JPH06326152A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06326152A JPH06326152A JP5112998A JP11299893A JPH06326152A JP H06326152 A JPH06326152 A JP H06326152A JP 5112998 A JP5112998 A JP 5112998A JP 11299893 A JP11299893 A JP 11299893A JP H06326152 A JPH06326152 A JP H06326152A
- Authority
- JP
- Japan
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- bowl
- base film
- semiconductor element
- semiconductor device
- circuit pattern
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子に樹脂圧が一切加わらず、半導体
素子へのストレスを回避できる。 【構成】 フランジ部２０ａ、２１ａを有する２つの椀
状体２０、２１が対向配置され、該２つの椀状体２０、
２１のフランジ部２０ａ、２１ａによりデバイス孔１５
周縁のベースフィルム１３および該ベースフィルム１３
上の回路パターン１８が直接もしくは絶縁物２２を挟ん
で両側から挟圧されると共に、２つの椀状体２０、２１
にて半導体素子１９が気密に封止され、該２つの椀状体
２０、２１が封止樹脂３０にて封止されている。
素子へのストレスを回避できる。 【構成】 フランジ部２０ａ、２１ａを有する２つの椀
状体２０、２１が対向配置され、該２つの椀状体２０、
２１のフランジ部２０ａ、２１ａによりデバイス孔１５
周縁のベースフィルム１３および該ベースフィルム１３
上の回路パターン１８が直接もしくは絶縁物２２を挟ん
で両側から挟圧されると共に、２つの椀状体２０、２１
にて半導体素子１９が気密に封止され、該２つの椀状体
２０、２１が封止樹脂３０にて封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は益々高密度化する傾向にあ
り、したがってこれを搭載するリードフレームも多ピン
化が余儀なくされている。しかしながら、金属板をエッ
チング加工もしくはプレス加工して形成されるリードフ
レームでは、その多ピン化にも材厚からくる加工限界が
ある。この点耐熱性のベースフィルム上に貼着された金
属箔をエッチングにより加工するＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）テープは多ピン化が可能である。そこで昨
今では上記リードフレームに代えてＴＡＢテープを用
い、該ＴＡＢテープのインナーリードに半導体素子を一
括ボンディングし、該半導体素子を封止樹脂にて封止し
た半導体装置が用いられるようになってきている。
り、したがってこれを搭載するリードフレームも多ピン
化が余儀なくされている。しかしながら、金属板をエッ
チング加工もしくはプレス加工して形成されるリードフ
レームでは、その多ピン化にも材厚からくる加工限界が
ある。この点耐熱性のベースフィルム上に貼着された金
属箔をエッチングにより加工するＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）テープは多ピン化が可能である。そこで昨
今では上記リードフレームに代えてＴＡＢテープを用
い、該ＴＡＢテープのインナーリードに半導体素子を一
括ボンディングし、該半導体素子を封止樹脂にて封止し
た半導体装置が用いられるようになってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｔ
ＡＢテープを用いて半導体素子を樹脂封止した半導体装
置には次のような問題点がある。すなわち、図６に示す
ように、金属箔を加工したインナーリード１は強度が弱
く、したがって樹脂圧によって半導体素子２が金型のキ
ャビティ内で動いてしまい、半導体素子２が図示のごと
く封止樹脂３内で斜めになってしまう問題点がある。こ
れにより、半導体素子２とインナーリード１との接合部
に不均一なストレスが加わり、接合部が一部破壊される
おそれがある。また樹脂封止の際、数１０Kgf/cm2 もの
樹脂圧が半導体素子２に加わることから、封止樹脂３中
に混入されているシリカ粒子等からなる微細なフィラー
が半導体素子２のパッシベーション膜を突き破るおそれ
もあった。
ＡＢテープを用いて半導体素子を樹脂封止した半導体装
置には次のような問題点がある。すなわち、図６に示す
ように、金属箔を加工したインナーリード１は強度が弱
く、したがって樹脂圧によって半導体素子２が金型のキ
ャビティ内で動いてしまい、半導体素子２が図示のごと
く封止樹脂３内で斜めになってしまう問題点がある。こ
れにより、半導体素子２とインナーリード１との接合部
に不均一なストレスが加わり、接合部が一部破壊される
おそれがある。また樹脂封止の際、数１０Kgf/cm2 もの
樹脂圧が半導体素子２に加わることから、封止樹脂３中
に混入されているシリカ粒子等からなる微細なフィラー
が半導体素子２のパッシベーション膜を突き破るおそれ
もあった。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、半導体
素子に樹脂圧が一切加わらず、半導体素子へのストレス
を回避できる半導体装置を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、半導体
素子に樹脂圧が一切加わらず、半導体素子へのストレス
を回避できる半導体装置を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、ベースフィルム
上に所定の回路パターンが形成されると共に、ベースフ
ィルムのデバイス孔内方に突出するインナーリードおよ
びベースフィルム外方に突出するアウターリードを有す
るＴＡＢテープの前記インナーリードに半導体素子が一
括ボンディングされて搭載される半導体装置において、
フランジ部を有する２つの椀状体が前記ＴＡＢテープを
介して対向配置され、該２つの椀状体の前記フランジ部
により前記デバイス孔周縁のベースフィルムおよび該ベ
ースフィルム上の回路パターンが直接もしくは絶縁物を
挟んで挟圧されると共に、２つの椀状体により前記半導
体素子が気密に封止され、該２つの椀状体が樹脂により
封止されていることを特徴としている。半導体素子を椀
状体の内底面に固着すると好適である。椀状体を金属製
の放熱体に形成すると好適である。さらに、金属薄板を
エッチングもしくはプレス加工して形成したアウターリ
ードをベースフィルム上の回路パターンに接合してアウ
ターリードにすると好適である。
するため次の構成を備える。すなわち、ベースフィルム
上に所定の回路パターンが形成されると共に、ベースフ
ィルムのデバイス孔内方に突出するインナーリードおよ
びベースフィルム外方に突出するアウターリードを有す
るＴＡＢテープの前記インナーリードに半導体素子が一
括ボンディングされて搭載される半導体装置において、
フランジ部を有する２つの椀状体が前記ＴＡＢテープを
介して対向配置され、該２つの椀状体の前記フランジ部
により前記デバイス孔周縁のベースフィルムおよび該ベ
ースフィルム上の回路パターンが直接もしくは絶縁物を
挟んで挟圧されると共に、２つの椀状体により前記半導
体素子が気密に封止され、該２つの椀状体が樹脂により
封止されていることを特徴としている。半導体素子を椀
状体の内底面に固着すると好適である。椀状体を金属製
の放熱体に形成すると好適である。さらに、金属薄板を
エッチングもしくはプレス加工して形成したアウターリ
ードをベースフィルム上の回路パターンに接合してアウ
ターリードにすると好適である。
【０００６】
【作用】半導体素子を２つの椀状体により気密に封止
し、この椀状体の上から樹脂封止したので、半導体素子
に樹脂封止時のストレスが加わらず、インナーリードと
の接合部位の剥がれ等を防止できる。また半導体素子を
椀状体の内底面に固着することにより、半導体素子が動
くのを防止できる。椀状体を金属製のものとすることで
放熱性を向上できる。またアウターリードに金属薄板を
加工した肉厚のものを用いることで、インナーリード、
アウターリード双方の変形を防止できる。
し、この椀状体の上から樹脂封止したので、半導体素子
に樹脂封止時のストレスが加わらず、インナーリードと
の接合部位の剥がれ等を防止できる。また半導体素子を
椀状体の内底面に固着することにより、半導体素子が動
くのを防止できる。椀状体を金属製のものとすることで
放熱性を向上できる。またアウターリードに金属薄板を
加工した肉厚のものを用いることで、インナーリード、
アウターリード双方の変形を防止できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は半導体装置１０の第１の
実施例を示す断面図である。１２はＴＡＢテープであ
り、ベースフィルム１３に貼着された金属箔をエッチン
グ加工して導体パターンが形成されている。１４はその
インナーリードで、ベースフィルム１３の中央部に開口
したデバイス孔１５の内方に突出している。１６はアウ
ターリードで、ベースフィルム１３の外方に突出してい
る。１７はベースフィルム１３の適所に設けた樹脂流通
孔である。またベースフィルム１３上にはインナーリー
ド１４とアウターリード１６の間を連絡する回路パター
ン１８が形成されている。１９は半導体素子であり、イ
ンナーリード１４上に一括ボンディングして搭載されて
いる。２０、２１はそれぞれフランジ部２０ａ、２１ａ
を有し、中央部が凹設された金属製の椀状体である。椀
状体２０、２１はＴＡＢテープを挟んで対向配置され、
フランジ部２０ａ、２１ａにより、デバイス孔１５周縁
のベースフィルム１３、該ベースフィルム上の回路パタ
ーン１８、該回路パターン１８上のソルダーレジスト２
２を挟んで両側から挟圧していて、椀状体２０、２１で
囲まれる空間を気密室２３に形成している。気密室２３
は乾燥したチッ素ガス等で置換してある。半導体素子１
９は気密室２３内に位置し、かつ椀状体２１の内底面に
接着剤により固着されている。椀状体２０、２１の周縁
部の４個所には図２に示すように、フランジ部２０ａ、
２１ａから立ち上がる起立片２５、この起立片２５から
外方に延出する延出片２６からなる支持突起２７が形成
されている。３０は封止樹脂であり、２つの椀状体２
０、２１を覆って封止している。３１はソルダーレジス
トであり、ベースフィルム１３の周縁部の回路パターン
１８の部位を覆って形成されている。
づいて詳細に説明する。図１は半導体装置１０の第１の
実施例を示す断面図である。１２はＴＡＢテープであ
り、ベースフィルム１３に貼着された金属箔をエッチン
グ加工して導体パターンが形成されている。１４はその
インナーリードで、ベースフィルム１３の中央部に開口
したデバイス孔１５の内方に突出している。１６はアウ
ターリードで、ベースフィルム１３の外方に突出してい
る。１７はベースフィルム１３の適所に設けた樹脂流通
孔である。またベースフィルム１３上にはインナーリー
ド１４とアウターリード１６の間を連絡する回路パター
ン１８が形成されている。１９は半導体素子であり、イ
ンナーリード１４上に一括ボンディングして搭載されて
いる。２０、２１はそれぞれフランジ部２０ａ、２１ａ
を有し、中央部が凹設された金属製の椀状体である。椀
状体２０、２１はＴＡＢテープを挟んで対向配置され、
フランジ部２０ａ、２１ａにより、デバイス孔１５周縁
のベースフィルム１３、該ベースフィルム上の回路パタ
ーン１８、該回路パターン１８上のソルダーレジスト２
２を挟んで両側から挟圧していて、椀状体２０、２１で
囲まれる空間を気密室２３に形成している。気密室２３
は乾燥したチッ素ガス等で置換してある。半導体素子１
９は気密室２３内に位置し、かつ椀状体２１の内底面に
接着剤により固着されている。椀状体２０、２１の周縁
部の４個所には図２に示すように、フランジ部２０ａ、
２１ａから立ち上がる起立片２５、この起立片２５から
外方に延出する延出片２６からなる支持突起２７が形成
されている。３０は封止樹脂であり、２つの椀状体２
０、２１を覆って封止している。３１はソルダーレジス
トであり、ベースフィルム１３の周縁部の回路パターン
１８の部位を覆って形成されている。
【０００８】上記半導体装置１０の製造に際しては、ま
ず、ＴＡＢテープ１２のインナーリード１４に半導体素
子１９を一括ボンディングして搭載し、次いで該半導体
素子１９を接着剤にて一方の椀状体２１の内底面に固着
する。このＴＡＢテープ１２を半導体素子１９、椀状体
２１と共に金型内に組み込み、さらに回路パターン１８
上のソルダーレジスト２２上にもう一方の椀状体２０を
重ね、型閉じする。型閉じすることにより、支持突起２
７が金型のキャビティ面により押圧され、椀状体２０、
２１のフランジ部２０ａ、２１ａがＴＡＢテープ１２を
上下から挟圧することになる。またキャビティ周縁部の
パーティング面がソルダーレジスト３１を介してＴＡＢ
テープ１２を挟圧する。すなわちソルダーレジスト３１
は樹脂の外方への漏出を防止するダムバーの機能を奏す
る。しかしてキャビティ内に溶融樹脂を注入することに
より半導体装置１０を形成できる。なお、金型内にＴＡ
Ｂテープや椀状体を入れた後、少なくとも金型のキャビ
ティ内を乾燥したチッ素ガス等で置換することにより、
気密室２３内をチッ素ガス等で満たすようにすると好適
である。ソルダーレジスト２２は溶融樹脂が気密室２３
内に進入するのを防止し、またチっ素ガスが漏れ出た
り、他のガスが侵入するのを防止する。
ず、ＴＡＢテープ１２のインナーリード１４に半導体素
子１９を一括ボンディングして搭載し、次いで該半導体
素子１９を接着剤にて一方の椀状体２１の内底面に固着
する。このＴＡＢテープ１２を半導体素子１９、椀状体
２１と共に金型内に組み込み、さらに回路パターン１８
上のソルダーレジスト２２上にもう一方の椀状体２０を
重ね、型閉じする。型閉じすることにより、支持突起２
７が金型のキャビティ面により押圧され、椀状体２０、
２１のフランジ部２０ａ、２１ａがＴＡＢテープ１２を
上下から挟圧することになる。またキャビティ周縁部の
パーティング面がソルダーレジスト３１を介してＴＡＢ
テープ１２を挟圧する。すなわちソルダーレジスト３１
は樹脂の外方への漏出を防止するダムバーの機能を奏す
る。しかしてキャビティ内に溶融樹脂を注入することに
より半導体装置１０を形成できる。なお、金型内にＴＡ
Ｂテープや椀状体を入れた後、少なくとも金型のキャビ
ティ内を乾燥したチッ素ガス等で置換することにより、
気密室２３内をチッ素ガス等で満たすようにすると好適
である。ソルダーレジスト２２は溶融樹脂が気密室２３
内に進入するのを防止し、またチっ素ガスが漏れ出た
り、他のガスが侵入するのを防止する。
【０００９】上記半導体装置１０によれば、半導体素子
１９が気密室２３内に位置し、樹脂封止の際に樹脂圧を
受けないので、半導体素子１９に直接ストレスが加わら
ず、インナーリード１４との間の接合部が剥がれたりす
ることがない。また半導体素子１９を椀状体２１の内底
面に固着しておくことにより、半導体素子１９が気密室
２３内で動くことがなく好適である。半導体素子１９は
接着剤で固着するのでなく、図３に示すように、椀状体
２０との間にシリコンゴム等の弾性体３３を介在させて
おくようにすることで、動きを防止するようにすること
もできる。椀状体２０、２１は金属で形成してあるの
で、半導体素子１９からの熱が封止樹脂３０あるいは支
持突起２７を通じて放熱されるので好適である。なお半
導体素子１９が固着される一方の椀状体２１のみを金属
製とし、他方の椀状体２０は樹脂製としてもよい。ある
いはそれ程放熱性を要しない場合には、椀状体２０、２
１の双方を樹脂製のものにすることもできる。
１９が気密室２３内に位置し、樹脂封止の際に樹脂圧を
受けないので、半導体素子１９に直接ストレスが加わら
ず、インナーリード１４との間の接合部が剥がれたりす
ることがない。また半導体素子１９を椀状体２１の内底
面に固着しておくことにより、半導体素子１９が気密室
２３内で動くことがなく好適である。半導体素子１９は
接着剤で固着するのでなく、図３に示すように、椀状体
２０との間にシリコンゴム等の弾性体３３を介在させて
おくようにすることで、動きを防止するようにすること
もできる。椀状体２０、２１は金属で形成してあるの
で、半導体素子１９からの熱が封止樹脂３０あるいは支
持突起２７を通じて放熱されるので好適である。なお半
導体素子１９が固着される一方の椀状体２１のみを金属
製とし、他方の椀状体２０は樹脂製としてもよい。ある
いはそれ程放熱性を要しない場合には、椀状体２０、２
１の双方を樹脂製のものにすることもできる。
【００１０】図４は他の実施例を示す。本実施例では、
椀状体２０、２１の内面およびフランジ部２０ａ、２１
ａに接着剤３５を塗布しておいて、半導体素子１９をこ
の接着剤３５を利用して椀状体２１に固着すると共に、
椀状体２０、２１をそのフランジ部２０ａ、２１ａにて
ＴＡＢテープ１３の所要部位に仮止めして金型内に組み
込むようにしている。このように椀状体２０、２１をＴ
ＡＢテープ１３にあらかじめ仮止めして金型内に組み込
むので、キャビティ内での位置決めを容易に行うことが
できる。したがって前記実施例における支持突起２７は
本実施例では設けなくともよい。図示の例では、封止樹
脂３０で椀状体２０、２１を完全に覆うようにしたが、
椀状体２０、２１の一部を露出するようにしてもよい。
この場合、例えば椀状体２０、２１の外面の平坦部をキ
ャビティ面で押圧するようにすれば、椀状体２０、２１
でより強固にＴＡＢテープ１３を挟圧できる。
椀状体２０、２１の内面およびフランジ部２０ａ、２１
ａに接着剤３５を塗布しておいて、半導体素子１９をこ
の接着剤３５を利用して椀状体２１に固着すると共に、
椀状体２０、２１をそのフランジ部２０ａ、２１ａにて
ＴＡＢテープ１３の所要部位に仮止めして金型内に組み
込むようにしている。このように椀状体２０、２１をＴ
ＡＢテープ１３にあらかじめ仮止めして金型内に組み込
むので、キャビティ内での位置決めを容易に行うことが
できる。したがって前記実施例における支持突起２７は
本実施例では設けなくともよい。図示の例では、封止樹
脂３０で椀状体２０、２１を完全に覆うようにしたが、
椀状体２０、２１の一部を露出するようにしてもよい。
この場合、例えば椀状体２０、２１の外面の平坦部をキ
ャビティ面で押圧するようにすれば、椀状体２０、２１
でより強固にＴＡＢテープ１３を挟圧できる。
【００１１】図５はさらに他の実施例を示す。本実施例
では上記金属箔によるアウターリード１６に代えて、金
属薄板をエッチング加工もしくはプレス加工で形成した
アウターリード１６ａを用い、このアウターリード１６
ａをベースフィルム１３上の回路パターン１８部分に接
合している。これによりアウターリード１６ａの変形も
防止できる。なお、金属箔によるアウターリード１６に
銅めっき皮膜を厚付けして、肉厚のアウターリードに形
成するようにしてもよい。
では上記金属箔によるアウターリード１６に代えて、金
属薄板をエッチング加工もしくはプレス加工で形成した
アウターリード１６ａを用い、このアウターリード１６
ａをベースフィルム１３上の回路パターン１８部分に接
合している。これによりアウターリード１６ａの変形も
防止できる。なお、金属箔によるアウターリード１６に
銅めっき皮膜を厚付けして、肉厚のアウターリードに形
成するようにしてもよい。
【００１２】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、上記
したように、半導体素子を２つの椀状体により気密に封
止し、この椀状体の上から樹脂封止したので、半導体素
子に樹脂封止時のストレスが加わらず、インナーリード
との接合部位の剥がれ等を防止できる。また半導体素子
を椀状体の内底面に固着することにより、半導体素子が
動くのを防止できる。椀状体を金属製のものとすること
で放熱性を向上できる。またアウターリードに金属薄板
を加工した肉厚のものを用いることで、インナーリー
ド、アウターリード双方の変形を防止できる。
したように、半導体素子を２つの椀状体により気密に封
止し、この椀状体の上から樹脂封止したので、半導体素
子に樹脂封止時のストレスが加わらず、インナーリード
との接合部位の剥がれ等を防止できる。また半導体素子
を椀状体の内底面に固着することにより、半導体素子が
動くのを防止できる。椀状体を金属製のものとすること
で放熱性を向上できる。またアウターリードに金属薄板
を加工した肉厚のものを用いることで、インナーリー
ド、アウターリード双方の変形を防止できる。
【図１】第１の実施例を示した断面図である。
【図２】椀状体の平面図である。
【図３】他の実施例を示した部分断面図である。
【図４】さらに他の実施例を示した断面図である。
【図５】アウターリードに金属薄板を加工した肉厚のも
のを用いた説明図である。
のを用いた説明図である。
【図６】従来の半導体装置を示す断面図である。
１０ 半導体装置 １２ ＴＡＢテープ １３ ベースフィルム １４ インナーリード １５ デバイス孔 １６ アウターリード １８ 回路パターン １９ 半導体素子 ２０、２１ 椀状体 ２２ ソルダーレジスト ２３ 気密室 ２７ 支持突起 ３０ 封止樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 ベースフィルム上に所定の回路パターン
が形成されると共に、ベースフィルムのデバイス孔内方
に突出するインナーリードおよびベースフィルム外方に
突出するアウターリードを有するＴＡＢテープの前記イ
ンナーリードに半導体素子が一括ボンディングされて搭
載される半導体装置において、 フランジ部を有する２つの椀状体が前記ＴＡＢテープを
介して対向配置され、該２つの椀状体の前記フランジ部
により前記デバイス孔周縁のベースフィルムおよび該ベ
ースフィルム上の回路パターンが直接もしくは絶縁物を
挟んで挟圧されると共に、２つの椀状体により前記半導
体素子が気密に封止され、該２つの椀状体が樹脂により
封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子が椀状体の内底面に固着
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 椀状体が金属製の放熱体に形成されてい
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 金属薄板をエッチングもしくはプレス加
工して形成されたアウターリードがベースフィルム上の
回路パターンに接合されていることを特徴とする請求項
１、２または３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11299893A JP3278234B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11299893A JP3278234B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326152A true JPH06326152A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3278234B2 JP3278234B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14600876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11299893A Expired - Fee Related JP3278234B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278234B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153845A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11299893A patent/JP3278234B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153845A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278234B2 (ja) | 2002-04-30 |
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