JPH06302465A - チップ形シリコンコンデンサ - Google Patents
チップ形シリコンコンデンサInfo
- Publication number
- JPH06302465A JPH06302465A JP11215493A JP11215493A JPH06302465A JP H06302465 A JPH06302465 A JP H06302465A JP 11215493 A JP11215493 A JP 11215493A JP 11215493 A JP11215493 A JP 11215493A JP H06302465 A JPH06302465 A JP H06302465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- silicon
- sio
- layer
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップの単位面積当りの電極面積を増加して
静電容量の大きいチップ形シリコンコンデンサを提供す
る。また、その電極間のスパークを防止して絶縁耐圧を
高める。 【構成】 チップ形シリコンコンデンサは、角形のシリ
コンチップ２１と、このシリコンチップ２１の表面に積
層したＳｉＯ2層１４と、このＳｉＯ2層１４上に積層し
たポリシリコン電極層１５と、シリコンチップ２１の裏
面に被着したポリシリコン電極層１６とを有する。Ｓｉ
Ｏ2層１４はシリコンチップ２１の表面に凹凸、例えば
溝１３を形成し、この溝１３表面に積層する。また、こ
のシリコンチップ２１の側面２１Ａおよび誘電体である
ＳｉＯ2層１４の側面にＳｉＯ2膜２２を被着する。この
ＳｉＯ2膜２２によりポリシリコン電極１５とシリコン
チップ２１端縁部との間の放電を完全に防止する。
静電容量の大きいチップ形シリコンコンデンサを提供す
る。また、その電極間のスパークを防止して絶縁耐圧を
高める。 【構成】 チップ形シリコンコンデンサは、角形のシリ
コンチップ２１と、このシリコンチップ２１の表面に積
層したＳｉＯ2層１４と、このＳｉＯ2層１４上に積層し
たポリシリコン電極層１５と、シリコンチップ２１の裏
面に被着したポリシリコン電極層１６とを有する。Ｓｉ
Ｏ2層１４はシリコンチップ２１の表面に凹凸、例えば
溝１３を形成し、この溝１３表面に積層する。また、こ
のシリコンチップ２１の側面２１Ａおよび誘電体である
ＳｉＯ2層１４の側面にＳｉＯ2膜２２を被着する。この
ＳｉＯ2膜２２によりポリシリコン電極１５とシリコン
チップ２１端縁部との間の放電を完全に防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば角形のシリコン
チップ表面にシリコン酸化膜からなる誘電体膜を介して
電極を積層したコンデンサ構造において、このシリコン
酸化膜積層面を凹凸面で形成することにより、その容量
を高めたチップ形シリコンコンデンサに関する。
チップ表面にシリコン酸化膜からなる誘電体膜を介して
電極を積層したコンデンサ構造において、このシリコン
酸化膜積層面を凹凸面で形成することにより、その容量
を高めたチップ形シリコンコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップ形シリコンコンデ
ンサとしては、特開平２−１６７０８号公報に示すもの
がある。このシリコンコンデンサは、シリコンチップの
表面を酸化してシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を形成し、
このシリコン酸化膜上に電極用金属膜（Ａｕ等）を被着
している。このシリコン酸化膜を誘電体層とし、これを
挟むシリコンチップおよび金属膜を一対の電極として構
成したものである。
ンサとしては、特開平２−１６７０８号公報に示すもの
がある。このシリコンコンデンサは、シリコンチップの
表面を酸化してシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を形成し、
このシリコン酸化膜上に電極用金属膜（Ａｕ等）を被着
している。このシリコン酸化膜を誘電体層とし、これを
挟むシリコンチップおよび金属膜を一対の電極として構
成したものである。
【０００３】このチップ形シリコンコンデンサでは、誘
電体層を構成するＳｉＯ2（二酸化シリコン）が均質で
欠陥のない極めて安定した物質であり、その温度特性、
周波数特性はきわめて優れている。また、この誘電体層
の厚さを２μｍと薄く形成することが容易であり、これ
により大きな静電容量を確保することができる。
電体層を構成するＳｉＯ2（二酸化シリコン）が均質で
欠陥のない極めて安定した物質であり、その温度特性、
周波数特性はきわめて優れている。また、この誘電体層
の厚さを２μｍと薄く形成することが容易であり、これ
により大きな静電容量を確保することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このチ
ップ形シリコンコンデンサでは、電極面積の増加により
容量をさらに大きくしようとすると、チップ自体を大き
くしなければならず、１枚のシリコンウェーハから製造
することのできるチップ数が少なくなるという課題が生
じていた。また、このものではＳｉＯ2層の厚さが極め
て薄いため、対向する金属膜電極の端縁部とシリコンチ
ップ電極との間で放電が生じ易く、絶縁破壊が起こり易
いという課題が生じていた。
ップ形シリコンコンデンサでは、電極面積の増加により
容量をさらに大きくしようとすると、チップ自体を大き
くしなければならず、１枚のシリコンウェーハから製造
することのできるチップ数が少なくなるという課題が生
じていた。また、このものではＳｉＯ2層の厚さが極め
て薄いため、対向する金属膜電極の端縁部とシリコンチ
ップ電極との間で放電が生じ易く、絶縁破壊が起こり易
いという課題が生じていた。
【０００５】
【発明の目的】そこで、本発明は、小型かつ大容量のチ
ップ形シリコンコンデンサを提供することを、その目的
としている。また、本発明は、絶縁破壊の発生を防止し
たチップ形シリコンコンデンサを得ることをその目的と
している。
ップ形シリコンコンデンサを提供することを、その目的
としている。また、本発明は、絶縁破壊の発生を防止し
たチップ形シリコンコンデンサを得ることをその目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、薄板状のシリコンチップと、このシリコンチップの
表面または裏面に積層されたシリコン酸化膜と、このシ
リコン酸化膜上に積層された電極と、を有するチップ形
シリコンコンデンサにおいて、上記シリコンチップのシ
リコン酸化膜積層面を凹凸面で形成したチップ形シリコ
ンコンデンサである。また、請求項２に記載の発明は、
上記チップの側面をシリコン酸化膜により被覆したチッ
プ形シリコンコンデンサである。
は、薄板状のシリコンチップと、このシリコンチップの
表面または裏面に積層されたシリコン酸化膜と、このシ
リコン酸化膜上に積層された電極と、を有するチップ形
シリコンコンデンサにおいて、上記シリコンチップのシ
リコン酸化膜積層面を凹凸面で形成したチップ形シリコ
ンコンデンサである。また、請求項２に記載の発明は、
上記チップの側面をシリコン酸化膜により被覆したチッ
プ形シリコンコンデンサである。
【０００７】
【作用】本発明に係るチップ形シリコンコンデンサにお
いては、シリコンチップの表面を凹凸面としてこの凹凸
面にシリコン酸化膜を被着したため、シリコンチップの
大きさに比較して電極面積を大幅に拡大することができ
る。この結果、チップ単位面積当りの容量を大きくする
ことができる。また、シリコン酸化膜によりシリコンチ
ップの側面を被覆しているため、電極とチップとの間で
のスパークの発生を完全に防止することができる。よっ
てスパークの発生に起因する絶縁耐圧の低下を防止する
ことができる。
いては、シリコンチップの表面を凹凸面としてこの凹凸
面にシリコン酸化膜を被着したため、シリコンチップの
大きさに比較して電極面積を大幅に拡大することができ
る。この結果、チップ単位面積当りの容量を大きくする
ことができる。また、シリコン酸化膜によりシリコンチ
ップの側面を被覆しているため、電極とチップとの間で
のスパークの発生を完全に防止することができる。よっ
てスパークの発生に起因する絶縁耐圧の低下を防止する
ことができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１、図２は本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの製造工程を説明するための断面図である。ま
た、図２の（Ｃ）は本発明の一実施例に係るチップ形シ
リコンコンデンサを示す断面図である。
１、図２は本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの製造工程を説明するための断面図である。ま
た、図２の（Ｃ）は本発明の一実施例に係るチップ形シ
リコンコンデンサを示す断面図である。
【０００９】図２において（Ｃ）に示すように、チップ
形シリコンコンデンサは、角形に切断されたシリコン製
のチップ２１と、このシリコンチップ２１の表面に積層
されたＳｉＯ2層１４と、このＳｉＯ2層１４上に積層さ
れたポリシリコン電極１５と、シリコンチップ２１の裏
面に被着されたポリシリコン電極１６と、を有してい
る。
形シリコンコンデンサは、角形に切断されたシリコン製
のチップ２１と、このシリコンチップ２１の表面に積層
されたＳｉＯ2層１４と、このＳｉＯ2層１４上に積層さ
れたポリシリコン電極１５と、シリコンチップ２１の裏
面に被着されたポリシリコン電極１６と、を有してい
る。
【００１０】そして、本実施例においては、上記積層構
造体であるチップ形シリコンコンデンサのシリコンチッ
プ２１の側面２１Ａ、さらには、誘電体層であるＳｉＯ
2層１４、ポリシリコン電極層１５、１６の各側面の全
周縁部に亘ってＳｉＯ2膜２２が被着されている。この
ＳｉＯ2膜２２の厚さは例えば上記誘電体層１４の厚さ
と同じとする。このような構造のチップ形シリコンコン
デンサは、シリコンチップ２１の表裏面に形成された電
極であるポリシリコン層１５、１６に、例えばデュメッ
ト線等の電線を圧接し、その外周をガラス容器で封止す
ることにより、個別電子部品として実装に供されるもの
である。
造体であるチップ形シリコンコンデンサのシリコンチッ
プ２１の側面２１Ａ、さらには、誘電体層であるＳｉＯ
2層１４、ポリシリコン電極層１５、１６の各側面の全
周縁部に亘ってＳｉＯ2膜２２が被着されている。この
ＳｉＯ2膜２２の厚さは例えば上記誘電体層１４の厚さ
と同じとする。このような構造のチップ形シリコンコン
デンサは、シリコンチップ２１の表裏面に形成された電
極であるポリシリコン層１５、１６に、例えばデュメッ
ト線等の電線を圧接し、その外周をガラス容器で封止す
ることにより、個別電子部品として実装に供されるもの
である。
【００１１】ここで、このチップ形シリコンコンデンサ
における耐圧、容量等はシリコンチップ２１の電極面
積、誘電体層１４の厚さ等により決定される。このシリ
コンチップ２１にあってはＳｉＯ2層１４の積層面に凹
状の溝１３を形成してあるため、溝を形成していないフ
ラットな従来例に比較して、その電極面積が大きく、し
たがって、チップ単位面積当りの容量も大きくなってい
る。
における耐圧、容量等はシリコンチップ２１の電極面
積、誘電体層１４の厚さ等により決定される。このシリ
コンチップ２１にあってはＳｉＯ2層１４の積層面に凹
状の溝１３を形成してあるため、溝を形成していないフ
ラットな従来例に比較して、その電極面積が大きく、し
たがって、チップ単位面積当りの容量も大きくなってい
る。
【００１２】以下、このチップ形シリコンコンデンサの
製造方法を説明する。図１に示す（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）はシリコンウェーハ１１につい
ての加工工程を、図２に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は
このシリコンウェーハ１１をダイシング後のシリコンチ
ップ２１での加工工程を、それぞれ示すものである。
製造方法を説明する。図１に示す（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）はシリコンウェーハ１１につい
ての加工工程を、図２に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は
このシリコンウェーハ１１をダイシング後のシリコンチ
ップ２１での加工工程を、それぞれ示すものである。
【００１３】まず、通常の引き上げ法によるシリコン製
のウェーハ１１を用意し、このシリコンウェーハ１１の
表面（鏡面側）に所定パターンの開口を形成したマスク
（ホトレジスト）１２を被着する。図１の（Ａ）はこの
状態を示している。
のウェーハ１１を用意し、このシリコンウェーハ１１の
表面（鏡面側）に所定パターンの開口を形成したマスク
（ホトレジスト）１２を被着する。図１の（Ａ）はこの
状態を示している。
【００１４】次に、このマスク１２を介して異方性エッ
チング（ドライ、ウエット）によりシリコンウェーハ１
１表面に所定深さの溝１３を複数形成する。溝１３は例
えば５μｍ程度の深さに形成することもできる。図１の
（Ｂ）はこの状態を示している。
チング（ドライ、ウエット）によりシリコンウェーハ１
１表面に所定深さの溝１３を複数形成する。溝１３は例
えば５μｍ程度の深さに形成することもできる。図１の
（Ｂ）はこの状態を示している。
【００１５】そして、これらの複数の溝１３により凹凸
面として形成されたシリコンウェーハ１１の表面に、熱
酸化により例えば５０００オングストロームの厚さの二
酸化シリコン（ＳｉＯ2）層１４を形成する。このシリ
コン層１４の厚さは目標とする耐圧の値に応じて決定さ
れるが、例えば１０００〜２００００オングストロー
ム、好ましくは５０００〜６０００オングストロームと
する。この熱酸化にてシリコンウェーハ１１の裏面（非
鏡面側）に生成した二酸化シリコン層は、エッチングに
よって除去する。図１の（Ｃ）はこの状態を示してい
る。
面として形成されたシリコンウェーハ１１の表面に、熱
酸化により例えば５０００オングストロームの厚さの二
酸化シリコン（ＳｉＯ2）層１４を形成する。このシリ
コン層１４の厚さは目標とする耐圧の値に応じて決定さ
れるが、例えば１０００〜２００００オングストロー
ム、好ましくは５０００〜６０００オングストロームと
する。この熱酸化にてシリコンウェーハ１１の裏面（非
鏡面側）に生成した二酸化シリコン層は、エッチングに
よって除去する。図１の（Ｃ）はこの状態を示してい
る。
【００１６】次に、このシリコンウェーハ１１の表裏両
面にＣＶＤ法によりポリシリコン層１５、１６を例えば
５０００オングストロームの厚さに被着する。したがっ
て、ＳｉＯ2層１４の上にもポリシリコン層１５が積層
されることとなる。これらのポリシリコン層１５、１６
は電極用である。このポリシリコン層１５、１６に代え
てＷ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ等を用いてもよい。この結果、
誘電体層であるＳｉＯ2層１４をポリシリコン層１５と
シリコンウェーハ１１とで挟んだコンデンサ構造が形成
される。この状態を図１の（Ｄ）に示している。
面にＣＶＤ法によりポリシリコン層１５、１６を例えば
５０００オングストロームの厚さに被着する。したがっ
て、ＳｉＯ2層１４の上にもポリシリコン層１５が積層
されることとなる。これらのポリシリコン層１５、１６
は電極用である。このポリシリコン層１５、１６に代え
てＷ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ等を用いてもよい。この結果、
誘電体層であるＳｉＯ2層１４をポリシリコン層１５と
シリコンウェーハ１１とで挟んだコンデンサ構造が形成
される。この状態を図１の（Ｄ）に示している。
【００１７】次いで、これらのポリシリコン層１５、１
６上にＳｉ3Ｎ4層１７、１８をＣＶＤ法にて厚さ５００
０オングストロームでそれぞれ成膜する。これらのＳｉ
3Ｎ4層１７、１８は後述する熱酸化膜を選択的に剥離す
るためのものであり、そのために充分な厚さとする。図
１（Ｅ）はこの状態を示す。
６上にＳｉ3Ｎ4層１７、１８をＣＶＤ法にて厚さ５００
０オングストロームでそれぞれ成膜する。これらのＳｉ
3Ｎ4層１７、１８は後述する熱酸化膜を選択的に剥離す
るためのものであり、そのために充分な厚さとする。図
１（Ｅ）はこの状態を示す。
【００１８】そして、このようにして表裏両面に複数層
が積層されたシリコンウェーハ１１を周知のダイシング
工程により所望の大きさに切断し、例えば２ｍｍ口のシ
リコンチップ２１を形成する。この場合、このシリコン
チップ２１の表裏両面には上記積層構造が、その側面２
１Ａには例えば自然酸化によるシリコン酸化膜が形成さ
れている。図２の（Ａ）はこの状態を示している。シリ
コンチップ２１上のＳｉＯ2層１４が誘電体層を、ポリ
シリコン層１５、１６が電極を、それぞれ構成するもの
である。
が積層されたシリコンウェーハ１１を周知のダイシング
工程により所望の大きさに切断し、例えば２ｍｍ口のシ
リコンチップ２１を形成する。この場合、このシリコン
チップ２１の表裏両面には上記積層構造が、その側面２
１Ａには例えば自然酸化によるシリコン酸化膜が形成さ
れている。図２の（Ａ）はこの状態を示している。シリ
コンチップ２１上のＳｉＯ2層１４が誘電体層を、ポリ
シリコン層１５、１６が電極を、それぞれ構成するもの
である。
【００１９】そして、このようなシリコンチップ２１に
ついてその側面２１ＡにＳｉＯ2膜２２を被着する。Ｓ
ｉＯ2膜２２の被着は、９００℃程度の水蒸気雰囲気下
での熱酸化法によって行う。このＳｉＯ2膜２２の厚み
は例えば５０００オングストロームとする。この場合、
ＳｉＯ2膜２２はポリシリコンチップ２１の側面２１Ａ
だけでなくＳｉ3Ｎ4層１７、１８の表面にも形成され
る。この状態を図２の（Ｂ）に示す。
ついてその側面２１ＡにＳｉＯ2膜２２を被着する。Ｓ
ｉＯ2膜２２の被着は、９００℃程度の水蒸気雰囲気下
での熱酸化法によって行う。このＳｉＯ2膜２２の厚み
は例えば５０００オングストロームとする。この場合、
ＳｉＯ2膜２２はポリシリコンチップ２１の側面２１Ａ
だけでなくＳｉ3Ｎ4層１７、１８の表面にも形成され
る。この状態を図２の（Ｂ）に示す。
【００２０】次いで、この積層体を熱リン酸に所定時間
だけ浸漬してＳｉ3Ｎ4層１７、１８を除去する。この結
果、Ｓｉ3Ｎ4層１７、１８とともにポリシリコン電極１
５、１６を覆う不必要なＳｉＯ2膜２２も除去される。
このようにして図２中（Ｃ）に示すようなチップ形シリ
コンコンデンサが完成する。そして、上述したようにこ
のコンデンサの電極１５、１６に電線を接続して電子部
品として使用するものである。この結果、シリコンチッ
プ２１の側面２１Ａを覆うＳｉＯ2膜２２は、従来のコ
ンデンサ構造に存在したスパーク発生源を消滅させるた
め、コンデンサ使用時のスパークの発生を完全に抑止す
ることができる。
だけ浸漬してＳｉ3Ｎ4層１７、１８を除去する。この結
果、Ｓｉ3Ｎ4層１７、１８とともにポリシリコン電極１
５、１６を覆う不必要なＳｉＯ2膜２２も除去される。
このようにして図２中（Ｃ）に示すようなチップ形シリ
コンコンデンサが完成する。そして、上述したようにこ
のコンデンサの電極１５、１６に電線を接続して電子部
品として使用するものである。この結果、シリコンチッ
プ２１の側面２１Ａを覆うＳｉＯ2膜２２は、従来のコ
ンデンサ構造に存在したスパーク発生源を消滅させるた
め、コンデンサ使用時のスパークの発生を完全に抑止す
ることができる。
【００２１】なお、上記ポリシリコン電極１５、１６
は、基層と表面層との２層で構成してもよい。基層は、
オーミックコンタクトの向上のため、ポリシリコン、Ｍ
ｏ−Ｓｉ、あるいは、Ｗ−Ｓｉ等から形成する。表面層
は、ハンダ付け性向上のために、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等から形成する。このように２層構造と
することにより、十分な付着強度をも確保することがで
きる。
は、基層と表面層との２層で構成してもよい。基層は、
オーミックコンタクトの向上のため、ポリシリコン、Ｍ
ｏ−Ｓｉ、あるいは、Ｗ−Ｓｉ等から形成する。表面層
は、ハンダ付け性向上のために、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等から形成する。このように２層構造と
することにより、十分な付着強度をも確保することがで
きる。
【００２２】このようにして作製された本発明のチップ
形シリコンコンデンサは、電極１５に近接対向するシリ
コンチップ側端面がＳｉＯ2絶縁膜２２により完全に被
覆されているので、スパークによる絶縁破壊が起こらな
い。また、誘電体層としては緻密な成膜よりなるＳｉＯ
2層１４を用いたため、該誘電体層での電流リークは生
じないものである。
形シリコンコンデンサは、電極１５に近接対向するシリ
コンチップ側端面がＳｉＯ2絶縁膜２２により完全に被
覆されているので、スパークによる絶縁破壊が起こらな
い。また、誘電体層としては緻密な成膜よりなるＳｉＯ
2層１４を用いたため、該誘電体層での電流リークは生
じないものである。
【００２３】図３および図４は本発明の他の実施例を示
している。図４（Ｂ）はこの実施例におけるチップ形シ
リコンコンデンサを示すものである。
している。図４（Ｂ）はこの実施例におけるチップ形シ
リコンコンデンサを示すものである。
【００２４】図４（Ｂ）に示すように、このコンデンサ
は、シリコンチップ２１の表裏面の電極１５、１６のそ
れぞれに、基板実装用のリードフレーム２３、２４を接
続し、エポキシ樹脂２５により封止したものである。２
６、２７はリードフレーム２３を電極１５に接合するた
めのアルミニウム層およびニッケル層である。同様に２
８、２９も積層されたアルミニウム層、ニッケル層であ
る。
は、シリコンチップ２１の表裏面の電極１５、１６のそ
れぞれに、基板実装用のリードフレーム２３、２４を接
続し、エポキシ樹脂２５により封止したものである。２
６、２７はリードフレーム２３を電極１５に接合するた
めのアルミニウム層およびニッケル層である。同様に２
８、２９も積層されたアルミニウム層、ニッケル層であ
る。
【００２５】このように構成したチップ形シリコンコン
デンサにあっては、リードフレーム２３、２４により例
えばハイブリッド基板に実装されて使用される。このと
き、誘電体層であるＳｉＯ2層１４は溝１３によりその
面積が大きくなっているため、容量が大きくなってい
る。
デンサにあっては、リードフレーム２３、２４により例
えばハイブリッド基板に実装されて使用される。このと
き、誘電体層であるＳｉＯ2層１４は溝１３によりその
面積が大きくなっているため、容量が大きくなってい
る。
【００２６】図３の（Ａ）〜（Ｆ）および図４の
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、この実施例に係るチップ
形シリコンコンデンサは、シリコンウェーハ１１の表面
に複数の所定深さの溝１３をマスク１２により形成し、
熱酸化してＳｉＯ2層１４を形成し、さらに、ポリシリ
コン電極層１５、１６をＣＶＤにより被着するまでは、
上記実施例の場合と同様に行っている。図３中（Ａ）〜
（Ｄ）である。
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、この実施例に係るチップ
形シリコンコンデンサは、シリコンウェーハ１１の表面
に複数の所定深さの溝１３をマスク１２により形成し、
熱酸化してＳｉＯ2層１４を形成し、さらに、ポリシリ
コン電極層１５、１６をＣＶＤにより被着するまでは、
上記実施例の場合と同様に行っている。図３中（Ａ）〜
（Ｄ）である。
【００２７】この実施例では、ポリシリコン電極１５、
１６上に、それぞれ、アルミニウム層２６、２８をスパ
ッタ蒸着し、さらに、スパッタによりニッケル層２７、
２９をこのアルミニウム層２６、２８上に積層するもの
である（図３（Ｅ））。そして、このアルミニウム層２
６、ニッケル層２７を所定パターンにエッチングする
（図３（Ｆ））。このようシリコンウェーハ１１の段階
で複数のチップを得ることができるように加工するもの
である。
１６上に、それぞれ、アルミニウム層２６、２８をスパ
ッタ蒸着し、さらに、スパッタによりニッケル層２７、
２９をこのアルミニウム層２６、２８上に積層するもの
である（図３（Ｅ））。そして、このアルミニウム層２
６、ニッケル層２７を所定パターンにエッチングする
（図３（Ｆ））。このようシリコンウェーハ１１の段階
で複数のチップを得ることができるように加工するもの
である。
【００２８】そして、このシリコンウェーハ１１を上記
アルミニウム、ニッケルパターンについてダイシングし
て所望大きさのチップを複数個得る（図４（Ａ））。こ
れに上述したようにリードフレーム２３、２４を接合
し、樹脂封止することによりチップ形シリコンコンデン
サを形成するものである（図４（Ｂ））。この場合、リ
ードフレーム２３、２４は略ハの字形状に突設されてい
る。
アルミニウム、ニッケルパターンについてダイシングし
て所望大きさのチップを複数個得る（図４（Ａ））。こ
れに上述したようにリードフレーム２３、２４を接合
し、樹脂封止することによりチップ形シリコンコンデン
サを形成するものである（図４（Ｂ））。この場合、リ
ードフレーム２３、２４は略ハの字形状に突設されてい
る。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、単位チップ面積当りの
電極面積の大きい、すなわち静電容量の大であるチップ
形シリコンコンデンサを得ることができる。例えば１枚
のシリコンウェーハから得られるシリコンチップの数を
多くすることができるという効果もある。また、絶縁破
壊電圧の著しく高いチップ形シリコンコンデンサを得る
ことができる。
電極面積の大きい、すなわち静電容量の大であるチップ
形シリコンコンデンサを得ることができる。例えば１枚
のシリコンウェーハから得られるシリコンチップの数を
多くすることができるという効果もある。また、絶縁破
壊電圧の著しく高いチップ形シリコンコンデンサを得る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコン
デンサの各製造工程を示す断面図である。
デンサの各製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコン
デンサの各製造工程における断面図である。
デンサの各製造工程における断面図である。
【図３】本発明の他の実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの各製造工程を示す断面図である。
ンデンサの各製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの各製造工程における断面図である。
ンデンサの各製造工程における断面図である。
１３ 溝（凹凸） １４ ＳｉＯ2層（シリコン酸化膜） １５ ポリシリコン電極 ２１ シリコンチップ ２１Ａ シリコンチップの側面 ２２ ＳｉＯ2膜（シリコン酸化膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 義男 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 阿部 秀延 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 薄板状のシリコンチップと、このシリコ
ンチップの表面または裏面に積層されたシリコン酸化膜
と、このシリコン酸化膜上に積層された電極と、を有す
るチップ形シリコンコンデンサにおいて、 上記シリコンチップのシリコン酸化膜積層面を凹凸面で
形成したことを特徴とするチップ形シリコンコンデン
サ。 - 【請求項２】 上記シリコンチップの側面をシリコン酸
化膜により被覆した請求項１に記載のチップ形シリコン
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215493A JPH06302465A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215493A JPH06302465A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302465A true JPH06302465A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14579590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11215493A Withdrawn JPH06302465A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331931B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-12-18 | Integra Technologies, Inc. | Radio frequency power device improvement |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP11215493A patent/JPH06302465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331931B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-12-18 | Integra Technologies, Inc. | Radio frequency power device improvement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5936164A (en) | All-silicon capacitive pressure sensor | |
| CN110995196B (zh) | 谐振器的制备方法和谐振器 | |
| US6980413B1 (en) | Thin film multi-layered ceramic capacitor and method of manufacturing the same | |
| CN103081339A (zh) | 振动发电元件以及具备该元件的振动发电装置 | |
| TWI654781B (zh) | 壓電式層裝置的製造方法以及相關的壓電式層裝置 | |
| EP0610806B1 (fr) | Capteur de mesure de pression absolue de type capacitif et procédé de fabrication d'une pluralité de tels capteurs | |
| JPH06302465A (ja) | チップ形シリコンコンデンサ | |
| US20210020738A1 (en) | Capacitor and method for manufacturing the same | |
| KR102107024B1 (ko) | 음향 공진기 | |
| JP3882718B2 (ja) | 薄膜積層電子部品の製造方法 | |
| JP2004289085A (ja) | 薄膜積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPH11121457A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN117134727A (zh) | 半导体器件的制造方法及半导体器件 | |
| US20030197176A1 (en) | Silicon on insulator standoff and method for manufacture thereof | |
| JPH06302463A (ja) | チップ形シリコンコンデンサ | |
| KR20220166616A (ko) | 음향 공진기 패키지 | |
| JPH06302466A (ja) | チップ形シリコンコンデンサ | |
| JP2004357131A (ja) | 圧電振動子 | |
| CN115442722B (zh) | 鳍片结构扬声器及其形成方法 | |
| JP6536629B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0653073A (ja) | チップ形シリコンコンデンサ | |
| JPH06302464A (ja) | チップ形シリコンコンデンサ | |
| CN113572447B (zh) | 用于体声波谐振器封装的方法 | |
| JPH11297568A (ja) | チップコンデンサ | |
| JPH05190767A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |