JPH06283659A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06283659A JPH06283659A JP5066763A JP6676393A JPH06283659A JP H06283659 A JPH06283659 A JP H06283659A JP 5066763 A JP5066763 A JP 5066763A JP 6676393 A JP6676393 A JP 6676393A JP H06283659 A JPH06283659 A JP H06283659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus bar
- lead
- semiconductor chip
- semiconductor device
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、装置全体を薄形化するとともに、
リード４用のボンディングワイヤ６がバスバー３に接触
するのを防止して信頼性を向上させることを目的とする
ものである。 【構成】 バスバー３上に絶縁体膜を介してリード４を
重ね合わせ、バスバー３とリード４とを一体化し、ボン
ディングワイヤ５，６を最短距離で接続するようにし
た。
リード４用のボンディングワイヤ６がバスバー３に接触
するのを防止して信頼性を向上させることを目的とする
ものである。 【構成】 バスバー３上に絶縁体膜を介してリード４を
重ね合わせ、バスバー３とリード４とを一体化し、ボン
ディングワイヤ５，６を最短距離で接続するようにし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特にＬＳＩの高密度実装のためのＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏ
ｎ Ｃｈｉｐ）構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
特にＬＳＩの高密度実装のためのＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏ
ｎ Ｃｈｉｐ）構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置の一例を示す平
面図、図７は図６のＶII−ＶII線に沿う断面図である。
図において、１は半導体チップ（ＬＳＩチップ）、２は
半導体チップ１上に設けられた複数のパッド、３は半導
体チップ１上に間隔をおいて配置された互いに平行な２
本のバスバーであり、これらのバスバー３は、共通電極
として働く。４はバスバー３と同一平面内にバスバー３
と直交する方向へ向けて配置されている複数のリード、
５，６はそれぞれパッド２とバスバー３及びリード４と
を接続するボンディングワイヤ（金ワイヤ）である。な
お、樹脂等の封止材料については図示を省略した。
面図、図７は図６のＶII−ＶII線に沿う断面図である。
図において、１は半導体チップ（ＬＳＩチップ）、２は
半導体チップ１上に設けられた複数のパッド、３は半導
体チップ１上に間隔をおいて配置された互いに平行な２
本のバスバーであり、これらのバスバー３は、共通電極
として働く。４はバスバー３と同一平面内にバスバー３
と直交する方向へ向けて配置されている複数のリード、
５，６はそれぞれパッド２とバスバー３及びリード４と
を接続するボンディングワイヤ（金ワイヤ）である。な
お、樹脂等の封止材料については図示を省略した。
【０００３】上記のような従来のＬＯＣ構造の半導体装
置においては、半導体チップ１上に配されたバスバー３
とリード４とは端部でそれぞれ一体化されており、必要
なパッド２とそれに対応するバスバー３又はリード５と
がボンディングワイヤ５，６によって接続される。通
常、バスバー３は電源線及びグランド線に用いられ、半
導体チップ１には、任意の場所で自由に電源及びグラン
ドが供給される。このため、信号線用のリード４と同一
面上に２本のバスバー３が配置されている。
置においては、半導体チップ１上に配されたバスバー３
とリード４とは端部でそれぞれ一体化されており、必要
なパッド２とそれに対応するバスバー３又はリード５と
がボンディングワイヤ５，６によって接続される。通
常、バスバー３は電源線及びグランド線に用いられ、半
導体チップ１には、任意の場所で自由に電源及びグラン
ドが供給される。このため、信号線用のリード４と同一
面上に２本のバスバー３が配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体装置においては、パッド２とリード４と
を接続するボンディングワイヤ６がバスバー３を越えて
大きな弧を描いて延びているので、そのボンディングワ
イヤ６が装置全体の薄形化の妨げになり、またそのボン
ディングワイヤ６がバスバー３に接触する危険性がある
などの問題点があった。
た従来の半導体装置においては、パッド２とリード４と
を接続するボンディングワイヤ６がバスバー３を越えて
大きな弧を描いて延びているので、そのボンディングワ
イヤ６が装置全体の薄形化の妨げになり、またそのボン
ディングワイヤ６がバスバー３に接触する危険性がある
などの問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、装置全体を薄
形化することができるとともに、リードに接続されたボ
ンディングワイヤがバスバーに接触するのを防止するこ
とができ、信頼性を向上させることができる半導体装置
を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、装置全体を薄
形化することができるとともに、リードに接続されたボ
ンディングワイヤがバスバーに接触するのを防止するこ
とができ、信頼性を向上させることができる半導体装置
を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体装置は、リードとバスバーとを絶縁体を介して互い
に重ね合わせたものである。
導体装置は、リードとバスバーとを絶縁体を介して互い
に重ね合わせたものである。
【０００７】請求項２の発明に係る半導体装置は、バス
バーのワイヤボンド領域以外を絶縁体で被覆し、このバ
スバーにリードを重ね合わせたものである。
バーのワイヤボンド領域以外を絶縁体で被覆し、このバ
スバーにリードを重ね合わせたものである。
【０００８】請求項３の発明に係る半導体装置は、絶縁
体を介してバスバーを半導体チップ上に重ね、さらにそ
のバスバー上に絶縁体を介してリードを重ね合わせたも
のである。
体を介してバスバーを半導体チップ上に重ね、さらにそ
のバスバー上に絶縁体を介してリードを重ね合わせたも
のである。
【０００９】
【作用】請求項１の発明においては、バスバーとリード
とを重ねたので、バスバーの影響なしにリードへのワイ
ヤボンディングが行える。
とを重ねたので、バスバーの影響なしにリードへのワイ
ヤボンディングが行える。
【００１０】請求項２の発明においては、バスバーのワ
イヤボンド領域以外を絶縁体で被覆することにより、リ
ードに接続されるボンディングワイヤがバスバーに電気
的に接続されるのをより確実に防止する。
イヤボンド領域以外を絶縁体で被覆することにより、リ
ードに接続されるボンディングワイヤがバスバーに電気
的に接続されるのをより確実に防止する。
【００１１】請求項３の発明において、バスバーを半導
体チップ上に接合することにより、装置全体を薄形化す
る。
体チップ上に接合することにより、装置全体を薄形化す
る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体装置を示す平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面
図、図３は図１のIII−III線に沿う断面図である。図に
おいて、バスバー３上には、絶縁体膜１１を介してリー
ド４が重ねられている。このリード４は、従来同様にバ
スバー３と直交する方向に向けて配置されている。他の
構成は、従来例と同様である。
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体装置を示す平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面
図、図３は図１のIII−III線に沿う断面図である。図に
おいて、バスバー３上には、絶縁体膜１１を介してリー
ド４が重ねられている。このリード４は、従来同様にバ
スバー３と直交する方向に向けて配置されている。他の
構成は、従来例と同様である。
【００１３】このような半導体装置では、半導体チップ
１上に配置されたバスバー３とリード４とが絶縁体膜１
１によって一体化されており、リード４がバスバー３を
オーバーラップする形になっているので、バスバー３及
びリード４へのワイヤボンディング時に、お互いのボン
ディングを阻害することなく、最短距離で自由に接続で
きる。従って、リード４用のボンディングワイヤ６が必
要以上に大きな弧を描くこともなく、装置全体が薄形化
されるとともに、ボンディングワイヤ６がバスバー３に
接触するのが防止される。
１上に配置されたバスバー３とリード４とが絶縁体膜１
１によって一体化されており、リード４がバスバー３を
オーバーラップする形になっているので、バスバー３及
びリード４へのワイヤボンディング時に、お互いのボン
ディングを阻害することなく、最短距離で自由に接続で
きる。従って、リード４用のボンディングワイヤ６が必
要以上に大きな弧を描くこともなく、装置全体が薄形化
されるとともに、ボンディングワイヤ６がバスバー３に
接触するのが防止される。
【００１４】また、バスバー３とリード４とを一体化し
たことにより、バスバー３及びリード４の機械的な強度
が高まり、ボンディング時の作業性が著しく改善され
る。
たことにより、バスバー３及びリード４の機械的な強度
が高まり、ボンディング時の作業性が著しく改善され
る。
【００１５】なお、上記実施例１ではバスバー３とリー
ド４との重なり領域のみに絶縁体膜１１を挟んで両者を
電気的に絶縁しているが、リード４の裏面全体を絶縁体
で覆い、これによりバスバー３との絶縁を保つようにし
てもよく、この場合には、バスバー３の絶縁性を考慮す
る必要はない。
ド４との重なり領域のみに絶縁体膜１１を挟んで両者を
電気的に絶縁しているが、リード４の裏面全体を絶縁体
で覆い、これによりバスバー３との絶縁を保つようにし
てもよく、この場合には、バスバー３の絶縁性を考慮す
る必要はない。
【００１６】また、バスバー３の上面全体を絶縁体で覆
うことによっても、リード４との電気的絶縁を保つこと
が可能である。この場合には、バスバー３へのボンディ
ングワイヤ５の接続が必要な箇所に、エッチング等によ
って電気的接続のための穴を開けておく必要がある。な
お、リード４側の絶縁の処理は、必ずしも必要ではな
い。
うことによっても、リード４との電気的絶縁を保つこと
が可能である。この場合には、バスバー３へのボンディ
ングワイヤ５の接続が必要な箇所に、エッチング等によ
って電気的接続のための穴を開けておく必要がある。な
お、リード４側の絶縁の処理は、必ずしも必要ではな
い。
【００１７】実施例２．次に、図４は請求項２及び請求
項３の発明の一実施例による半導体装置を示す平面図、
図５は図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図におい
て、バスバー３は、ワイヤボンド領域３ａを除いて絶縁
体膜１１により覆われており、半導体チップ１上に重ね
られている。即ち、この実施例２のバスバー３は、半導
体チップ１とリード４との間のスペーサとして用いられ
ている。
項３の発明の一実施例による半導体装置を示す平面図、
図５は図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図におい
て、バスバー３は、ワイヤボンド領域３ａを除いて絶縁
体膜１１により覆われており、半導体チップ１上に重ね
られている。即ち、この実施例２のバスバー３は、半導
体チップ１とリード４との間のスペーサとして用いられ
ている。
【００１８】このような半導体装置では、バスバー３の
全体が絶縁体膜１１で覆われているため、リード４用の
ボンディングワイヤ６がバスバー３に電気的に接続され
るのがより確実に防止されるとともに、バスバー３とリ
ード４との絶縁もより確実に保たれ、信頼性が向上す
る。さらに、バスバー３を半導体チップ１上に重ねてい
るので、装置全体がさらに薄形化される。
全体が絶縁体膜１１で覆われているため、リード４用の
ボンディングワイヤ６がバスバー３に電気的に接続され
るのがより確実に防止されるとともに、バスバー３とリ
ード４との絶縁もより確実に保たれ、信頼性が向上す
る。さらに、バスバー３を半導体チップ１上に重ねてい
るので、装置全体がさらに薄形化される。
【００１９】なお、半導体チップ１上にバスバー３を重
ねた構造とするためには、バスバー３と半導体チップ１
との間、及びバスバー３とリード４との間に絶縁体を設
ければよく、必ずしもバスバー３全体を絶縁体で覆う必
要はない。
ねた構造とするためには、バスバー３と半導体チップ１
との間、及びバスバー３とリード４との間に絶縁体を設
ければよく、必ずしもバスバー３全体を絶縁体で覆う必
要はない。
【００２０】また、上記各実施例ではリード４の下側に
バスバー３を配置しているが、場合によっては、逆にリ
ード４の上側にバスバー３を配置することも可能であ
る。
バスバー３を配置しているが、場合によっては、逆にリ
ード４の上側にバスバー３を配置することも可能であ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体装置は、リードとバスバーとを絶縁体を介して互
いに重ね合わせたので、装置全体を薄形化することがで
きるとともに、リードに接続されたボンディングワイヤ
がバスバーに接触するのを防止することができ、信頼性
を向上させることができるなどの効果を奏する。また、
バスバーとリードとを一体化することにより、バスバー
及びリードの機械的な強度が高まり、効率の良い安定し
たワイヤボンドを行うことができ、品質を向上させるこ
とができるという効果も奏する。
半導体装置は、リードとバスバーとを絶縁体を介して互
いに重ね合わせたので、装置全体を薄形化することがで
きるとともに、リードに接続されたボンディングワイヤ
がバスバーに接触するのを防止することができ、信頼性
を向上させることができるなどの効果を奏する。また、
バスバーとリードとを一体化することにより、バスバー
及びリードの機械的な強度が高まり、効率の良い安定し
たワイヤボンドを行うことができ、品質を向上させるこ
とができるという効果も奏する。
【００２２】請求項２の発明の半導体装置は、バスバー
のワイヤボンド領域以外を絶縁体で被覆し、このバスバ
ーにリードを重ね合わせたので、上記請求項１の発明と
同様の効果に加えて、リード用のボンディングワイヤと
バスバーとの絶縁及びバスバーとリードとの絶縁をより
確実に保つことができ、信頼性を一層向上させることが
できるという効果を奏する。
のワイヤボンド領域以外を絶縁体で被覆し、このバスバ
ーにリードを重ね合わせたので、上記請求項１の発明と
同様の効果に加えて、リード用のボンディングワイヤと
バスバーとの絶縁及びバスバーとリードとの絶縁をより
確実に保つことができ、信頼性を一層向上させることが
できるという効果を奏する。
【００２３】請求項３の発明の半導体装置は、絶縁体を
介してバスバーを半導体チップ上に重ね、さらにそのバ
スバー上に絶縁体を介してリードを重ね合わせたので、
上記請求項１の発明と同様の効果に加えて、装置全体を
さらに薄形化することができるという効果を奏する。
介してバスバーを半導体チップ上に重ね、さらにそのバ
スバー上に絶縁体を介してリードを重ね合わせたので、
上記請求項１の発明と同様の効果に加えて、装置全体を
さらに薄形化することができるという効果を奏する。
【図１】請求項の発明の一実施例による半導体装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】請求項２及び請求項３の発明の一実施例による
半導体装置を示す平面図である。
半導体装置を示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】従来の半導体装置の一例を示す平面図である。
【図７】図６のＶII−ＶII線に沿う断面図である。
１ 半導体チップ ２ パッド ３ バスバー ３ａ ワイヤボンド領域 ４ リード ５ ボンディングワイヤ ６ ボンディングワイヤ １１ 絶縁体膜（絶縁体）
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のパッドを有する半導体チップと、
この半導体チップ上に間隔をおいて配置されたバスバー
と、このバスバーに絶縁体を介して重ねられているとと
もに上記バスバーと交差する方向に延びているリード
と、上記パッドと上記バスバー及び上記リードとをそれ
ぞれ接続しているボンディングワイヤとを備えているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 複数のパッドを有する半導体チップと、
ワイヤボンド領域を除いて絶縁体で覆われており上記半
導体チップ上に間隔をおいて配置されているバスバー
と、このバスバーに重ねられているとともに上記バスバ
ーと交差する方向に延びているリードと、上記パッドと
上記バスバー及び上記リードとを接続しているボンディ
ングワイヤとを備えていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項３】 複数のパッドを有する半導体チップと、
この半導体チップ上に絶縁体を介して重ねられているバ
スバーと、このバスバー上に絶縁体を介して重ねられて
いるとともに上記バスバーと交差する方向に延びている
リードと、上記パッドと上記バスバー及び上記リードと
を接続しているボンディングワイヤとを備えていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066763A JPH06283659A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066763A JPH06283659A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283659A true JPH06283659A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13325251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066763A Pending JPH06283659A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316405A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Lg Semicon Co Ltd | Ｌｏｃ半導体パッケージ及び半導体装置のパッケージング方法 |
| EP0867938A3 (en) * | 1997-03-28 | 1999-03-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device comprising electrode pads and leads |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP5066763A patent/JPH06283659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316405A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Lg Semicon Co Ltd | Ｌｏｃ半導体パッケージ及び半導体装置のパッケージング方法 |
| EP0867938A3 (en) * | 1997-03-28 | 1999-03-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device comprising electrode pads and leads |
| US6137166A (en) * | 1997-03-28 | 2000-10-24 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
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