，そのス
イッチにより接触子とアースラインとを電気的導通をと
ることにより、半導体装置内に充電された電荷を放電さ
せ，放電時の静電破壊試験を行なうものである． ［実施例コ 以下、第１図を参照して、本発明を適用した静電破壊試
験の一実施例を述べる．なお、以下に述べる実施例にお
いて，半導体装置としては、半導体集積回Ｎ（以下にお
いてＩＣという）が用いられている． 本発明の試験装置は、第ｌ図に示す如く半導体装置の外
部接続端子に接触させるための一つの接触子Ｔと、その
接触子Ｔに抵抗Ｒ１を介して電気的接続された試験電圧
ｇＶＬと、その接触子ＴとアースラインＥとの間に設け
たスイッチＳＷ１とを有し、試験電圧Ｖ１は、例えばＤ
ＣＩＯＯＯＶ程度の電圧である．抵抗Ｒ８は，例えばＩ
ＯＯＭΩ程度の抵抗値であり、これは可変抵抗であって
？よい．１００ＭΩもの高抵抗を使用する理由は，急速
充電によりＩＣ■内部の電位分布が不明確な状態で破壊
しないようにするためである．スイッチＳＷエは、ＩＣ
，のストレイキャパシティＣ，に対する充電と、充電さ
れた電荷の放電を行なうためのスイッチである． 静電破壊試験を行なう際は、まず、スイッチＳＷ１を固
定接点ａに切換えてお＜．ｒｃ，の外部接続端子に接触
子Ｔを接触させると．ＩＣ，の外部接続端子には、抵抗
Ｒエを介して試験電圧Ｖ■が供給される．この結果、■
Ｃ１のストレイキャパシティ（浮遊容量）Ｃｌに電荷が
充電される．次に、放電させる際には、スイッチＳＷエ
を固定接点ｂに切換えるのであるが、充電から放電まで
の間にＩＣ■に常に試験電圧ｖＬがかけられている．従
って、スイッチＳＷユの切換え時間中に、ストレイキャ
パシティＣ１に充電された電荷が、工Ｃ１内で放電する
ことがない． ［効果］ （１）半導体装置値内に充電された電荷を放電させ，？
電時の静電破壊試験を行なうことができるので、実際に
則した静電破壊試験となり、そして特に、充電から放電
までの間にＩＣ，に常に試験電圧Ｖ■がかけられている
ために，半導体装置の試験精度が向上する． （２）上記（１）により、静電破壊に対する有効な対策
をとることができ、半導体装置の品質向上を図ることが
できる． （３）試験方法が簡単であるため、高速試験が可能にな
る．すなわち、本発明によれば各実施例の図から明らか
なように、半導体装置の一つの外部接続端子を通して充
放電を行なうものであるため，測定用接触子はその外部
接続端子へ接触させるだけでよく、極めて簡単に行ない
得ることができる．［利用分野］ 本発明は実施例に記載の如く半導体装置の静電破壊試験
装置として有効である．
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施態様を示す試験装置の概略図であ
る．
る．
Claims (1)
- １、半導体装置の外部接続端子に接触させるための一つ
の接触子と、その接触子に抵抗を介して電気的接続され
た試験電圧源と、その接触子とアースラインとの間に設
けられたスイッチとを有し、そのスイッチにより接触子
とアースラインとを電気的導通をとることにより、半導
体装置内に充電された電荷を放電させ、放電時の静電破
壊試験を行なうことを特徴とする半導体装置用静電破壊
試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155227A JPH0315773A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置用静電破壊試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155227A JPH0315773A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置用静電破壊試験装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58105715A Division JPS59231458A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 半導体装置の静電破壊試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0315773A true JPH0315773A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH05668B2 JPH05668B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=15601307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155227A Granted JPH0315773A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置用静電破壊試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0315773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990698A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780577A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Testing method of semiconductor |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2155227A patent/JPH0315773A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780577A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Testing method of semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990698A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05668B2 (ja) | 1993-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5519327A (en) | Pulse circuit using a transmission line | |
| US5523699A (en) | Method and apparatus for testing semiconductor device | |
| US5804977A (en) | Transmission line pulser discharge circuit | |
| KR850002326A (ko) | 반도체 장치의 정전기 파괴 시험방법 및 장치 | |
| US6642721B2 (en) | Method of measuring insulation resistance of capacitor and insulation resistance measuring apparatus of the same | |
| KR100230628B1 (ko) | 도전체에 유도된 전하량 측정장치 | |
| JPS62261974A (ja) | 半導体装置の試験方法及びその装置 | |
| JP2836676B2 (ja) | 半導体要素の試験方法及び装置 | |
| US11467204B2 (en) | Testing an integrated capacitor | |
| US7378857B2 (en) | Methods and apparatuses for detecting the level of a liquid in a container | |
| JPH0480349B2 (ja) | ||
| JPH05668B2 (ja) | ||
| JPS63119216A (ja) | 電解コンデンサの極性判別方法及びその装置 | |
| US2839725A (en) | Pulse rate measuring system | |
| JPH0438302Y2 (ja) | ||
| JPH0627190A (ja) | 静電破壊試験装置 | |
| JPS6316278A (ja) | 半導体装置静電破壊試験回路 | |
| JP2572816B2 (ja) | 静電破壊試験装置 | |
| SU1751702A1 (ru) | Устройство неразрушающего контрол электрической прочности изол ции кабел | |
| JPH0420882A (ja) | 半導体装置の耐圧試験装置 | |
| JPH0714924Y2 (ja) | 放電電源回路付きインサーキットテスタ並びに測定、放電兼用電源回路付きインサーキットテスタ | |
| JPS61240170A (ja) | 半導体集積回路の試験方法 | |
| JPH057663B2 (ja) | ||
| Brodbeck | Influence of the charging effect on HBM ESD device testing | |
| JPH03102268A (ja) | 電力ケーブルの絶縁劣化診断方法 |