JPH06275543A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH06275543A JPH06275543A JP5084035A JP8403593A JPH06275543A JP H06275543 A JPH06275543 A JP H06275543A JP 5084035 A JP5084035 A JP 5084035A JP 8403593 A JP8403593 A JP 8403593A JP H06275543 A JPH06275543 A JP H06275543A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ空間の中央部と周辺部におけるプラ
ズマの性質を均一にする。 【構成】 高周波電極４とアース電極２との間に形成さ
れるプラズマ空間の周囲を金属板で覆って中間電極５と
し、該中間電極５に高周波電源５１より印加する電圧の
周波数および位相を、高周波電極４に印加される電圧の
周波数、位相に一致せしめるとともに、その波高値を電
極４の波高値とアースの波高値の間で制御する。
ズマの性質を均一にする。 【構成】 高周波電極４とアース電極２との間に形成さ
れるプラズマ空間の周囲を金属板で覆って中間電極５と
し、該中間電極５に高周波電源５１より印加する電圧の
周波数および位相を、高周波電極４に印加される電圧の
周波数、位相に一致せしめるとともに、その波高値を電
極４の波高値とアースの波高値の間で制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置等に
使用するプラズマ発生装置に関し、特に均一成膜を行う
ためのプラズマ分布制御に関する。
使用するプラズマ発生装置に関し、特に均一成膜を行う
ためのプラズマ分布制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ発生装置を内設した従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の一例を図８に示す。図において、真空
容器１はガス排気口１１を有し、図略の真空ポンプによ
り排気されて内部が真空に保たれている。上記真空容器
１内には、基板３を保持するアース電位の基板トレイ２
と高周波電極４とが対向して配してある。上記高周波電
極４は偏平な容器体で、基板３と対向する表面に多数の
ガス導入口４１が形成され、裏面にはガス導入管４２が
接続されている。しかして、成膜ガスはガス導入管より
ガス導入口４１を経て、真空容器１内に導入される。
ズマＣＶＤ装置の一例を図８に示す。図において、真空
容器１はガス排気口１１を有し、図略の真空ポンプによ
り排気されて内部が真空に保たれている。上記真空容器
１内には、基板３を保持するアース電位の基板トレイ２
と高周波電極４とが対向して配してある。上記高周波電
極４は偏平な容器体で、基板３と対向する表面に多数の
ガス導入口４１が形成され、裏面にはガス導入管４２が
接続されている。しかして、成膜ガスはガス導入管より
ガス導入口４１を経て、真空容器１内に導入される。
【０００３】導入された成膜ガスは、高周波電源４３か
らマッチングボックス４４、高周波電極４を経て供給さ
れる電力によりプラズマ状態となり、プラズマ空間、あ
るいは基板３の表面で化学反応を起こして、基板３上に
堆積し、薄膜を形成する。
らマッチングボックス４４、高周波電極４を経て供給さ
れる電力によりプラズマ状態となり、プラズマ空間、あ
るいは基板３の表面で化学反応を起こして、基板３上に
堆積し、薄膜を形成する。
【０００４】ところが、上記従来のプラズマＣＶＤ装置
は、基板トレイ２の中央部と周辺部とで、形成される薄
膜の膜厚、膜質が不均一であり、このため均一成膜面積
が大きくとれないという問題があった。この原因の一つ
は、プラズマ空間の中央部と周辺部のプラズマの性質が
異なることにあると考えられ、これを解決するための方
法がいくつか提案されている。
は、基板トレイ２の中央部と周辺部とで、形成される薄
膜の膜厚、膜質が不均一であり、このため均一成膜面積
が大きくとれないという問題があった。この原因の一つ
は、プラズマ空間の中央部と周辺部のプラズマの性質が
異なることにあると考えられ、これを解決するための方
法がいくつか提案されている。
【０００５】例えば、特開昭６３─１８６４１９号公報
では、基板ホルダーと同電位としたシールド枠体により
高周波電極の側面を包囲し、プラズマを電極対の間に閉
じ込めて、プラズマの不均一を解消しようとしている
（第１従来例）。一方、実公昭６４─１９５８号公報で
は、放電電極板を複数に分割して、個々の放電電極板に
導入される高周波電力を別々にコントロールすること
で、プラズマの密度分布を調整することが検討されてい
る（第２従来例）。
では、基板ホルダーと同電位としたシールド枠体により
高周波電極の側面を包囲し、プラズマを電極対の間に閉
じ込めて、プラズマの不均一を解消しようとしている
（第１従来例）。一方、実公昭６４─１９５８号公報で
は、放電電極板を複数に分割して、個々の放電電極板に
導入される高周波電力を別々にコントロールすること
で、プラズマの密度分布を調整することが検討されてい
る（第２従来例）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の実験によれば、第１従来例のプラズマ発生装置に
よっても、プラズマの均一化は未だ十分ではない。ま
た、第２従来例では、プラズマ密度分布の制御には有効
であるものの、それ以外のプラズマの性質は均一化され
ず、膜厚、膜質の均一な薄膜を形成することは依然とし
て難しい。
者等の実験によれば、第１従来例のプラズマ発生装置に
よっても、プラズマの均一化は未だ十分ではない。ま
た、第２従来例では、プラズマ密度分布の制御には有効
であるものの、それ以外のプラズマの性質は均一化され
ず、膜厚、膜質の均一な薄膜を形成することは依然とし
て難しい。
【０００７】本発明者等が行った実験およびシミュレー
ションによれば、従来装置におけるプラズマ不均一の原
因は、プラズマ空間の中央部と周辺部とで高周波電極と
アース電極の面積比が異なっていることにある。すなわ
ち、図８に示した従来のプラズマＣＶＤ装置において、
プラズマ空間の中央部では高周波電極４とアース電極
（基板トレイ２）の面積比はおよそ１：１であるのに対
し、周辺部では、基板トレイ２に加え真空容器１の内壁
がアース電極として機能するため、面積比は１：ａ（ａ
＞１）となる。このように周辺部でアース電極の面積が
大きくなっており、この電極面積の違いがプラズマ不均
一の原因になっていると考えられる。
ションによれば、従来装置におけるプラズマ不均一の原
因は、プラズマ空間の中央部と周辺部とで高周波電極と
アース電極の面積比が異なっていることにある。すなわ
ち、図８に示した従来のプラズマＣＶＤ装置において、
プラズマ空間の中央部では高周波電極４とアース電極
（基板トレイ２）の面積比はおよそ１：１であるのに対
し、周辺部では、基板トレイ２に加え真空容器１の内壁
がアース電極として機能するため、面積比は１：ａ（ａ
＞１）となる。このように周辺部でアース電極の面積が
大きくなっており、この電極面積の違いがプラズマ不均
一の原因になっていると考えられる。
【０００８】しかして、本発明の目的は、プラズマ空間
の周辺部における高周波電極とアース電極の面積比が、
中央部における面積比と等しくなるようにし、これによ
り中央部と周辺部のプラズマの性質を均一化して、成膜
装置に適用した際に、膜厚、膜質の均一な薄膜を形成す
ることが可能なプラズマ発生装置を提供することにあ
る。
の周辺部における高周波電極とアース電極の面積比が、
中央部における面積比と等しくなるようにし、これによ
り中央部と周辺部のプラズマの性質を均一化して、成膜
装置に適用した際に、膜厚、膜質の均一な薄膜を形成す
ることが可能なプラズマ発生装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を図１で説
明すると、真空容器１内に、導入ガスに高周波電力を供
給する高周波電極４とアース電極２とを対向配設し、両
電極２，４間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置
において、上記高周波電極４とアース電極２との間に形
成されるプラズマ空間の周囲を覆って中間電極５を設け
るとともに、上記中間電極５に、上記高周波電極４に印
加する高周波電圧の周波数および位相と同一周波数およ
び位相で、その波高値が高周波電極の波高値ないしアー
ス電極２の波高値を含む、これら波高値の間の値をとる
高周波電圧を印加する電圧印加手段５１を設けたもので
ある。
明すると、真空容器１内に、導入ガスに高周波電力を供
給する高周波電極４とアース電極２とを対向配設し、両
電極２，４間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置
において、上記高周波電極４とアース電極２との間に形
成されるプラズマ空間の周囲を覆って中間電極５を設け
るとともに、上記中間電極５に、上記高周波電極４に印
加する高周波電圧の周波数および位相と同一周波数およ
び位相で、その波高値が高周波電極の波高値ないしアー
ス電極２の波高値を含む、これら波高値の間の値をとる
高周波電圧を印加する電圧印加手段５１を設けたもので
ある。
【００１０】
【作用】上記構成において、中間電極５の波高値を高周
波電極４の１／２に調整すると、周辺部の高周波電極と
アース電極の面積比は、電気的に見て１：１になる。し
たがって、周辺部のプラズマの性質が中央部と同じにな
り、アース電極２上に設けた基板に積層形成される薄膜
の膜質、膜厚が中央部と周辺部で均一化される。さら
に、中間電極５の波高値を変化させれば、電気的に見た
周辺部の高周波電極とアース電極の面積比を変化させる
ことができる。したがって、周辺部のプラズマの性質を
制御することができ、中央部の膜質、膜厚に対して、周
辺部の膜質、膜厚を、所定のものに制御することも可能
である。
波電極４の１／２に調整すると、周辺部の高周波電極と
アース電極の面積比は、電気的に見て１：１になる。し
たがって、周辺部のプラズマの性質が中央部と同じにな
り、アース電極２上に設けた基板に積層形成される薄膜
の膜質、膜厚が中央部と周辺部で均一化される。さら
に、中間電極５の波高値を変化させれば、電気的に見た
周辺部の高周波電極とアース電極の面積比を変化させる
ことができる。したがって、周辺部のプラズマの性質を
制御することができ、中央部の膜質、膜厚に対して、周
辺部の膜質、膜厚を、所定のものに制御することも可能
である。
【００１１】
【実施例１】図１に本発明のプラズマ発生装置を利用し
たプラズマＣＶＤ装置の一例を示す。図において、真空
容器１は、底面にガス排気口１１を有し、図略の真空ポ
ンプにより内部ガスが排出されて真空に保持されてい
る。上記真空容器１内には、その内壁に保持せしめて基
板トレイ２が配され、該基板トレイ２上に基板３が保持
されている。なお、この基板トレイ２はアース電極とし
て機能する。
たプラズマＣＶＤ装置の一例を示す。図において、真空
容器１は、底面にガス排気口１１を有し、図略の真空ポ
ンプにより内部ガスが排出されて真空に保持されてい
る。上記真空容器１内には、その内壁に保持せしめて基
板トレイ２が配され、該基板トレイ２上に基板３が保持
されている。なお、この基板トレイ２はアース電極とし
て機能する。
【００１２】上記基板３の対向位置には、高周波電極４
が配してある。該高周波電極４の、上記基板３に対向す
る表面には多数のガス導入口４１が形成してあり、背面
に接続されたガス導入管４２を経て成膜ガスが真空容器
１内に導入される。上記高周波電極４は、外部に設置さ
れた高周波電源４３に、マッチングボックス４４を介し
て接続されている。
が配してある。該高周波電極４の、上記基板３に対向す
る表面には多数のガス導入口４１が形成してあり、背面
に接続されたガス導入管４２を経て成膜ガスが真空容器
１内に導入される。上記高周波電極４は、外部に設置さ
れた高周波電源４３に、マッチングボックス４４を介し
て接続されている。
【００１３】高周波電極４の外周縁と基板トレイ２の外
周縁との間に、内部空間を囲んで筒状に中間電極５が設
けてあり、該中間電極５はマッチングボックス５２を介
して他の高周波電源５１に接続されている。中間電極５
は絶縁物を用いて真空容器１内に固定されており、電気
的に高周波電極４からもアース電極である基板トレイ２
からも独立している。上記高周波電源４および中間電極
５の背後には真空容器１に連続するアースカバー１２が
所定の間隙で設けてあり、これら各電極４，５と真空容
器１の内壁との間で放電が生じることを防いでいる。
周縁との間に、内部空間を囲んで筒状に中間電極５が設
けてあり、該中間電極５はマッチングボックス５２を介
して他の高周波電源５１に接続されている。中間電極５
は絶縁物を用いて真空容器１内に固定されており、電気
的に高周波電極４からもアース電極である基板トレイ２
からも独立している。上記高周波電源４および中間電極
５の背後には真空容器１に連続するアースカバー１２が
所定の間隙で設けてあり、これら各電極４，５と真空容
器１の内壁との間で放電が生じることを防いでいる。
【００１４】真空容器１内に導入された成膜ガスは、上
記高周波電源４３からマッチングボックス４４、高周波
電極４を経て供給される電力によりプラズマ状態とな
る。そして上記基板トレイ２と高周波電極４の間に形成
されるプラズマ空間、あるいは上記基板３の表面で化学
反応を起こして基板３上に堆積し、薄膜を形成する。
記高周波電源４３からマッチングボックス４４、高周波
電極４を経て供給される電力によりプラズマ状態とな
る。そして上記基板トレイ２と高周波電極４の間に形成
されるプラズマ空間、あるいは上記基板３の表面で化学
反応を起こして基板３上に堆積し、薄膜を形成する。
【００１５】高周波電源４３、５１には同期信号発生器
６からの同期信号が入力しており、共に同期信号により
高周波電圧を発生しているから、中間電極５に印加され
る高周波電圧と、高周波電極４に印加される高周波電圧
とは周波数および位相が一致している。また、高周波電
源５１ではその出力波高値を、高周波電源４３の出力波
高値とアース波高値を含む、これら波高値の間で任意に
設定できる。
６からの同期信号が入力しており、共に同期信号により
高周波電圧を発生しているから、中間電極５に印加され
る高周波電圧と、高周波電極４に印加される高周波電圧
とは周波数および位相が一致している。また、高周波電
源５１ではその出力波高値を、高周波電源４３の出力波
高値とアース波高値を含む、これら波高値の間で任意に
設定できる。
【００１６】以下、装置の作動について説明する。真空
容器１内に導入された成膜ガスは、上記高周波電源４３
からマッチングボックス４４、高周波電極４を経て供給
される電力によりプラズマ状態となる。そしてプラズマ
空間、あるいは上記基板３の表面で化学反応をおこして
基板３上に堆積し、薄膜を形成する。
容器１内に導入された成膜ガスは、上記高周波電源４３
からマッチングボックス４４、高周波電極４を経て供給
される電力によりプラズマ状態となる。そしてプラズマ
空間、あるいは上記基板３の表面で化学反応をおこして
基板３上に堆積し、薄膜を形成する。
【００１７】この場合、中間電極５に印加する高周波電
圧の波高値を、高周波電極４に印加する波高値の１／２
となるように調整すると、上記中間電極５は、電気的に
みて高周波電極４、基板トレイ２のいずれでもない状態
となる。つまり、高周波電極４から見た周辺部のアース
電極は、中央部同様、基板トレイ２のみとなるので、高
周波電極４とアース電極（基板トレイ２）の面積比は
１：１となる。
圧の波高値を、高周波電極４に印加する波高値の１／２
となるように調整すると、上記中間電極５は、電気的に
みて高周波電極４、基板トレイ２のいずれでもない状態
となる。つまり、高周波電極４から見た周辺部のアース
電極は、中央部同様、基板トレイ２のみとなるので、高
周波電極４とアース電極（基板トレイ２）の面積比は
１：１となる。
【００１８】この効果を図２で説明すると、図は、中間
電極５に印加する高周波電圧の波高値を変化させたとき
の、プラズマ空間のプラズマ密度分布変化を示すもの
で、横軸は中心からの距離、縦軸はイオン電流（プラズ
マ密度）である。図に明らかなように、上記中間電極５
に印加する高周波電圧の波高値（Ｖmid ）を、高周波電
極４に印加する電圧の波高値（Ｖrf）の１／２に調整す
ると、イオン電流は中心からの距離に関係なくほぼ一定
になる。
電極５に印加する高周波電圧の波高値を変化させたとき
の、プラズマ空間のプラズマ密度分布変化を示すもの
で、横軸は中心からの距離、縦軸はイオン電流（プラズ
マ密度）である。図に明らかなように、上記中間電極５
に印加する高周波電圧の波高値（Ｖmid ）を、高周波電
極４に印加する電圧の波高値（Ｖrf）の１／２に調整す
ると、イオン電流は中心からの距離に関係なくほぼ一定
になる。
【００１９】実際に基板３上に形成される薄膜の膜厚
は、プラズマ密度のみによって決定されるものではな
く、成膜圧力等によっても変化する。そこで、中間電極
５の電圧波高値（Ｖmid ）を高周波電極４の電圧波高値
（Ｖrf）とアース電極２の電圧波高値（＝０）の間で適
宜変化せしめると、図３に示す如き膜厚分布が得られ、
この場合にはＶmid ＝Ｖrfの時に周辺部と中央部の膜厚
差は十分小さくなり、均一となっている。
は、プラズマ密度のみによって決定されるものではな
く、成膜圧力等によっても変化する。そこで、中間電極
５の電圧波高値（Ｖmid ）を高周波電極４の電圧波高値
（Ｖrf）とアース電極２の電圧波高値（＝０）の間で適
宜変化せしめると、図３に示す如き膜厚分布が得られ、
この場合にはＶmid ＝Ｖrfの時に周辺部と中央部の膜厚
差は十分小さくなり、均一となっている。
【００２０】かくして、成膜圧力等に応じて中間電極５
の高周波電圧波高値を変更して、中間電極５と高周波電
極４ないしアース電極２との間に放電を生じさせず、あ
るいは適宜の放電を生じさせることにより、基板３の全
面に均一な薄膜を形成することができる。なお、膜厚の
均一化のみでなく、中央部の膜厚に対して周辺部の膜厚
を所定のものに制御することも可能である。
の高周波電圧波高値を変更して、中間電極５と高周波電
極４ないしアース電極２との間に放電を生じさせず、あ
るいは適宜の放電を生じさせることにより、基板３の全
面に均一な薄膜を形成することができる。なお、膜厚の
均一化のみでなく、中央部の膜厚に対して周辺部の膜厚
を所定のものに制御することも可能である。
【００２１】
【実施例２】図４において、高周波電極４、中間電極５
を１つの高周波電源４３に接続し、電圧波高値調整器７
によって上記中間電極５に印加する電圧を制御するよう
にしている。他の構成および作動は上記第１実施例と同
様である。かかる構成によっても第１実施例と同様の効
果を得られる。
を１つの高周波電源４３に接続し、電圧波高値調整器７
によって上記中間電極５に印加する電圧を制御するよう
にしている。他の構成および作動は上記第１実施例と同
様である。かかる構成によっても第１実施例と同様の効
果を得られる。
【００２２】
【実施例３】また図５のように、高周波電極４とアース
カバー１２の間に中間電極５の端縁が挿入されるように
配し、上記高周波電極４と中間電極５、および中間電極
５とアースカバー１２を電気的に容量結合させることに
よって、中間電極５に高周波電圧を印加してもよい。こ
の場合、中間電極５の電圧の波高値は、高周波電極４と
中間電極５の間隙、および中間電極５とアースカバー１
２の間隙の大きさの比を変化させることによって任意に
制御できる。
カバー１２の間に中間電極５の端縁が挿入されるように
配し、上記高周波電極４と中間電極５、および中間電極
５とアースカバー１２を電気的に容量結合させることに
よって、中間電極５に高周波電圧を印加してもよい。こ
の場合、中間電極５の電圧の波高値は、高周波電極４と
中間電極５の間隙、および中間電極５とアースカバー１
２の間隙の大きさの比を変化させることによって任意に
制御できる。
【００２３】
【実施例４】図６のように上記各電極を可変容量コンデ
ンサ８１，８２を用いて容量結合させてもよい。この場
合、各コンデンサの容量を変更すれば、中間電極５の電
圧の波高値を任意に制御できる。
ンサ８１，８２を用いて容量結合させてもよい。この場
合、各コンデンサの容量を変更すれば、中間電極５の電
圧の波高値を任意に制御できる。
【００２４】
【実施例５】さらに、真空容器１内の圧力、温度などが
時間とともに変化し、それらの条件に膜厚、膜質分布が
影響を受けるようなときには、プラズマ分布を監視して
中間電極５に印加される高周波電圧の波高値をフィード
バック制御してもよい。すなわち、図７のように、プラ
ズマ空間の中央部と周辺部にプラズマモニタ９１を配し
てフィードバック制御器９２に接続し、その結果により
中間電極５に印加される高周波電圧の波高値を調整する
ようになせば、膜厚、膜質をより均一に保つことでき
る。なお図には実施例１の構成にフィードバック機構を
付加した例を示したが、このフィードバック制御は上記
図４〜６に示した実施例２〜４のいずれにも用いること
ができる。
時間とともに変化し、それらの条件に膜厚、膜質分布が
影響を受けるようなときには、プラズマ分布を監視して
中間電極５に印加される高周波電圧の波高値をフィード
バック制御してもよい。すなわち、図７のように、プラ
ズマ空間の中央部と周辺部にプラズマモニタ９１を配し
てフィードバック制御器９２に接続し、その結果により
中間電極５に印加される高周波電圧の波高値を調整する
ようになせば、膜厚、膜質をより均一に保つことでき
る。なお図には実施例１の構成にフィードバック機構を
付加した例を示したが、このフィードバック制御は上記
図４〜６に示した実施例２〜４のいずれにも用いること
ができる。
【００２５】なお、本発明はプラズマＣＶＤ装置だけで
なく、スパッタ装置、エッチング装置などプラズマを用
いる真空装置であればいずれにも適用することができ
る。
なく、スパッタ装置、エッチング装置などプラズマを用
いる真空装置であればいずれにも適用することができ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマ発生装
置は、プラズマ空間内のプラズマ分布を容易に制御する
ことができるから、例えばプラズマＣＶＤ装置に適用し
て、中央部と周辺部におけるプラズマの不均一を解消す
ることができ、膜厚、膜質の均一な薄膜をより広い面積
に形成することができる。
置は、プラズマ空間内のプラズマ分布を容易に制御する
ことができるから、例えばプラズマＣＶＤ装置に適用し
て、中央部と周辺部におけるプラズマの不均一を解消す
ることができ、膜厚、膜質の均一な薄膜をより広い面積
に形成することができる。
【図１】本発明の実施例１におけるプラズマＣＶＤ装置
の全体断面図である。
の全体断面図である。
【図２】プラズマ空間のイオン電流分布を示す図であ
る。
る。
【図３】基板トレイ上の膜厚分布を示す図である。
【図４】本発明の実施例２におけるプラズマＣＶＤ装置
の全体断面図である。
の全体断面図である。
【図５】本発明の実施例３におけるプラズマＣＶＤ装置
の全体断面図である。
の全体断面図である。
【図６】本発明の実施例４におけるプラズマＣＶＤ装置
の全体断面図である。
の全体断面図である。
【図７】本発明の実施例５におけるプラズマＣＶＤ装置
の全体断面図である。
の全体断面図である。
【図８】従来のプラズマＣＶＤ装置の全体断面図であ
る。
る。
１ 真空容器 １１ ガス排気口 １２ アースカバー ２ 基板トレイ（アース電極） ３ 基板 ４ 高周波電極 ４１ ガス導入口 ４２ ガス導入管 ４３ 高周波電源 ４４ マッチングボックス ５ 中間電極 ５１ 高周波電源 ５２ マッチングボックス ６ 同期信号発生器
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に、導入ガスに高周波電力を
供給する高周波電極とアース電極とを対向配設し、両電
極間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置におい
て、上記高周波電極とアース電極との間に形成されるプ
ラズマ空間の周囲を覆って中間電極を設けるとともに、
上記中間電極に、上記高周波電極に印加する高周波電圧
の周波数および位相と同一周波数および位相で、その波
高値が高周波電極の波高値ないしアース電極の波高値を
含む、これら波高値の間の値を取る高周波電圧を印加す
る電圧印加手段を設けたことを特徴とするプラズマ発生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084035A JP2809041B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084035A JP2809041B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275543A true JPH06275543A (ja) | 1994-09-30 |
| JP2809041B2 JP2809041B2 (ja) | 1998-10-08 |
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ID=13819276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5084035A Expired - Fee Related JP2809041B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809041B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI646865B (zh) * | 2011-11-22 | 2019-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 電漿邊緣區域之控制系統與方法 |
| WO2020153118A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684812A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-03-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 多電極プラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP5084035A patent/JP2809041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684812A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-03-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 多電極プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI646865B (zh) * | 2011-11-22 | 2019-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 電漿邊緣區域之控制系統與方法 |
| WO2020153118A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809041B2 (ja) | 1998-10-08 |
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