JPH06275677A - 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
半導体装置用パッケージおよび半導体装置Info
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- JPH06275677A JPH06275677A JP5063737A JP6373793A JPH06275677A JP H06275677 A JPH06275677 A JP H06275677A JP 5063737 A JP5063737 A JP 5063737A JP 6373793 A JP6373793 A JP 6373793A JP H06275677 A JPH06275677 A JP H06275677A
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- semiconductor device
- chip
- hole
- wiring board
- printed wiring
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価かつ小型であると共に、インナーリード
側のボンディングのみでチップの搭載が可能になる。 【構成】 中央にチップ収納孔25を有し、一方の面に
外部接続用の端子24が形成されたプリント配線基板2
1の他面に、中央に収納孔25と軸線を一致する孔を有
する支持フィルム27上に所定の回路パターン28aが
形成されかつ孔内方に突出する微細パターンのインナー
リード28bが形成された基板26が、プリント配線基
板21の回路パターンと電気的導通をとって接合されて
いる。
側のボンディングのみでチップの搭載が可能になる。 【構成】 中央にチップ収納孔25を有し、一方の面に
外部接続用の端子24が形成されたプリント配線基板2
1の他面に、中央に収納孔25と軸線を一致する孔を有
する支持フィルム27上に所定の回路パターン28aが
形成されかつ孔内方に突出する微細パターンのインナー
リード28bが形成された基板26が、プリント配線基
板21の回路パターンと電気的導通をとって接合されて
いる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
および半導体装置に関する。
および半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】TAB(Tab Automated Bonding) テープ
はポリイミド等の耐熱性の支持フィルム上に銅箔により
回路パターンを形成し、支持フィルムの素子収納孔内方
にインナーリードを延設し、支持フィルム外方にアウタ
ーリードを延設している。このTABテープによるボン
ディング方式は、実装前の半導体素子(チップ)のテス
トが容易に行え、多ピン、かつワイヤボンディング方式
では不可能なレベルの狭ピッチチップへの一括ボンディ
ングが行え、さらにはワイヤボンディング方式に比し、
高周波特性に優れるといった高密度実装に適している。
したがってTABテープによるボンディング方式はCP
U等多ピン、狭ピッチで高速のチップのボンディングに
極めて好適である。
はポリイミド等の耐熱性の支持フィルム上に銅箔により
回路パターンを形成し、支持フィルムの素子収納孔内方
にインナーリードを延設し、支持フィルム外方にアウタ
ーリードを延設している。このTABテープによるボン
ディング方式は、実装前の半導体素子(チップ)のテス
トが容易に行え、多ピン、かつワイヤボンディング方式
では不可能なレベルの狭ピッチチップへの一括ボンディ
ングが行え、さらにはワイヤボンディング方式に比し、
高周波特性に優れるといった高密度実装に適している。
したがってTABテープによるボンディング方式はCP
U等多ピン、狭ピッチで高速のチップのボンディングに
極めて好適である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、TAB
テープによるボンディング方式は、アウターリードとイ
ンナーリードの両者においてボンディングが必要で工数
がかかると共に、アウターリードは基板実装上インナー
リード程ピッチを狭くできずリードが支持フィルム外方
に延設されてしまうため、チップを搭載した際の半導体
装置全体の大きさが基本的に大きくなってしまい、小型
化の要請に反する。また、CPU等の高出力チップに適
用した場合、放熱構造がとりにくいことから、複雑、高
価なパッケージ形態をとらざるを得なかった。例えば図
6は従来の放熱構造の一例を示す。この従来の半導体装
置では、PGA(ピングリッドアレイ)タイプのパッケ
ージ10の回路パターンとチップ11とをTABテープ
12によって接続し、キャップ13によって封止すると
共に、チップ11に接合された支持対14にはんだ等に
よりヒートシンク15を固定するという複雑で高価なパ
ッケージ構造をとっている。
テープによるボンディング方式は、アウターリードとイ
ンナーリードの両者においてボンディングが必要で工数
がかかると共に、アウターリードは基板実装上インナー
リード程ピッチを狭くできずリードが支持フィルム外方
に延設されてしまうため、チップを搭載した際の半導体
装置全体の大きさが基本的に大きくなってしまい、小型
化の要請に反する。また、CPU等の高出力チップに適
用した場合、放熱構造がとりにくいことから、複雑、高
価なパッケージ形態をとらざるを得なかった。例えば図
6は従来の放熱構造の一例を示す。この従来の半導体装
置では、PGA(ピングリッドアレイ)タイプのパッケ
ージ10の回路パターンとチップ11とをTABテープ
12によって接続し、キャップ13によって封止すると
共に、チップ11に接合された支持対14にはんだ等に
よりヒートシンク15を固定するという複雑で高価なパ
ッケージ構造をとっている。
【0004】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、実装性
に優れて安価かつ小型であると共に、インナーリード側
のボンディングにおいてはワイヤボンディング方式では
ボンディングが不可能な多ピン狭ピッチのチップの搭載
が可能な半導体装置用パッケージ、および安価で小型で
あるのみならず、多ピン狭ピッチであると同時に高出力
でもあるチップを搭載してなお放熱性、実装性、電気的
特性に優れる半導体装置を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、実装性
に優れて安価かつ小型であると共に、インナーリード側
のボンディングにおいてはワイヤボンディング方式では
ボンディングが不可能な多ピン狭ピッチのチップの搭載
が可能な半導体装置用パッケージ、および安価で小型で
あるのみならず、多ピン狭ピッチであると同時に高出力
でもあるチップを搭載してなお放熱性、実装性、電気的
特性に優れる半導体装置を提供するにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、中央にチップ収納孔を有
し、一方の面に外部接続用の端子が形成されたプリント
配線基板の他面に、中央に前記収納孔と軸線を一致する
孔を有する支持フィルム上に所定の回路パターンが形成
されかつ孔内方に突出する微細パターンのインナーリー
ドが形成された基板が、前記プリント配線基板の回路パ
ターンと電気的導通をとって接合されていることを特徴
としている。また本発明に係る半導体装置では、上記の
半導体装置用パッケージのインナーリード上にチップが
一括ボンディングされて搭載され、前記収納孔を覆っ
て、かつチップに直接もしくは間接的に当接してヒート
シンクが固定され、前記収納孔の反対側を覆ってキャッ
プが固定されてチップが封止されていることを特徴とし
ている。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、中央にチップ収納孔を有
し、一方の面に外部接続用の端子が形成されたプリント
配線基板の他面に、中央に前記収納孔と軸線を一致する
孔を有する支持フィルム上に所定の回路パターンが形成
されかつ孔内方に突出する微細パターンのインナーリー
ドが形成された基板が、前記プリント配線基板の回路パ
ターンと電気的導通をとって接合されていることを特徴
としている。また本発明に係る半導体装置では、上記の
半導体装置用パッケージのインナーリード上にチップが
一括ボンディングされて搭載され、前記収納孔を覆っ
て、かつチップに直接もしくは間接的に当接してヒート
シンクが固定され、前記収納孔の反対側を覆ってキャッ
プが固定されてチップが封止されていることを特徴とし
ている。
【0006】
【作用】本発明に係る半導体装置用パッケージによれ
ば、チップとの電気的接合にはTAB方式のボンディン
グによりボンディングを容易に行うことができ、特にワ
イヤボンディング方式では対応が不可能な多ピン、狭ピ
ッチのチップのパッケージとして好適である。またTA
Bテープと相違し、外方に突出するアウターリードを有
さないことから、小型かつ高密度実装性に優れた安価な
パッケージを提供できる。また本発明に係る半導体装置
によれば、多ピン、狭ピッチに加えて、高出力ハイクロ
ックのチップを搭載してなお放熱性、高密度実装性、さ
らには高周波電気特性に優れる半導体装置を提供でき
る。
ば、チップとの電気的接合にはTAB方式のボンディン
グによりボンディングを容易に行うことができ、特にワ
イヤボンディング方式では対応が不可能な多ピン、狭ピ
ッチのチップのパッケージとして好適である。またTA
Bテープと相違し、外方に突出するアウターリードを有
さないことから、小型かつ高密度実装性に優れた安価な
パッケージを提供できる。また本発明に係る半導体装置
によれば、多ピン、狭ピッチに加えて、高出力ハイクロ
ックのチップを搭載してなお放熱性、高密度実装性、さ
らには高周波電気特性に優れる半導体装置を提供でき
る。
【0007】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は半導体装置用のパッケー
ジ20の一例を示す断面図、図2はその底面図である。
21は多層のプリント配線基板であり、スルーホールめ
っき等の導通部を介して上下のパターン間の導通がとら
れ、多層に形成して内部に信号パターンの他、電気特性
上信号層とは分離したグランドパターンおよび電源パタ
ーンなどの回路形成がなされている。プリント配線基板
21の下面には、外部接続用のバンプ24(端子)が形
成されている。バンプ24はリードピンであってもよ
い。プリント基板21の中央には、チップ収納孔25が
形成されている。またプリント基板21の下面のチップ
収納孔25の周縁はキャップ嵌合用の段差が形成される
よう凹設されている。なお、プリント配線基板21は、
下面にバンプ24等の端子が形成された単層のものであ
ってもよい。
づいて詳細に説明する。図1は半導体装置用のパッケー
ジ20の一例を示す断面図、図2はその底面図である。
21は多層のプリント配線基板であり、スルーホールめ
っき等の導通部を介して上下のパターン間の導通がとら
れ、多層に形成して内部に信号パターンの他、電気特性
上信号層とは分離したグランドパターンおよび電源パタ
ーンなどの回路形成がなされている。プリント配線基板
21の下面には、外部接続用のバンプ24(端子)が形
成されている。バンプ24はリードピンであってもよ
い。プリント基板21の中央には、チップ収納孔25が
形成されている。またプリント基板21の下面のチップ
収納孔25の周縁はキャップ嵌合用の段差が形成される
よう凹設されている。なお、プリント配線基板21は、
下面にバンプ24等の端子が形成された単層のものであ
ってもよい。
【0008】26はプリント配線基板21の上面に接着
剤により固定されたフレキシブル基板であり、図示の例
では、ポリイミド等の支持フィルム27の下面側に銅箔
をエッチング加工して、支持フィルム27の下面上の回
路パターン28aと、前記チップ収納孔25内に突出す
るインナーリード28bのパターンとが形成されてい
る。支持フィルム27も同様に中央に孔を有する枠状に
形成されているが、該孔はチップ収納孔25より小径に
形成して、支持フィルム27の一部をチップ収納孔25
内に突出させて、チップ収納孔25内に突出するインナ
ーリード28bの基部を支持させるようにすると好適で
ある。フレキシブル基板26は前記したように、接着剤
29によりプリント配線基板21の上面に固着される。
プリント配線基板21の上面の回路パターンと支持フィ
ルム27下面の前記回路パターン28aとは、通常のプ
リント基板の上下パターンの接続と同様に、所要個所に
ドリル等により貫通孔をあけ、該貫通孔にスルーホール
めっき皮膜を形成して、該スルーホールめっき皮膜によ
り導通がとられるようになされている。つまり、パッケ
ージ20本体の全体構造からみれば、通常のプリント配
線基板と同様の構造、かつ製法によって形成できる。そ
して本実施例では、最上層の回路パターンのインナーリ
ード28bのみがチップ収納孔25内にTABテープ状
に突出して設けられている点で相違する。支持フィルム
27の上面には、ガラスフィラー入りの樹脂等からなる
スペーサー30を接着材により固定するのが好ましい。
このスペーサー30の厚さは、インナーリード28b上
にチップ31(図3)を搭載したとき、チップ31の上
面とスペーサー30の上面とが同一の高さとなる厚さが
好ましい。
剤により固定されたフレキシブル基板であり、図示の例
では、ポリイミド等の支持フィルム27の下面側に銅箔
をエッチング加工して、支持フィルム27の下面上の回
路パターン28aと、前記チップ収納孔25内に突出す
るインナーリード28bのパターンとが形成されてい
る。支持フィルム27も同様に中央に孔を有する枠状に
形成されているが、該孔はチップ収納孔25より小径に
形成して、支持フィルム27の一部をチップ収納孔25
内に突出させて、チップ収納孔25内に突出するインナ
ーリード28bの基部を支持させるようにすると好適で
ある。フレキシブル基板26は前記したように、接着剤
29によりプリント配線基板21の上面に固着される。
プリント配線基板21の上面の回路パターンと支持フィ
ルム27下面の前記回路パターン28aとは、通常のプ
リント基板の上下パターンの接続と同様に、所要個所に
ドリル等により貫通孔をあけ、該貫通孔にスルーホール
めっき皮膜を形成して、該スルーホールめっき皮膜によ
り導通がとられるようになされている。つまり、パッケ
ージ20本体の全体構造からみれば、通常のプリント配
線基板と同様の構造、かつ製法によって形成できる。そ
して本実施例では、最上層の回路パターンのインナーリ
ード28bのみがチップ収納孔25内にTABテープ状
に突出して設けられている点で相違する。支持フィルム
27の上面には、ガラスフィラー入りの樹脂等からなる
スペーサー30を接着材により固定するのが好ましい。
このスペーサー30の厚さは、インナーリード28b上
にチップ31(図3)を搭載したとき、チップ31の上
面とスペーサー30の上面とが同一の高さとなる厚さが
好ましい。
【0009】図3は、上記のパッケージ20にチップ3
1を搭載して封止した半導体装置の一例を示す。チップ
31は一括ボンディングによりインナーリード28b上
に搭載できる。このように搭載されたチップ31上面と
スペーサー30上面の高さとはほぼ同一になる。チップ
31上面とスペーサー30上面に接着剤33を塗布し、
チップ収納孔25を覆ってヒートシンク32を固定す
る。ヒートシンク32には、アルミニウム、銅−タング
ステン合金、銅などの金属を用いることができる。一方
チップ収納孔25の下面をキャップ34にて気密に封止
して半導体装置に完成される。
1を搭載して封止した半導体装置の一例を示す。チップ
31は一括ボンディングによりインナーリード28b上
に搭載できる。このように搭載されたチップ31上面と
スペーサー30上面の高さとはほぼ同一になる。チップ
31上面とスペーサー30上面に接着剤33を塗布し、
チップ収納孔25を覆ってヒートシンク32を固定す
る。ヒートシンク32には、アルミニウム、銅−タング
ステン合金、銅などの金属を用いることができる。一方
チップ収納孔25の下面をキャップ34にて気密に封止
して半導体装置に完成される。
【0010】なお支持フィルム27は、図4に示すよう
に、インナーリード28bの上下両面に設けることで、
インナーリード28bを両面から支持できるので強度の
補填ができる。この場合にも貫通孔を設けることでパタ
ーン28aとプリント基板21上面の回路パターンとの
電気的接合は上記と同様にして行える。またスペーサー
30は必ずしも設けることは要しない。この場合には図
5に示すようにヒートシンク32にチップ31の厚み分
だけの凹部を設けたものを使用すると好適である。
に、インナーリード28bの上下両面に設けることで、
インナーリード28bを両面から支持できるので強度の
補填ができる。この場合にも貫通孔を設けることでパタ
ーン28aとプリント基板21上面の回路パターンとの
電気的接合は上記と同様にして行える。またスペーサー
30は必ずしも設けることは要しない。この場合には図
5に示すようにヒートシンク32にチップ31の厚み分
だけの凹部を設けたものを使用すると好適である。
【0011】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【0012】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用パッケージに
よれば、チップとの電気的接合にはTAB方式のボンデ
ィングによりボンディングを容易に行うことができ、特
にワイヤボンディング方式ではボンディングが不可能な
多ピン、狭ピッチのチップのパッケージとして好適であ
る。またTABテープと相違し、外方に突出するアウタ
ーリードを有さないことから、小型かつ高密度実装性に
優れた安価なパッケージを提供できる。また本発明に係
る半導体装置によれば、多ピン、狭ピッチに加えて、高
出力ハイクロックのチップを搭載してなお放熱性、高密
度実装性さらには高周波電気特性に優れる半導体装置を
提供できる。
よれば、チップとの電気的接合にはTAB方式のボンデ
ィングによりボンディングを容易に行うことができ、特
にワイヤボンディング方式ではボンディングが不可能な
多ピン、狭ピッチのチップのパッケージとして好適であ
る。またTABテープと相違し、外方に突出するアウタ
ーリードを有さないことから、小型かつ高密度実装性に
優れた安価なパッケージを提供できる。また本発明に係
る半導体装置によれば、多ピン、狭ピッチに加えて、高
出力ハイクロックのチップを搭載してなお放熱性、高密
度実装性さらには高周波電気特性に優れる半導体装置を
提供できる。
【図1】半導体装置用パッケージの一例を示す縦断面図
である。
である。
【図2】図1のパッケージの底面図である。
【図3】半導体装置に形成した一例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図4】基板の他の実施例を示す説明図である。
【図5】ヒートシンク形状の他の実施例を示す説明図で
ある。
ある。
【図6】従来の放熱構造を有する半導体装置の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
20 半導体装置用パッケージ 21 プリント配線基板 24 バンプ(端子) 25 チップ収納孔 26 基板 27 支持フィルム 28a 回路パターン 28b インナーリード 29 接着剤 30 スペーサー 31 チップ 32 ヒートシンク
Claims (2)
- 【請求項1】 中央にチップ収納孔を有し、一方の面に
外部接続用の端子が形成されたプリント配線基板の他面
に、中央に前記収納孔と軸線を一致する孔を有する支持
フィルム上に所定の回路パターンが形成されかつ孔内方
に突出する微細パターンのインナーリードが形成された
基板が、前記プリント配線基板の回路パターンと電気的
導通をとって接合されていることを特徴とする半導体装
置用パッケージ。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置用パッケージ
のインナーリード上にチップが一括ボンディングされて
搭載され、前記収納孔を覆って、かつチップに直接もし
くは間接的に当接してヒートシンクが固定され、前記収
納孔の反対側を覆ってキャップが固定されてチップが封
止されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063737A JPH06275677A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
| EP94302013A EP0617465B1 (en) | 1993-03-23 | 1994-03-22 | A semiconductor device and package |
| KR1019940005728A KR0135585B1 (ko) | 1993-03-23 | 1994-03-22 | 반도체 장치용 패키지 및 반도체 장치 |
| DE69414291T DE69414291T2 (de) | 1993-03-23 | 1994-03-22 | Eine Halbleiteranordnung und Packung |
| US08/216,323 US5404273A (en) | 1993-03-23 | 1994-03-23 | Semiconductor-device package and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063737A JPH06275677A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275677A true JPH06275677A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13238028
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