JPH06309708A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06309708A JPH06309708A JP9435493A JP9435493A JPH06309708A JP H06309708 A JPH06309708 A JP H06309708A JP 9435493 A JP9435493 A JP 9435493A JP 9435493 A JP9435493 A JP 9435493A JP H06309708 A JPH06309708 A JP H06309708A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度に記録でき、高い再生ＣＮＲがえられ
る、光強度変調ダイレクト・オーバライトが可能な光磁
気記録媒体を提供する。 【構成】 基板６上に垂直磁気異方性を有する第１磁性
層から第５磁性層１〜５までの５層が順次積層され、そ
れぞれ隣接する層は互いに交換結合され、第１〜第５磁
性層１〜５のそれぞれのキュリー温度をＴｃ１、
Ｔｃ２、Ｔｃ３、Ｔｃ４、Ｔｃ５としたときＴｃ１＞Ｔ
ｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係
になるように各磁性層の組成を設定する。
る、光強度変調ダイレクト・オーバライトが可能な光磁
気記録媒体を提供する。 【構成】 基板６上に垂直磁気異方性を有する第１磁性
層から第５磁性層１〜５までの５層が順次積層され、そ
れぞれ隣接する層は互いに交換結合され、第１〜第５磁
性層１〜５のそれぞれのキュリー温度をＴｃ１、
Ｔｃ２、Ｔｃ３、Ｔｃ４、Ｔｃ５としたときＴｃ１＞Ｔ
ｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係
になるように各磁性層の組成を設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調ダイレクト・オ
ーバライトが可能で、とくに記録または再生の特性の向
上を図ることができる光磁気記録媒体に関する。
ーバライトが可能で、とくに記録または再生の特性の向
上を図ることができる光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体を示す構成図およ
び該光磁気記録媒体への記録を行う記録装置の概要を図
４〜５に示す。図４は、たとえば「ジャーナル オブ
アプライド フィジックス（Journal of Applied Physi
cs）」第67巻９号、1990年５月１日号、4415〜4416頁に
記載された光磁気記録媒体の構成を示す図で、図４〜５
において、16は基板、11〜14はそれぞれ基板16上に形成
された垂直磁気異方性を有する第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層および第４磁性層であり、これらの層は
隣接する層と交換力により結合し、これらの基板16と磁
性層11〜14とで記録媒体18を構成している。17はバイア
ス磁界を発生させるバイアス磁石、19は記録媒体18を駆
動する駆動モータ、20はレーザ光21を出射する半導体レ
ーザ、22は半導体レーザ20から出射されるレーザ光21を
集光し、記録媒体18上に照射させる集光レンズである。
び該光磁気記録媒体への記録を行う記録装置の概要を図
４〜５に示す。図４は、たとえば「ジャーナル オブ
アプライド フィジックス（Journal of Applied Physi
cs）」第67巻９号、1990年５月１日号、4415〜4416頁に
記載された光磁気記録媒体の構成を示す図で、図４〜５
において、16は基板、11〜14はそれぞれ基板16上に形成
された垂直磁気異方性を有する第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層および第４磁性層であり、これらの層は
隣接する層と交換力により結合し、これらの基板16と磁
性層11〜14とで記録媒体18を構成している。17はバイア
ス磁界を発生させるバイアス磁石、19は記録媒体18を駆
動する駆動モータ、20はレーザ光21を出射する半導体レ
ーザ、22は半導体レーザ20から出射されるレーザ光21を
集光し、記録媒体18上に照射させる集光レンズである。
【０００３】つぎに、前述のように構成される従来の光
磁気記録媒体のオーバライト動作について説明する。記
録媒体18は成膜後、第２〜第４磁性層12〜14の遷移金属
副格子磁化を最初に一度だけ上向きに配向させておき、
バイアス磁界はバイアス磁石17により下向きに発生させ
る。図６において、矢印は遷移金属副格子磁化の方向
を、斜線部は各磁性層のあいだで磁壁が生じている状態
を、ブランクはキュリー温度以上に昇温し強磁性が失わ
れている状態をそれぞれ示している。
磁気記録媒体のオーバライト動作について説明する。記
録媒体18は成膜後、第２〜第４磁性層12〜14の遷移金属
副格子磁化を最初に一度だけ上向きに配向させておき、
バイアス磁界はバイアス磁石17により下向きに発生させ
る。図６において、矢印は遷移金属副格子磁化の方向
を、斜線部は各磁性層のあいだで磁壁が生じている状態
を、ブランクはキュリー温度以上に昇温し強磁性が失わ
れている状態をそれぞれ示している。
【０００４】図６において、まずローパワープロセス
（Ａ）による記録について説明する。半導体レーザ20の
出力を再生時より上昇させ、レーザ光21の集光スポット
内の各磁性層を第１磁性層11のキュリー温度近傍まで昇
温させると、第２磁性層12の副格子磁化の方向が第１磁
性層11に転写され、第１磁性層11の副格子磁化の方向は
上向きになる。この時、第３および第４磁性層13、14は
動作に対してとくに寄与することなく、第３磁性層13の
磁化が消失しても第４磁性層１４との交換力で再び同方
向に磁化され、状態「０」の記録、すなわちローパワー
プロセスが行われる。
（Ａ）による記録について説明する。半導体レーザ20の
出力を再生時より上昇させ、レーザ光21の集光スポット
内の各磁性層を第１磁性層11のキュリー温度近傍まで昇
温させると、第２磁性層12の副格子磁化の方向が第１磁
性層11に転写され、第１磁性層11の副格子磁化の方向は
上向きになる。この時、第３および第４磁性層13、14は
動作に対してとくに寄与することなく、第３磁性層13の
磁化が消失しても第４磁性層１４との交換力で再び同方
向に磁化され、状態「０」の記録、すなわちローパワー
プロセスが行われる。
【０００５】つぎにハイパワープロセス（Ｂ）の記録に
ついて説明する。レーザ光の照射により第２磁性層12の
キュリー温度近傍まで前記ローパワープロセスと同様に
昇温させると、第１および第３磁性層11、13の磁化が消
失するが、第４磁性層14の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層11、13の磁化が消失
しているため交換力を受けず、第２磁性層12の副格子磁
化の方向はバイアス磁界により下向きになる。さらに、
第１磁性層11のキュリー温度より降温させると、第２磁
性層12の副格子磁化の方向が第１磁性層11に転写され、
第１磁性層11の副格子磁化の方向は下向きになる。そし
て、第３磁性層13のキュリー温度より降温させると、第
３磁性層13の副格子磁化の方向は第４磁性層14の副格子
磁化の方向と揃い上向きになる。さらに温度が下がり第
２磁性層12の副格子磁化の方向は第３磁性層13を介して
第４磁性層14の副格子磁化の向きと揃い上向きになっ
て、状態「１」の記録、すなわちハイパワープロセスが
行われる。以上のようにして、記録レーザ強度を少なく
とも２値に変調することでオーバライトが可能になる。
ついて説明する。レーザ光の照射により第２磁性層12の
キュリー温度近傍まで前記ローパワープロセスと同様に
昇温させると、第１および第３磁性層11、13の磁化が消
失するが、第４磁性層14の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層11、13の磁化が消失
しているため交換力を受けず、第２磁性層12の副格子磁
化の方向はバイアス磁界により下向きになる。さらに、
第１磁性層11のキュリー温度より降温させると、第２磁
性層12の副格子磁化の方向が第１磁性層11に転写され、
第１磁性層11の副格子磁化の方向は下向きになる。そし
て、第３磁性層13のキュリー温度より降温させると、第
３磁性層13の副格子磁化の方向は第４磁性層14の副格子
磁化の方向と揃い上向きになる。さらに温度が下がり第
２磁性層12の副格子磁化の方向は第３磁性層13を介して
第４磁性層14の副格子磁化の向きと揃い上向きになっ
て、状態「１」の記録、すなわちハイパワープロセスが
行われる。以上のようにして、記録レーザ強度を少なく
とも２値に変調することでオーバライトが可能になる。
【０００６】一方、光変調ダイレクト・オーバライト可
能な光磁気記録媒体の第１磁性層に高キュリー温度を有
するＧｄＦｅＣｏ膜を用い再生ＣＮＲの改善を図ったも
のが「プロシーディング オブ ザ 1991 インターナ
ショナル シンポジウム オン オプティカル メモリ
（Proceedings of the 1991 International Symposium
on Optical Memory）」55〜57頁に示されている。この
光磁気記録媒体では光変調ダイレクト・オーバライト動
作を実現させるために、３〜４ｋＯｅの磁界を発生する
初期化磁石といわれる外部磁界発生装置をあらたに設け
る必要があり、本発明の光磁気記録媒体とは大きく異な
る。
能な光磁気記録媒体の第１磁性層に高キュリー温度を有
するＧｄＦｅＣｏ膜を用い再生ＣＮＲの改善を図ったも
のが「プロシーディング オブ ザ 1991 インターナ
ショナル シンポジウム オン オプティカル メモリ
（Proceedings of the 1991 International Symposium
on Optical Memory）」55〜57頁に示されている。この
光磁気記録媒体では光変調ダイレクト・オーバライト動
作を実現させるために、３〜４ｋＯｅの磁界を発生する
初期化磁石といわれる外部磁界発生装置をあらたに設け
る必要があり、本発明の光磁気記録媒体とは大きく異な
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の光磁気記録媒体
は以上のように構成されており、第１磁性層11のキュリ
ー温度近傍においてローパワープロセスが、また第２磁
性層12のキュリー温度近傍においてハイパワープロセス
が行われる。これら第１磁性層11および第２磁性層12の
キュリー温度を低くすることにより記録感度を向上させ
ることができる。しかし、充分な記録再生特性をうるた
めにローパワープロセスとハイパワープロセスを行う温
度に差をつける、すなわち第１磁性層11と第２磁性層12
のキュリー温度に充分な温度差を設ける必要がある。一
方、キュリー温度の低い磁性膜においては信号強度に関
係する磁気光学効果のカー回転角が小さく記録再生特性
が劣化するため、第１磁性層11のキュリー温度を低くで
きないという問題がある。
は以上のように構成されており、第１磁性層11のキュリ
ー温度近傍においてローパワープロセスが、また第２磁
性層12のキュリー温度近傍においてハイパワープロセス
が行われる。これら第１磁性層11および第２磁性層12の
キュリー温度を低くすることにより記録感度を向上させ
ることができる。しかし、充分な記録再生特性をうるた
めにローパワープロセスとハイパワープロセスを行う温
度に差をつける、すなわち第１磁性層11と第２磁性層12
のキュリー温度に充分な温度差を設ける必要がある。一
方、キュリー温度の低い磁性膜においては信号強度に関
係する磁気光学効果のカー回転角が小さく記録再生特性
が劣化するため、第１磁性層11のキュリー温度を低くで
きないという問題がある。
【０００８】本発明は前述のような問題を解消するため
になされたもので、高感度で高い信号出力がえられる光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
になされたもので、高感度で高い信号出力がえられる光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に垂直磁気異方性を有する第１磁性層から第
５磁性層までの５層が順次積層され、それぞれ隣接する
層は互いに交換結合されている光強度変調ダイレクト・
オーバライトが可能な光磁気記録媒体であって、その媒
体の各磁性層が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、かつ、Ｔ
ｃ４＜Ｔｃ５ ただし、Ｔｃ１：第１磁性層のキュリー温度 Ｔｃ２：第２磁性層のキュリー温度 Ｔｃ３：第３磁性層のキュリー温度 Ｔｃ４：第４磁性層のキュリー温度 Ｔｃ５：第５磁性層のキュリー温度 の関係にあるものである。
は、基板上に垂直磁気異方性を有する第１磁性層から第
５磁性層までの５層が順次積層され、それぞれ隣接する
層は互いに交換結合されている光強度変調ダイレクト・
オーバライトが可能な光磁気記録媒体であって、その媒
体の各磁性層が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、かつ、Ｔ
ｃ４＜Ｔｃ５ ただし、Ｔｃ１：第１磁性層のキュリー温度 Ｔｃ２：第２磁性層のキュリー温度 Ｔｃ３：第３磁性層のキュリー温度 Ｔｃ４：第４磁性層のキュリー温度 Ｔｃ５：第５磁性層のキュリー温度 の関係にあるものである。
【００１０】また、本発明の光磁気記録媒体は前記各磁
性層の関係でさらに、Ｔｃ１＜Ｔｃ５、かつ、Ｔｃ３＜
Ｔｃ５の関係にあることが好ましい。
性層の関係でさらに、Ｔｃ１＜Ｔｃ５、かつ、Ｔｃ３＜
Ｔｃ５の関係にあることが好ましい。
【００１１】さらに、本発明の光磁気記録媒体は前記各
磁性層の関係でさらに、Ｔｃ４＜Ｔｃ１の関係にあるこ
とが好ましい。
磁性層の関係でさらに、Ｔｃ４＜Ｔｃ１の関係にあるこ
とが好ましい。
【００１２】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、第１
磁性層が希土類金属元素Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙよ
りなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金
属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素とを主体とした合金であることが好まし
い。
磁性層が希土類金属元素Ｎｄ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙよ
りなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金
属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素とを主体とした合金であることが好まし
い。
【００１３】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、第２
磁性層が希土類金属元素ＴｂおよびＤｙよりなる群から
選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素Ｆｅお
よびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
とを主体とした合金であることが好ましい。
磁性層が希土類金属元素ＴｂおよびＤｙよりなる群から
選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素Ｆｅお
よびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
とを主体とした合金であることが好ましい。
【００１４】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、第３
磁性層が希土類金属元素Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙよりなる
群から選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素
ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素とを主体とした合金であることが好ましい。
磁性層が希土類金属元素Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙよりなる
群から選ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素
ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素とを主体とした合金であることが好ましい。
【００１５】また、本発明の光磁気記録媒体は、第４磁
性層が希土類金属元素ＴｂおよびＤｙよりなる群から選
ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素Ｆｅおよ
びＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と
を主体とした合金であることが好ましい。
性層が希土類金属元素ＴｂおよびＤｙよりなる群から選
ばれた少なくとも１種の元素と、遷移金属元素Ｆｅおよ
びＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と
を主体とした合金であることが好ましい。
【００１６】さらに、本発明の光磁気記録媒体は第５磁
性層が希土類金属元素であるＴｂと、遷移金属元素Ｆｅ
およびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素とを主体とした合金であることが好ましい。
性層が希土類金属元素であるＴｂと、遷移金属元素Ｆｅ
およびＣｏよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素とを主体とした合金であることが好ましい。
【００１７】さらに、本発明の光磁気記録媒体は第２磁
性層と第３磁性層とのあいだに両層の交換結合力を調整
するための中間層が設けられていることが好ましい。
性層と第３磁性層とのあいだに両層の交換結合力を調整
するための中間層が設けられていることが好ましい。
【００１８】さらに、本発明の光磁気記録媒体は磁性膜
の少なくとも一方の側に誘電体からなるカー効果エンハ
ンス層および／または保護膜が設けられていることが好
ましい。
の少なくとも一方の側に誘電体からなるカー効果エンハ
ンス層および／または保護膜が設けられていることが好
ましい。
【００１９】また、本発明の光磁気記録媒体は第１磁性
層が少なくともＰｔまたはＰｄと、Ｃｏとの合金膜から
なっていてもよい。
層が少なくともＰｔまたはＰｄと、Ｃｏとの合金膜から
なっていてもよい。
【００２０】また、本発明の光磁気記録媒体は第１磁性
層が少なくともＰｔまたはＰｄと、Ｃｏとを積層した多
層膜からなっていてもよい。
層が少なくともＰｔまたはＰｄと、Ｃｏとを積層した多
層膜からなっていてもよい。
【００２１】
【作用】本発明における光磁気記録媒体では、磁性層を
５層で形成し、第１磁性層の副格子磁化の方向を第２磁
性層の副格子磁化の方向と交換結合させているため、第
１磁性層のキュリー温度を高く設定することができると
共に、第２磁性層および第３磁性層のキュリー温度を低
く設定することができ、しかも第２磁性層と第３磁性層
のキュリー温度に充分な温度差を設けることができる。
そのため、高い記録感度を実現でき、さら第１磁性層の
キュリー温度を高くすることによりカー回転角が大きく
なり、高い再生ＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）がえ
られる。
５層で形成し、第１磁性層の副格子磁化の方向を第２磁
性層の副格子磁化の方向と交換結合させているため、第
１磁性層のキュリー温度を高く設定することができると
共に、第２磁性層および第３磁性層のキュリー温度を低
く設定することができ、しかも第２磁性層と第３磁性層
のキュリー温度に充分な温度差を設けることができる。
そのため、高い記録感度を実現でき、さら第１磁性層の
キュリー温度を高くすることによりカー回転角が大きく
なり、高い再生ＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）がえ
られる。
【００２２】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は本発明の実施例における光磁気記録
媒体を示す構成図である。６はガラスまたはプラスチッ
クスの透明基板、１〜５は互いに交換結合させた第１磁
性層、第２磁性層、第３磁性層、第４磁性層および第５
磁性層で、これら各磁性層１〜５はガラスまたはプラス
チックスなどからなる透明基板６上に順次スパッタ法に
より成膜され、記録媒体８を構成している。７はバイア
ス磁石である。なお図示はされていないが、このように
積層された磁性層の両側には誘電体層および保護膜が形
成されている。
ら説明する。図１は本発明の実施例における光磁気記録
媒体を示す構成図である。６はガラスまたはプラスチッ
クスの透明基板、１〜５は互いに交換結合させた第１磁
性層、第２磁性層、第３磁性層、第４磁性層および第５
磁性層で、これら各磁性層１〜５はガラスまたはプラス
チックスなどからなる透明基板６上に順次スパッタ法に
より成膜され、記録媒体８を構成している。７はバイア
ス磁石である。なお図示はされていないが、このように
積層された磁性層の両側には誘電体層および保護膜が形
成されている。
【００２３】第１磁性層１の副格子磁化方向は、第２磁
性層２との交換力により第２磁性層２の副格子磁化方向
と同じ方向になり、再生時のレーザ光照射により温度上
昇によるカー回転角の低下の小さい材料、たとえば（Ｎ
ｄR1ＧｄR2ＴｂR3ＤｙR4）x（Ｆｅ1-yＣｏy）1-x（Ｒ１
〜Ｒ４はそれぞれ０≦Ｒ１〜Ｒ４≦１で、Ｒ１＋Ｒ２＋
Ｒ３＋Ｒ４＝１、0.05＜ｘ＜0.3、０≦ｙ≦１）などの
希土類金属と遷移金属との合金で形成される。前記ｘの
範囲は0.1＜ｘ＜0.25であることがさらに好ましい。
性層２との交換力により第２磁性層２の副格子磁化方向
と同じ方向になり、再生時のレーザ光照射により温度上
昇によるカー回転角の低下の小さい材料、たとえば（Ｎ
ｄR1ＧｄR2ＴｂR3ＤｙR4）x（Ｆｅ1-yＣｏy）1-x（Ｒ１
〜Ｒ４はそれぞれ０≦Ｒ１〜Ｒ４≦１で、Ｒ１＋Ｒ２＋
Ｒ３＋Ｒ４＝１、0.05＜ｘ＜0.3、０≦ｙ≦１）などの
希土類金属と遷移金属との合金で形成される。前記ｘの
範囲は0.1＜ｘ＜0.25であることがさらに好ましい。
【００２４】また、ＰｔまたはＰｄとＣｏとの合金で形
成されたものであってもよい。このばあい短波長域での
磁気光学効果を向上させるという効果がある。さらに、
この合金膜をＰｔまたはＰｄとＣｏとをたとえば２元同
時スパッタ法などにより積層して形成したばあいにおい
て、周期を短くしてミキシングなどにより合金化したも
のでもよい。このばあいにおいても同様の効果がある。
また第１磁性層１の膜厚は１〜100nmの範囲であればよ
く、さらに10〜50nmの範囲が好ましい。膜厚が厚すぎる
と記録に必要なレーザパワーが増大して記録感度が低下
するだけでなく、第２磁性層２からの副格子磁化方向の
転写特性が悪化してノイズレベルの上昇によりＣＮＲが
低下し、膜厚が薄すぎると高い再生ＣＮＲがえられない
からである。
成されたものであってもよい。このばあい短波長域での
磁気光学効果を向上させるという効果がある。さらに、
この合金膜をＰｔまたはＰｄとＣｏとをたとえば２元同
時スパッタ法などにより積層して形成したばあいにおい
て、周期を短くしてミキシングなどにより合金化したも
のでもよい。このばあいにおいても同様の効果がある。
また第１磁性層１の膜厚は１〜100nmの範囲であればよ
く、さらに10〜50nmの範囲が好ましい。膜厚が厚すぎる
と記録に必要なレーザパワーが増大して記録感度が低下
するだけでなく、第２磁性層２からの副格子磁化方向の
転写特性が悪化してノイズレベルの上昇によりＣＮＲが
低下し、膜厚が薄すぎると高い再生ＣＮＲがえられない
からである。
【００２５】第２磁性層２は第３磁性層３の副格子磁化
方向との交換力により降温時に副格子磁化方向が決めら
れるものであり、キュリー温度Ｔｃ２は第３磁性層３お
よび第４磁性層４のキュリー温度Ｔｃ３、Ｔｃ４より低
い材料であり、「１」、「０」の記録情報を保持するた
め高保磁力を有する材料、たとえば（ＴｂR5ＤｙR6）v
（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v（０≦Ｒ５≦１、０≦Ｒ６≦１で
Ｒ５＋Ｒ６＝１、0.1＜ｖ＜0.3、０≦ｗ≦0.5）などが
使用される。前記ｖの範囲は0.2＜ｖ＜0.25であること
がさらに好ましい。また第２磁性層２の膜厚は10〜100n
mの範囲であればよく、さらに10〜50nmの範囲が好まし
い。膜厚が厚すぎると記録に必要なレーザパワーが増大
して記録感度が低下するだけでなく、第３磁性層３から
の副格子磁化方向の転写特性が悪化して記録磁界依存性
が悪化し、膜厚が薄すぎると第３磁性層３からの交換力
が強く働き、磁化の保持が不安定となるからである。
方向との交換力により降温時に副格子磁化方向が決めら
れるものであり、キュリー温度Ｔｃ２は第３磁性層３お
よび第４磁性層４のキュリー温度Ｔｃ３、Ｔｃ４より低
い材料であり、「１」、「０」の記録情報を保持するた
め高保磁力を有する材料、たとえば（ＴｂR5ＤｙR6）v
（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v（０≦Ｒ５≦１、０≦Ｒ６≦１で
Ｒ５＋Ｒ６＝１、0.1＜ｖ＜0.3、０≦ｗ≦0.5）などが
使用される。前記ｖの範囲は0.2＜ｖ＜0.25であること
がさらに好ましい。また第２磁性層２の膜厚は10〜100n
mの範囲であればよく、さらに10〜50nmの範囲が好まし
い。膜厚が厚すぎると記録に必要なレーザパワーが増大
して記録感度が低下するだけでなく、第３磁性層３から
の副格子磁化方向の転写特性が悪化して記録磁界依存性
が悪化し、膜厚が薄すぎると第３磁性層３からの交換力
が強く働き、磁化の保持が不安定となるからである。
【００２６】第３磁性層３はハイパワープロセスにおい
てバイアス磁界により副格子磁化方向が決められる層で
あり、キュリー温度Ｔｃ３は第２磁性層２および第４磁
性層４のキュリー温度Ｔｃ２、Ｔｃ４よりも高く、第５
磁性層５のキュリー温度Ｔｃ５より低い材料、たとえば
（ＧｄR7ＴｂR8ＤｙR9）t（Ｆｅ1-uＣｏu）1-t（Ｒ７〜
Ｒ９はそれぞれ０≦Ｒ７〜Ｒ９≦１で、Ｒ７＋Ｒ８＋Ｒ
９＝１、0.15＜ｔ＜0.4、0.2≦ｕ≦１）などが使用され
る。とくにｔの範囲が0.2＜ｔ＜0.3であることが好まし
く、さらにはＤｙt（Ｆｅ1-uＣｏu）1-tがキュリー温度
などの磁気特性の制御において望ましい。また第３磁性
層３の膜厚は20〜200nmの範囲であればよく、さらに30
〜60nmの範囲が好ましい。膜厚が厚すぎると記録に必要
なレーザパワーが増大して記録感度が低下し、膜厚が薄
すぎると第２磁性層２への副格子磁化方向の転写特性が
悪化しするからである。
てバイアス磁界により副格子磁化方向が決められる層で
あり、キュリー温度Ｔｃ３は第２磁性層２および第４磁
性層４のキュリー温度Ｔｃ２、Ｔｃ４よりも高く、第５
磁性層５のキュリー温度Ｔｃ５より低い材料、たとえば
（ＧｄR7ＴｂR8ＤｙR9）t（Ｆｅ1-uＣｏu）1-t（Ｒ７〜
Ｒ９はそれぞれ０≦Ｒ７〜Ｒ９≦１で、Ｒ７＋Ｒ８＋Ｒ
９＝１、0.15＜ｔ＜0.4、0.2≦ｕ≦１）などが使用され
る。とくにｔの範囲が0.2＜ｔ＜0.3であることが好まし
く、さらにはＤｙt（Ｆｅ1-uＣｏu）1-tがキュリー温度
などの磁気特性の制御において望ましい。また第３磁性
層３の膜厚は20〜200nmの範囲であればよく、さらに30
〜60nmの範囲が好ましい。膜厚が厚すぎると記録に必要
なレーザパワーが増大して記録感度が低下し、膜厚が薄
すぎると第２磁性層２への副格子磁化方向の転写特性が
悪化しするからである。
【００２７】第４磁性層４は第３磁性層３と第５磁性層
５との層間の交換力をハイパワープロセスが行われる高
い温度で遮断し、低い温度では第３磁性層および第５磁
性層とのあいだにそれぞれ交換力を有し、副格子磁化の
方向がそれぞれ同じ方向になるような材料で、キュリー
温度Ｔｃ４は第３磁性層３のキュリー温度Ｔｃ３より低
い材料、たとえば（ＴｂR10ＤｙR11）r（Ｆｅ1-sＣ
ｏs）1-r（０≦Ｒ10≦１、０≦Ｒ11≦１でＲ10＋Ｒ11＝
１、0.05＜ｒ＜0.4、０≦ｓ≦0.5）などが使用される。
前記ｒの範囲は0.1＜ｒ＜0.2であることがさらに好まし
い。また第４磁性層４の膜厚は５〜50nmの範囲であれば
よく、さらに８〜30ｎｍの範囲が好ましい。膜厚が厚す
ぎると記録に必要なレーザパワーが増大して記録感度が
低下し、膜厚が薄すぎるとハイパワープロセスでの第３
磁性層３と第５磁性層５間の交換力を十分に遮断できな
い。
５との層間の交換力をハイパワープロセスが行われる高
い温度で遮断し、低い温度では第３磁性層および第５磁
性層とのあいだにそれぞれ交換力を有し、副格子磁化の
方向がそれぞれ同じ方向になるような材料で、キュリー
温度Ｔｃ４は第３磁性層３のキュリー温度Ｔｃ３より低
い材料、たとえば（ＴｂR10ＤｙR11）r（Ｆｅ1-sＣ
ｏs）1-r（０≦Ｒ10≦１、０≦Ｒ11≦１でＲ10＋Ｒ11＝
１、0.05＜ｒ＜0.4、０≦ｓ≦0.5）などが使用される。
前記ｒの範囲は0.1＜ｒ＜0.2であることがさらに好まし
い。また第４磁性層４の膜厚は５〜50nmの範囲であれば
よく、さらに８〜30ｎｍの範囲が好ましい。膜厚が厚す
ぎると記録に必要なレーザパワーが増大して記録感度が
低下し、膜厚が薄すぎるとハイパワープロセスでの第３
磁性層３と第５磁性層５間の交換力を十分に遮断できな
い。
【００２８】第５磁性層５はハイパワープロセスにおい
て副格子磁化の方向が変化しない垂直磁気異方性が大き
く、キュリー温度Ｔｃ５が300℃以上の材料、たとえば
Ｔｂp（Ｆｅ1-qＣｏq）1-p（0.15＜ｐ＜0.4、0.3≦ｑ≦
１）などが使用される。前記ｐの範囲は0.2＜ｐ＜0.3で
あることがさらに好ましい。また第５磁性層５の膜厚は
20〜200nmの範囲であればよく、さらに30〜80nmの範囲
が好ましい。膜厚が厚すぎると記録に必要なレーザパワ
ーが増大して記録感度が低下し、膜厚が薄すぎると記録
および保存時に副格子磁化方向が不安定となる。
て副格子磁化の方向が変化しない垂直磁気異方性が大き
く、キュリー温度Ｔｃ５が300℃以上の材料、たとえば
Ｔｂp（Ｆｅ1-qＣｏq）1-p（0.15＜ｐ＜0.4、0.3≦ｑ≦
１）などが使用される。前記ｐの範囲は0.2＜ｐ＜0.3で
あることがさらに好ましい。また第５磁性層５の膜厚は
20〜200nmの範囲であればよく、さらに30〜80nmの範囲
が好ましい。膜厚が厚すぎると記録に必要なレーザパワ
ーが増大して記録感度が低下し、膜厚が薄すぎると記録
および保存時に副格子磁化方向が不安定となる。
【００２９】また、誘電体層（図示せず）はカーエンハ
ンスメント効果を利用し見かけ上のカー回転角を増大さ
せると共に、反射率を低下させることでノイズレベルを
下げて再生ＣＮＲを向上させるための層で、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔｉなどのチッ化物または酸化物、およびそれらの
混合物（ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、Ｔ
ｉＮｘ、ＧｅＮｘ、ＳｉＡｌＮｘ、ＳｉＡｌＯＮなど）
からなる誘電体膜が用いられる。また誘電体層の膜厚は
用いる材料の屈折率（通常ｎ＝2.0〜2.5）により決ま
り、積層された磁性層の少なくとも基板側に50〜80nmの
厚さで設けられることが好ましい。
ンスメント効果を利用し見かけ上のカー回転角を増大さ
せると共に、反射率を低下させることでノイズレベルを
下げて再生ＣＮＲを向上させるための層で、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔｉなどのチッ化物または酸化物、およびそれらの
混合物（ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、Ｔ
ｉＮｘ、ＧｅＮｘ、ＳｉＡｌＮｘ、ＳｉＡｌＯＮなど）
からなる誘電体膜が用いられる。また誘電体層の膜厚は
用いる材料の屈折率（通常ｎ＝2.0〜2.5）により決ま
り、積層された磁性層の少なくとも基板側に50〜80nmの
厚さで設けられることが好ましい。
【００３０】さらに保護層は磁性膜の信頼性向上のため
のもので、前記誘電体層と同じ材料が用いられ、積層さ
れた磁性層の両側にピンホールのない高信頼性がえられ
る膜厚として50〜100nm程度の厚さで設けられる。前述
の誘電体層が設けられているばあいは保護層と誘電体層
とを兼用することができる。
のもので、前記誘電体層と同じ材料が用いられ、積層さ
れた磁性層の両側にピンホールのない高信頼性がえられ
る膜厚として50〜100nm程度の厚さで設けられる。前述
の誘電体層が設けられているばあいは保護層と誘電体層
とを兼用することができる。
【００３１】前述の各磁性層のキュリー温度の関係をま
とめると、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、かつ、Ｔｃ４＜Ｔｃ５ （１） の関係になり、この関係にすることによりローパワープ
ロセスとハイパワープロセスによる記録を高感度で確実
にすることができ、しかもＴｃ１を高くすることができ
るため、再生時にカー回転角が大きくなり、高いＣＮＲ
がえられる。
とめると、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、かつ、Ｔｃ４＜Ｔｃ５ （１） の関係になり、この関係にすることによりローパワープ
ロセスとハイパワープロセスによる記録を高感度で確実
にすることができ、しかもＴｃ１を高くすることができ
るため、再生時にカー回転角が大きくなり、高いＣＮＲ
がえられる。
【００３２】前記各磁性層のキュリー温度の関係（１）
で、さらに Ｔｃ３＜Ｔｃ５、かつ、Ｔｃ１＜Ｔｃ５ （２） の関係にすることにより、第５磁性層５の安定性が向上
し、さらに高信頼性の優れた光磁気記録媒体がえられる
（後述する実施例37〜39参照）。
で、さらに Ｔｃ３＜Ｔｃ５、かつ、Ｔｃ１＜Ｔｃ５ （２） の関係にすることにより、第５磁性層５の安定性が向上
し、さらに高信頼性の優れた光磁気記録媒体がえられる
（後述する実施例37〜39参照）。
【００３３】また、前記各磁性層のキュリー温度の関係
（１）または（１）と（２）で、さらに Ｔｃ１＞Ｔｃ４ （３） の関係にすることにより、すなわち第１磁性層１のキュ
リー温度を高く設定することにより、えられる再生信号
強度が向上し、さらに高い再生ＣＮＲを有する光磁気記
録媒体がえられる（後述する実施例１〜19、22〜33参
照）。
（１）または（１）と（２）で、さらに Ｔｃ１＞Ｔｃ４ （３） の関係にすることにより、すなわち第１磁性層１のキュ
リー温度を高く設定することにより、えられる再生信号
強度が向上し、さらに高い再生ＣＮＲを有する光磁気記
録媒体がえられる（後述する実施例１〜19、22〜33参
照）。
【００３４】また、第２磁性層２と第３磁性層３とのあ
いだに、たとえば（ＧｄR12ＴｂR13ＤｙR14ＨｏR15）m
（Ｆｅ1-nＣｏn）1-m（Ｒ12〜Ｒ15はそれぞれ０〜１
で、Ｒ12＋Ｒ13＋Ｒ14＋Ｒ15＝１、0.15＜ｍ＜0.4、０
≦ｎ≦１）のような磁性層からなる中間層を設けること
により、第２磁性層２と第３磁性層３とのあいだの交換
力を調整することができ、ハイパワープロセスを行った
のちに、第２磁性層２および第１磁性層１の副格子磁化
方向が反転して「１」の記録が「０」になる事故を防止
することができる（後述する実施例41、42参照）。なお
前記ｍの範囲は0.25＜ｍ＜0.35であることがさらに好ま
しい。
いだに、たとえば（ＧｄR12ＴｂR13ＤｙR14ＨｏR15）m
（Ｆｅ1-nＣｏn）1-m（Ｒ12〜Ｒ15はそれぞれ０〜１
で、Ｒ12＋Ｒ13＋Ｒ14＋Ｒ15＝１、0.15＜ｍ＜0.4、０
≦ｎ≦１）のような磁性層からなる中間層を設けること
により、第２磁性層２と第３磁性層３とのあいだの交換
力を調整することができ、ハイパワープロセスを行った
のちに、第２磁性層２および第１磁性層１の副格子磁化
方向が反転して「１」の記録が「０」になる事故を防止
することができる（後述する実施例41、42参照）。なお
前記ｍの範囲は0.25＜ｍ＜0.35であることがさらに好ま
しい。
【００３５】この中間層は第２磁性層２と第３磁性層３
とのあいだの交換力（界面磁壁エネルギー密度に比例）
を制御する（主に小さくする）ために用いられる。界面
磁壁エネルギー密度を低減するためには第２および第３
磁性層２、３に用いられる磁性材料に比べて垂直磁気異
方性エネルギーの小さい磁性材料または非磁性材料を用
いることが好ましい。したがって、他の第１〜第５磁性
層１〜５と同様な希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金を用いるばあい、垂直磁気異方性エネルギーの小
さな希土類金属にＧｄを主成分として用いたＲＥ−ＴＭ
膜がとくに有効な材料である。
とのあいだの交換力（界面磁壁エネルギー密度に比例）
を制御する（主に小さくする）ために用いられる。界面
磁壁エネルギー密度を低減するためには第２および第３
磁性層２、３に用いられる磁性材料に比べて垂直磁気異
方性エネルギーの小さい磁性材料または非磁性材料を用
いることが好ましい。したがって、他の第１〜第５磁性
層１〜５と同様な希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金を用いるばあい、垂直磁気異方性エネルギーの小
さな希土類金属にＧｄを主成分として用いたＲＥ−ＴＭ
膜がとくに有効な材料である。
【００３６】また中間層の膜厚は１〜30nmが好ましく、
あまり膜厚が厚すぎると記録感度が低下する。
あまり膜厚が厚すぎると記録感度が低下する。
【００３７】なお、各層の材料は第３磁性層としてＤｙ
ＦｅＣｏ３元系非晶質合金を用い、第４磁性層としては
ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金を用いるとキュリー温度
などの磁気特性の制御が容易になるなど生産性において
有効である。
ＦｅＣｏ３元系非晶質合金を用い、第４磁性層としては
ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金を用いるとキュリー温度
などの磁気特性の制御が容易になるなど生産性において
有効である。
【００３８】これらの磁性層からなる光磁気記録媒体に
おいて、光変調オーバライト可能な高感度、かつ、高い
再生ＣＮＲが実現された。
おいて、光変調オーバライト可能な高感度、かつ、高い
再生ＣＮＲが実現された。
【００３９】つぎに図２を参照しながら、本発明の光磁
気記録媒体のオーバライトの動作について説明する。
気記録媒体のオーバライトの動作について説明する。
【００４０】まずローパワープロセス（Ａ）について説
明する。半導体レーザの出力を再生時より上昇させ、レ
ーザ光の集光スポット内の各磁性層を第２磁性層２のキ
ュリー温度近傍または第４磁性層４のキュリー温度近傍
まで昇温させる。第４磁性層４のキュリー温度は第２磁
性層２のキュリー温度より高く設定されている。そして
第２磁性層のキュリー温度近傍まで温度が下がると、第
３磁性層３の副格子磁化方向が第２磁性層２に転写さ
れ、第２磁性層２の副格子磁化方向は上向きになる。そ
ののち、第２磁性層２の副格子磁化方向が第１磁性層１
の交換力により第１磁性層１の副格子磁化方向も上向き
になる。このとき、第４および第５磁性層４、５はオー
バライト動作に対してとくに寄与することなく、第４磁
性層４の磁化が消失しても第５磁性層５との交換力で再
び第５磁性層５の副格子磁化方向と同じ方向に磁化さ
れ、状態「０」、すなわちローパワープロセスが行われ
る。
明する。半導体レーザの出力を再生時より上昇させ、レ
ーザ光の集光スポット内の各磁性層を第２磁性層２のキ
ュリー温度近傍または第４磁性層４のキュリー温度近傍
まで昇温させる。第４磁性層４のキュリー温度は第２磁
性層２のキュリー温度より高く設定されている。そして
第２磁性層のキュリー温度近傍まで温度が下がると、第
３磁性層３の副格子磁化方向が第２磁性層２に転写さ
れ、第２磁性層２の副格子磁化方向は上向きになる。そ
ののち、第２磁性層２の副格子磁化方向が第１磁性層１
の交換力により第１磁性層１の副格子磁化方向も上向き
になる。このとき、第４および第５磁性層４、５はオー
バライト動作に対してとくに寄与することなく、第４磁
性層４の磁化が消失しても第５磁性層５との交換力で再
び第５磁性層５の副格子磁化方向と同じ方向に磁化さ
れ、状態「０」、すなわちローパワープロセスが行われ
る。
【００４１】また、図２のハイパワープロセス（Ｂ）で
は、レーザ光の照射により第３磁性層３のキュリー温度
近傍まで前記ローパワープロセスと同様に昇温させる
と、第２および第４磁性層２、４の磁化が消失するが、
第５磁性層５の副格子磁化方向は変化しない。そして、
第２および第４磁性層２、４の磁化が消失しているため
交換力を受けず、第３磁性層３の副格子磁化方向はバイ
アス磁界により下向きになる。つぎに、第４磁性層４の
キュリー温度より降温させると、第５磁性層５の副格子
磁化方向が第４磁性層４に転写され、第４磁性層４の副
格子磁化方向は上向きになる。さらに、第２磁性層２の
キュリー温度より降温させると、第３磁性層３の副格子
磁化方向が第２磁性層２に転写され、第２磁性層２の副
格子磁化方向は下向きになる。さらに温度が下がると、
第３磁性層３の副格子磁化方向は第４磁性層４を介して
第５磁性層５の副格子磁化方向と揃い上向きなる。室温
付近では第２磁性層２と第３磁性層３の交換力は第２磁
性層２の保磁力に比べ弱くなるため、第２磁性層２、第
１磁性層１の副格子磁化方向は下向きのままで、状態
「１」、すなわちハイパワープロセスが行われる。以上
のようにして、記録レーザ強度を少なくとも２値に変調
することでオーバライトが可能になる。
は、レーザ光の照射により第３磁性層３のキュリー温度
近傍まで前記ローパワープロセスと同様に昇温させる
と、第２および第４磁性層２、４の磁化が消失するが、
第５磁性層５の副格子磁化方向は変化しない。そして、
第２および第４磁性層２、４の磁化が消失しているため
交換力を受けず、第３磁性層３の副格子磁化方向はバイ
アス磁界により下向きになる。つぎに、第４磁性層４の
キュリー温度より降温させると、第５磁性層５の副格子
磁化方向が第４磁性層４に転写され、第４磁性層４の副
格子磁化方向は上向きになる。さらに、第２磁性層２の
キュリー温度より降温させると、第３磁性層３の副格子
磁化方向が第２磁性層２に転写され、第２磁性層２の副
格子磁化方向は下向きになる。さらに温度が下がると、
第３磁性層３の副格子磁化方向は第４磁性層４を介して
第５磁性層５の副格子磁化方向と揃い上向きなる。室温
付近では第２磁性層２と第３磁性層３の交換力は第２磁
性層２の保磁力に比べ弱くなるため、第２磁性層２、第
１磁性層１の副格子磁化方向は下向きのままで、状態
「１」、すなわちハイパワープロセスが行われる。以上
のようにして、記録レーザ強度を少なくとも２値に変調
することでオーバライトが可能になる。
【００４２】つぎに、具体的な実施例で本発明をさらに
詳細に説明する。前記各構成部材としてつぎの材料で形
成した（合金の具体的な元素比率（原子比）は後述の各
実施例を参照）。
詳細に説明する。前記各構成部材としてつぎの材料で形
成した（合金の具体的な元素比率（原子比）は後述の各
実施例を参照）。
【００４３】 基板６ ：厚さ1.2mmの溝つきＰＣ基板 誘電体層 ：ＳｉＮｘ（屈折率ｎ＝2.2） 膜厚500Å 第１磁性層１：ＧｄＦｅＣｏ３元系非晶質合金 膜厚200Å 第２磁性層２：ＴｂＦｅ２元系非晶質合金 膜厚200Å 第３磁性層３：ＤｙＦｅＣｏ３元系非晶質合金 膜厚300Å 第４磁性層５：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金 膜厚150Å 第５磁性層５：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金 膜厚400Å 保護層 ：ＳｉＮｘ 前記のように構成された記録媒体を用い、記録周波数５
MHzの信号を線速7.54ｍ／sec、印加磁界300Ｏｅ、パル
ス幅100nsecで記録パワーを変化させ光変調オーバライ
トを行った結果を図３に示す。図３において左側のプロ
ットは再生時のレーザ光のパワーによる再生ＣＮＲの影
響を調べたもので、レーザ光をＤＣ照射したときの再生
ＣＮＲであり、右側のプロットがローパワー一定でハイ
パワーを変化させた時の再生ＣＮＲの変化を示したもの
で、左側のプロットより再生時のパワーが２mW以上にな
ると記録が壊れ、再生ＣＮＲが劣化することを示してて
いる。図３には実施例１の組成の各磁性層で構成された
光磁気記録媒体の例を示してあるが、図３からも明らか
なように、ハイパワーＰＨ＝6.5mWにおいて再生ＣＮＲ
＝50.2dBの良好なＣＮＲがえられている。このときのオ
ーバライト記録における消去比も40dB以上であった。
MHzの信号を線速7.54ｍ／sec、印加磁界300Ｏｅ、パル
ス幅100nsecで記録パワーを変化させ光変調オーバライ
トを行った結果を図３に示す。図３において左側のプロ
ットは再生時のレーザ光のパワーによる再生ＣＮＲの影
響を調べたもので、レーザ光をＤＣ照射したときの再生
ＣＮＲであり、右側のプロットがローパワー一定でハイ
パワーを変化させた時の再生ＣＮＲの変化を示したもの
で、左側のプロットより再生時のパワーが２mW以上にな
ると記録が壊れ、再生ＣＮＲが劣化することを示してて
いる。図３には実施例１の組成の各磁性層で構成された
光磁気記録媒体の例を示してあるが、図３からも明らか
なように、ハイパワーＰＨ＝6.5mWにおいて再生ＣＮＲ
＝50.2dBの良好なＣＮＲがえられている。このときのオ
ーバライト記録における消去比も40dB以上であった。
【００４４】各構成部材および膜厚などは同じ構成（実
施例41と42では第２磁性層と第３磁性層とのあいだに50
Åの中間層を介在させている）で、各磁性層の合金の各
原子の比率（％）を変えたときの再生ＣＮＲを記録パワ
ーと共に以下に示す。
施例41と42では第２磁性層と第３磁性層とのあいだに50
Åの中間層を介在させている）で、各磁性層の合金の各
原子の比率（％）を変えたときの再生ＣＮＲを記録パワ
ーと共に以下に示す。
【００４５】［実施例１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５≧３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝6.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.2dB
【００４６】［実施例２］ 第１磁性層 ：Ｇｄ１９Ｆｅ６８Ｃｏ１３ Ｔｃ１＝２９５℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝6.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.5dB
【００４７】［実施例３］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.3dB
【００４８】［実施例４］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２５Ｆｅ７５ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝49.8dB
【００４９】［実施例５］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２３Ｆｅ５２Ｃｏ２５ Ｔｃ３＝２９０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.1dB
【００５０】［実施例６］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２６Ｆｅ５１Ｃｏ２３ Ｔｃ３＝２７０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２５Ｆｅ３５Ｃｏ４０ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝6.5mW／3.0mW、再生ＣＮＲ＝50.2dB
【００５１】［実施例７］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２７Ｆｅ４９Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２７０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.0mW、再生ＣＮＲ＝５０．２ｄ
Ｂ
Ｂ
【００５２】［実施例８］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５４Ｃｏ２１ Ｔｃ３＝２４０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝６．５ｍＷ／3.0mW、再生ＣＮＲ＝49.0d
B
B
【００５３】［実施例９］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ３０Ｃｏ４５ Ｔｃ３＞３００℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝9.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝47.5dB
【００５４】［実施例１０］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２６Ｃｏ７４ Ｔｃ３＞３００℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝9.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝46.8dB
【００５５】［実施例１１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１４Ｆｅ８３Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.2dB
【００５６】［実施例１２］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ８０Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW/3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.4dB
【００５７】［実施例１３］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝50.1dB
【００５８】［実施例１４］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１８５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝50.3dB
【００５９】［実施例１５］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２３Ｆｅ１７Ｃｏ６０ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.2dB
【００６０】［実施例１６］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２６Ｆｅ１６Ｃｏ５８ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.0dB
【００６１】［実施例１７］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２３Ｃｏ７７ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝49.9dB
【００６２】［実施例１８］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２６Ｃｏ７４ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.1dB
【００６３】［実施例１９］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１６０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ３８Ｃｏ３８ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝50.2dB
【００６４】［実施例２０］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２０Ｃｏ８０ Ｔｃ１＞３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝46.0dB
【００６５】［実施例２１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ１５Ｃｏ６２ Ｔｃ１＞３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２１Ｆｅ７９ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.5mW、再生ＣＮＲ＝47.1dB
【００６６】［実施例２２］ 第１磁性層 ：Ｇｄ１２Ｔｂ１０Ｆｅ６０Ｃｏ１８ Ｔｃ１＝２９０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８０Ｃｏ３ Ｔｃ４＝１７０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２５Ｆｅ１６Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝49.0dB
【００６７】［実施例２３］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７５Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１８５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝48.8dB
【００６８】［実施例２４］ 第１磁性層 ：Ｇｄ１９Ｆｅ６８Ｃｏ１３ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１８５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝７.5mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝49.5dB
【００６９】［実施例２５］ 第１磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ６３Ｃｏ１９ Ｔｃ１＝２９０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１８５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝４８．５ｄ
Ｂ
Ｂ
【００７０】［実施例２６］ 第１磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ６９Ｃｏ１３ Ｔｃ１＝２３０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１８５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝７．５ｍＷ／4.5mW、再生ＣＮＲ＝47.1d
B
B
【００７１】［実施例２７］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２０Ｆｅ６７Ｃｏ１３ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｇｄ８Ｄｙ１７Ｆｅ５７Ｃｏ１８ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝48.0dB
【００７２】［実施例２８］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２０Ｄｙ３Ｆｅ６２Ｃｏ１５ Ｔｃ１＝２９０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｇｄ８Ｄｙ１７Ｆｅ５７Ｃｏ１８ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／3.0mW、再生ＣＮＲ＝48.2dB
【００７３】［実施例２９］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｄｙ２３Ｆｅ７０Ｃｏ７ Ｔｃ２＝１６０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝49.4dB
【００７４】［実施例３０］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｔｂ５Ｄｙ２０Ｆｅ５７Ｃｏ１８ Ｔｃ３＝２６５℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝6.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝47.5dB
【００７５】［実施例３１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２５Ｆｅ７３Ｃｏ２ Ｔｃ２＝１６０℃ 第３磁性層 ：Ｔｂ５Ｄｙ２０Ｆｅ５７Ｃｏ１８ Ｔｃ３＝２６５℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝47.2dB
【００７６】［実施例３２］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２６Ｆｅ５１Ｃｏ２３ Ｔｃ３＝２７０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１５Ｄｙ２Ｆｅ７８Ｃｏ５ Ｔｃ４＝１７０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２５Ｆｅ３５Ｃｏ４０ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝6.5mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝48.5dB
【００７７】［実施例３３］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ１６Ｄｙ３Ｆｅ８１ Ｔｃ２＝１２０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１６Ｆｅ８４ Ｔｃ４＝１５０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／2.5mW、再生ＣＮＲ＝46.7dB
【００７８】［実施例３４］ 第１磁性層 ：Ｎｄ１０Ｇｄ１９Ｆｅ５５Ｃｏ１６ Ｔｃ１＞３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｇｄ８Ｄｙ１７Ｆｅ５７Ｃｏ１８ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝47.1dB
【００７９】［実施例３５］ 第１磁性層 ：Ｐｔ７７Ｃｏ２３ Ｔｃ１＝２００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／3.0mW、再生ＣＮＲ＝47.5dB
【００８０】［実施例３６］ 第１磁性層 ：Ｐｄ７６Ｃｏ２４ Ｔｃ１＝２００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝46.8dB
【００８１】［実施例３７］ 第１磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ７８Ｃｏ４ Ｔｃ１＝１８０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２７Ｆｅ４８Ｃｏ２５ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７７Ｃｏ６ Ｔｃ４＝１９０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.0mW／4.5mW、再生ＣＮＲ＝45.5dB
【００８２】［実施例３８］ 第１磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ７８Ｃｏ４ Ｔｃ１＝１８０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７６Ｃｏ２ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ４８Ｃｏ２７ Ｔｃ３＝３００℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７７Ｃｏ６ Ｔｃ４＝１９０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝7.5mW／4.5mW、再生ＣＮＲ＝45.3dB
【００８３】［実施例３９］ 第１磁性層 ：Ｔｂ１５Ｆｅ８１Ｃｏ４ Ｔｃ１＝１７５℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２３Ｆｅ７７ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ４８Ｃｏ２７ Ｔｃ３＝３００℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１５Ｆｅ７９Ｃｏ６ Ｔｃ４＝１９０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝45.0dB
【００８４】［実施例４０］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６０Ｃｏ１７ Ｔｃ１＞３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７６Ｃｏ２ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ４８Ｃｏ２７ Ｔｃ３＝３００℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７７Ｃｏ６ Ｔｃ４＝１９０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ５５Ｃｏ２１ Ｔｃ５＝２９０℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝46.5dB
【００８５】［実施例４１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 中 間 層 ：Ｇｄ３２Ｆｅ６３Ｃｏ５ Ｔｃ ＝３００℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／4.0mW、再生ＣＮＲ＝50.3dB
【００８６】［実施例４２］ 第１磁性層 ：Ｐｔ７６Ｃｏ２４ Ｔｃ１＝２００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 中 間 層 ：Ｇｄ３２Ｆｅ６３Ｃｏ５ Ｔｃ ＝３００℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２５Ｃｏ７５ Ｔｃ５＞３００℃ 記録再生特性：記録パワーＰＨ／ＰＬ＝8.0mW／3.5mW、再生ＣＮＲ＝47.5dB
【００８７】［比較例１］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８３ Ｔｃ４＝１４０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第４磁性層のキュリー温度が低くオーバライト動作せず：Ｔｃ２＞Ｔｃ４
【００８８】［比較例２］ 第１磁性層 ：Ｔｂ２３Ｆｅ７７ Ｔｃ１＝１５０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第１磁性層のキュリー温度が低い：Ｔｃ１＜Ｔｃ２、再生ＣＮＲ＝38.5dB
【００８９】［比較例３］ 第１磁性層 ：Ｄｙ２０Ｆｅ８０ Ｔｃ１＝８０℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ２＝１７０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第１磁性層のキュリー温度が低い：Ｔｃ１＜Ｔｃ２、再生ＣＮＲ＝28.5dB
【００９０】［比較例４］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２４Ｆｅ５６Ｃｏ２０ Ｔｃ３＝２４５℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ５８Ｃｏ２５ Ｔｃ４＝２６０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第４磁性層のキュリー温度が高くオーバライト動作せず：Ｔｃ３＜Ｔｃ４
【００９１】［比較例５］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ６１Ｃｏ１７ Ｔｃ２＝２８０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２４Ｆｅ５６Ｃｏ２０ Ｔｃ３＝２４５℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１８Ｆｅ６３Ｃｏ１９ Ｔｃ４＝２９０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第２磁性層のキュリー温度が高くオーバライト動作せず：Ｔｃ２＞Ｔｃ３
【００９２】［比較例６］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２４Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｄｙ１７Ｆｅ８３ Ｔｃ４＝８０℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第４磁性層のキュリー温度が低くオーバライト動作せず：Ｔｃ４＜Ｔｃ２
【００９３】［比較例７］ 第１磁性層 ：Ｇｄ２３Ｆｅ６５Ｃｏ１２ Ｔｃ１＝３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ７９Ｃｏ４ Ｔｃ４＝１７５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ７３Ｃｏ３ Ｔｃ５＝１７０℃ 第５磁性層のキュリー温度が低くオーバライト動作せず：Ｔｃ４＞Ｔｃ５
【００９４】［比較例８］ 第１磁性層 ：Ｆｅ７０Ｃｏ３０ Ｔｃ１＞３００℃ 第２磁性層 ：Ｔｂ２２Ｆｅ７８ Ｔｃ２＝１５０℃ 第３磁性層 ：Ｄｙ２５Ｆｅ５１Ｃｏ２４ Ｔｃ３＝２８０℃ 第４磁性層 ：Ｔｂ１７Ｆｅ８１Ｃｏ２ Ｔｃ４＝１５５℃ 第５磁性層 ：Ｔｂ２４Ｆｅ１７Ｃｏ５９ Ｔｃ５＞３００℃ 第１磁性層が遷移金属のみ。再生ＣＮＲ＝２５．２ｄＢ
【００９５】なお、前述の光磁気記録媒体を接着剤など
により貼り合せ両面媒体としたもの、または保護層上に
紫外線硬化樹脂などの層を加えた構成のものも同様の効
果を奏することができる。また、前述の光磁気記録媒体
の各磁性層に磁気特性を大きく変えない程度にＡｌ、Ｃ
ｒなどの他の元素を少量添加したものも同様の効果を奏
することができる。
により貼り合せ両面媒体としたもの、または保護層上に
紫外線硬化樹脂などの層を加えた構成のものも同様の効
果を奏することができる。また、前述の光磁気記録媒体
の各磁性層に磁気特性を大きく変えない程度にＡｌ、Ｃ
ｒなどの他の元素を少量添加したものも同様の効果を奏
することができる。
【００９６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば互いに交
換結合した第１磁性層から第５磁性層までのキュリー温
度を設定することにより、高記録感度で高い再生ＣＮＲ
を有する光変調ダイレクト・オーバライト可能な光磁気
記録媒体がえられる。
換結合した第１磁性層から第５磁性層までのキュリー温
度を設定することにより、高記録感度で高い再生ＣＮＲ
を有する光変調ダイレクト・オーバライト可能な光磁気
記録媒体がえられる。
【図１】本発明の一実施例における光磁気記録媒体を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体への記録動作を説明
するための模式図である。
するための模式図である。
【図３】記録レーザパワーを変化させたばあいのＣＮＲ
の記録パワー依存性を示す特性図である。
の記録パワー依存性を示す特性図である。
【図４】従来の磁気記録媒体を示す構成図である。
【図５】図４に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録
装置の概要を示す斜視図である。
装置の概要を示す斜視図である。
【図６】図４に示す光磁気記録媒体への記録動作を説明
するための模式図である。
するための模式図である。
【符号の説明】 １ 第１磁性層 ２ 第２磁性層 ３ 第３磁性層 ４ 第４磁性層 ５ 第５磁性層 ６ 基板 ８ 記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 和彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に垂直磁気異方性を有する第１磁
性層から第５磁性層までの５層が順次積層され、それぞ
れ隣接する層は互いに交換結合されている光強度変調ダ
イレクト・オーバライトが可能な光磁気記録媒体であっ
て、その媒体の各磁性層が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ２＜Ｔｃ４＜Ｔｃ３、かつ、Ｔ
ｃ４＜Ｔｃ５ ただし、Ｔｃ１：第１磁性層のキュリー温度 Ｔｃ２：第２磁性層のキュリー温度 Ｔｃ３：第３磁性層のキュリー温度 Ｔｃ４：第４磁性層のキュリー温度 Ｔｃ５：第５磁性層のキュリー温度 の関係にある光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記各磁性層の関係でさらに、Ｔｃ１＜
Ｔｃ５、かつ、Ｔｃ３＜Ｔｃ５の関係にある請求項１記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記各磁性層の関係でさらに、Ｔｃ４＜
Ｔｃ１の関係にある請求項１または２記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項４】 第１磁性層が希土類金属元素Ｎｄ、Ｇ
ｄ、ＴｂおよびＤｙよりなる群から選ばれた少なくとも
１種の元素と、遷移金属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素とを主体とした合金
である請求項１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 第２磁性層が希土類金属元素Ｔｂおよび
Ｄｙよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と、
遷移金属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少
なくとも１種の元素とを主体とした合金である請求項
１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 第３磁性層が希土類金属元素Ｇｄ、Ｔｂ
およびＤｙよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素と、遷移金属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素とを主体とした合金である請
求項１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第４磁性層が希土類金属元素Ｔｂおよび
Ｄｙよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素と、
遷移金属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれた少
なくとも１種の元素とを主体とした合金である請求項
１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 第５磁性層が希土類金属元素であるＴｂ
と、遷移金属元素ＦｅおよびＣｏよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素とを主体とした合金である請求
項１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 第２磁性層と第３磁性層とのあいだに両
層の交換結合力を調整するための中間層が設けられてな
る請求項１、２または３記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 磁性膜の少なくとも一方の側に誘電体
からなるカー効果エンハンス層および／または保護膜が
設けられてなる請求項１、２または３記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項１１】 第１磁性層が少なくともＰｔまたはＰ
ｄと、Ｃｏとの合金膜からなる請求項１、２または３記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 第１磁性層が少なくともＰｔまたはＰ
ｄと、Ｃｏとを積層した多層膜からなる請求項１、２ま
たは３記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9435493A JPH06309708A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9435493A JPH06309708A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309708A true JPH06309708A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14107957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9435493A Pending JPH06309708A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06309708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341362A3 (en) * | 2002-02-27 | 2003-12-10 | Hosiden Besson Limited | Hands free audio kit for helmet wearers |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP9435493A patent/JPH06309708A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341362A3 (en) * | 2002-02-27 | 2003-12-10 | Hosiden Besson Limited | Hands free audio kit for helmet wearers |
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