JPH06311755A - インバータ装置 - Google Patents
インバータ装置Info
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- JPH06311755A JPH06311755A JP5098196A JP9819693A JPH06311755A JP H06311755 A JPH06311755 A JP H06311755A JP 5098196 A JP5098196 A JP 5098196A JP 9819693 A JP9819693 A JP 9819693A JP H06311755 A JPH06311755 A JP H06311755A
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
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Abstract
電源電圧と比べて小さい場合でも、容易に電力制御を行
うことができ、しかも、回路構成が容易で、小型化に適
するインバータ装置を提供する。 【構成】高周波のスイッチング素子Q1 を介して直流電
源Vsに1次巻線L1 を接続されたトランスTの一対の
2次巻線L2 ,L3 の互いに逆極性となる巻端に負荷回
路Zの一端を接続し、前記一対の2次巻線L2 ,L3 に
おける負荷回路Zに接続されていない側の巻端と前記負
荷回路Zの他端の間に低周波のスイッチング素子Q2 ,
Q3 を接続し、スイッチング素子Q1 がオンであるとき
に、スイッチング素子Q2 ,Q3 に流れる電流が遮断さ
れるように構成した。
Description
低周波電圧に変換して負荷回路を駆動するインバータ装
置に関するものである。
である。Vsは直流電源であり、例えば、12Vの車載
用のバッテリよりなる。CHPは昇圧チョッパーであ
り、昇圧用のインダクタL0 ,L1 とスイッチング素子
Q0 、逆流阻止用のダイオードD 0 及び平滑用のコンデ
ンサC0 よりなり、低圧の直流電源Vsを昇圧して、例
えば、300V程度の電圧Vcを作成している。スイッ
チング素子Q0 がオンのときに、インダクタL0 にエネ
ルギーを蓄積し、スイッチング素子Q0 がオフのとき
に、そのエネルギーを直流電源Vsに重畳して、昇圧さ
れた電圧V0 をコンデンサC0 に供給する。INVは降
圧チョッパー兼用の矩形波インバータであり、スイッチ
ング素子Q1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 と、ダイオードD1 ,
D2 ,D3 ,D 4 、限流用インダクタL2 、負荷回路Z
よりなり、スイッチング素子Q1 ,Q2,Q3 ,Q4 の
スイッチング周波数及びデューティを制御することによ
り、負荷回路Zへの供給電力を制御している。負荷回路
Zは、放電灯LPと、ローパスフィルタ用のインダクタ
L及びコンデンサCよりなり、インバータINVから負
荷回路Zへ流れる電流は、略三角波状の高周波リップル
を含むので、この高周波リップルをインダクタLとコン
デンサCで構成されるローパスフィルタにより減少させ
て、放電灯LPに矩形波電力を供給するものである。放
電灯LPは高圧放電灯よりなり、例えば、自動車の前照
灯に用いられるものである。
ある。スイッチング素子Q1 ,Q3は高周波動作(数1
0〜数100KHz)、スイッチング素子Q2 ,Q4 は
低周波動作(数10〜数100Hz)を行う。スイッチ
ング素子Q1 ,Q4 が同時にオンのとき、コンデンサC
0 からスイッチング素子Q1 、インダクタL2 、負荷回
路Z、スイッチング素子Q4 、コンデンサC0 の経路で
電流が流れ、負荷回路Zに電力を供給する。このとき、
インダクタL2 にはエネルギーが蓄えられる。次に、ス
イッチング素子Q1 がオフ、スイッチング素子Q4 がオ
ンのときに、インダクタL2 のエネルギーが転流して電
源となり、インダクタL2 、負荷回路Z、スイッチング
素子Q4 、ダイオードD2 、インダクタL2 の経路で放
出される。負荷回路Zへの電力供給は、スイッチング素
子Q1 のスイッチング周波数やデューティを可変とする
ことにより制御される。次に、極性反転を行う場合は、
図11に示すように、まず、スイッチング素子Q2 ,Q
3 を同時オンして、次に、スイッチング素子Q3 のみを
オフして、ダイオードD1 をオンさせることにより、降
圧チョッパー動作をさせる。
ては、回路構成が複雑で、部品点数が多いため、インバ
ータ装置全体の形状が大きくなる傾向があり、搭載スペ
ースが限られる用途(例えば、自動車や飛行機等のよう
な移動体)においては、設置場所を確保するのが難しい
という欠点があった。そこで、図12に示すように、昇
圧チョッパー回路とインバータ回路とでスイッチング素
子Q1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 を共有化した方式(例えば、
特願平3−343224号)が提案されている。図13
はその動作波形図であり、(a)はスイッチング素子Q
1 、(b)はスイッチング素子Q3 、(c)はスイッチ
ング素子Q2 、(d)はスイッチング素子Q4 の動作を
示している。この方式では、負荷のインピーダンス変動
に対して十分な電力制御が効かない場合があった。具体
的に例を挙げると、図12において、負荷Zのインピー
ダンスが低く、負荷Zの両端電圧が直流電源Vsの電圧
よりも低い場合には、インダクタL2 に流れる電流がゼ
ロにはならない。したがって、例えば、負荷Zへの出力
線が接地ラインGNDと短絡した場合のように、負荷Z
の異常時には、直流電源Vsからの電力供給を停止す
る。このため、スイッチング素子Q1 〜Q4 をオフにす
ると、インダクタL2 に蓄えられたエネルギーのため、
インダクタL2 の両端に異常な高電圧が発生し、スイッ
チング素子Q1〜Q4 にダメージを与える。そのため、
スイッチング素子Q1 〜Q4 の両端にスナバー回路等を
付加する方法等が考えられるが、負荷Zが低インピーダ
ンスのときに大電力を供給する必要がある場合において
は、そのスナバー回路等の保護回路の形状が大きくな
り、インバータ装置自体が大きくなるという欠点があっ
た。
点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、例えば、負荷短絡時のように、負荷回路への出力電
圧が電源電圧と比べて小さい場合でも、容易に電力制御
を行うことができ、しかも、回路構成が容易で、小型化
に適するインバータ装置を提供することにある。
の課題を解決するために、図1及び図2に示すように、
高周波的にスイッチング動作を行う第1のスイッチング
素子Q1 と、第1のスイッチング素子Q1 を介して直流
電源Vsに1次巻線L1 を接続され、一対の2次巻線L
2 ,L3 を備えるトランスTと、前記一対の2次巻線L
2 ,L3 の互いに逆極性となる巻端に一端を接続された
負荷回路Zと、前記一対の2次巻線L2,L3 における
負荷回路Zに接続されていない側の巻端と前記負荷回路
Zの他端の間にそれぞれ接続され、第1のスイッチング
素子Q1 のオン・オフ周期に比べて十分に長い周期で交
互にオン・オフされる第2及び第3のスイッチング素子
Q 2 ,Q3 とを備え、第1のスイッチング素子Q1 がオ
ンであるときに第2及び第3のスイッチング素子Q2 ,
Q3 に流れる電流が遮断されるように構成したことを特
徴とするものである。
したときにトランスTにエネルギーを蓄積し、スイッチ
ング素子Q1 がオフしたときにスイッチング素子Q2 又
はQ3 を介して負荷回路Zにエネルギーを放出するよう
にしたから、負荷短絡時のように、負荷回路Zへの出力
電圧が電源電圧と比べて小さい場合でも、容易に電力制
御を行うことができ、しかも、回路構成が容易で、小型
化に適するものである。
回路図である。以下、その回路構成について説明する。
直流電源Vsの正極には、トランスTの1次巻線L1 の
一端が接続されている。トランスTの1次巻線L1 の他
端は、スイッチング素子Q 1 を介して直流電源Vsの負
極に接続されている。トランスTの2次巻線L2 ,L3
は図示された極性で直列に接続されている。2次巻線L
2 ,L3 の互いに逆極性の巻端は負荷回路Zの一端に接
続されている。2次巻線L2 の負荷回路Zに接続されて
いない側の巻端は、ダイオードD2 のアノードに接続さ
れており、また、2次巻線L3 の負荷回路Zに接続され
ていない側の巻端は、ダイオードD3のカソードに接続
されている。ダイオードD2 のカソードはスイッチング
素子Q 2 を介して負荷回路Zの他端に接続されており、
ダイオードD3 のアノードはスイッチング素子Q3 を介
して負荷回路Zの他端に接続されている。本実施例で
は、負荷回路Zとして、放電灯LPとインダクタLの直
列回路にコンデンサCを並列接続して構成されている。
中、Vcは負荷回路ZのコンデンサCの両端電圧、Iは
放電灯LPに流れる電流である。図示されているよう
に、トランスTの1次巻線L1 に接続されたスイッチン
グ素子Q1 は数kHz〜数百kHzの高周波でスイッチ
ングする。このスイッチング素子Q1 の高周波的なスイ
ッチング動作により昇降圧チョッパー動作を行うもので
ある。また、トランスTの2次巻線L2 ,L3 に接続さ
れたスイッチング素子Q2 ,Q3 は数Hz〜数百Hzの
低周波で交互にオン・オフする。これらのスイッチング
素子Q2 ,Q3 の低周波的なスイッチング動作により、
負荷回路Zに供給される電圧の極性を切り換えて、図2
に示すような矩形波電圧Vcの出力を得ている。
ッチング素子Q1 がオンのときには、直流電源Vs、1
次巻線L1 、スイッチング素子Q1 、直流電源Vsの経
路で電流が流れて、1次巻線L1 にはスイッチング素子
Q1 がオフする直前のピーク電流値に応じたエネルギー
が蓄えられる。次に、スイッチング素子Q1 がオフする
と、蓄えられたエネルギーは1次巻線L1 と磁気結合し
た2次巻線L2 から、2次巻線L2 、ダイオードD2 、
スイッチング素子Q2 、負荷回路Zの経路で放出され
て、コンデンサCを充電する。このとき、コンデンサC
は、図1の矢印で示すような方向に電圧Vcが発生す
る。負荷回路Zに対する極性反転時には、図2の場合、
スイッチング素子Q2 ,Q3 を同時オンしているが、ス
イッチング素子Q2 ,Q3 を同時オフしても良い。特に
限定はしない。
おいて、スイッチング素子Q1 がオンのときには、直流
電源Vs、1次巻線L1 、スイッチング素子Q1 、直流
電源Vsの経路で電流が流れて、1次巻線L1 にはスイ
ッチング素子Q1 がオフする直前のピーク電流値に応じ
たエネルギーが蓄えられる。次に、スイッチング素子Q
1 がオフすると、蓄えられたエネルギーは1次巻線L1
と磁気結合した2次巻線L3 から、負荷回路Z、スイッ
チング素子Q3 、ダイオードD3 の経路で放出されて、
コンデンサCを上記とは逆方向に充電する。これによ
り、コンデンサCの両端電圧Vc及び放電灯LPに流れ
る電流Iは、図2に示すように、低周波で交番する略矩
形波状の電圧及び電流になる。この低周波は、スイッチ
ング素子Q 2 ,Q3 のスイッチング周波数とほぼ一致す
る。
荷回路Zが短絡等の状態でも、負荷回路Zへ電力を供給
する際に、直流電源Vsが切り離されているため、トラ
ンスTに蓄積されているエネルギーがすべて放出されれ
ば、スイッチング素子Q1 〜Q3 をすべてオフしても問
題は無い。すなわち、負荷回路の両端電圧Vcが直流電
源Vsの電圧よりも小さいモード(例えば、放電灯LP
のインピーダンスが非常に小さい場合等)でもスイッチ
ングによる制御が可能になった。また、図10の従来例
と比べても、回路構成は簡単になり、インバータ装置自
体も小型化される。
であり、図4はその動作波形図である。本実施例では、
スイッチング素子Q2 ,Q3 としてバイポーラトランジ
スタを使用し、それぞれにダイオードD4 ,D5 を逆並
列接続しているが、スイッチング素子としては、MOS
FET、IGBT、リレー等であっても良い。保護用ダ
イオードD4 ,D5 は、スイッチング素子Q2 ,Q3 に
逆方向に過電圧が印加されるのを防止するために接続さ
れている。ここで、直流電源Vsとしては、図5に示す
ような全波整流した脈流電圧であっても良い。また、負
荷回路Zにおいて、負荷LPに高周波電流が流れても良
ければ、コンデンサCとインダクタLよりなるローパス
フィルタは不要である。負荷LPとしては、放電灯のよ
うな負特性を持つ負荷のほか、抵抗負荷であっても良
い。本実施例の動作は、図1の基本構成と同様である。
また、スイッチング素子Q2 ,Q3 の接続点をグランド
電位とすることにより、スイッチング素子Q2 ,Q3 の
ドライブ回路を簡略化できると共に、負荷回路Zの電圧
や電流を容易に検出することができる。また、負荷LP
の対地電位が安定するため、低ノイズになる。
り、図7はその動作波形図である。本実施例では、スイ
ッチング素子Q2 ,Q3 として、バイポーラトランジス
タやMOSFETのような一般的な半導体素子ではな
く、サイリスタ、トライアック、GTO等のように、一
度トリガしてオンさせると、素子に流れる電流が保持電
流以下になるまでオフしない自己保持型の半導体素子を
使用したことである。このような自己保持型の半導体素
子を使用したことにより、トランスの蓄積エネルギーが
ゼロでない場合のスイッチング素子Q1 〜Q3 の同時オ
フ対策が不要であり、また、スイッチング素子Q2 ,Q
3 のドライブ用電源の容量が小さくて済み、電源電圧が
低下してもスイッチング素子Q2 ,Q3 のオン状態を保
証するためにバックアップ用電源などを必要とせず、電
解コンデンサ等を大きくする必要が無いという利点があ
る。
であり、図9はその動作波形図である。本実施例では、
トランスTの1次巻線L1 とスイッチング素子Q1 の直
列回路と、トランスT1 の1次巻線L4 とスイッチング
素子Q4 の直列回路を、直流電源Vsに並列接続されて
いる。トランスT1 の2次巻線L5 ,L6 は図示された
極性で直列に接続されている。2次巻線L5 ,L6 の互
いに逆極性の巻端は負荷回路Zの一端に接続されてい
る。2次巻線L5 の負荷回路Zに接続されていない側の
巻端は、ダイオードD6 のアノードに接続されており、
また、2次巻線L 6 の負荷回路Zに接続されていない側
の巻端は、ダイオードD7 のカソードに接続されてい
る。ダイオードD6 のカソードはスイッチング素子Q2
を介して負荷回路Zの他端に接続されており、ダイオー
ドD7 のアノードはスイッチング素子Q3 を介して負荷
回路Zの他端に接続されている。
様であるが、トランスを複数(2個以上)にして、負荷
にエネルギーを供給するのが特徴である。例えば、負荷
への出力電力を一定とすると、1つのトランスに流れる
電流が小さくて済むため、特に、直流電源Vsが12V
程度の低い電圧である場合、トランスが1個の場合と比
べて、効率が大きく向上する。
イッチング素子Q1 ,Q4 は数kHz〜数百kHzの高
周波で交互にオン・オフする。また、スイッチング素子
Q2,Q3 は数Hz〜数百Hzの低周波で交互にオン・
オフする。スイッチング素子Q1 又はQ4 がオンしたと
きに、トランスT又はT1 にエネルギーが蓄積され、ス
イッチング素子Q1 又はQ4 がオフしたときに、それぞ
れ次の経路で放出される。まず、スイッチング素子Q2
がオンの状態で、スイッチング素子Q1 がオフしたとき
には、2次巻線L2 、ダイオードD2 、スイッチング素
子Q2 、負荷回路Z、2次巻線L2 の経路で電流が流れ
る。また、スイッチング素子Q3 がオンの状態で、スイ
ッチング素子Q1 がオフしたときには、2次巻線L3 、
負荷回路Z、スイッチング素子Q3 、ダイオードD3 、
2次巻線L3 の経路で電流が流れる。次に、スイッチン
グ素子Q2 がオンの状態で、スイッチング素子Q4 がオ
フしたときには、2次巻線L5 、ダイオードD6 、スイ
ッチング素子Q2 、負荷回路Z、2次巻線L5 を介して
電流が流れる。さらに、スイッチング素子Q3 がオンの
状態で、スイッチング素子Q4 がオフしたときには、2
次巻線L6 、負荷回路Z、スイッチング素子Q3 、ダイ
オードD7 、2次巻線L6 を介して電流が流れる。これ
らの動作により、負荷電流Iとしては、図9に示すよう
に、低周波(数Hz〜数百Hz)の略矩形波電流が流れ
る。
際に、トランスの1次側に接続された直流電源を負荷か
ら切り離すことができるため、負荷が低インピーダンス
状態になって、負荷電圧が相対的に電源電圧よりも低く
なっても、容易に電力制御が可能になった。また、スイ
ッチング素子の数を減らすことができ、そのドライブ回
路の数も減らすことができ、小型で制御性の良好なイン
バータ装置を提供できるという効果がある。
す波形図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 高周波的にスイッチング動作を行う第
1のスイッチング素子と、第1のスイッチング素子を介
して直流電源に1次巻線を接続され、一対の2次巻線を
備えるトランスと、前記一対の2次巻線の互いに逆極性
となる巻端に一端を接続された負荷回路と、前記一対の
2次巻線における負荷回路に接続されていない側の巻端
と前記負荷回路の他端の間にそれぞれ接続され、第1の
スイッチング素子のオン・オフ周期に比べて十分に長い
周期で交互にオン・オフされる第2及び第3のスイッチ
ング素子とを備え、第1のスイッチング素子がオンであ
るときに第2及び第3のスイッチング素子に流れる電流
が遮断されるように構成したことを特徴とするインバー
タ装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のインバータ装置におい
て、トランスの1次巻線と一対の2次巻線及び第1乃至
第3のスイッチング素子で構成される電力変換回路を、
直流電源と負荷回路の間に複数個並列接続したことを特
徴とするインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098196A JPH06311755A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098196A JPH06311755A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | インバータ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06311755A true JPH06311755A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14213253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098196A Pending JPH06311755A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | インバータ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06311755A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005525736A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-08-25 | ジャム テクノロジーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多相インピーダンス変換増幅器 |
| WO2010023464A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Greenwood Soar Ip Limited | Control of lamp striking voltage and recovery of energy from resonant lamp strike circuits used for electronic high intensity discharge lamp ballasting and other lamp ballasts |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5098196A patent/JPH06311755A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005525736A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-08-25 | ジャム テクノロジーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多相インピーダンス変換増幅器 |
| JP4939752B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2012-05-30 | ジェイエム エレクトロニクス リミテッド エルエルシー | 多相インピーダンス変換増幅器 |
| WO2010023464A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Greenwood Soar Ip Limited | Control of lamp striking voltage and recovery of energy from resonant lamp strike circuits used for electronic high intensity discharge lamp ballasting and other lamp ballasts |
| EP2498585A1 (en) * | 2008-08-29 | 2012-09-12 | Greenwood Soar IP Limited | Control of lamp striking voltage and recovery of energy from resonant lamp strike circuits used for electronic high intensity discharge lamp ballasting and other lamp ballasts |
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