JPH06293690A - 液晶化合物および組成物 - Google Patents
液晶化合物および組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式
【化1】
〔R1は炭素数4〜12のアルキル基、Aは1〜2個の
フッ素原子で置換された1,4-フェニレン基、nは1
〜12の整数 、R2は炭素数1〜12のアルキル基また
は水素原子〕で示される液晶化合物および液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分として用いることにより、粘度を低
下させ、高速応答を可能にすることができる。
フッ素原子で置換された1,4-フェニレン基、nは1
〜12の整数 、R2は炭素数1〜12のアルキル基また
は水素原子〕で示される液晶化合物および液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分として用いることにより、粘度を低
下させ、高速応答を可能にすることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子などに用
いる液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物およ
びこの液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に
詳しくは、キラルでないスメクチックC相(以下、Sc
相と略称する)を示す新規なトラン系液晶化合物および
この液晶化合物を含有する強誘電性液晶組成物を提供す
るものである。
いる液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物およ
びこの液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に
詳しくは、キラルでないスメクチックC相(以下、Sc
相と略称する)を示す新規なトラン系液晶化合物および
この液晶化合物を含有する強誘電性液晶組成物を提供す
るものである。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいこと等が挙げられる。しかし、これら条件を
単独で満足するSc*相を示す液晶化合物は現在知られ
ておらず、混合によりこれらを満足させる努力がなされ
ている。また、新規なSc*相を示す液晶化合物の開発
も進められている。一方、Sc*相を示す液晶組成物
(以下、Sc*液晶組成物という)の調製方法として、
強誘電性を示さず、キラルでないSc相を示す液晶化合
物または組成物にキラルな化合物を添加する方法もあ
り、Sc相を示す液晶化合物の開発も進められている。
従来、トラン系液晶化合物としては、4−アルコキシ−
4’−アルケニルオキシトラン(特表昭63−5022
84号公報記載)、4−アルコキシ−3’−フルオロ−
4’−アルコキシトラン(特開平3−223225号公
報記載)などが知られている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいこと等が挙げられる。しかし、これら条件を
単独で満足するSc*相を示す液晶化合物は現在知られ
ておらず、混合によりこれらを満足させる努力がなされ
ている。また、新規なSc*相を示す液晶化合物の開発
も進められている。一方、Sc*相を示す液晶組成物
(以下、Sc*液晶組成物という)の調製方法として、
強誘電性を示さず、キラルでないSc相を示す液晶化合
物または組成物にキラルな化合物を添加する方法もあ
り、Sc相を示す液晶化合物の開発も進められている。
従来、トラン系液晶化合物としては、4−アルコキシ−
4’−アルケニルオキシトラン(特表昭63−5022
84号公報記載)、4−アルコキシ−3’−フルオロ−
4’−アルコキシトラン(特開平3−223225号公
報記載)などが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記のトラン系
液晶化合物のうち、前者はネマチック液晶組成物用に開
発されたものであり、Sc相としての優れた効果を予想
できるものではない。また後者はSc相を示し、かつ低
粘度であるが、高速表示の液晶表示素子を得るため、よ
り低粘度の化合物が要望されている。
液晶化合物のうち、前者はネマチック液晶組成物用に開
発されたものであり、Sc相としての優れた効果を予想
できるものではない。また後者はSc相を示し、かつ低
粘度であるが、高速表示の液晶表示素子を得るため、よ
り低粘度の化合物が要望されている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Sc相を
示し、上記化合物よりも低粘度である液晶化合物につい
て鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新規
な液晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本発
明は、下記一般式(1)
示し、上記化合物よりも低粘度である液晶化合物につい
て鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新規
な液晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本発
明は、下記一般式(1)
【0005】
【化2】
【0006】〔式中、R1は炭素数4〜12のアルキル
基を表し、Aは1〜2個のフッ素原子で置換された1,
4-フェニレン基を表し、nは1〜12の整数を表し、
R2は炭素数1〜12のアルキル基または水素原子を表
す〕で示される液晶化合物;並びにこの液晶化合物を少
なくとも一種含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
基を表し、Aは1〜2個のフッ素原子で置換された1,
4-フェニレン基を表し、nは1〜12の整数を表し、
R2は炭素数1〜12のアルキル基または水素原子を表
す〕で示される液晶化合物;並びにこの液晶化合物を少
なくとも一種含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
【0007】一般式(1)中、R1で表される炭素数4
〜12のアルキル基の具体例としては、n−ブチル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基 、
n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウ
ンデシル基、n−ドデシル基などが挙げられ、これらの
うち好ましいものは、炭素数6〜10のアルキル基であ
る。
〜12のアルキル基の具体例としては、n−ブチル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基 、
n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウ
ンデシル基、n−ドデシル基などが挙げられ、これらの
うち好ましいものは、炭素数6〜10のアルキル基であ
る。
【0008】nは好ましくは、1〜10の整数である。
【0009】R2で表される炭素数1〜12のアルキル
基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル
基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、
n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基など
が挙げられ、これらのうち好ましいものは、水素原子お
よび炭素数1〜10のアルキル基である。本発明の液晶
化合物の具体例としては、表1〜表2に示すような基を
有する化合物が挙げられる。
基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル
基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、
n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基など
が挙げられ、これらのうち好ましいものは、水素原子お
よび炭素数1〜10のアルキル基である。本発明の液晶
化合物の具体例としては、表1〜表2に示すような基を
有する化合物が挙げられる。
【0010】
【表1】
【0011】
【表2】
【0012】表1〜表2中、各記号はそれぞれ以下の基
を表す。 ETY;C2H5- PRO;n-C3H9 BU
T;n-C4H9- PEN;n-C5H11- HEX;n-C6H13- HE
P;n-C7H15- OCT;n-C8H17- NON;n-C9H19- DE
C;n-C10H21
を表す。 ETY;C2H5- PRO;n-C3H9 BU
T;n-C4H9- PEN;n-C5H11- HEX;n-C6H13- HE
P;n-C7H15- OCT;n-C8H17- NON;n-C9H19- DE
C;n-C10H21
【0013】本発明の化合物は、例えば次に示す工程を
経て合成できる〔下記式中R1 、nおよびR2 は一般式
(1)の場合と同一である〕。
経て合成できる〔下記式中R1 、nおよびR2 は一般式
(1)の場合と同一である〕。
【0014】
【化3】
【0015】すなわち、一般式(2)で示されるブロム
体を、水酸化ナトリウムの存在下、一般式(3)で示さ
れる化合物と反応させることにより、本発明の化合物で
ある一般式(1)の化合物を得ることができる。
体を、水酸化ナトリウムの存在下、一般式(3)で示さ
れる化合物と反応させることにより、本発明の化合物で
ある一般式(1)の化合物を得ることができる。
【0016】あるいは次の工程を経ても合成できる。
【0017】
【化4】
【0018】すなわち、一般式(4)で示されるアルコ
ールを、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニ
ルホスフィンの存在下、一般式(3)の化合物と反応さ
せることにより、本発明の化合物である一般式(1)の
化合物を得ることができる。
ールを、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニ
ルホスフィンの存在下、一般式(3)の化合物と反応さ
せることにより、本発明の化合物である一般式(1)の
化合物を得ることができる。
【0019】一般式(4)で示されるアルコールは、あ
るものは市販されており、またあるものは対応するアル
デヒドを水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアル
ミニウムあるいは水素化ジイソブチルアルミニウム等を
用いて還元することにより得ることができる。
るものは市販されており、またあるものは対応するアル
デヒドを水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアル
ミニウムあるいは水素化ジイソブチルアルミニウム等を
用いて還元することにより得ることができる。
【0020】またR2が水素原子の場合、次の工程を経
ても合成できる。
ても合成できる。
【0021】
【化5】
【0022】すなわち、一般式(5)で示されるジブロ
ム体を、水酸化ナトリウムの存在下、一般式(3)の化
合物と反応させることにより得た一般式(6)の化合物
にカリウム-t-ブトキシドを作用させることにより、本
発明の化合物である一般式(1’)の化合物を得ること
ができる。
ム体を、水酸化ナトリウムの存在下、一般式(3)の化
合物と反応させることにより得た一般式(6)の化合物
にカリウム-t-ブトキシドを作用させることにより、本
発明の化合物である一般式(1’)の化合物を得ること
ができる。
【0023】一般式(3)で示される化合物は、例えば
以下の工程を経て合成できる〔下記式中R1 は一般式
(1)の場合と同一である〕。 (I)Aが一置換体の場合
以下の工程を経て合成できる〔下記式中R1 は一般式
(1)の場合と同一である〕。 (I)Aが一置換体の場合
【0024】
【化6】
【0025】すなわち、4-ブロモ-2-フルオロフェノ
ールと塩化アセチルを反応させて得た4-アセトキシ-3
-フルオロブロモベンゼンと一般式(7)で表される4-
アルコキシフェニルアセチレンをパラジウム触媒の存在
下反応させることにより一般式 (8)の化合物を得る
ことができる。一般式(8)の化合物をアルカリで加水
分解することにより本発明の化合物の原料である一般式
(3a)の化合物を得ることができる。 (II)Aが二置換体の場合
ールと塩化アセチルを反応させて得た4-アセトキシ-3
-フルオロブロモベンゼンと一般式(7)で表される4-
アルコキシフェニルアセチレンをパラジウム触媒の存在
下反応させることにより一般式 (8)の化合物を得る
ことができる。一般式(8)の化合物をアルカリで加水
分解することにより本発明の化合物の原料である一般式
(3a)の化合物を得ることができる。 (II)Aが二置換体の場合
【0026】
【化7】
【0027】すなわち、2,3-ジフルオロフェノール
をヨウ化ナトリウムと次亜塩素酸ナトリウムを用いてヨ
ウ素化することにより2,3-ジフルオロ-4-ヨードフ
ェノールを得ることができる。2,3-ジフルオロ-4-
ヨードフェノールと塩化アセチルを反応させて得た4-
アセトキシ-2,3-ジフルオロヨードベンゼンと一般式
(7)で表される4-アルコキシフェニルアセチレンを
パラジウム触媒の存在下反応させることにより一般式
(9)の化合物を得ることができる。一般式(9)の化
合物をアルカリで加水分解することにより本発明の化合
物の原料である一般式(3b)の化合物を得ることがで
きる。
をヨウ化ナトリウムと次亜塩素酸ナトリウムを用いてヨ
ウ素化することにより2,3-ジフルオロ-4-ヨードフ
ェノールを得ることができる。2,3-ジフルオロ-4-
ヨードフェノールと塩化アセチルを反応させて得た4-
アセトキシ-2,3-ジフルオロヨードベンゼンと一般式
(7)で表される4-アルコキシフェニルアセチレンを
パラジウム触媒の存在下反応させることにより一般式
(9)の化合物を得ることができる。一般式(9)の化
合物をアルカリで加水分解することにより本発明の化合
物の原料である一般式(3b)の化合物を得ることがで
きる。
【0028】一般式(7)で示される化合物は、文献記
載の方法(例えば特開平3-223225号公報)によ
り得ることができる。
載の方法(例えば特開平3-223225号公報)によ
り得ることができる。
【0029】一般に、液晶化合物は2種以上の多成分か
らなる液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶
化合物も液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の液晶組成物としては、例えば、Sc
相を示す液晶組成物〔1〕およびSc*相を示す液晶組
成物〔2〕が挙げられるが、好ましくはSc*相を示す
液晶組成物である。
らなる液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶
化合物も液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の液晶組成物としては、例えば、Sc
相を示す液晶組成物〔1〕およびSc*相を示す液晶組
成物〔2〕が挙げられるが、好ましくはSc*相を示す
液晶組成物である。
【0030】本発明の液晶組成物〔1〕には、本発明の
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して他のSc相を示す液晶化合物(2-4’-アルキルオ
キシフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルフェニル-5-アルキルオキシピリミジン、2-4’-ア
ルキルオキシオキシフェニル-5-アルキルオキシピリミ
ジン、2-p-アルキルオキシカルボニルフェニル-5-ア
ルキルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-3’-フル
オロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-2’,3’-ジフルオロフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’- アルキルオキシフェニル-5-ア
ルキルピリジン、2-4’-アルキルオキシ-3’-フルオ
ロフェニル-5-アルキルピリジン等)、Sc相を示さな
いスメクチック液晶化合物およびネマチック相を示す液
晶化合物から選ばれる化合物を含んだ混合物である。本
発明の液晶組成物〔1〕中、本発明の液晶化合物1種以
上の含有量は通常5〜90重量%である。
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して他のSc相を示す液晶化合物(2-4’-アルキルオ
キシフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルフェニル-5-アルキルオキシピリミジン、2-4’-ア
ルキルオキシオキシフェニル-5-アルキルオキシピリミ
ジン、2-p-アルキルオキシカルボニルフェニル-5-ア
ルキルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-3’-フル
オロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-2’,3’-ジフルオロフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’- アルキルオキシフェニル-5-ア
ルキルピリジン、2-4’-アルキルオキシ-3’-フルオ
ロフェニル-5-アルキルピリジン等)、Sc相を示さな
いスメクチック液晶化合物およびネマチック相を示す液
晶化合物から選ばれる化合物を含んだ混合物である。本
発明の液晶組成物〔1〕中、本発明の液晶化合物1種以
上の含有量は通常5〜90重量%である。
【0031】本発明の液晶組成物〔2〕には、本発明の
液晶化合物を少なくとも1種、およびSc*相を示す液
晶化合物(光学活性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニ
ルカルボン酸-p’-(2-メチルブチルオキシカルボニ
ル)フェニルエステル、光学活性4-n-アルキルオキシ
-4’-ビフェニルカルボン酸-2-メチルブチルエステ
ル、光学活性4-アルキルオキシフェニル-4’-(4-メ
チルヘキシルオキシ)ベンゾエート、光学活性4-アル
ケニルオキシフェニル-4’-(4-メチルヘキシルオキ
シ)ベンゾエート、特開昭63-233932号公報記
載のナフタレン系化合物、特開昭63-233932号
公報記載のナフタレン系化合物にアルケニル基を導入し
た化合物等)および/またはキラルな化合物(特開昭6
3−99032号公報、特開昭63−190843号公
報、特開平2−138274号公報、特開平2−256
673号公報、特開平2−262579号公報、特開平
2−286673号公報、特開平3−27374号公報
等に記載の化合物)を必須成分とし、任意成分として本
発明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す前記の液晶
化合物、Sc相を示さないスメクチック液晶化合物、ネ
マチック相を示す液晶化合物および2色性色素(アント
ラキノン系色素、アゾ系色素等)から選ばれる化合物を
含んだ混合物である。
液晶化合物を少なくとも1種、およびSc*相を示す液
晶化合物(光学活性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニ
ルカルボン酸-p’-(2-メチルブチルオキシカルボニ
ル)フェニルエステル、光学活性4-n-アルキルオキシ
-4’-ビフェニルカルボン酸-2-メチルブチルエステ
ル、光学活性4-アルキルオキシフェニル-4’-(4-メ
チルヘキシルオキシ)ベンゾエート、光学活性4-アル
ケニルオキシフェニル-4’-(4-メチルヘキシルオキ
シ)ベンゾエート、特開昭63-233932号公報記
載のナフタレン系化合物、特開昭63-233932号
公報記載のナフタレン系化合物にアルケニル基を導入し
た化合物等)および/またはキラルな化合物(特開昭6
3−99032号公報、特開昭63−190843号公
報、特開平2−138274号公報、特開平2−256
673号公報、特開平2−262579号公報、特開平
2−286673号公報、特開平3−27374号公報
等に記載の化合物)を必須成分とし、任意成分として本
発明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す前記の液晶
化合物、Sc相を示さないスメクチック液晶化合物、ネ
マチック相を示す液晶化合物および2色性色素(アント
ラキノン系色素、アゾ系色素等)から選ばれる化合物を
含んだ混合物である。
【0032】本発明の液晶組成物〔2〕中、本発明の液
晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%であ
り、好ましくは10〜70重量%である。
晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%であ
り、好ましくは10〜70重量%である。
【0033】強誘電性を示すSc*液晶組成物は、電圧
印加により光スイッチング現象を起こし、これを利用し
た応答の速い液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開
昭56−107216号公報、特開昭59−11874
4号公報、エヌ.エー.クラーク(N.A.Clar
k)、エス.ティー.ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(A
pplied Physics Letter)36、
899(1980)など〕。
印加により光スイッチング現象を起こし、これを利用し
た応答の速い液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開
昭56−107216号公報、特開昭59−11874
4号公報、エヌ.エー.クラーク(N.A.Clar
k)、エス.ティー.ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(A
pplied Physics Letter)36、
899(1980)など〕。
【0034】Sc*相を示す本発明の液晶組成物〔2〕
をセル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μ
mの液晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置すること
により光スイッチング素子(液晶表示素子)とすること
ができる。上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の
表面を配向処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介
在させ、貼り合わせることによって作製することができ
る。基板としては、特に制限はなく、In2O3、SnO
2、In2O3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステ
ルフィルムなどの基板、薄膜トランジスター、ダイオー
ドを形成した基板などが挙げられる。また、上記スペー
サーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポ
リイミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法とし
ては、通常の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビン
グ処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
をセル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μ
mの液晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置すること
により光スイッチング素子(液晶表示素子)とすること
ができる。上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の
表面を配向処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介
在させ、貼り合わせることによって作製することができ
る。基板としては、特に制限はなく、In2O3、SnO
2、In2O3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステ
ルフィルムなどの基板、薄膜トランジスター、ダイオー
ドを形成した基板などが挙げられる。また、上記スペー
サーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポ
リイミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法とし
ては、通常の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビン
グ処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
【0035】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。なお、化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)および元素分析により確認した。 実施例 1 表1中No.12の化合物の製造 4-ブロモ-2-フルオロフェノール19.1g、ピリジン1
6.0gを溶かした乾燥ジエチルエーテル150mlの溶液に10
℃以下で塩化アセチル10.0gを滴下した。滴下終了後、
2時間加熱還流した。氷水の中へ投入後、エーテル層を
1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからエーテルを除去す
ることにより液体の4-アセトキシ-3-フルオロブロモ
ベンゼン20.5gを得た。 で得た4-アセトキシ-3-フルオロブロモベンゼン1
0.0g(42.9mmol)、p-デシルオキシフェニルアセチレ
ン11.1g(42.9mmol)をトリエチルアミン200ml中、触媒
にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(I
I)152mg(0.2mmol)、ヨウ化銅(I)38mg(0.2mmo
l)、トリフェニルホスフィン304mg(1.1mmol)を用い
て窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、ト
リエチルアミンを除去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサ
ン層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからヘキサンを
除去することにより固体の4-デシルオキシ-4’-アセ
トキシ-3’-フルオロトラン14.9g(37.8mmol)を得
た。 で得た4-デシルオキシ-4’-アセトキシ-3’-フ
ルオロトラン14.9g(37.8mmol)をエタノール200ml、水
酸化ナトリウム3.0g(76.0mmol)を溶かした水溶液10ml
を加え、2時間加熱還流した。室温に冷却後、エタノー
ルを除去し1N塩酸水を加えた。析出した沈澱を濾取しヘ
キサンから再結晶することにより4-デシルオキシ-4’
-ヒドロキシ-3’-フルオロトラン11.8g(32.1mmol)を
得た。 で得た4-デシルオキシ-4’-ヒドロキシ-3’-フ
ルオロトラン2.0g(5.4mmol)、5-ヘキセノール0.65g
(6.5mmol)、トリフェニルホスフィン1.7g(6.5mmol)を乾
燥テトラヒドロフラン30mlに溶かし、これに10℃以下
でジエチルアゾジカルボキシレート1.1g(6.5mmol)を加
え、室温で一晩攪拌した。テトラヒドロフランを留去
後、ヘキサンで抽出した。ヘキサンを留去し、得られた
固体をシリカゲルカラムで精製し、エタノールから3回
再結晶することより、本発明の化合物である表1中N
o.12の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.62(m,16H) 1.72〜
1.87(m,4H)2.12(dd,2H) 3.93(t,2H) 4.03(t,2H) 4.96〜
5.07(m,2H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.82(d,2H) 6.88(t,1H)
7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.68(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:80.05 H:8.72 H:8.66 F:4.22 F:4.35
が、本発明はこれに限定されない。なお、化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)および元素分析により確認した。 実施例 1 表1中No.12の化合物の製造 4-ブロモ-2-フルオロフェノール19.1g、ピリジン1
6.0gを溶かした乾燥ジエチルエーテル150mlの溶液に10
℃以下で塩化アセチル10.0gを滴下した。滴下終了後、
2時間加熱還流した。氷水の中へ投入後、エーテル層を
1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからエーテルを除去す
ることにより液体の4-アセトキシ-3-フルオロブロモ
ベンゼン20.5gを得た。 で得た4-アセトキシ-3-フルオロブロモベンゼン1
0.0g(42.9mmol)、p-デシルオキシフェニルアセチレ
ン11.1g(42.9mmol)をトリエチルアミン200ml中、触媒
にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(I
I)152mg(0.2mmol)、ヨウ化銅(I)38mg(0.2mmo
l)、トリフェニルホスフィン304mg(1.1mmol)を用い
て窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、ト
リエチルアミンを除去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサ
ン層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからヘキサンを
除去することにより固体の4-デシルオキシ-4’-アセ
トキシ-3’-フルオロトラン14.9g(37.8mmol)を得
た。 で得た4-デシルオキシ-4’-アセトキシ-3’-フ
ルオロトラン14.9g(37.8mmol)をエタノール200ml、水
酸化ナトリウム3.0g(76.0mmol)を溶かした水溶液10ml
を加え、2時間加熱還流した。室温に冷却後、エタノー
ルを除去し1N塩酸水を加えた。析出した沈澱を濾取しヘ
キサンから再結晶することにより4-デシルオキシ-4’
-ヒドロキシ-3’-フルオロトラン11.8g(32.1mmol)を
得た。 で得た4-デシルオキシ-4’-ヒドロキシ-3’-フ
ルオロトラン2.0g(5.4mmol)、5-ヘキセノール0.65g
(6.5mmol)、トリフェニルホスフィン1.7g(6.5mmol)を乾
燥テトラヒドロフラン30mlに溶かし、これに10℃以下
でジエチルアゾジカルボキシレート1.1g(6.5mmol)を加
え、室温で一晩攪拌した。テトラヒドロフランを留去
後、ヘキサンで抽出した。ヘキサンを留去し、得られた
固体をシリカゲルカラムで精製し、エタノールから3回
再結晶することより、本発明の化合物である表1中N
o.12の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.62(m,16H) 1.72〜
1.87(m,4H)2.12(dd,2H) 3.93(t,2H) 4.03(t,2H) 4.96〜
5.07(m,2H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.82(d,2H) 6.88(t,1H)
7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.68(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:80.05 H:8.72 H:8.66 F:4.22 F:4.35
【0036】実施例 2 表1中No.14の化合物の製造 4-デシルオキシ-4’-ヒドロキシ-3’-フルオロトラ
ン2.0g(5.4mmol)、水酸化ナトリウム0.26g(6.5mmo
l)を溶かした水溶液5mlをジメチルスルホキシド30mlの
中へ加え溶液が均一になるまで攪拌した。ついで8-ブ
ロモ-1-オクテン1.2g(6.5mmol)を加え室温で3日間
攪拌した。反応終了後、氷水の中へ投入した。得られた
固体を吸引濾過で単離、乾燥後、トルエンに溶かしシリ
カゲルカラムで精製した。ついでエタノールで3回再結
晶することにより、本発明の化合物である表1中No.
14の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.50(m,20H) 1.72〜
1.85(m,4H)2.05(dd,2H) 3.94(t,2H) 4.02(t,2H) 4.91〜
5.03(m,2H) 5.74〜5.88(m,1H) 6.84(d,2H) 6.88(t,1H)
7.18〜7.24(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.74(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:80.29 C:80.18 H:9.05 H:9.22 F:3.97 F:4.01
ン2.0g(5.4mmol)、水酸化ナトリウム0.26g(6.5mmo
l)を溶かした水溶液5mlをジメチルスルホキシド30mlの
中へ加え溶液が均一になるまで攪拌した。ついで8-ブ
ロモ-1-オクテン1.2g(6.5mmol)を加え室温で3日間
攪拌した。反応終了後、氷水の中へ投入した。得られた
固体を吸引濾過で単離、乾燥後、トルエンに溶かしシリ
カゲルカラムで精製した。ついでエタノールで3回再結
晶することにより、本発明の化合物である表1中No.
14の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.50(m,20H) 1.72〜
1.85(m,4H)2.05(dd,2H) 3.94(t,2H) 4.02(t,2H) 4.91〜
5.03(m,2H) 5.74〜5.88(m,1H) 6.84(d,2H) 6.88(t,1H)
7.18〜7.24(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.74(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:80.29 C:80.18 H:9.05 H:9.22 F:3.97 F:4.01
【0037】実施例 3 表1中No.15の化合物の製造 実施例1のにおいて5-ヘキセノールに代えて、trans
-2-ヘキセノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.15の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.83〜0.91(m,6H) 1.22〜1.48(m,16H)
1.71〜1.81(m,2H) 2.05(dd,2H) 3.95(t,2H) 4.55(dd,2
H) 5.64〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.83(d,2H) 6.
90(t,1H) 7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.24(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:79.79 H:8.72 H:8.91 F:4.22 F:4.11
-2-ヘキセノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.15の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.83〜0.91(m,6H) 1.22〜1.48(m,16H)
1.71〜1.81(m,2H) 2.05(dd,2H) 3.95(t,2H) 4.55(dd,2
H) 5.64〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.83(d,2H) 6.
90(t,1H) 7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.24(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:79.79 H:8.72 H:8.91 F:4.22 F:4.11
【0038】実施例 4 表1中No.16の化合物の製造 実施例1のにおいて5-ヘキセノールに代えて、trans
-2-ヘプテノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.16の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.84〜0.92(m,6H) 1.22〜1.48(m,18H)
1.72〜1.81(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.54(dd,2
H) 5.64〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.83(d,2H) 6.
90(t,1H) 7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.22(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:80.13 C:79.99 H:8.89 H:8.97 F:4.09 F:4.11
-2-ヘプテノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.16の化合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.84〜0.92(m,6H) 1.22〜1.48(m,18H)
1.72〜1.81(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.54(dd,2
H) 5.64〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.83(d,2H) 6.
90(t,1H) 7.18〜7.22(m,2H) 7.42(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.22(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:80.13 C:79.99 H:8.89 H:8.97 F:4.09 F:4.11
【0039】実施例 5 表1中No.17の化合物の製造 実施例1のにおいて5-ヘキセノールに代えて、cis-
3-ヘキセノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.17の化合物1.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 0.98(t,3H) 1.22〜1.49(m,
14H) 1.71〜1.81 (m,2H) 2.03〜2.13(m,2H) 2.58(d,2H)
3.94(t,2H) 4.03(t,2H) 5.37〜5.46(m,1H) 5.50〜5.60
(m,1H) 6.83(d,2H) 6.89(t,1H) 7.19〜7.23(m,2H) 7.42
(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.50(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:80.00 H:8.72 H:8.66 F:4.22 F:4.25
3-ヘキセノールを同じモル比で用いた以外は実施例1
と同様の操作を行うことにより、本発明の化合物である
表1中No.17の化合物1.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 0.98(t,3H) 1.22〜1.49(m,
14H) 1.71〜1.81 (m,2H) 2.03〜2.13(m,2H) 2.58(d,2H)
3.94(t,2H) 4.03(t,2H) 5.37〜5.46(m,1H) 5.50〜5.60
(m,1H) 6.83(d,2H) 6.89(t,1H) 7.19〜7.23(m,2H) 7.42
(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.50(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.96 C:80.00 H:8.72 H:8.66 F:4.22 F:4.25
【0040】実施例 6 表2中No.31の化合物の製造 2,3-ジフルオロフェノール70.0g、ヨウ化ナトリウ
ム80.7gおよび水酸化ナトリウム21.5gをメタノール1400
mlに溶かし、0℃まで冷却した後、4%次亜塩素酸ナトリ
ウム水溶液1000mlを滴下した。滴下終了後、0℃〜5℃で
3時間攪拌した。反応混合物に、チオ硫酸ナトリウムを
加え過剰のヨウ素を還元した後、塩酸で中和し、エーテ
ルで抽出、水洗した。エーテルを除去した後、得られた
固体をヘキサンで2回再結晶することにより、白色固体
の2,3-ジフルオロ-4-ヨードフェノール96.0gを得
た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-ヨードフェノール25.
6g、ピリジン16.0gを溶かした乾燥ジエチルエーテル150
mlの溶液に10℃以下で塩化アセチル10.0gを滴下した。
滴下終了後、2時間加熱還流した。氷水の中へ投入後、
エーテル層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからエー
テルを除去することにより固体の4-アセトキシ-2,3
-ジフルオロヨードベンゼン28.6gを得た。 実施例1の〜において4-アセトキシ-3-フルオ
ロブロモベンゼンに代えて、4-アセトキシ-2,3-ジ
フルオロヨードベンゼンを用いた以外は実施例1の〜
と同様の操作を行うことにより4-デシルオキシ-
2’,3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを得
た。 実施例2において4-デシルオキシ-3’-フルオロ-
4’-ヒドロキシトランに代えて、4-デシルオキシ-
2’,3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを同じ
モル比で用いた以外は実施例2と同様の操作を繰り返す
ことにより本発明の化合物である表2中No.31の化
合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.51(m,20H) 1.72〜
1.85(m,4H)2.05(dd,2H) 3.94(t,2H) 4.02(t,2H) 4.92〜
5.03(m,2H) 5.74〜5.88(m,1H) 6.68(dt,1H) 6.86(d,2H)
7.13(dt,1H) 7.45(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.33(dd,1F) -83.00(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.38 C:77.51 H:8.52 H:8.37 F:7.65 F:7.44
ム80.7gおよび水酸化ナトリウム21.5gをメタノール1400
mlに溶かし、0℃まで冷却した後、4%次亜塩素酸ナトリ
ウム水溶液1000mlを滴下した。滴下終了後、0℃〜5℃で
3時間攪拌した。反応混合物に、チオ硫酸ナトリウムを
加え過剰のヨウ素を還元した後、塩酸で中和し、エーテ
ルで抽出、水洗した。エーテルを除去した後、得られた
固体をヘキサンで2回再結晶することにより、白色固体
の2,3-ジフルオロ-4-ヨードフェノール96.0gを得
た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-ヨードフェノール25.
6g、ピリジン16.0gを溶かした乾燥ジエチルエーテル150
mlの溶液に10℃以下で塩化アセチル10.0gを滴下した。
滴下終了後、2時間加熱還流した。氷水の中へ投入後、
エーテル層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経てからエー
テルを除去することにより固体の4-アセトキシ-2,3
-ジフルオロヨードベンゼン28.6gを得た。 実施例1の〜において4-アセトキシ-3-フルオ
ロブロモベンゼンに代えて、4-アセトキシ-2,3-ジ
フルオロヨードベンゼンを用いた以外は実施例1の〜
と同様の操作を行うことにより4-デシルオキシ-
2’,3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを得
た。 実施例2において4-デシルオキシ-3’-フルオロ-
4’-ヒドロキシトランに代えて、4-デシルオキシ-
2’,3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを同じ
モル比で用いた以外は実施例2と同様の操作を繰り返す
ことにより本発明の化合物である表2中No.31の化
合物1.6gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.22〜1.51(m,20H) 1.72〜
1.85(m,4H)2.05(dd,2H) 3.94(t,2H) 4.02(t,2H) 4.92〜
5.03(m,2H) 5.74〜5.88(m,1H) 6.68(dt,1H) 6.86(d,2H)
7.13(dt,1H) 7.45(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.33(dd,1F) -83.00(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.38 C:77.51 H:8.52 H:8.37 F:7.65 F:7.44
【0041】実施例 7 表2中No.33の化合物の製造 実施例4において4-デシルオキシ-3’-フルオロ-4’
-ヒドロキシトランに代えて、4-デシルオキシ-2’,
3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを同じモル比
で用いた以外は実施例4と同様の操作を繰り返すことに
より本発明の化合物である表2中No.33の化合物1.
5gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.85〜0.92(m,6H) 1.22〜1.49(m,18H)
1.72〜1.82(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.58(d,2H)
5.62〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.69(dt,1H) 6.8
5(d,2H) 7.14(dt,1H) 7.47(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.20(dd,1F) -82.41(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.14 C:77.02 H:8.35 H:8.55 F:7.87 F:7.74
-ヒドロキシトランに代えて、4-デシルオキシ-2’,
3’-ジフルオロ-4’-ヒドロキシトランを同じモル比
で用いた以外は実施例4と同様の操作を繰り返すことに
より本発明の化合物である表2中No.33の化合物1.
5gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.85〜0.92(m,6H) 1.22〜1.49(m,18H)
1.72〜1.82(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.58(d,2H)
5.62〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.69(dt,1H) 6.8
5(d,2H) 7.14(dt,1H) 7.47(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.20(dd,1F) -82.41(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.14 C:77.02 H:8.35 H:8.55 F:7.87 F:7.74
【0042】実施例 8 表2中No.34の化合物の製造 実施例7においてtrans-2-ヘプテノールに代えて、cis
-3-ノネノールを同じモル比で用いた以外は実施例7と
同様の操作を繰り返すことにより本発明の化合物である
表2中No.34の化合物1.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.85〜0.92(m,6H) 1.22〜1.49(m,18H)
1.72〜1.82(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.58(d,2H)
5.62〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.69(dt,1H) 6.8
5(d,2H) 7.14(dt,1H) 7.47(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.20(dd,1F) -82.41(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.14 C:77.02 H:8.35 H:8.55 F:7.87 F:7.74
-3-ノネノールを同じモル比で用いた以外は実施例7と
同様の操作を繰り返すことにより本発明の化合物である
表2中No.34の化合物1.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.85〜0.92(m,6H) 1.22〜1.49(m,18H)
1.72〜1.82(m,2H) 2.08(dd,2H) 3.96(t,2H) 4.58(d,2H)
5.62〜5.73(m,1H) 5.80〜5.90(m,1H) 6.69(dt,1H) 6.8
5(d,2H) 7.14(dt,1H) 7.47(d,2H)19 F-NMR (ppm) -58.20(dd,1F) -82.41(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:77.14 C:77.02 H:8.35 H:8.55 F:7.87 F:7.74
【0043】実施例1〜実施例8で得られた化合物の相
転移温度を表3に示す。
転移温度を表3に示す。
【0044】
【表3】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例 ‖化合物 ‖ 相転移温度(℃) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− No. ‖ No.‖ Cry S1 SC Nem Iso −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 1 ‖ 12 ‖ ・45.2 (・42.2) ・56.8 ・69.7 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 2 ‖ 14 ‖ ・49.7 (・43.8) ・60.8 ・71.9 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 3 ‖ 15 ‖ ・46.8 ・63.4 ・66.6 ・78.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 4 ‖ 16 ‖ ・47.3 ・68.5 ・68.6 ・74.7 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 5 ‖ 17 ‖ ・47.2 (・39.2) ・54.5 ・63.7 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 6 ‖ 31 ‖ ・43.4 - ・54.5 ・76.2 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 7 ‖ 33 ‖ ・33.3 - ・58.5 ・76.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 8 ‖ 34 ‖ ・33.3 ・87.0 ・87.1 - ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【0045】表3中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。 Cry;結晶相 S1 ;未同定スメクチック相 SC ;スメクチックC相 Nem;ネマチック相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する − ;相が存在しない
す。 Cry;結晶相 S1 ;未同定スメクチック相 SC ;スメクチックC相 Nem;ネマチック相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する − ;相が存在しない
【0046】なお、いずれの化合物もSc相を示してい
る。
る。
【0047】実施例 9〜11、比較例 1 下記化8〜化13で示されるピリミジン系化合物および
光学活性化合物を表4に示す割合で混合して、組成物
(A)を調製した。この組成物に本発明の化合物(化合
物No.12、15および17)を10重量%加えて、
本発明の液晶組成物を得た。また、組成物(A)に下記
化14で示される液晶化合物を10重量%加えて比較例
1とした。
光学活性化合物を表4に示す割合で混合して、組成物
(A)を調製した。この組成物に本発明の化合物(化合
物No.12、15および17)を10重量%加えて、
本発明の液晶組成物を得た。また、組成物(A)に下記
化14で示される液晶化合物を10重量%加えて比較例
1とした。
【0048】
【化8】
【0049】
【化9】
【0050】
【化10】
【0051】
【化11】
【0052】
【化12】
【0053】
【化13】
【0054】
【化14】
【0055】化13中、C*は不斉炭素原子を表す。次
に、透明電極付のガラス基板に配向処理剤としてポリイ
ミドを塗布し、表面をラビングした後、スペーサーを介
在させ、ラビング方向が反平行となるように貼合わせ、
セル厚2μmのセルを作成した。このセルに、組成物
(A)、本発明の液晶組成物および比較例1の組成物を
それぞれ注入して液晶セルを作成し、2枚の直交する偏
光子の間に設置し、25℃において、±10V/μmの
電圧(E)を印加して、応答速度(τ)を測定した。こ
の結果を表5に示した。
に、透明電極付のガラス基板に配向処理剤としてポリイ
ミドを塗布し、表面をラビングした後、スペーサーを介
在させ、ラビング方向が反平行となるように貼合わせ、
セル厚2μmのセルを作成した。このセルに、組成物
(A)、本発明の液晶組成物および比較例1の組成物を
それぞれ注入して液晶セルを作成し、2枚の直交する偏
光子の間に設置し、25℃において、±10V/μmの
電圧(E)を印加して、応答速度(τ)を測定した。こ
の結果を表5に示した。
【0056】
【表5】
【0057】実施例 12〜14、比較例 2 前記組成物(A)に本発明の化合物(化合物No.3
1、33および34)を10重量%加えて、本発明の液
晶組成物を得た。また、組成物(A)に下記化15で示
される液晶化合物を10重量%加えて比較例2とした。
前記と同様にして、応答速度を測定し、その結果を表6
に示した。
1、33および34)を10重量%加えて、本発明の液
晶組成物を得た。また、組成物(A)に下記化15で示
される液晶化合物を10重量%加えて比較例2とした。
前記と同様にして、応答速度を測定し、その結果を表6
に示した。
【0058】
【化15】
【0059】
【表6】
【0060】なお、セル厚、温度、印加電圧が等しいと
き、応答速度と粘度との間には比例関係があり、応答速
度が短い組成物ほど低粘度である。
き、応答速度と粘度との間には比例関係があり、応答速
度が短い組成物ほど低粘度である。
【0061】
【発明の効果】本発明の液晶化合物はSc相を示し、低
粘度であるため、Sc*液晶組成物の成分として用いる
ことにより、その粘度を低下させ、高速応答を可能にす
ることができる。従って、本発明の化合物および組成物
は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用である。
粘度であるため、Sc*液晶組成物の成分として用いる
ことにより、その粘度を低下させ、高速応答を可能にす
ることができる。従って、本発明の化合物および組成物
は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用である。
【表4】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳 達朗 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 〔式中、R1は炭素数4〜12のアルキル基を表し、A
は1〜2個のフッ素原子で置換された1,4-フェニレ
ン基を表し、nは1〜12の整数を表し、R2は炭素数
1〜12のアルキル基または水素原子を表す〕で示され
る液晶化合物。 - 【請求項2】 複数の化合物の混合物からなり、請求項
1記載の液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103607A JPH06293690A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 液晶化合物および組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103607A JPH06293690A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 液晶化合物および組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293690A true JPH06293690A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=14358465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103607A Pending JPH06293690A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 液晶化合物および組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015093193A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-16 | Dic株式会社 | アルケニルエーテル化合物及びこれを用いた液晶組成物 |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP5103607A patent/JPH06293690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015093193A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-16 | Dic株式会社 | アルケニルエーテル化合物及びこれを用いた液晶組成物 |
| US9822301B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-11-21 | Dic Corporation | Alkenyl ether compound and a liquid crystal composition using the same |
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