JPS62145530A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS62145530A JPS62145530A JP28434785A JP28434785A JPS62145530A JP S62145530 A JPS62145530 A JP S62145530A JP 28434785 A JP28434785 A JP 28434785A JP 28434785 A JP28434785 A JP 28434785A JP S62145530 A JPS62145530 A JP S62145530A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は高密度磁気記録ができＣｏ Ｃｒ ／パーマロ
イ積層膜を代表例とする垂直磁気記録層と軟磁性層とを
有する二層膜構造の、特にフロッピーディスクに好適な
垂直磁気記録媒体に関する。
イ積層膜を代表例とする垂直磁気記録層と軟磁性層とを
有する二層膜構造の、特にフロッピーディスクに好適な
垂直磁気記録媒体に関する。
［従来技術］
近年、高密度記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
５８−９１号公報、特公昭５８− １０７６４号公報等
で公知の如く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方的を
有する記録媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に
向くように記録するもので、信号が高密度になるほど媒
体内反磁界は減少し、優れた記録及び再生を行なうこと
ができる。この方式に適する記録媒体としてＣＯ系合金
薄膜（特にＣｏ Ｃｒ合金薄膜）が公知である。特に、
特公昭５ｇ−９１号公報に提案されているＣＯ系合金薄
膜の下地にパーマロイ合金のような軟磁性層を設けた垂
直磁気記録媒体は、記録効率が向上できるとともに、大
きな再生出力が得られる点から注目されている。
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
５８−９１号公報、特公昭５８− １０７６４号公報等
で公知の如く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方的を
有する記録媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に
向くように記録するもので、信号が高密度になるほど媒
体内反磁界は減少し、優れた記録及び再生を行なうこと
ができる。この方式に適する記録媒体としてＣＯ系合金
薄膜（特にＣｏ Ｃｒ合金薄膜）が公知である。特に、
特公昭５ｇ−９１号公報に提案されているＣＯ系合金薄
膜の下地にパーマロイ合金のような軟磁性層を設けた垂
直磁気記録媒体は、記録効率が向上できるとともに、大
きな再生出力が得られる点から注目されている。
さらに、記録再生感度を上昇せしめる方策として、記録
層と軟磁性層の中間に非磁性であるＴ１；Ｉり膜を設け
ることが提案されている。
層と軟磁性層の中間に非磁性であるＴ１；Ｉり膜を設け
ることが提案されている。
例えば特開昭５５−１６３６３０号公報には厚さ１００
０人程度以上の非磁性中間層を用いる効果が開示されて
いる。
０人程度以上の非磁性中間層を用いる効果が開示されて
いる。
また、電子通信学会技術研究報告Ｍ Ｒ８０−４３（ｖ
ｏｌ、８０． Ｎｏ、 ２８７．１９８０）に（ま５０
０人厚さのＴ１中間層が記述されている。
ｏｌ、８０． Ｎｏ、 ２８７．１９８０）に（ま５０
０人厚さのＴ１中間層が記述されている。
また、第７回日本応用磁気学会学術講演概要集７ａ Ａ
−８，ｌ） ８ （１９ｇ３）には７０Å以上のＴｉ下
地層の実験と ７００人のＴｉ中間層の効果が述べられ
ている。
−８，ｌ） ８ （１９ｇ３）には７０Å以上のＴｉ下
地層の実験と ７００人のＴｉ中間層の効果が述べられ
ている。
また、第３２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、
２９ｐ −Ｇ −７、ｐ３５８（１９８５）には２０
０人のＴｉ中間層の実験が記述され、同じ予稿集の２９
ｐ−Ｇ−８，１１３５８には約１００Å以上のＴｉ中間
層の実験と４００人のＴｉ中間層における電磁変換特性
の向上が述べられている。
２９ｐ −Ｇ −７、ｐ３５８（１９８５）には２０
０人のＴｉ中間層の実験が記述され、同じ予稿集の２９
ｐ−Ｇ−８，１１３５８には約１００Å以上のＴｉ中間
層の実験と４００人のＴｉ中間層における電磁変換特性
の向上が述べられている。
さらに、電子通信学会技術研究報告Ｍ Ｒ８４−５１（
ＶＯＩ、８４． Ｎ（１２９３，１９８５）には、１４
００人厚さの内面磁気異方性を有する軟磁性層の場合に
ａ３いて約３０人〜１００以上度のＴｉ中間層による再
生出力の向上と記録再生分解能の向上が述べられている
。
ＶＯＩ、８４． Ｎ（１２９３，１９８５）には、１４
００人厚さの内面磁気異方性を有する軟磁性層の場合に
ａ３いて約３０人〜１００以上度のＴｉ中間層による再
生出力の向上と記録再生分解能の向上が述べられている
。
以上のように、従来検討されて来たのは比較的厚いＴ１
中間層であり、かつ、軟磁性層の保磁力が比較的小さく
面内磁気異方性を右する場合に効果が認められてきた。
中間層であり、かつ、軟磁性層の保磁力が比較的小さく
面内磁気異方性を右する場合に効果が認められてきた。
すなわち、このような構成ではｖ１１気ヘッドが媒体の
一方的を走行する磁気テープとなり１ｑても、フロッピ
ーディスクの襟に、軟磁性層の面内磁気異方性が再生出
力のモジュレーションを悪くする（例えば特開昭６０−
３８７１８号公報参照）場合は不都合なことである。ま
たディスク媒体では信頼性の観点より高い再生出力が必
要とされ、軟磁性層の厚さは約３０００Å以上が要求さ
れるが、かかる厚さの場合においては非磁性中間層の効
果は確認されておらず、前述の従来技術では効果は否定
的でずらある。
一方的を走行する磁気テープとなり１ｑても、フロッピ
ーディスクの襟に、軟磁性層の面内磁気異方性が再生出
力のモジュレーションを悪くする（例えば特開昭６０−
３８７１８号公報参照）場合は不都合なことである。ま
たディスク媒体では信頼性の観点より高い再生出力が必
要とされ、軟磁性層の厚さは約３０００Å以上が要求さ
れるが、かかる厚さの場合においては非磁性中間層の効
果は確認されておらず、前述の従来技術では効果は否定
的でずらある。
［本発明の目的］
本発明は記録層と軟磁性層との間に非磁性の中間層を設
けることにより電磁変換特性を向上せしめること・を目
的とする。
けることにより電磁変換特性を向上せしめること・を目
的とする。
［本発明の構成および作用効果］
上述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は垂直磁気記録層（以下、記録層と称
す。）と軟磁性層との二層膜構造を有し、当該二層の中
間に厚さ５Å以上、 ３０Å以下の非磁性中間層を配し
た垂直記録媒体である。
す。）と軟磁性層との二層膜構造を有し、当該二層の中
間に厚さ５Å以上、 ３０Å以下の非磁性中間層を配し
た垂直記録媒体である。
本発明者らはフロッピーディスク等のディスク用途を目
的に、記録層と軟磁性層との二層膜構造の垂直磁気記録
媒体の研究を行ってきた。本目的に必要な軟磁性膜の特
性は、まず第一に等方的な磁気特性を有することである
。等方的とは例えば前述の特開昭６０−３８７１８号公
報に開示されている如く、面内で測定される飽和磁化曲
線（Ｍ −１−１ループ）に測定方的による差違が小さ
いものをいい、具体的には後述の媒体での再生出力のモ
ジューレーションが１０％以下のものをいう。かかる目
的には他に垂直磁気異方性（回転磁気異方性）を有する
パーマロイ膜や、一般に保磁力（Ｈｅ ）が３〜４エル
ステツド（Ｏｅ ）以上の高保磁力のパーマロイ膜が使
用され得る。さらに、Ｈａが小さすぎる軟磁性膜を有す
る二層膜媒体では、軟磁性膜の磁壁移動に伴うスパイク
状ノイズが再生時（信号の読み出し時）に出現すること
がすでに公知であり、かかる要求からも軟磁性膜の保磁
力）−１ｃは３〜４００以上が要求されている。そして
このようなＨＣの場合は再生出力面から、必要な軟磁層
の厚さは０．３μｍ以上、好ましくは０．５μｍ程度が
要求される。
的に、記録層と軟磁性層との二層膜構造の垂直磁気記録
媒体の研究を行ってきた。本目的に必要な軟磁性膜の特
性は、まず第一に等方的な磁気特性を有することである
。等方的とは例えば前述の特開昭６０−３８７１８号公
報に開示されている如く、面内で測定される飽和磁化曲
線（Ｍ −１−１ループ）に測定方的による差違が小さ
いものをいい、具体的には後述の媒体での再生出力のモ
ジューレーションが１０％以下のものをいう。かかる目
的には他に垂直磁気異方性（回転磁気異方性）を有する
パーマロイ膜や、一般に保磁力（Ｈｅ ）が３〜４エル
ステツド（Ｏｅ ）以上の高保磁力のパーマロイ膜が使
用され得る。さらに、Ｈａが小さすぎる軟磁性膜を有す
る二層膜媒体では、軟磁性膜の磁壁移動に伴うスパイク
状ノイズが再生時（信号の読み出し時）に出現すること
がすでに公知であり、かかる要求からも軟磁性膜の保磁
力）−１ｃは３〜４００以上が要求されている。そして
このようなＨＣの場合は再生出力面から、必要な軟磁層
の厚さは０．３μｍ以上、好ましくは０．５μｍ程度が
要求される。
本発明者らはかかる軟磁性膜への要求を満たした状態に
おいて、Ｃ０Ｃｒ合金薄膜とパーマロイ薄膜との中間に
非磁性中間層としてＴ１薄膜を設ける検討を行った。そ
して、かかる制約下における媒体においては、従来技術
で無視されていた５人〜３０人という非常に薄い非磁性
中間層が記録密度を向上往しめる効果を有することを見
い出し本発明に至った。
おいて、Ｃ０Ｃｒ合金薄膜とパーマロイ薄膜との中間に
非磁性中間層としてＴ１薄膜を設ける検討を行った。そ
して、かかる制約下における媒体においては、従来技術
で無視されていた５人〜３０人という非常に薄い非磁性
中間層が記録密度を向上往しめる効果を有することを見
い出し本発明に至った。
以下に図面と実施例を用い本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明の代表的な垂直磁気記録媒体の構成を示
した。第１図のＦは支持材であり、非磁性の全屈、非金
属のシートが好ましく用いられる。
した。第１図のＦは支持材であり、非磁性の全屈、非金
属のシートが好ましく用いられる。
フロッピーディスク、スチル電子カメラ等の用途には、
ポリエチレンテレタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレンジカルボキシレート、ポリイミド等の３０〜１
２０μγＬ程度の厚さの有機高分子フィルムが好ましく
用いられる。
ポリエチレンテレタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレンジカルボキシレート、ポリイミド等の３０〜１
２０μγＬ程度の厚さの有機高分子フィルムが好ましく
用いられる。
第１図のＳは軟磁性層であり、本発明では等方的な磁気
特性を有する厚さ０．３μｍＶ１度以上、好ましくは０
．４μｍ以上、保磁力が３０ｅ以上で５００ｅ以下の強
磁性金属薄膜が使用される。例えば。
特性を有する厚さ０．３μｍＶ１度以上、好ましくは０
．４μｍ以上、保磁力が３０ｅ以上で５００ｅ以下の強
磁性金属薄膜が使用される。例えば。
ＮｉＦｅ合金（Ｍ ｏパーマロイ、ＣｕＭｏパーマロイ
、耐食性パーマロイ、高硬度パーマロイ）薄膜やＣｏ
Ｚｒ 、Ｃｏ Ｚｒ Ｍｏ 、Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ等のア
モルファス合金薄膜が使用され得る。
、耐食性パーマロイ、高硬度パーマロイ）薄膜やＣｏ
Ｚｒ 、Ｃｏ Ｚｒ Ｍｏ 、Ｃｏ Ｎｂ Ｚｒ等のア
モルファス合金薄膜が使用され得る。
等方的とは、磁気ディスクとした時の再生出力のモジュ
レーションＬＩＩＳ Ｃ６２９１参照）が１０％以上
になるような面内磁気異方性を有しないと理解されるへ
きである。軟磁性層Ｓの面内磁気異方性がモジュレーシ
ョンに与える影響、その程度は磁気ヘッドの形状、材質
、構成により異り、−律に規定できない。かかる等方的
な［社気持性を有する軟磁性層Ｓの例としては、前１本
の特開昭６０−３８７１８号公報に例示されている面内
で測定されるＭ−８曲線に測定方的による差違が小さい
軟磁性層や垂直磁気異方性を右するパーマロイ薄膜をあ
げることができる。特に、コスｌ〜並びに適度な飽和磁
化と保磁力と低磁歪のものが冑られる約８０ｗｔ％のＮ
；組成のパーマロイ薄膜が好適に使用される。そして、
該パーマロイ薄りＱの保磁力は３〜４０ｅ以上が好まし
く、特に５０ｅ以上がノイズと再生出力エンベロ−７の
均一さの観点より好ましい。
レーションＬＩＩＳ Ｃ６２９１参照）が１０％以上
になるような面内磁気異方性を有しないと理解されるへ
きである。軟磁性層Ｓの面内磁気異方性がモジュレーシ
ョンに与える影響、その程度は磁気ヘッドの形状、材質
、構成により異り、−律に規定できない。かかる等方的
な［社気持性を有する軟磁性層Ｓの例としては、前１本
の特開昭６０−３８７１８号公報に例示されている面内
で測定されるＭ−８曲線に測定方的による差違が小さい
軟磁性層や垂直磁気異方性を右するパーマロイ薄膜をあ
げることができる。特に、コスｌ〜並びに適度な飽和磁
化と保磁力と低磁歪のものが冑られる約８０ｗｔ％のＮ
；組成のパーマロイ薄膜が好適に使用される。そして、
該パーマロイ薄りＱの保磁力は３〜４０ｅ以上が好まし
く、特に５０ｅ以上がノイズと再生出力エンベロ−７の
均一さの観点より好ましい。
第１図のＴは１．厚さ５Å以上３０Å以下の非■性中間
層であり、その効果は（す）ホする。実施例ではＴｉ薄
膜を用いたが、他に酸化鉄、酸化コバルト。
層であり、その効果は（す）ホする。実施例ではＴｉ薄
膜を用いたが、他に酸化鉄、酸化コバルト。
酸化クロム等の酸化物、また有線薄膜も使用され１ｑる
。すなわち、本発明は従来技術のように中間層による該
中１１ｆｎ、Ｗ上に形成されるＣ０Ｃｒ合金薄膜の結晶
配向性の向上を目的としたものではなく、本発明の中間
層は非磁性でれば、層間の接着性をわるくしないもので
ある限りいかなるものでもよい。
。すなわち、本発明は従来技術のように中間層による該
中１１ｆｎ、Ｗ上に形成されるＣ０Ｃｒ合金薄膜の結晶
配向性の向上を目的としたものではなく、本発明の中間
層は非磁性でれば、層間の接着性をわるくしないもので
ある限りいかなるものでもよい。
第１図のＲは記録層である。飽和磁化２００〜９００ｅ
ｍｕ／ ｃｃ程度のＣＯとＣｒの合金薄膜が好ましく使
用される。他にＣ０Ｃｒに数ｗｔ％のＲｅ 、Ｗ。
ｍｕ／ ｃｃ程度のＣＯとＣｒの合金薄膜が好ましく使
用される。他にＣ０Ｃｒに数ｗｔ％のＲｅ 、Ｗ。
ｆｖｌｏ、Ｔａを添加したものや、ＣｏＶ合金薄膜。
ＦＱ Ｍｎ合金薄膜等でもよい。要は適度の飽和磁化と
数百エルステッドの保磁力と垂直磁気異方性を有する厚
さ０．１μ７ｒＬ〜０．５μｍ程度の薄膜が使用される
。
数百エルステッドの保磁力と垂直磁気異方性を有する厚
さ０．１μ７ｒＬ〜０．５μｍ程度の薄膜が使用される
。
第１図のＰは保護層であるが、必ずしも必要でない。し
かし、通常は１、ディスク媒体では数百ガロ以上の再生
、すなわら磁気ヘッドとの摺動に耐えることが要求され
るので２、Ｓ！Ｏｚ、硬質カーボン、Ｃｏ酸化物等の厚
さ０．０１μ而〜０．０３μ７ｎ程度の保護層Ｐを設け
るのが好ましい。
かし、通常は１、ディスク媒体では数百ガロ以上の再生
、すなわら磁気ヘッドとの摺動に耐えることが要求され
るので２、Ｓ！Ｏｚ、硬質カーボン、Ｃｏ酸化物等の厚
さ０．０１μ而〜０．０３μ７ｎ程度の保護層Ｐを設け
るのが好ましい。
第１図は両面媒体を例示したが、本発明では支持体Ｆ上
に軟磁性層Ｓ、中間層Ｔ及び記録層Ｒを順次形成した媒
体が必須構成要素であり、支持体Ｆの片面のみに軟磁性
層Ｓ、中間）ＪＴ及び記録層Ｓを有するもの（例えば片
面媒体）にも本発明が適用できる。
に軟磁性層Ｓ、中間層Ｔ及び記録層Ｒを順次形成した媒
体が必須構成要素であり、支持体Ｆの片面のみに軟磁性
層Ｓ、中間）ＪＴ及び記録層Ｓを有するもの（例えば片
面媒体）にも本発明が適用できる。
上記の軟磁性層Ｓ、中間層Ｓ、記録層Ｒの各層はスパッ
タリング法、真空蒸着法、メッキ法等で形成される。特
に各層間の接着性を良好ならしめるためには、同一の真
空槽内で連続してスパッタ法又は真空蒸着法により前記
三層を順次に形成するのが好ましい。
タリング法、真空蒸着法、メッキ法等で形成される。特
に各層間の接着性を良好ならしめるためには、同一の真
空槽内で連続してスパッタ法又は真空蒸着法により前記
三層を順次に形成するのが好ましい。
以下、実施例により本発明の効果を詳述する。
［実施例１
５０Ｌ１７ｒＬ厚さの二軸配向ボリエヂレンテレフタレ
ートのフィルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、下記の
直流二極マグネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下
で軟磁性層Ｓとしてパーマロイ薄膜を中間層ＴとしてＴ
ｉ薄膜を、記録層ＲとしてＣ０Ｃｒ合金薄膜を順次積層
した。
ートのフィルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、下記の
直流二極マグネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下
で軟磁性層Ｓとしてパーマロイ薄膜を中間層ＴとしてＴ
ｉ薄膜を、記録層ＲとしてＣ０Ｃｒ合金薄膜を順次積層
した。
（１）装置
日電アネルバ＠装、型式Ｓ Ｐ Ｆ −４３０Ｈを用い
た。１１インチのターゲット３周を有し、真空中で３つ
の層の積層が可能である。
た。１１インチのターゲット３周を有し、真空中で３つ
の層の積層が可能である。
また、強力な永久磁石を配し、４ ｍｍ厚さの強磁性体
ターゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、
基板取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
ターゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、
基板取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
（２）基板
上記フィルムを１６０ｍ直径の円型金枠に展張して取り
付は膜１「積層ば金枠の中心口りに１８ｐｐｍで回転さ
けた。また外部より真空栖をアースとして塁仮に直流電
位（Ｖｂ ：バイアス電圧）を印加できるようになっ
ている。（バイアススパッタ法は、例えば、特開昭５７
〜３４３２４号公報の第４図参照。） （３） スパッタ条件 （３−１）軟磁性層Ｓのパーマロイ薄膜；、’ｙｌｎ
０．０５ｗｔ％、 Ｆｃ１５，４ｗｔ％、残部Ｎ１（９
９，９％純度）の組成を有Ｊるパーマロイターゲットを
使用し、基板とターゲットとの間隔５５．５Ｍ、アルゴ
ンガス圧０．８Ｐａ 、投入電力３００ｗａ ｔ ｔで
１０分３７秒間、基板に一１００ｖｏｌｔのｖｂ雷電圧
印加しながらスパッタした。
付は膜１「積層ば金枠の中心口りに１８ｐｐｍで回転さ
けた。また外部より真空栖をアースとして塁仮に直流電
位（Ｖｂ ：バイアス電圧）を印加できるようになっ
ている。（バイアススパッタ法は、例えば、特開昭５７
〜３４３２４号公報の第４図参照。） （３） スパッタ条件 （３−１）軟磁性層Ｓのパーマロイ薄膜；、’ｙｌｎ
０．０５ｗｔ％、 Ｆｃ１５，４ｗｔ％、残部Ｎ１（９
９，９％純度）の組成を有Ｊるパーマロイターゲットを
使用し、基板とターゲットとの間隔５５．５Ｍ、アルゴ
ンガス圧０．８Ｐａ 、投入電力３００ｗａ ｔ ｔで
１０分３７秒間、基板に一１００ｖｏｌｔのｖｂ雷電圧
印加しながらスパッタした。
（３−２＞中間層ＴのＴｉ薄膜；
Ｔｉをターゲットとし、アルゴンガス圧１．３Ｐａ、投
入電力１０ｗａ ｔ ｔでスパッタした。膜厚はスパッ
タ時間で制御した。堆積速度は回転基板上、半径＋１５
ｍｍの所で１．２３へ／ｍｉｎであった。
入電力１０ｗａ ｔ ｔでスパッタした。膜厚はスパッ
タ時間で制御した。堆積速度は回転基板上、半径＋１５
ｍｍの所で１．２３へ／ｍｉｎであった。
（３−３）記録ＧＲのＣｏ Ｃｒ合金薄膜；Ｑｒ２０ｗ
ｔ％、残部ＣＯ（９９，９％純度）より成るＣｏ Ｃｒ
合金ターゲットを使用し、１ｌｆｉとターゲットとの間
隔５５．５＃ｌ＃１．アルゴンガス圧０．４Ｐａ、投入
電力５００ｗａｔｔで２分１７秒間のスパッタを行った
。スパッタ時に一７０ｖｏ’ｌｔの電圧（Ｖｂ ）を印
加した。
ｔ％、残部ＣＯ（９９，９％純度）より成るＣｏ Ｃｒ
合金ターゲットを使用し、１ｌｆｉとターゲットとの間
隔５５．５＃ｌ＃１．アルゴンガス圧０．４Ｐａ、投入
電力５００ｗａｔｔで２分１７秒間のスパッタを行った
。スパッタ時に一７０ｖｏ’ｌｔの電圧（Ｖｂ ）を印
加した。
（４）評価結果
Ｔｉ７７１Ｊｌの厚さを従来例のＯＡ（ブランク）。
実施例の５人、１０人、１５人、３０人、比較例の５０
人、５００八とした７つのザンプルを作製し、半径４５
ｍｒｎの所を評価した。
人、５００八とした７つのザンプルを作製し、半径４５
ｍｒｎの所を評価した。
膜厚、磁気特性の測定結果は下記の通りで、Ｔ１膜厚よ
らずほぼ一定なものについては７サンプルの平均値と変
化中で結果を示す。
らずほぼ一定なものについては７サンプルの平均値と変
化中で結果を示す。
Ｃｏ Ｃｒ合金膜：
躾 厚 ０．２０ ± ｏ、ｏｉ ｕ
ｍ！ｒ！直方的保磁力 第２図にＴ１膜厚（ＤＴ）に（
Ｈｃｖ） 対してプロットして示した。
ｍ！ｒ！直方的保磁力 第２図にＴ１膜厚（ＤＴ）に（
Ｈｃｖ） 対してプロットして示した。
実効的異方性磁界（ＨＫ） ４．３±０，１ ｋＱ
ｅパーマロイ膜： 膜 厚 ０．５３ ± ０．０２ μ
ｍ保磁力 １０±１０８ （Ｇｏ Ｃｒ ｔｌ
！Ｊ／Ｔ１膜／パーマロイ膜の積層 状態で、Ｍ−Ｈトレーサーを 用い評価した。） 又、半径４５ｍの所を中心とし、半径方的と円周方的の
２方的より ０．５インチｒｉ】、６０ｒｎＭ長の長方
形の試料をサンプリングし、市販の０．５インチ巾のＶ
ＴＲテープにつなぎ込み表−１の条件で電磁変換特性を
測定した。結果を第３図と第４図に示した。なお、サン
プリング方的による２方的の再生出力差はいずれも相対
誤差±３％以内であり図には両者の平均値を示した。
ｅパーマロイ膜： 膜 厚 ０．５３ ± ０．０２ μ
ｍ保磁力 １０±１０８ （Ｇｏ Ｃｒ ｔｌ
！Ｊ／Ｔ１膜／パーマロイ膜の積層 状態で、Ｍ−Ｈトレーサーを 用い評価した。） 又、半径４５ｍの所を中心とし、半径方的と円周方的の
２方的より ０．５インチｒｉ】、６０ｒｎＭ長の長方
形の試料をサンプリングし、市販の０．５インチ巾のＶ
ＴＲテープにつなぎ込み表−１の条件で電磁変換特性を
測定した。結果を第３図と第４図に示した。なお、サン
プリング方的による２方的の再生出力差はいずれも相対
誤差±３％以内であり図には両者の平均値を示した。
表−１：電磁変換特性の測定条件
第３図はＴ１摸厚（ＤＴ＞に対し記録密度２ＫＢＰＩの
時の再生出力（Ｅｐ ）を示したものであり、従来例の
ＤＴ＝Ｏ及び実施例のＤＴ−５、４０，１５，３０（入
）では出力は一定、又は実施例でやや大ぎい傾向である
。比較例のＤＴ＝５０、 ５００ （Ａ ＞では従来例
より出力が低下しており、ＤＴ＞４０人では従来例に比
べ出力は低下する。出）ｊの低下は第２図に示したＣ０
Ｃｒ膜の保磁力の低下と主磁極と軟磁性膜との距離が拡
大することによるスペーシング・ロスが原因であると考
えられる。
時の再生出力（Ｅｐ ）を示したものであり、従来例の
ＤＴ＝Ｏ及び実施例のＤＴ−５、４０，１５，３０（入
）では出力は一定、又は実施例でやや大ぎい傾向である
。比較例のＤＴ＝５０、 ５００ （Ａ ＞では従来例
より出力が低下しており、ＤＴ＞４０人では従来例に比
べ出力は低下する。出）ｊの低下は第２図に示したＣ０
Ｃｒ膜の保磁力の低下と主磁極と軟磁性膜との距離が拡
大することによるスペーシング・ロスが原因であると考
えられる。
第４図はＴｉ１Ｆｕ厚（ＤＴ）に対して、再生出力１１
ｆｆが記録密度２ｋＢＰＩにおける再生出力の半分にな
る記録密度（Ｄｓａ：に８ＰＩ）をプロットしたもので
ある。なお、Ｄ力は記録密度特性における主磁極の厚さ
に由来するピークの頂点を結んで得た飽絡線より求めた
。図より、実施例のＤＴ＝５〜３０人においてＤ ＝ｏ
が改善されたことが明らかである。
ｆｆが記録密度２ｋＢＰＩにおける再生出力の半分にな
る記録密度（Ｄｓａ：に８ＰＩ）をプロットしたもので
ある。なお、Ｄ力は記録密度特性における主磁極の厚さ
に由来するピークの頂点を結んで得た飽絡線より求めた
。図より、実施例のＤＴ＝５〜３０人においてＤ ＝ｏ
が改善されたことが明らかである。
以上より、保磁力と膜厚が比較的大きい等方的な軟磁性
膜を４−Ｔηる二苦摸奴体において、本発明の５〜３０
人の厚さの非磁性中間層において、低密度の再生出力は
一定、又やや良くなり、Ｄカが増大するという高密１宴
記録再生に好ましい効果がｉＩイｆルＲされた。
膜を４−Ｔηる二苦摸奴体において、本発明の５〜３０
人の厚さの非磁性中間層において、低密度の再生出力は
一定、又やや良くなり、Ｄカが増大するという高密１宴
記録再生に好ましい効果がｉＩイｆルＲされた。
かかる理由は定かでないが、非…性層を１１することに
より、ｃｏｃｒ膜の裏面に生ずる電荷の作用によりＣ０
Ｃｒ膜の面内磁化成分がわずかに増大することが高密度
における再生出力の増大に寄与していることが考えられ
る。
より、ｃｏｃｒ膜の裏面に生ずる電荷の作用によりＣ０
Ｃｒ膜の面内磁化成分がわずかに増大することが高密度
における再生出力の増大に寄与していることが考えられ
る。
第１図は本発明の代表的な構成を示した断面図であり、
Ｆは支持体、Ｓは軟磁性層、Ｔは非磁性中間層、Ｒは記
録層、Ｐは保護層である。第２図〜第３図は実施例、従
来例、比較例の各特性を示すグラフで、第２図はＴｉ層
の膜厚（ＤＴ）とＣｏＣｒ膜の保磁力（ＨＣＶ）との関
係、第３図はＴ１層の膜厚（ＤＴ）と２ｘＢＰＩの再生
出力（Ｅｐ ）との関係、第４図はＴｉ喘の膜厚（ＤＴ
）とＤ５０との関係を示したちのである。 ′″７４０
Ｆは支持体、Ｓは軟磁性層、Ｔは非磁性中間層、Ｒは記
録層、Ｐは保護層である。第２図〜第３図は実施例、従
来例、比較例の各特性を示すグラフで、第２図はＴｉ層
の膜厚（ＤＴ）とＣｏＣｒ膜の保磁力（ＨＣＶ）との関
係、第３図はＴ１層の膜厚（ＤＴ）と２ｘＢＰＩの再生
出力（Ｅｐ ）との関係、第４図はＴｉ喘の膜厚（ＤＴ
）とＤ５０との関係を示したちのである。 ′″７４０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持体上に垂直磁気記録層と軟磁性層とを有する垂
直磁気記録媒体において、前記軟磁性層が面内で等方的
な磁気特性を有する軟磁性薄膜であり、前記軟磁性層と
垂直記録層との中間に厚さ５Å以上、３０Å以下の非磁
性中間層を配したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２、上記軟磁性層は保磁力が３０ｅで膜厚が０．３μｍ
以上のパーマロイ薄膜である特許請求の範囲第１項記載
の垂直磁気記録媒体。 ３、前記非磁性中間層がチタン薄膜である特許請求の範
囲第１項若しくは第２項記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28434785A JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28434785A JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145530A true JPS62145530A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0630136B2 JPH0630136B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17677401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28434785A Expired - Lifetime JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630136B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543221A (en) * | 1987-09-21 | 1996-08-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| WO2004040557A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28434785A patent/JPH0630136B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543221A (en) * | 1987-09-21 | 1996-08-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| WO2004040557A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630136B2 (ja) | 1994-04-20 |
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