JPH06302464A - チップ形シリコンコンデンサ - Google Patents
チップ形シリコンコンデンサInfo
- Publication number
- JPH06302464A JPH06302464A JP11215393A JP11215393A JPH06302464A JP H06302464 A JPH06302464 A JP H06302464A JP 11215393 A JP11215393 A JP 11215393A JP 11215393 A JP11215393 A JP 11215393A JP H06302464 A JPH06302464 A JP H06302464A
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- polysilicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパークを防止して絶縁耐圧を高めるとも
に、安価に製造することのできるチップ形シリコンコン
デンサを提供する。 【構成】 チップ形シリコンコンデンサは、角形のポリ
シリコンチップ２１と、このポリシリコンチップ２１の
表面に積層したＳｉＯ2層１３と、このＳｉＯ2層１３上
に積層したポリシリコン電極層１４と、ポリシリコンチ
ップ２１の裏面に被着したポリシリコン電極層１５とを
有する。そして、このポリシリコンチップ２１の側面２
１Ａ、および、誘電体であるＳｉＯ2層１３の側面に、
ＳｉＯ2膜２２を被着する。このＳｉＯ2膜２２によりポ
リシリコン電極１４とポリシリコンチップ２１との間の
放電を完全に防止する。
に、安価に製造することのできるチップ形シリコンコン
デンサを提供する。 【構成】 チップ形シリコンコンデンサは、角形のポリ
シリコンチップ２１と、このポリシリコンチップ２１の
表面に積層したＳｉＯ2層１３と、このＳｉＯ2層１３上
に積層したポリシリコン電極層１４と、ポリシリコンチ
ップ２１の裏面に被着したポリシリコン電極層１５とを
有する。そして、このポリシリコンチップ２１の側面２
１Ａ、および、誘電体であるＳｉＯ2層１３の側面に、
ＳｉＯ2膜２２を被着する。このＳｉＯ2膜２２によりポ
リシリコン電極１４とポリシリコンチップ２１との間の
放電を完全に防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば角形のポリシリ
コンチップ表面にシリコン酸化膜からなる誘電体膜を介
して電極を積層したコンデンサ構造において、このポリ
シリコンチップの側面を全周にわたってシリコン酸化膜
で被覆することにより、その絶縁耐圧を高めたチップ形
シリコンコンデンサに関する。
コンチップ表面にシリコン酸化膜からなる誘電体膜を介
して電極を積層したコンデンサ構造において、このポリ
シリコンチップの側面を全周にわたってシリコン酸化膜
で被覆することにより、その絶縁耐圧を高めたチップ形
シリコンコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップ形シリコンコンデ
ンサとしては、特開平２−１６７０８号公報に示すもの
がある。このシリコンコンデンサは、シリコンチップの
表面を酸化してシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を形成し、
このシリコン酸化膜上に電極用金属膜（Ａｕ等）を被着
している。このシリコン酸化膜を誘電体層とし、これを
挟むシリコンチップおよび金属膜を一対の電極として構
成したものである。
ンサとしては、特開平２−１６７０８号公報に示すもの
がある。このシリコンコンデンサは、シリコンチップの
表面を酸化してシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を形成し、
このシリコン酸化膜上に電極用金属膜（Ａｕ等）を被着
している。このシリコン酸化膜を誘電体層とし、これを
挟むシリコンチップおよび金属膜を一対の電極として構
成したものである。
【０００３】このチップ形シリコンコンデンサは、誘電
体層を構成するＳｉＯ2（二酸化シリコン）が均質で欠
陥のない極めて安定な物質であって、その温度特性、周
波数特性はきわめて優れている。また、この誘電体層の
厚さを２μｍと薄く形成することが容易であり、これに
より大きな静電容量を確保することができる。
体層を構成するＳｉＯ2（二酸化シリコン）が均質で欠
陥のない極めて安定な物質であって、その温度特性、周
波数特性はきわめて優れている。また、この誘電体層の
厚さを２μｍと薄く形成することが容易であり、これに
より大きな静電容量を確保することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップ形シリコンコンデンサは、ＳｉＯ2からなる
誘電体層の厚さが１０００〜２００００オングストロー
ムと極めて薄いため、対向する金属膜電極の端縁部とシ
リコンチップ電極との間で放電が生じ易く、例えばこれ
らの電極材がスパッタリング等で誘電体層端面に蒸着さ
れて短絡路が形成される等により絶縁破壊が起こり易い
という課題が生じていた。
うなチップ形シリコンコンデンサは、ＳｉＯ2からなる
誘電体層の厚さが１０００〜２００００オングストロー
ムと極めて薄いため、対向する金属膜電極の端縁部とシ
リコンチップ電極との間で放電が生じ易く、例えばこれ
らの電極材がスパッタリング等で誘電体層端面に蒸着さ
れて短絡路が形成される等により絶縁破壊が起こり易い
という課題が生じていた。
【０００５】また、このチップ形シリコンコンデンサに
ついては、電極として用いるシリコンチップについては
単結晶（シリコンウェーハ）のものを使用せざるを得
ず、コンデンサ自体が高価格化していたという課題も有
していた。
ついては、電極として用いるシリコンチップについては
単結晶（シリコンウェーハ）のものを使用せざるを得
ず、コンデンサ自体が高価格化していたという課題も有
していた。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明は、絶縁耐圧を大幅に改
善し、かつ、低価格のチップ形シリコンコンデンサを得
ることをその目的としている。
善し、かつ、低価格のチップ形シリコンコンデンサを得
ることをその目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリシリコン
製の薄板状のチップと、このチップの表面または裏面に
積層されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に
積層された電極と、を備え、上記チップの側面をシリコ
ン酸化膜により被覆したチップ形シリコンコンデンサで
ある。
製の薄板状のチップと、このチップの表面または裏面に
積層されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に
積層された電極と、を備え、上記チップの側面をシリコ
ン酸化膜により被覆したチップ形シリコンコンデンサで
ある。
【０００８】
【作用】本発明に係るチップ形シリコンコンデンサにお
いては、シリコン酸化膜がポリシリコン製のチップの側
面を被覆するため、電極とチップとの間でのスパークの
発生を完全に防止することができる。よってスパークの
発生に起因する絶縁耐圧の低下を防止することができ
る。また、チップとしてはポリシリコンウェーハを加工
して使用しているため、シリコンウェーハを使用した場
合に比較してその製造コストを大幅に（例えば１／１０
程度）低減化することができる。
いては、シリコン酸化膜がポリシリコン製のチップの側
面を被覆するため、電極とチップとの間でのスパークの
発生を完全に防止することができる。よってスパークの
発生に起因する絶縁耐圧の低下を防止することができ
る。また、チップとしてはポリシリコンウェーハを加工
して使用しているため、シリコンウェーハを使用した場
合に比較してその製造コストを大幅に（例えば１／１０
程度）低減化することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳述する。図
１、図２は本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの製造工程を説明するための断面図である。
１、図２は本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコ
ンデンサの製造工程を説明するための断面図である。
【００１０】図２において（Ｃ）に示すように、チップ
形シリコンコンデンサは、角形に切断されたポリシリコ
ン製のチップ２１と、このポリシリコンチップ２１の表
面に積層されたＳｉ層１２と、このＳｉ層１２上に積層
されたＳｉＯ2層１３と、このＳｉＯ2層１３上に積層さ
れたポリシリコン電極１４と、ポリシリコンチップ２１
の裏面に被着されたポリシリコン電極１５と、を有して
いる。
形シリコンコンデンサは、角形に切断されたポリシリコ
ン製のチップ２１と、このポリシリコンチップ２１の表
面に積層されたＳｉ層１２と、このＳｉ層１２上に積層
されたＳｉＯ2層１３と、このＳｉＯ2層１３上に積層さ
れたポリシリコン電極１４と、ポリシリコンチップ２１
の裏面に被着されたポリシリコン電極１５と、を有して
いる。
【００１１】そして、本実施例においては、上記積層構
造体であるチップ形シリコンコンデンサのポリシリコン
チップ２１の側面２１Ａ、さらには、誘電体層であるＳ
ｉＯ2層１３、ポリシリコン電極層１４、１５の側面の
全周縁部に亘ってＳｉＯ2膜２２が被着されている。こ
のＳｉＯ2膜２２の厚さは例えば上記誘電体層１３の厚
さと同じとする。このような構造のチップ形シリコンコ
ンデンサは、チップ２１の表裏面に形成された電極であ
るポリシリコン層１４、１５に、例えばデュメット線等
の電線を圧接し、その外周をガラス容器で封止すること
により、個別電子部品として実装に供されるものであ
る。なお、このチップ形シリコンコンデンサにおける耐
圧、容量等はポリシリコンチップ２１の面積（電極面
積）、誘電体層１３の厚さ等により決定されるものであ
る。
造体であるチップ形シリコンコンデンサのポリシリコン
チップ２１の側面２１Ａ、さらには、誘電体層であるＳ
ｉＯ2層１３、ポリシリコン電極層１４、１５の側面の
全周縁部に亘ってＳｉＯ2膜２２が被着されている。こ
のＳｉＯ2膜２２の厚さは例えば上記誘電体層１３の厚
さと同じとする。このような構造のチップ形シリコンコ
ンデンサは、チップ２１の表裏面に形成された電極であ
るポリシリコン層１４、１５に、例えばデュメット線等
の電線を圧接し、その外周をガラス容器で封止すること
により、個別電子部品として実装に供されるものであ
る。なお、このチップ形シリコンコンデンサにおける耐
圧、容量等はポリシリコンチップ２１の面積（電極面
積）、誘電体層１３の厚さ等により決定されるものであ
る。
【００１２】以下、このチップ形シリコンコンデンサの
製造方法を説明する。図１に示す（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）はポリシリコンウェーハ１１についての
加工工程を、図２に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はこの
ポリシリコンウェーハ１１をダイシング後のポリシリコ
ンチップ２１での加工工程を、それぞれ示すものであ
る。
製造方法を説明する。図１に示す（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）はポリシリコンウェーハ１１についての
加工工程を、図２に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はこの
ポリシリコンウェーハ１１をダイシング後のポリシリコ
ンチップ２１での加工工程を、それぞれ示すものであ
る。
【００１３】まず、例えば太陽電池等に使用されるポリ
シリコン製のウェーハ１１を用意し、このポリシリコン
ウェーハ１１の表面（鏡面側）にＣＶＤ法により５００
０オングストロームの厚さのポリシリコン層１２Ａを形
成する。このポリシリコン層１２Ａの厚さは目標とする
耐圧の値に応じて決定されるが、例えば１０００〜２０
０００オングストローム、好ましくは、５０００〜６０
００オングストロームとする。このポリシリコンウェー
ハ１１の裏面（非鏡面側）に生成したポリシリコン層は
エッチングによって除去する。図１の（Ａ）はこの状態
を示している。
シリコン製のウェーハ１１を用意し、このポリシリコン
ウェーハ１１の表面（鏡面側）にＣＶＤ法により５００
０オングストロームの厚さのポリシリコン層１２Ａを形
成する。このポリシリコン層１２Ａの厚さは目標とする
耐圧の値に応じて決定されるが、例えば１０００〜２０
０００オングストローム、好ましくは、５０００〜６０
００オングストロームとする。このポリシリコンウェー
ハ１１の裏面（非鏡面側）に生成したポリシリコン層は
エッチングによって除去する。図１の（Ａ）はこの状態
を示している。
【００１４】次に、このポリシリコン層１２Ａに例えば
りんイオンを注入してその抵抗値を調整する。例えば数
十Ω／□の面抵抗とする。図１の（Ｂ）はこの状態を示
している。そして、このポリシリコンウェーハ１１をア
ニールすることにより、このポリシリコン層１２Ａを単
結晶化する。すなわち、例えば１０００℃、１５分間の
アニールによりポリシリコン層１２Ａは単結晶シリコン
層１２となるものである。
りんイオンを注入してその抵抗値を調整する。例えば数
十Ω／□の面抵抗とする。図１の（Ｂ）はこの状態を示
している。そして、このポリシリコンウェーハ１１をア
ニールすることにより、このポリシリコン層１２Ａを単
結晶化する。すなわち、例えば１０００℃、１５分間の
アニールによりポリシリコン層１２Ａは単結晶シリコン
層１２となるものである。
【００１５】さらに、熱酸化によりこの単結晶シリコン
層１２の表面にＳｉＯ2層１３を所定の厚さ、例えば４
０００オングストロームに形成する。この場合、ポリシ
リコンウェーハ１１の裏面側に被着するＳｉＯ2はエッ
チングにより除去する。図１の（Ｃ）はこの状態を示し
ている。このＳｉＯ2層１３は誘電体層として機能する
ものである。
層１２の表面にＳｉＯ2層１３を所定の厚さ、例えば４
０００オングストロームに形成する。この場合、ポリシ
リコンウェーハ１１の裏面側に被着するＳｉＯ2はエッ
チングにより除去する。図１の（Ｃ）はこの状態を示し
ている。このＳｉＯ2層１３は誘電体層として機能する
ものである。
【００１６】次に、このポリシリコンウェーハ１１の表
裏両面にポリシリコン層１４、１５をＣＶＤ法によって
所定の厚さに被着する。これらのポリシリコン層１４、
１５は電極用であって、例えばその厚さは５０００オン
グストロームとし、また、必要とする静電容量に応じて
パターニング等してその面積を決定する。電極として
は、このポリシリコン層１４、１５に代えてＷ−Ｓｉ、
Ｍｏ−Ｓｉ等を用いてもよい。この結果、誘電体層であ
るＳｉＯ2層１３をポリシリコン層１４とポリシリコン
ウェーハ１１とで挟んだコンデンサ構造が形成される。
この状態を図１の（Ｄ）に示している。
裏両面にポリシリコン層１４、１５をＣＶＤ法によって
所定の厚さに被着する。これらのポリシリコン層１４、
１５は電極用であって、例えばその厚さは５０００オン
グストロームとし、また、必要とする静電容量に応じて
パターニング等してその面積を決定する。電極として
は、このポリシリコン層１４、１５に代えてＷ−Ｓｉ、
Ｍｏ−Ｓｉ等を用いてもよい。この結果、誘電体層であ
るＳｉＯ2層１３をポリシリコン層１４とポリシリコン
ウェーハ１１とで挟んだコンデンサ構造が形成される。
この状態を図１の（Ｄ）に示している。
【００１７】次いで、これらのポリシリコン層１４、１
５上にＳｉ3Ｎ4層１６、１７をＣＶＤ法にて厚さ５００
０オングストロームで成膜する。これらのＳｉ3Ｎ4層１
６、１７は後述する熱酸化膜を選択的に剥離するための
ものであり、そのために充分な厚さとする。
５上にＳｉ3Ｎ4層１６、１７をＣＶＤ法にて厚さ５００
０オングストロームで成膜する。これらのＳｉ3Ｎ4層１
６、１７は後述する熱酸化膜を選択的に剥離するための
ものであり、そのために充分な厚さとする。
【００１８】そして、このようにして表裏両面に複数層
が積層されたポリシリコンウェーハ１１を周知のダイシ
ング工程により所望の大きさに切断し、例えば２ｍｍ口
のポリシリコンチップ２１を形成する。この場合、この
ポリシリコンチップ２１の表裏両面には上記積層構造
が、その側面２１Ａには例えば自然酸化によるシリコン
酸化膜が形成されている。図２の（Ａ）はこの状態を示
している。ポリシリコンチップ２１上のＳｉＯ2層１３
が誘電体層を、ポリシリコン層１４、１５が電極を、そ
れぞれ構成するものである。
が積層されたポリシリコンウェーハ１１を周知のダイシ
ング工程により所望の大きさに切断し、例えば２ｍｍ口
のポリシリコンチップ２１を形成する。この場合、この
ポリシリコンチップ２１の表裏両面には上記積層構造
が、その側面２１Ａには例えば自然酸化によるシリコン
酸化膜が形成されている。図２の（Ａ）はこの状態を示
している。ポリシリコンチップ２１上のＳｉＯ2層１３
が誘電体層を、ポリシリコン層１４、１５が電極を、そ
れぞれ構成するものである。
【００１９】そして、このようなポリシリコンチップ２
１についてその側面２１ＡにＳｉＯ2膜２２を被着す
る。ＳｉＯ2膜２２の被着方法は、９００℃程度の水蒸
気雰囲気下での熱酸化法によって行う。このＳｉＯ2膜
２２の厚みは例えば５０００オングストロームとする。
ＳｉＯ2膜２２の厚みは大きいほうが耐圧の向上効果が
大きいが、生産性との関係で決定する。この場合、Ｓｉ
Ｏ2膜２２はポリシリコンチップ２１の側面２１Ａだけ
でなくＳｉ3Ｎ4層１６、１７の表面にも形成される。こ
の状態を図２の（Ｂ）に示すものとする。
１についてその側面２１ＡにＳｉＯ2膜２２を被着す
る。ＳｉＯ2膜２２の被着方法は、９００℃程度の水蒸
気雰囲気下での熱酸化法によって行う。このＳｉＯ2膜
２２の厚みは例えば５０００オングストロームとする。
ＳｉＯ2膜２２の厚みは大きいほうが耐圧の向上効果が
大きいが、生産性との関係で決定する。この場合、Ｓｉ
Ｏ2膜２２はポリシリコンチップ２１の側面２１Ａだけ
でなくＳｉ3Ｎ4層１６、１７の表面にも形成される。こ
の状態を図２の（Ｂ）に示すものとする。
【００２０】次いで、この積層体を熱リン酸に所定時間
だけ浸漬してＳｉ3Ｎ4層１６、１７を除去する。この結
果、Ｓｉ3Ｎ4層１６、１７とともにポリシリコン電極１
４、１５を覆う不必要なＳｉＯ2膜２２も除去される。
このようにして図２中（Ｃ）に示すようなチップ形シリ
コンコンデンサが完成する。この結果、ポリシリコンチ
ップ２１の側面２１Ａを覆うＳｉＯ2膜２２は、従来の
コンデンサ構造に存在したスパーク発生源を消滅させる
ため、コンデンサ使用時のスパークの発生を完全に抑止
することができる。
だけ浸漬してＳｉ3Ｎ4層１６、１７を除去する。この結
果、Ｓｉ3Ｎ4層１６、１７とともにポリシリコン電極１
４、１５を覆う不必要なＳｉＯ2膜２２も除去される。
このようにして図２中（Ｃ）に示すようなチップ形シリ
コンコンデンサが完成する。この結果、ポリシリコンチ
ップ２１の側面２１Ａを覆うＳｉＯ2膜２２は、従来の
コンデンサ構造に存在したスパーク発生源を消滅させる
ため、コンデンサ使用時のスパークの発生を完全に抑止
することができる。
【００２１】なお、上記ポリシリコン電極１４、１５
は、基層と、表面層との２層で構成してもよい。基層
は、オーミックコンタクトの向上のため、ポリシリコ
ン、Ｍｏ−Ｓｉ、あるいは、Ｗ−Ｓｉ等から形成する。
表面層は、ハンダ付け性向上のために、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等から形成するものとする。この
ように２層構造とすることにより、十分な付着強度をも
確保することができる。
は、基層と、表面層との２層で構成してもよい。基層
は、オーミックコンタクトの向上のため、ポリシリコ
ン、Ｍｏ−Ｓｉ、あるいは、Ｗ−Ｓｉ等から形成する。
表面層は、ハンダ付け性向上のために、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等から形成するものとする。この
ように２層構造とすることにより、十分な付着強度をも
確保することができる。
【００２２】このようにして作製された本発明のチップ
形シリコンコンデンサは、電極１４に近接対向するシリ
コンチップ側端面がＳｉＯ2絶縁膜２２により完全に被
覆されているので、スパークによる絶縁破壊が起こらな
い。また、誘電体層としては緻密な成膜よりなるＳｉＯ
2層１３を用いたため、該誘電体層での電流リークは生
じないものである。
形シリコンコンデンサは、電極１４に近接対向するシリ
コンチップ側端面がＳｉＯ2絶縁膜２２により完全に被
覆されているので、スパークによる絶縁破壊が起こらな
い。また、誘電体層としては緻密な成膜よりなるＳｉＯ
2層１３を用いたため、該誘電体層での電流リークは生
じないものである。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、誘電損失等の電気的特
性に優れ、しかも、絶縁破壊電圧の著しく高いチップ形
シリコンコンデンサを得ることができる。また、安価な
ポリシリコンウェーハを使用することにより、全体とし
て低価格なチップ形シリコンコンデンサを得ることがで
きる。
性に優れ、しかも、絶縁破壊電圧の著しく高いチップ形
シリコンコンデンサを得ることができる。また、安価な
ポリシリコンウェーハを使用することにより、全体とし
て低価格なチップ形シリコンコンデンサを得ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコン
デンサの各製造工程を示す断面図である。
デンサの各製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るチップ形シリコンコン
デンサの各製造工程における断面図である。
デンサの各製造工程における断面図である。
【符号の説明】 １３ ＳｉＯ2層（シリコン酸化膜） １４ ポリシリコン電極 ２１ ポリシリコンチップ ２１Ａ ポリシリコンチップの側面 ２２ ＳｉＯ2膜（シリコン酸化膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 義男 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 阿部 秀延 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリシリコン製の薄板状のチップと、 このチップの表面または裏面に積層されたシリコン酸化
膜と、 このシリコン酸化膜上に積層された電極と、を備えたチ
ップ形シリコンコンデンサであって、 上記チップの側面をシリコン酸化膜により被覆したこと
を特徴とするチップ形シリコンコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215393A JPH06302464A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215393A JPH06302464A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302464A true JPH06302464A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14579566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11215393A Withdrawn JPH06302464A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | チップ形シリコンコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190131069A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP11215393A patent/JPH06302464A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190131069A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method of manufacturing the same |
| US10699845B2 (en) * | 2017-10-31 | 2020-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |