JPH06283404A - 縮小投影露光装置用のアパーチャ - Google Patents
縮小投影露光装置用のアパーチャInfo
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- JPH06283404A JPH06283404A JP5067259A JP6725993A JPH06283404A JP H06283404 A JPH06283404 A JP H06283404A JP 5067259 A JP5067259 A JP 5067259A JP 6725993 A JP6725993 A JP 6725993A JP H06283404 A JPH06283404 A JP H06283404A
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- reduction projection
- shape
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光学系に損傷を与えること無く露光光を迅速に
最適の形状にして半導体ウェハに照射する縮小投影露光
装置のアパーチャを提供する。 【構成】円盤状の液晶セル13−1の回りに複数の環状
の液晶セル13−2,13−3,13−4を同心的に配
置し、これら液晶セルを選択的に透明状態とする。
最適の形状にして半導体ウェハに照射する縮小投影露光
装置のアパーチャを提供する。 【構成】円盤状の液晶セル13−1の回りに複数の環状
の液晶セル13−2,13−3,13−4を同心的に配
置し、これら液晶セルを選択的に透明状態とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は縮小投影露光装置に用い
るアパーチャに関するものである。
るアパーチャに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の方法では光源形状やコヒーレント
ファクタすなわちσ値を変えるには縮小投影露光装置に
挿入していたアパーチャを別のアパーチャに手で差し替
えるか、または図9に示すように何種類かの遮光形状の
アパーチャ91を有する円板90を手または自動で回転
させて所定形状のアパーチャ91を選択していた。
ファクタすなわちσ値を変えるには縮小投影露光装置に
挿入していたアパーチャを別のアパーチャに手で差し替
えるか、または図9に示すように何種類かの遮光形状の
アパーチャ91を有する円板90を手または自動で回転
させて所定形状のアパーチャ91を選択していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
では、遮光形状やσ値を変えるために、挿入していたア
パーチャを別のアパーチャに手で差し替えるかまたは何
種類かの形状のアパーチャを有する円板を手または自動
で動かすというものであったため、アパーチャ交換時の
発塵等により、光学系に損傷をもたらす恐れがあり、ま
た形状に制限があるため露光するパターンに最適な光源
形状にすることが困難となる。
では、遮光形状やσ値を変えるために、挿入していたア
パーチャを別のアパーチャに手で差し替えるかまたは何
種類かの形状のアパーチャを有する円板を手または自動
で動かすというものであったため、アパーチャ交換時の
発塵等により、光学系に損傷をもたらす恐れがあり、ま
た形状に制限があるため露光するパターンに最適な光源
形状にすることが困難となる。
【0004】したがって本発明の目的は、これら従来の
欠点を解決し、電気的に瞬時にして遮光形状を変えるこ
とが可能なアパーチャを用いることで、σ値の変化を容
易にし、変形照明の効果を最大限に生かしまたこれを量
産に適用しやすくすることにある。
欠点を解決し、電気的に瞬時にして遮光形状を変えるこ
とが可能なアパーチャを用いることで、σ値の変化を容
易にし、変形照明の効果を最大限に生かしまたこれを量
産に適用しやすくすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、縮小投
影露光装置用の蠅の目レンズとレチクルマスク間に設け
たアパーチャにおいて、たがいに大きさが異なる複数の
液晶セルを輪帯状に配置した液晶シャッターを用い、前
記複数の液晶セルへの電圧印加組合せにより電気的に瞬
時に最適の光源形状に変化させることを可能としたこと
を特徴とした縮小投影露光装置用のアパーチャにある。
影露光装置用の蠅の目レンズとレチクルマスク間に設け
たアパーチャにおいて、たがいに大きさが異なる複数の
液晶セルを輪帯状に配置した液晶シャッターを用い、前
記複数の液晶セルへの電圧印加組合せにより電気的に瞬
時に最適の光源形状に変化させることを可能としたこと
を特徴とした縮小投影露光装置用のアパーチャにある。
【0006】本発明の他の特徴は、縮小投影露光装置用
の蠅の目レンズとレチクルマスク間に設けたアパーチャ
において、複数の液晶セルをメッシュ状に配置した液晶
シャッターを用い、前記複数の液晶セルへの電圧印加組
合せにより電気的に瞬時に最適の光源形状に変化させる
ことを可能としたことを特徴とした縮小投影露光装置用
のアパーチャにある。
の蠅の目レンズとレチクルマスク間に設けたアパーチャ
において、複数の液晶セルをメッシュ状に配置した液晶
シャッターを用い、前記複数の液晶セルへの電圧印加組
合せにより電気的に瞬時に最適の光源形状に変化させる
ことを可能としたことを特徴とした縮小投影露光装置用
のアパーチャにある。
【0007】照明レンズの入射瞳に入る光の遮光部の形
を変えることで解像度、焦点深度を向上させることがで
きる。形成するパターンにより最適の遮光部の形状とし
て輪帯、2分割、4分割、弧状を選択する。例えば2分
割照明は開口部に並行な配線パターンには最も効果が高
いのにもかかわらず開口部に対して直行する配線パター
ンには全く効果がない。また実用化が期待されている輪
帯、4分割照明においても開口部の位置や大きさなどで
効果がかなり変化する。従来のメカニカルアパーチャで
はいったん設置したアパーチャの開口部の位置や大きさ
を即座に変えることは不可能であり、さまざまなレジス
トパターンの形成に柔軟に対応することができない。
を変えることで解像度、焦点深度を向上させることがで
きる。形成するパターンにより最適の遮光部の形状とし
て輪帯、2分割、4分割、弧状を選択する。例えば2分
割照明は開口部に並行な配線パターンには最も効果が高
いのにもかかわらず開口部に対して直行する配線パター
ンには全く効果がない。また実用化が期待されている輪
帯、4分割照明においても開口部の位置や大きさなどで
効果がかなり変化する。従来のメカニカルアパーチャで
はいったん設置したアパーチャの開口部の位置や大きさ
を即座に変えることは不可能であり、さまざまなレジス
トパターンの形成に柔軟に対応することができない。
【0008】この点を本発明のアパーチャでは液晶シャ
ッターを輪帯状またはメッシュ状に配置し、アパーチャ
のどの位置を暗部にしまたは明部にするかを電気的に制
御することを可能にする。アパーチャの遮光形状はメモ
リーに記憶させておき、必要に応じて最適のファイルを
引き出し、瞬時に最適の光源形状またはσ値で露光する
ことを可能にする。従って、変形照明の効果を最大限に
生かすることができ、年々微細になるLSIの設計ルー
ルの最小限界を拡張し、変形照明を量産技術に適用しや
すくする。
ッターを輪帯状またはメッシュ状に配置し、アパーチャ
のどの位置を暗部にしまたは明部にするかを電気的に制
御することを可能にする。アパーチャの遮光形状はメモ
リーに記憶させておき、必要に応じて最適のファイルを
引き出し、瞬時に最適の光源形状またはσ値で露光する
ことを可能にする。従って、変形照明の効果を最大限に
生かすることができ、年々微細になるLSIの設計ルー
ルの最小限界を拡張し、変形照明を量産技術に適用しや
すくする。
【0009】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【0010】図4は本発明の実施例を用いる縮小投影露
光装置を示す概略図である。光源61から発せられた露
光用の光(矢印で示す)は露光範囲内での照度ムラを無
くすために小さいレンズを縦横に貼り合せた蠅の目レン
ズ(フライアイレンズ)62を通して本発明のアパーチ
ャ63で所定の光源形状に変化した後、ミラー64で下
方向に反射され、コンデンサレンズ65、レチクルマス
ク66、投影レンズ67を通って半導体ウェハ68に縮
小投影照射される。
光装置を示す概略図である。光源61から発せられた露
光用の光(矢印で示す)は露光範囲内での照度ムラを無
くすために小さいレンズを縦横に貼り合せた蠅の目レン
ズ(フライアイレンズ)62を通して本発明のアパーチ
ャ63で所定の光源形状に変化した後、ミラー64で下
方向に反射され、コンデンサレンズ65、レチクルマス
ク66、投影レンズ67を通って半導体ウェハ68に縮
小投影照射される。
【0011】図1は本発明の第1の実施例のアパーチャ
10の要部を分解して斜視図的に示した図である。配線
11−1が接続され全ての液晶に共通の大きな面積の第
1の透明電極11上に液晶分子を表面に対して一定の配
向状態とする配向層である第1の配向層12が配置さ
れ、その上に円盤状の液晶13−1を中心にその周囲を
環状の液晶13−2,13−3,13−4が順に絶縁体
31を間に挟んで同心円状に配置されている。そしてこ
の液晶群上に第2の配向層14が配置され、その上に円
盤状の第2の透明電極15−1を中心にその周囲を環状
の第2の透明電極15−2,15−3,15−4が順に
絶縁体32を間に挟んで同心円状に配置されている。こ
の第2の透明電極15−1,15−2,15−3および
15−4と液晶13−1,13−2,13−3および1
3−4はそれぞれ同じ平面形状であり、第2の透明電極
はそれぞれの液晶上に第2の配向層14を介して重畳さ
れている。また、第2の透明電極にはそれぞれ配線16
−1,16−2,16−3,16−4が接続され層間絶
縁膜(図示省略)上を延在して外に引き出されている。
このようにして円盤状および環状の液晶はそれぞれが液
晶セルとなり、これらの部材による積層体の両面に絶縁
基板を配設して液晶セルによる液晶シャッターを具備し
たアパーチャが得られる。この絶縁基板は透明電極や配
向層と同様に露光用の光に対して透明の材料を使用す
る。
10の要部を分解して斜視図的に示した図である。配線
11−1が接続され全ての液晶に共通の大きな面積の第
1の透明電極11上に液晶分子を表面に対して一定の配
向状態とする配向層である第1の配向層12が配置さ
れ、その上に円盤状の液晶13−1を中心にその周囲を
環状の液晶13−2,13−3,13−4が順に絶縁体
31を間に挟んで同心円状に配置されている。そしてこ
の液晶群上に第2の配向層14が配置され、その上に円
盤状の第2の透明電極15−1を中心にその周囲を環状
の第2の透明電極15−2,15−3,15−4が順に
絶縁体32を間に挟んで同心円状に配置されている。こ
の第2の透明電極15−1,15−2,15−3および
15−4と液晶13−1,13−2,13−3および1
3−4はそれぞれ同じ平面形状であり、第2の透明電極
はそれぞれの液晶上に第2の配向層14を介して重畳さ
れている。また、第2の透明電極にはそれぞれ配線16
−1,16−2,16−3,16−4が接続され層間絶
縁膜(図示省略)上を延在して外に引き出されている。
このようにして円盤状および環状の液晶はそれぞれが液
晶セルとなり、これらの部材による積層体の両面に絶縁
基板を配設して液晶セルによる液晶シャッターを具備し
たアパーチャが得られる。この絶縁基板は透明電極や配
向層と同様に露光用の光に対して透明の材料を使用す
る。
【0012】これらの部材を石英、二酸化シリコン等の
絶縁基板17上にPR技術で積層形成しその上に絶縁基
板18を設けた第1の実施例のアパーチャ10の断面を
図2に示す。図2において、共通の第1の透明電極11
は配線11−1を通して固定電位例えば接地電位にす
る。一方、パソコン50内のメモリー制御部52により
制御されたメモリー51からの信号による選択回路53
の動作により、第2の透明電極のうち選択されとものに
配線16−1〜16−4を通して所定の電圧が印加さ
れ、これにより液晶セル13−1,13−2,13−3
および13−4のうち、一群の液晶セルを透明にし、残
りの一群の液晶セルを不透明のままにする。
絶縁基板17上にPR技術で積層形成しその上に絶縁基
板18を設けた第1の実施例のアパーチャ10の断面を
図2に示す。図2において、共通の第1の透明電極11
は配線11−1を通して固定電位例えば接地電位にす
る。一方、パソコン50内のメモリー制御部52により
制御されたメモリー51からの信号による選択回路53
の動作により、第2の透明電極のうち選択されとものに
配線16−1〜16−4を通して所定の電圧が印加さ
れ、これにより液晶セル13−1,13−2,13−3
および13−4のうち、一群の液晶セルを透明にし、残
りの一群の液晶セルを不透明のままにする。
【0013】図1および図2では円盤状の液晶セルのま
わりに3個の環状の液晶セルを同心に配設した場合を例
示したが、図3では中心(中央)の円盤状の液晶セル1
3−1のまわりに5個の環状の液晶セルを13−2,1
3−3,13−4,13−5および13−6を同心に配
設した場合を例示する。図3(A)は全ての液晶セルを
電圧印加により透明の状態とした場合であり、図3
(B)は液晶セル13−1〜13−4を電圧印加で透明
の状態とし液晶セル13−5および13−6を不透明の
状態のままとした場合であり、図3(C)は液晶セル1
3−4および13−5を電圧印加で透明の状態とし、液
晶セル13−1,13−2,13−3および13−6を
不透明の状態のままとした場合である。
わりに3個の環状の液晶セルを同心に配設した場合を例
示したが、図3では中心(中央)の円盤状の液晶セル1
3−1のまわりに5個の環状の液晶セルを13−2,1
3−3,13−4,13−5および13−6を同心に配
設した場合を例示する。図3(A)は全ての液晶セルを
電圧印加により透明の状態とした場合であり、図3
(B)は液晶セル13−1〜13−4を電圧印加で透明
の状態とし液晶セル13−5および13−6を不透明の
状態のままとした場合であり、図3(C)は液晶セル1
3−4および13−5を電圧印加で透明の状態とし、液
晶セル13−1,13−2,13−3および13−6を
不透明の状態のままとした場合である。
【0014】このように、この実施例によれば縮小投影
露光する種々のパターンに応じて最適な露光光の径、輪
帯の幅の大きさ等の露光光の形状や露光光のσ値を瞬時
に変更することができる。しかもこの実施例では液晶
(液晶セル)を円盤状と環状にしたのでその数は必要最
小限にすることができる。これにより上記選択回路を含
む周辺回路は簡素化され、またアパーチャは容易に製造
することが出来る。尚、選択回路を含む周辺回路をアパ
ーチャにその一部として組み込んでもよい。
露光する種々のパターンに応じて最適な露光光の径、輪
帯の幅の大きさ等の露光光の形状や露光光のσ値を瞬時
に変更することができる。しかもこの実施例では液晶
(液晶セル)を円盤状と環状にしたのでその数は必要最
小限にすることができる。これにより上記選択回路を含
む周辺回路は簡素化され、またアパーチャは容易に製造
することが出来る。尚、選択回路を含む周辺回路をアパ
ーチャにその一部として組み込んでもよい。
【0015】次に図5は本発明の第2の実施例のアパー
チャ70を示す一部断面図を含む斜視図である。石英等
の絶縁基板77上に複数の第1の透明電極71がたがい
の間に絶縁体81をはさんでY方向に延在し、その上に
第1の配向層72が配置されている。第1の配向層上に
間に絶縁体83をはさんで小四角形状の多数の液晶73
がメッシュ状(マトリックス状)に配列されている。こ
の液晶73は対応する第1の透明電極71の上に第1の
配向層72を介して重畳位置している。この液晶群73
上に第2の配向層74が配設されその上に絶縁体82を
たがいの間にはさんで複数の第2の透明電極75がX方
向を、対応する液晶73上を重畳して延在している。そ
してこの第2の透明電極75上に絶縁基板78が配設さ
れている。
チャ70を示す一部断面図を含む斜視図である。石英等
の絶縁基板77上に複数の第1の透明電極71がたがい
の間に絶縁体81をはさんでY方向に延在し、その上に
第1の配向層72が配置されている。第1の配向層上に
間に絶縁体83をはさんで小四角形状の多数の液晶73
がメッシュ状(マトリックス状)に配列されている。こ
の液晶73は対応する第1の透明電極71の上に第1の
配向層72を介して重畳位置している。この液晶群73
上に第2の配向層74が配設されその上に絶縁体82を
たがいの間にはさんで複数の第2の透明電極75がX方
向を、対応する液晶73上を重畳して延在している。そ
してこの第2の透明電極75上に絶縁基板78が配設さ
れている。
【0016】このように第2の実施例では第1および第
2の透明電極が交差するそれぞれの個所に、両電極に第
1および第2の配向層を介してはさまれて液晶73をそ
れぞれ配置し、これによる液晶セル73は図6に示すよ
うにメッシュ状に配列したものとなっている。
2の透明電極が交差するそれぞれの個所に、両電極に第
1および第2の配向層を介してはさまれて液晶73をそ
れぞれ配置し、これによる液晶セル73は図6に示すよ
うにメッシュ状に配列したものとなっている。
【0017】このような第2の実施例では、図7に示す
ように、パソコン50のメモリー51からの信号がY軸
駆動回路54およびX軸駆動回路55に送られ、複数の
第1および第2の透明電極71,75のうち選択的に選
ばれたそれぞれの透明電極に電圧を印加する。液晶は普
段は不透明であるが、第1および第2の透明電極の両方
に電圧が印加された場合は、それにより所定の電位差が
発生して透明となる。したがって、電圧が印加された第
1の透明電極71と電圧が印加された第2の透明電極7
5とが交差する位置にある液晶セル73のみが透明とな
る。
ように、パソコン50のメモリー51からの信号がY軸
駆動回路54およびX軸駆動回路55に送られ、複数の
第1および第2の透明電極71,75のうち選択的に選
ばれたそれぞれの透明電極に電圧を印加する。液晶は普
段は不透明であるが、第1および第2の透明電極の両方
に電圧が印加された場合は、それにより所定の電位差が
発生して透明となる。したがって、電圧が印加された第
1の透明電極71と電圧が印加された第2の透明電極7
5とが交差する位置にある液晶セル73のみが透明とな
る。
【0018】電圧を印加する透明電極のON,OFFプ
ログラムをメモリーに記憶しておけば、ファイルを選択
するだけで電気的に順次に種々の形状の露光光で半導体
ウェハを露光することができる。
ログラムをメモリーに記憶しておけば、ファイルを選択
するだけで電気的に順次に種々の形状の露光光で半導体
ウェハを露光することができる。
【0019】例えば、図8(A)は不透明の液晶セル群
73’’のなかに環状形に透明の液晶セル群73’を形
成した場合で、これにより半導体ウェハに輪帯状の形状
の露光光が照射される。図8(B)は不透明の液晶セル
群73’’のなかの4箇所に透明の液晶セル群73’形
成した場合で、これにより半導体ウェハに四分割の形状
の露光光が照射される。図8(C)は不透明の液晶セル
群73’’のなかの2箇所に透明の液晶セル群73’形
成した場合で、これにより半導体ウェハに二分割の形状
の露光光が照射される。
73’’のなかに環状形に透明の液晶セル群73’を形
成した場合で、これにより半導体ウェハに輪帯状の形状
の露光光が照射される。図8(B)は不透明の液晶セル
群73’’のなかの4箇所に透明の液晶セル群73’形
成した場合で、これにより半導体ウェハに四分割の形状
の露光光が照射される。図8(C)は不透明の液晶セル
群73’’のなかの2箇所に透明の液晶セル群73’形
成した場合で、これにより半導体ウェハに二分割の形状
の露光光が照射される。
【0020】この第2の実施例は第1の実施例よりも
X,Y駆動回路を含む周辺回路が複雑となり、アパーチ
ャの製造も複雑となるが、露光光の形状選択の汎用性が
大となる。
X,Y駆動回路を含む周辺回路が複雑となり、アパーチ
ャの製造も複雑となるが、露光光の形状選択の汎用性が
大となる。
【0021】
【発明の効果】本発明は従来のメカニカルなアパーチャ
と異なり、光学系に損傷を与えることなく輪帯状または
メッシュ状の液晶シャッターを用いることで電気的に瞬
時に最適な光源形状(またσ値)に変えて露光すること
を可能にするため、変形照明の効果を最大限に生かすこ
とができ、LSIの設計ルールを更に微細にすることに
貢献する。また変形照明を量産技術へ適用しやすくす
る。
と異なり、光学系に損傷を与えることなく輪帯状または
メッシュ状の液晶シャッターを用いることで電気的に瞬
時に最適な光源形状(またσ値)に変えて露光すること
を可能にするため、変形照明の効果を最大限に生かすこ
とができ、LSIの設計ルールを更に微細にすることに
貢献する。また変形照明を量産技術へ適用しやすくす
る。
【図1】本発明の第1の実施例のアパーチャの要部を分
解して斜視図的に示した図である。
解して斜視図的に示した図である。
【図2】第1の実施例のアパーチャの断面図および制御
装置の概要を示すブロック図である。
装置の概要を示すブロック図である。
【図3】第1の実施例の動作例を示す図である。
【図4】本発明のアパーチャを用いる縮小投影露光装置
の概要を示す図である。
の概要を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施例のアパーチャを示す一部
断面図を含む斜視図である。
断面図を含む斜視図である。
【図6】第2の実施例の液晶セルの配列を示す図であ
る。
る。
【図7】第2の実施例の制御装置の概要を示すブロック
図である。
図である。
【図8】第2の実施例の動作例を示す図である。
【図9】従来技術を示す図である。
10,63,70,91 アパーチャ 11,71 第1の透明電極 11−1 配線 12,72 第1の配向層 13−1〜13−6,73 液晶セル(液晶) 14,74 第2の配向層 15−1〜15−4,75 第2の透明電極 16−1〜16−4 配線 31,32,81,82,83 絶縁体 17,18,77,78 絶縁基板 50 パソコン 51 メモリー 52 メモリー制御部 53 選択回路 54 Y軸駆動回路 55 X軸駆動回路 61 光源 62 蠅の目レンズ 64 ミラー 65 コンデンサレンズ 66 レチクルマスク 67 投影レンズ 68 半導体ウェハ 73’ 透明状態の液晶セル群 73’’ 不透明状態の液晶セル群 90 円板
Claims (2)
- 【請求項1】 縮小投影露光装置用の蠅の目レンズとレ
チクルマスク間に設けたアパーチャにおいて、たがいに
大きさが異なる複数の液晶セルを輪帯状に配置した液晶
シャッターを用い、前記複数の液晶セルへの電圧印加組
合せにより電気的に瞬時に最適の光源形状に変化させる
ことを可能としたことを特徴とする縮小投影露光装置用
のアパーチャ。 - 【請求項2】 縮小投影露光装置用の蠅の目レンズとレ
チクルマスク間に設けたアパーチャにおいて、複数の液
晶セルをメッシュ状に配置した液晶シャッターを用い、
前記複数の液晶セルへの電圧印加組合せにより電気的に
瞬時に最適の光源形状に変化させることを可能としたこ
とを特徴とする縮小投影露光装置用のアパーチャ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067259A JPH06283404A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 縮小投影露光装置用のアパーチャ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067259A JPH06283404A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 縮小投影露光装置用のアパーチャ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283404A true JPH06283404A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13339785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067259A Pending JPH06283404A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 縮小投影露光装置用のアパーチャ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152607A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Asml Netherlands Bv | デバイス制御方法及び装置 |
| JP2012160762A (ja) * | 2006-01-27 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150330A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Hoya Corp | 露光装置用照度補正板 |
| JPS645433B2 (ja) * | 1982-03-25 | 1989-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5067259A patent/JPH06283404A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645433B2 (ja) * | 1982-03-25 | 1989-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61150330A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Hoya Corp | 露光装置用照度補正板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012160762A (ja) * | 2006-01-27 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009152607A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Asml Netherlands Bv | デバイス制御方法及び装置 |
| US8089672B2 (en) | 2007-12-20 | 2012-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Array element device control method and apparatus |
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