JPH06310548A - タングステンシリサイドの成膜方法 - Google Patents
タングステンシリサイドの成膜方法Info
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- JPH06310548A JPH06310548A JP7689493A JP7689493A JPH06310548A JP H06310548 A JPH06310548 A JP H06310548A JP 7689493 A JP7689493 A JP 7689493A JP 7689493 A JP7689493 A JP 7689493A JP H06310548 A JPH06310548 A JP H06310548A
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- Japan
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- tungsten silicide
- silicide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各原料ガスを十分に混合した状態で被成膜基
板上に導入し、良質なタングステンシリサイドを成膜す
る方法を提供することにある。 【構成】 化学気相成長により、被成膜基板上にタング
ステンシリサイドを成膜する。原料ガスにジクロロシラ
ン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）及び六フッ化タングステン（ＷＦ
6 ）を用いる。各原料ガスは給送配管Ａ，Ｂを輸送され
て、混合配管Ｃにおいて混合させる。この混合原料ガス
を給送配管Ｄ，Ｅを介して原料供給ノズル１１から、ウ
エハー１３上に導入する。
板上に導入し、良質なタングステンシリサイドを成膜す
る方法を提供することにある。 【構成】 化学気相成長により、被成膜基板上にタング
ステンシリサイドを成膜する。原料ガスにジクロロシラ
ン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）及び六フッ化タングステン（ＷＦ
6 ）を用いる。各原料ガスは給送配管Ａ，Ｂを輸送され
て、混合配管Ｃにおいて混合させる。この混合原料ガス
を給送配管Ｄ，Ｅを介して原料供給ノズル１１から、ウ
エハー１３上に導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長によって
タングステンシリサイドを成膜するタングステンシリサ
イドの成膜方法に関する。
タングステンシリサイドを成膜するタングステンシリサ
イドの成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化学気相成長を用いてタングステ
ンシリサイドを成膜する方法としては、図３に示すよう
に、原料としては、ＳｉＨ4 とＷＦ6 又はＳｉＨ2 Ｃｌ
2 とＷＦ6 とを用いるのが一般的であるが、この場合、
各原料ガスを同じ原料供給ノズル１１を介して反応容器
１０内に導入していた。原料供給ノズル１１の直下に
は、サセプター１２上に支持された被成膜基板１３が位
置しており、原料供給ノズル１１から被成膜基板１３上
に各原料ガスが導入されるものである。
ンシリサイドを成膜する方法としては、図３に示すよう
に、原料としては、ＳｉＨ4 とＷＦ6 又はＳｉＨ2 Ｃｌ
2 とＷＦ6 とを用いるのが一般的であるが、この場合、
各原料ガスを同じ原料供給ノズル１１を介して反応容器
１０内に導入していた。原料供給ノズル１１の直下に
は、サセプター１２上に支持された被成膜基板１３が位
置しており、原料供給ノズル１１から被成膜基板１３上
に各原料ガスが導入されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＳｉＨ4
とＷＦ6 とを用いた場合には、発生した各原料ガスが混
合されると、室温においても気相反応を起こしてしまう
ため、反応容器１０内に導入する場合には、それぞれ独
立系統の配管を用いなければならなかった。また、タン
グステンシリサイドの成膜に限らず、金属の気相成長
は、他の気相成長とは異なり、殆どの原料ガスは、混合
すると気相反応を起こしてしまうため、独立系統の配管
を用いた原料ガス導入が常識となっている。
とＷＦ6 とを用いた場合には、発生した各原料ガスが混
合されると、室温においても気相反応を起こしてしまう
ため、反応容器１０内に導入する場合には、それぞれ独
立系統の配管を用いなければならなかった。また、タン
グステンシリサイドの成膜に限らず、金属の気相成長
は、他の気相成長とは異なり、殆どの原料ガスは、混合
すると気相反応を起こしてしまうため、独立系統の配管
を用いた原料ガス導入が常識となっている。
【０００４】このため、ＷＦ6 とＳｉＨ2 Ｃｌ2 を用い
た反応に於いては被成膜基板１３上に導入された２種類
の原料ガスは、互いの混合が不十分となる場合が多く、
この結果、得られるタングステンシリサイドの膜組成が
不均一になるなどの問題点があった。
た反応に於いては被成膜基板１３上に導入された２種類
の原料ガスは、互いの混合が不十分となる場合が多く、
この結果、得られるタングステンシリサイドの膜組成が
不均一になるなどの問題点があった。
【０００５】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、その目的は、各原料ガスを十分に混
合した状態で被成膜基板上に導入し、良質なタングステ
ンシリサイドを成膜するタングステンシリサイドの成膜
方法を提供することにある。
されたものであり、その目的は、各原料ガスを十分に混
合した状態で被成膜基板上に導入し、良質なタングステ
ンシリサイドを成膜するタングステンシリサイドの成膜
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のタング
ステンシリサイドの成膜方法は、使用する原料としてジ
クロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と六フッ化タングステ
ン（ＷＦ6 ）を用いる。すなわち、各原料ガスを、反応
容器に導入する手前の配管部などにおいて混合し、この
後、この混合させた混合原料ガスを反応容器内に導入す
るものである。
ステンシリサイドの成膜方法は、使用する原料としてジ
クロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と六フッ化タングステ
ン（ＷＦ6 ）を用いる。すなわち、各原料ガスを、反応
容器に導入する手前の配管部などにおいて混合し、この
後、この混合させた混合原料ガスを反応容器内に導入す
るものである。
【０００７】
【作用】ジクロロシランは非常に反応性に乏しいため、
六フッ化タングステンと混合させた場合にも、気相反応
が急激に進行する恐れなはく、各原料ガスを十分に混合
させた後、被成膜基板上に導入することができる。
六フッ化タングステンと混合させた場合にも、気相反応
が急激に進行する恐れなはく、各原料ガスを十分に混合
させた後、被成膜基板上に導入することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本実施例にかかるタングステンシリサ
イドの成膜方法について、添付図面に基づいて説明す
る。
イドの成膜方法について、添付図面に基づいて説明す
る。
【０００９】図１に本実施例で使用するＣＶＤ装置の構
成を示す。このＣＶＤ装置は、化学気相成長によってタ
ングステンシリサイドを成膜する反応容器１０と、反応
容器１０に供給する原料ガスを供給するガス配管より構
成する。
成を示す。このＣＶＤ装置は、化学気相成長によってタ
ングステンシリサイドを成膜する反応容器１０と、反応
容器１０に供給する原料ガスを供給するガス配管より構
成する。
【００１０】反応容器１０内には、サセプター１２上に
支持されたウエハー１３が配置されており、このウエハ
ー１３に相対して原料供給ノズル１１が固定されてい
る。このノズルを介して後述する各原料ガスが供給され
る。また、サセプター１２内にはヒータ１４が設けられ
ており、サセプター１４を所定の温度に加熱するもので
ある。なお、参照番号１５は反応容器内のガスを排気す
る排気装置を示している。
支持されたウエハー１３が配置されており、このウエハ
ー１３に相対して原料供給ノズル１１が固定されてい
る。このノズルを介して後述する各原料ガスが供給され
る。また、サセプター１２内にはヒータ１４が設けられ
ており、サセプター１４を所定の温度に加熱するもので
ある。なお、参照番号１５は反応容器内のガスを排気す
る排気装置を示している。
【００１１】原料ガスを輸送する各輸送配管Ａ，Ｂに
は、それぞれマスフローコントローラ２２と、その両側
にそれぞれエアーオペレーションバルブ２１を設けてい
る。この輸送配管Ａ，Ｂは、その終端部で、それぞれ混
合配管Ｃと接続している。したがって、この混合配管Ｃ
内において、輸送配管Ａを輸送された原料ガスと、輸送
配管Ｂを輸送された原料ガスとが混合される。混合され
た混合原料ガスは、１つもしくは２つに分岐し輸送配管
Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズル１１に至る構成となっ
ている。
は、それぞれマスフローコントローラ２２と、その両側
にそれぞれエアーオペレーションバルブ２１を設けてい
る。この輸送配管Ａ，Ｂは、その終端部で、それぞれ混
合配管Ｃと接続している。したがって、この混合配管Ｃ
内において、輸送配管Ａを輸送された原料ガスと、輸送
配管Ｂを輸送された原料ガスとが混合される。混合され
た混合原料ガスは、１つもしくは２つに分岐し輸送配管
Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズル１１に至る構成となっ
ている。
【００１２】以上のように構成するＣＶＤ装置を用いて
タングステンシリサイドを成膜する。各原料ガスは、輸
送配管Ａ，Ｂを輸送されて混合配管Ｃに至るが、この間
を流れる各原料ガスの流量を、マスフローコントローラ
２２、及びエアーオペレーションバルブ２１によって制
御する。例えば、ＷＦ6 側を１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ2Ｃ
ｌ2 側を５００ｓｃｃｍに一定に制御する。輸送配管
Ａ，Ｂを輸送された原料ガスは、混合配管Ｃにおいて互
いに混合される。混合された混合原料ガスは２つに分岐
され、それぞれ輸送配管Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズ
ル１１に至り、ウエハー１３上に導入される。この際、
反応容器１０内の圧力は、５Ｔｏｒｒ一定に維持し、基
板温度は４５０〜７００℃の所定の温度に維持する。こ
のようにして、各原料ガスを混合し、混合原料ガスとし
てウエハー１３上に導入して成膜を行った結果、ウエハ
ー１３上には、膜組成が均一な良質なタングステンシリ
サイドが成膜できた。
タングステンシリサイドを成膜する。各原料ガスは、輸
送配管Ａ，Ｂを輸送されて混合配管Ｃに至るが、この間
を流れる各原料ガスの流量を、マスフローコントローラ
２２、及びエアーオペレーションバルブ２１によって制
御する。例えば、ＷＦ6 側を１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ2Ｃ
ｌ2 側を５００ｓｃｃｍに一定に制御する。輸送配管
Ａ，Ｂを輸送された原料ガスは、混合配管Ｃにおいて互
いに混合される。混合された混合原料ガスは２つに分岐
され、それぞれ輸送配管Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズ
ル１１に至り、ウエハー１３上に導入される。この際、
反応容器１０内の圧力は、５Ｔｏｒｒ一定に維持し、基
板温度は４５０〜７００℃の所定の温度に維持する。こ
のようにして、各原料ガスを混合し、混合原料ガスとし
てウエハー１３上に導入して成膜を行った結果、ウエハ
ー１３上には、膜組成が均一な良質なタングステンシリ
サイドが成膜できた。
【００１３】本実施例では、混合配管Ｃを用いて各原料
ガスを混合する例を示したが、他の構造によって各原料
ガスを混合することも勿論可能である。図２は、混合配
管Ｃの代わりに、混合／非混合の切り換えバルブ３０を
用いた例である。他の構成は、図１に示す装置と同一で
あり、同一の構成要素には同一の参照番号を付して示
す。
ガスを混合する例を示したが、他の構造によって各原料
ガスを混合することも勿論可能である。図２は、混合配
管Ｃの代わりに、混合／非混合の切り換えバルブ３０を
用いた例である。他の構成は、図１に示す装置と同一で
あり、同一の構成要素には同一の参照番号を付して示
す。
【００１４】切り換えバルブ３０は、輸送配管ＡとＤと
の間にバルブ３１を配すると共に、このバルブ３１の前
後には、輸送配管ＡとＢとを接続するバルブ３２と、輸
送配管ＤとＥとを接続するバルブ３３とを備えて構成し
ている。このような構成の切り換えバルブ３０を用いる
ことにより、各原料ガスを混合して反応容器１０内に供
給でき、また、各原料ガスを混合せずに独立して反応容
器１０内に導入することもできる。例えば、原料ガスを
混合し混合原料ガスとして導入する場合には、バルブ３
１を「閉」とし、かつ、バルブ３２、３３を「開」とす
れば、各原料ガスは混合された後、それぞれ輸送配管
Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズル１１に至る。また、独
立して導入する場合には、バルブ３２、３３を「閉」と
し、バルブ３１を「開」とすれば良い。このように、容
易に混合／非混合を切り替えることが可能である。
の間にバルブ３１を配すると共に、このバルブ３１の前
後には、輸送配管ＡとＢとを接続するバルブ３２と、輸
送配管ＤとＥとを接続するバルブ３３とを備えて構成し
ている。このような構成の切り換えバルブ３０を用いる
ことにより、各原料ガスを混合して反応容器１０内に供
給でき、また、各原料ガスを混合せずに独立して反応容
器１０内に導入することもできる。例えば、原料ガスを
混合し混合原料ガスとして導入する場合には、バルブ３
１を「閉」とし、かつ、バルブ３２、３３を「開」とす
れば、各原料ガスは混合された後、それぞれ輸送配管
Ｄ，Ｅを経由して原料供給ノズル１１に至る。また、独
立して導入する場合には、バルブ３２、３３を「閉」と
し、バルブ３１を「開」とすれば良い。このように、容
易に混合／非混合を切り替えることが可能である。
【００１５】なお、前述した各実施例において、各原料
ガスを混合する部位は、反応開始温度より十分に温度が
低い必要があるため、原料供給ノズルの直前で十分に混
合することが望ましい。
ガスを混合する部位は、反応開始温度より十分に温度が
低い必要があるため、原料供給ノズルの直前で十分に混
合することが望ましい。
【００１６】また、前述した各実施例では、各原料ガス
を配管内で混合する例を示したが、各原料ガスを、一
旦、混合容器などに導入し、この容器内で混合した後、
反応容器１０に導入することも可能である。
を配管内で混合する例を示したが、各原料ガスを、一
旦、混合容器などに導入し、この容器内で混合した後、
反応容器１０に導入することも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるタ
ングステンシリサイドの成膜方法では、原料としてジク
ロロシランと六フッ化タングステンとを用いたので、こ
れらの原料は、適度な高温でないと互いに反応を開始し
ないため、反応容器に導入する手前の段階で、両原料ガ
スを十分に混合させることができる。したがって、この
ように十分に混合された混合原料ガスを被成膜基板上に
導入するので、従来、問題となっていた導入された原料
ガスの混合が不十分であるために生じていた、反応の不
均一性を解消できると共に、その混合比の制御性を向上
させることができる。この結果として、成膜の表面及び
膜厚（深さ）方向の組成の均一性が大きく向上し、良質
なタングステンシリサイドを成膜することが可能とな
る。
ングステンシリサイドの成膜方法では、原料としてジク
ロロシランと六フッ化タングステンとを用いたので、こ
れらの原料は、適度な高温でないと互いに反応を開始し
ないため、反応容器に導入する手前の段階で、両原料ガ
スを十分に混合させることができる。したがって、この
ように十分に混合された混合原料ガスを被成膜基板上に
導入するので、従来、問題となっていた導入された原料
ガスの混合が不十分であるために生じていた、反応の不
均一性を解消できると共に、その混合比の制御性を向上
させることができる。この結果として、成膜の表面及び
膜厚（深さ）方向の組成の均一性が大きく向上し、良質
なタングステンシリサイドを成膜することが可能とな
る。
【図１】本実施例で使用するＣＶＤ装置の構成を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】本実施例で使用するＣＶＤ装置の他の構成例を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図３】従来のＣＶＤ装置の構成を示す概略構成図であ
る。
る。
１０…反応容器、１１…原料供給ノズル、１３…ウエハ
ー（被成膜基板）、３０…切り換えバルブ、Ａ，Ｂ，
Ｄ，Ｅ…輸送配管、Ｃ…混合配管。
ー（被成膜基板）、３０…切り換えバルブ、Ａ，Ｂ，
Ｄ，Ｅ…輸送配管、Ｃ…混合配管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 芳彦 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 北崎 正樹 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 山本 和宏 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内に原料ガスを導入し、化学気
相成長により、被成膜基板上にタングステンシリサイド
を成膜する方法であって、 ジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）及び六フッ化タング
ステン（ＷＦ6 ）の原料ガスを前記反応容器に導入する
手前の段階で混合し、この混合させた混合原料ガスを前
記反応容器内に導入することを特徴とするタングステン
シリサイドの成膜方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5076894A JP2744746B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | タングステンシリサイドの成膜方法および成膜装置 |
| US08/064,328 US5500249A (en) | 1992-12-22 | 1993-05-18 | Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5076894A JP2744746B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | タングステンシリサイドの成膜方法および成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310548A true JPH06310548A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2744746B2 JP2744746B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=13618360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5076894A Expired - Fee Related JP2744746B2 (ja) | 1992-12-22 | 1993-04-02 | タングステンシリサイドの成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744746B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129969A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Ulvac Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JPH0266173A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-06 | Anelva Corp | タングステンシリサイド膜の形成方法 |
| JPH02188921A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Sony Corp | 高融点金属多層膜形成法 |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP5076894A patent/JP2744746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129969A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Ulvac Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JPH0266173A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-06 | Anelva Corp | タングステンシリサイド膜の形成方法 |
| JPH02188921A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Sony Corp | 高融点金属多層膜形成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2744746B2 (ja) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970318 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980113 |
|
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