JPH0631771Y2 - 電圧制御発振回路 - Google Patents
電圧制御発振回路Info
- Publication number
- JPH0631771Y2 JPH0631771Y2 JP1984169512U JP16951284U JPH0631771Y2 JP H0631771 Y2 JPH0631771 Y2 JP H0631771Y2 JP 1984169512 U JP1984169512 U JP 1984169512U JP 16951284 U JP16951284 U JP 16951284U JP H0631771 Y2 JPH0631771 Y2 JP H0631771Y2
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- Japan
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- transistor
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Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は、磁気記録再生装置（ＶＴＲ）又はビデオディ
スク等に使用するＲＦコンバータに最適な電圧制御発振
回路に関する。
スク等に使用するＲＦコンバータに最適な電圧制御発振
回路に関する。
(ロ)従来の技術 一般に電子機器、例えばＶＴＲ又はビデオディスクの如
くＲＦコンバータ（ＲＦモジュレータ）と呼ばれる変換
器には必ず電圧制御発振回路が設けられている。
くＲＦコンバータ（ＲＦモジュレータ）と呼ばれる変換
器には必ず電圧制御発振回路が設けられている。
この場合、構成素子を集積回路化（ＩＣ化）する技術が
進み、その一例として特公昭５９−１０８１号公報が上
げられる。
進み、その一例として特公昭５９−１０８１号公報が上
げられる。
そこで前記特許公報の第３図について説明すると、差動
増幅器をＱ31、Ｑ32で構成し、そのベースに制御電圧
（Ｖｃ）を加え、二段接続した差動対(35)及び(36)に並
列共振回路(46)直流阻止用コンデンサ(47)と共に、抵抗
(48)とコンデンサ(49)より成る移相回路を接続し、所定
の発振周波数を生成する方法が提案されている。
増幅器をＱ31、Ｑ32で構成し、そのベースに制御電圧
（Ｖｃ）を加え、二段接続した差動対(35)及び(36)に並
列共振回路(46)直流阻止用コンデンサ(47)と共に、抵抗
(48)とコンデンサ(49)より成る移相回路を接続し、所定
の発振周波数を生成する方法が提案されている。
ところが近年前記抵抗(48)及びコンデンサ(49)はいずれ
もＩＣ化可能となり、移相回路を構成する前記素子をＩ
Ｃ内に設けたＩＣがＶＴＲ又はビデオディスク等に採用
され始めた。
もＩＣ化可能となり、移相回路を構成する前記素子をＩ
Ｃ内に設けたＩＣがＶＴＲ又はビデオディスク等に採用
され始めた。
これは第７図に示す通り第１及び第２のトランジスタ
(1)(2)のベース側に直流電源(3)(4)からの直流電圧（Ｅ
１及びＥ２）を各々印加し、第１のトランジスタ(1)の
ベースに制御信号源(5)を接続し、発振部(6)にて所定の
発振周波数を生成する。
(1)(2)のベース側に直流電源(3)(4)からの直流電圧（Ｅ
１及びＥ２）を各々印加し、第１のトランジスタ(1)の
ベースに制御信号源(5)を接続し、発振部(6)にて所定の
発振周波数を生成する。
(ハ)考案が解決しようとする問題点 前記第７図の従来例によれば単に電圧Ｅ１、Ｅ２からベ
ース抵抗(7)(7)によって所定のバイアス電圧を得て、第
１のトランジスタ(1)及び第２のトランジスタ(2)のベー
スに同一電圧を与えるものであるが、発振部(6)を構成
する抵抗及びコンデンサ及び外付の並列共振回路は総合
的に温度特性が生じないように構成しているが、特にＩ
Ｃ化抵抗の温度係数又前記並列共振回路の温度勾配の相
違による発振周波数の温度ドリフトが避けられず電源ス
イッチオン直後における前記発振周波数の温度ドリフト
が大きく、ＶＴＲ等のセットの調整工程上時間と共に前
記発振周波数のドリフトが調整作業時に障害となってい
た。
ース抵抗(7)(7)によって所定のバイアス電圧を得て、第
１のトランジスタ(1)及び第２のトランジスタ(2)のベー
スに同一電圧を与えるものであるが、発振部(6)を構成
する抵抗及びコンデンサ及び外付の並列共振回路は総合
的に温度特性が生じないように構成しているが、特にＩ
Ｃ化抵抗の温度係数又前記並列共振回路の温度勾配の相
違による発振周波数の温度ドリフトが避けられず電源ス
イッチオン直後における前記発振周波数の温度ドリフト
が大きく、ＶＴＲ等のセットの調整工程上時間と共に前
記発振周波数のドリフトが調整作業時に障害となってい
た。
この模様は第８図に示す通り中心周波数4.5MHzに対して
電源スイッチオンから、特にＩＣ化抵抗の温度上昇に伴
う移相回路の移相量の遅れの増大による発振周波数の低
下が現われ、これが問題となる。又周囲温度による過渡
的な周波数ドリフトも問題となる。
電源スイッチオンから、特にＩＣ化抵抗の温度上昇に伴
う移相回路の移相量の遅れの増大による発振周波数の低
下が現われ、これが問題となる。又周囲温度による過渡
的な周波数ドリフトも問題となる。
(ニ)問題点を解決するための手段 本考案において、一対のトランジスタのベースに各々直
流電圧源を接続し、更にいずれかのトランジスタのベー
スに制御信号源、温度補償回路を接続して、前記トラン
ジスタの負荷として設けた発振部を含み、温度特性の変
化による発振周波数の温度ドリフトを防止する構成であ
る。
流電圧源を接続し、更にいずれかのトランジスタのベー
スに制御信号源、温度補償回路を接続して、前記トラン
ジスタの負荷として設けた発振部を含み、温度特性の変
化による発振周波数の温度ドリフトを防止する構成であ
る。
(ホ)作用 本考案の構成における温度補償回路により、特にＩＣ化
した際のＩＣ化抵抗の温度変化を補償即ち例えば温度上
昇による前記ＩＣ化抵抗の増大により、発振周波数が上
昇するのを防止できる。
した際のＩＣ化抵抗の温度変化を補償即ち例えば温度上
昇による前記ＩＣ化抵抗の増大により、発振周波数が上
昇するのを防止できる。
(ヘ)実施例 図面に従って本考案の電圧制御発振回路を説明すると、
第１図は本考案の同回路の一実施例、第２図は第１図の
一部を変形した一実施例、第３図〜第６図はいずれも本
考案の同回路を示す他の実施例である。
第１図は本考案の同回路の一実施例、第２図は第１図の
一部を変形した一実施例、第３図〜第６図はいずれも本
考案の同回路を示す他の実施例である。
図面において、(8)(9)は各々第１及び第２のトランジス
タ、(10)はエミッタ抵抗、(11)(12)(13)は定電流源、(1
4)は温度補償用のダイオード(15)、抵抗(16)(17)を含む
温度補償回路、(18)(19)は第１及び第２の増幅段、(20)
(21)は第１及び第２の移相手段、(22)はベクトル合成
段、(23)は共振回路を示す。
タ、(10)はエミッタ抵抗、(11)(12)(13)は定電流源、(1
4)は温度補償用のダイオード(15)、抵抗(16)(17)を含む
温度補償回路、(18)(19)は第１及び第２の増幅段、(20)
(21)は第１及び第２の移相手段、(22)はベクトル合成
段、(23)は共振回路を示す。
次に第１図について動作を説明すると、発振部(6)にお
いて、移相段(20)及び(21)により各々＋φ１及び−φな
る移相を施し、その出力信号は増幅段(18)(19)にて増幅
されベクトル合成段(22)によりベクトル合成した成分が
共振回路(23)に加わり、制御信号源(5)からの制御信号
（Ｖｃ）により発振部(6)における発振周波数が制御さ
れる。
いて、移相段(20)及び(21)により各々＋φ１及び−φな
る移相を施し、その出力信号は増幅段(18)(19)にて増幅
されベクトル合成段(22)によりベクトル合成した成分が
共振回路(23)に加わり、制御信号源(5)からの制御信号
（Ｖｃ）により発振部(6)における発振周波数が制御さ
れる。
ここで第１のトランジスタ(8)及び第２のトランジスタ
(9)の各エミッタに流れる電流が等しければ、前記増幅
段(18)(19)の増幅度も等しい場合、ベクトル合成段(22)
で合成された信号は位相がゼロとなる。
(9)の各エミッタに流れる電流が等しければ、前記増幅
段(18)(19)の増幅度も等しい場合、ベクトル合成段(22)
で合成された信号は位相がゼロとなる。
前記第１のトランジスタ(8)のベースの直流電位につい
て見ると、第１図において通常Ｅ１＝Ｅ２に設定する
が、オフセット電圧が問題となるときはＥ１＞Ｅ２に設
定する。ダイオード(15)、抵抗(16)(17)より成る温度補
償回路(14)を介して直流電圧が加わり、一方第２のトラ
ンジスタ(9)のベースには直流電圧Ｅ２が抵抗(24)を介
して加えられる。このときセットの電源スイッチをオフ
の状態からオンの状態にして、各々直流電源(3)(4)に電
圧が現われ、構成素子において特にＩＣ化した第１及び
第２のトランジスタ(8)(9)と発振部(6)の外部接続素子
を除く素子は最初常温の状態から、前記電源スイッチの
オンに伴う動作開始により徐々に温度上昇する。
て見ると、第１図において通常Ｅ１＝Ｅ２に設定する
が、オフセット電圧が問題となるときはＥ１＞Ｅ２に設
定する。ダイオード(15)、抵抗(16)(17)より成る温度補
償回路(14)を介して直流電圧が加わり、一方第２のトラ
ンジスタ(9)のベースには直流電圧Ｅ２が抵抗(24)を介
して加えられる。このときセットの電源スイッチをオフ
の状態からオンの状態にして、各々直流電源(3)(4)に電
圧が現われ、構成素子において特にＩＣ化した第１及び
第２のトランジスタ(8)(9)と発振部(6)の外部接続素子
を除く素子は最初常温の状態から、前記電源スイッチの
オンに伴う動作開始により徐々に温度上昇する。
これと同時にダイオード(15)も温度上昇し、これに伴っ
て順方向電圧Ｖｆは時間と共に徐々に減少し、前記ＩＣ
の温度上昇による温度特性で周波数の温度ドリフトが生
じようとするのを、該ダイオード(15)により相殺する方
向に働かせ、従って電源スイッチのオンにより、直ちに
所定の発振周波数に設定される。
て順方向電圧Ｖｆは時間と共に徐々に減少し、前記ＩＣ
の温度上昇による温度特性で周波数の温度ドリフトが生
じようとするのを、該ダイオード(15)により相殺する方
向に働かせ、従って電源スイッチのオンにより、直ちに
所定の発振周波数に設定される。
次に第２図は発振部(6)の温度特性が逆方向の場合で温
度補償回路を第２のトランジスタ(9)側に設けた例で、
動作については、前記第１図とは温度特性を第２のトラ
ンジスタ(9)のベース電位を電源スイッチのオンと同時
に徐々に減少させるもので、前述と同様にＩＣの温度上
昇による温度特性で周波数の温度ドリフトが生じようと
するのをダイオード(15)により相殺する方向に働かせ、
従って電源スイッチのオンにより、直ちに所定の発振周
波数に設定される。このとき通常Ｅ１＝Ｅ２とするが、
オフセットが問題となる場合はＥ１＜Ｅ２とする。
度補償回路を第２のトランジスタ(9)側に設けた例で、
動作については、前記第１図とは温度特性を第２のトラ
ンジスタ(9)のベース電位を電源スイッチのオンと同時
に徐々に減少させるもので、前述と同様にＩＣの温度上
昇による温度特性で周波数の温度ドリフトが生じようと
するのをダイオード(15)により相殺する方向に働かせ、
従って電源スイッチのオンにより、直ちに所定の発振周
波数に設定される。このとき通常Ｅ１＝Ｅ２とするが、
オフセットが問題となる場合はＥ１＜Ｅ２とする。
第１図におけるダイオード(15)の温度変化による信号源
側から見た入力インピーダンスの影響及び第２図におけ
るダイオード(15)の温度変化によるトランジスタ(9)の
ベースから図面において右側を見たインピーダンス（見
方では電源(4)の出力側のインピーダンス）の影響を見
ると、Ｒ16（Ｒ17＋ｒｅ）となる。
側から見た入力インピーダンスの影響及び第２図におけ
るダイオード(15)の温度変化によるトランジスタ(9)の
ベースから図面において右側を見たインピーダンス（見
方では電源(4)の出力側のインピーダンス）の影響を見
ると、Ｒ16（Ｒ17＋ｒｅ）となる。
ここでＲ16及びＲ17は各々抵抗(16)(17)の抵抗値、ｒｅ
はダイオード(15)の動作抵抗であり、これは温度上昇に
伴って増加する。
はダイオード(15)の動作抵抗であり、これは温度上昇に
伴って増加する。
又通常次の条件即ちＲ16＜Ｒ17、ｒｒ＜＜Ｒ17が成立
し、上記合成抵抗の値はＲ16Ｒ17≒Ｒ16となって、温
度変化による影響は極減できる。つまり第１図、第２図
に示すように温度補償回路(14)を信号源側もしくは基準
電位側のいずれに設けても制御感度の温度による影響は
かなり小さい。
し、上記合成抵抗の値はＲ16Ｒ17≒Ｒ16となって、温
度変化による影響は極減できる。つまり第１図、第２図
に示すように温度補償回路(14)を信号源側もしくは基準
電位側のいずれに設けても制御感度の温度による影響は
かなり小さい。
第４図は前記温度補償回路(14)を基準電圧側の第２のト
ランジスタ(9)に接続した例で第２図にバイアス用トラ
ンジスタ(25)を設けた例、第５図はバイアス用トランジ
スタ(25)のエミッタ電位にダイオード(15)の順方向電圧
Ｖｆ分重畳した構成で、制御信号印加側の第１のトラン
ジスタ(8)に前記温度補償回路(14)を接続した例で温度
補償の方向は第２図と同一方向である。
ランジスタ(9)に接続した例で第２図にバイアス用トラ
ンジスタ(25)を設けた例、第５図はバイアス用トランジ
スタ(25)のエミッタ電位にダイオード(15)の順方向電圧
Ｖｆ分重畳した構成で、制御信号印加側の第１のトラン
ジスタ(8)に前記温度補償回路(14)を接続した例で温度
補償の方向は第２図と同一方向である。
なおこの場合も基準電位側に設けても同様の効果が得ら
れるが、温度補償の方向は逆方向となる。
れるが、温度補償の方向は逆方向となる。
(ト)考案の効果 本考案によれば、基準電圧及び制御信号が各々印加され
る一対のトランジスタのいずれか一方に温度補償回路を
設けてあるので、仮に従来のように電源スイッチオン直
後に周波数の温度ドリフトが生じようとした場合でも前
記温度補償回路により、直ちに発振周波数を安定化でき
る利点が得られ、電子機器の生産ラインにおける調整工
程での問題点は解消する。又、周囲温度の変化の過渡的
な状態でも発振周波数は安定している。
る一対のトランジスタのいずれか一方に温度補償回路を
設けてあるので、仮に従来のように電源スイッチオン直
後に周波数の温度ドリフトが生じようとした場合でも前
記温度補償回路により、直ちに発振周波数を安定化でき
る利点が得られ、電子機器の生産ラインにおける調整工
程での問題点は解消する。又、周囲温度の変化の過渡的
な状態でも発振周波数は安定している。
第１図は本考案の電圧制御発振回路の一実施例を示す回
路図、第２図、第３図、第４図、第５図及び第６図は同
回路の他の実施例を示す回路図、第７図は従来の同回路
の一例を示す回路図、第８図は第７図の説明特性図であ
る。 主な図番の説明 (3)(4)……直流電源、(5)……制御信号源、(6)……発振
部、(8)……第１のトランジスタ、(9)……第２のトラン
ジスタ、(11)(12)(13)(30)……定電流源、(14)……温度
補償回路、(15)……ダイオード、(18)……第１の増幅
段、(19)……第２の増幅段、(20)……第１の移相段、(2
1)……第２の移相段、(22)……ベクトル合成段、 (23)……共振回路、(25)(29)……バイアス用トランジス
タ、(26)……電源端子。
路図、第２図、第３図、第４図、第５図及び第６図は同
回路の他の実施例を示す回路図、第７図は従来の同回路
の一例を示す回路図、第８図は第７図の説明特性図であ
る。 主な図番の説明 (3)(4)……直流電源、(5)……制御信号源、(6)……発振
部、(8)……第１のトランジスタ、(9)……第２のトラン
ジスタ、(11)(12)(13)(30)……定電流源、(14)……温度
補償回路、(15)……ダイオード、(18)……第１の増幅
段、(19)……第２の増幅段、(20)……第１の移相段、(2
1)……第２の移相段、(22)……ベクトル合成段、 (23)……共振回路、(25)(29)……バイアス用トランジス
タ、(26)……電源端子。
Claims (1)
- 【請求項１】共振回路と、該共振回路の出力信号をθ度
移相する第１移相回路と、前記共振回路の出力信号を−
θ度移相する第２移相回路と、前記第１移相回路の出力
信号を増幅する第１増幅器と、前記第２移相回路の出力
信号を増幅する第２増幅器と、前記第１及び第２増幅器
の出力信号をベクトル合成し、合成した信号を前記共振
回路に印加するベクトル合成回路とを備える電圧制御発
振回路において、エミッタが共通接続された第１及び第
２トランジスタからなり、前記第１トランジスタのコレ
クタが前記第１増幅器に、前記第２トランジスタのコレ
クタが前記第２増幅器に接続された差動増幅器と、発振
周波数調整用の制御信号を前記第１又は第２トランジス
タのベースに印加する制御信号源と、ダイオード及び該
ダイオードの両端電圧を分圧する２つの分圧抵抗からな
り該分圧抵抗の接続中点に発生する電圧を前記第１又は
第２トランジスタのベースに温度補償電圧として印加す
る温度補償回路とを設け、発振周波数を安定化するよう
にしたことを特徴とする電圧制御発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984169512U JPH0631771Y2 (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧制御発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984169512U JPH0631771Y2 (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧制御発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185919U JPS6185919U (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0631771Y2 true JPH0631771Y2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=30727243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984169512U Expired - Lifetime JPH0631771Y2 (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧制御発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631771Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5981924A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧制御発振器 |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP1984169512U patent/JPH0631771Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6185919U (ja) | 1986-06-05 |
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