JPH06330292A - 薄膜の製造装置及び製造方法 - Google Patents
薄膜の製造装置及び製造方法Info
- Publication number
- JPH06330292A JPH06330292A JP5122750A JP12275093A JPH06330292A JP H06330292 A JPH06330292 A JP H06330292A JP 5122750 A JP5122750 A JP 5122750A JP 12275093 A JP12275093 A JP 12275093A JP H06330292 A JPH06330292 A JP H06330292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electron beam
- beam evaporation
- shaped substrate
- belt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録再生特性等の膜特性のすぐれた多層構造
の薄膜を、蒸発源の原子の利用効率を高めて、効率よく
得る。 【構成】 真空中でエンドレス帯体５の表面に沿って移
動する帯状基板４上に電子ビーム蒸着法によって薄膜を
形成する薄膜の製造装置において、電子ビーム蒸発源７
と帯状基板走行空間との間に配した遮蔽板９に複数の開
口Ａ1 、Ａ2 を設け、同一の電子ビーム蒸発源７によっ
て帯状基板４に複数回にわたり薄膜を形成するように構
成する。
の薄膜を、蒸発源の原子の利用効率を高めて、効率よく
得る。 【構成】 真空中でエンドレス帯体５の表面に沿って移
動する帯状基板４上に電子ビーム蒸着法によって薄膜を
形成する薄膜の製造装置において、電子ビーム蒸発源７
と帯状基板走行空間との間に配した遮蔽板９に複数の開
口Ａ1 、Ａ2 を設け、同一の電子ビーム蒸発源７によっ
て帯状基板４に複数回にわたり薄膜を形成するように構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気テープ等の薄膜を製
造する装置及び方法に関するものである。
造する装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現代社会において薄膜の果たす役割は非
常に大きく、その使用分野も広範囲であって、日常生活
の様々な分野において薄膜が利用されている。磁気テー
プの分野においても記録媒体の高密度化を目指し、薄膜
磁気記録媒体の研究開発が盛んである。高密度薄膜磁気
記録媒体の中でも、Ｃｏ系酸化物薄膜は既にビデオテー
プとして商品化されており、注目を集めている。
常に大きく、その使用分野も広範囲であって、日常生活
の様々な分野において薄膜が利用されている。磁気テー
プの分野においても記録媒体の高密度化を目指し、薄膜
磁気記録媒体の研究開発が盛んである。高密度薄膜磁気
記録媒体の中でも、Ｃｏ系酸化物薄膜は既にビデオテー
プとして商品化されており、注目を集めている。
【０００３】テープ状のＣｏ系酸化物薄膜記録媒体を製
造する方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にそ
の生産性において他を凌いでいる。この方法によれば、
図２に示すように、長尺帯状の高分子基板４ａが円筒状
キャン５ａの周面に沿って走行する間に、電子ビーム６
ａを照射された蒸発源７ａを用いて蒸着することによっ
て、磁性層を形成することができ、磁気記録媒体の量産
ができる。磁性体として、電子ビーム蒸着源７ａから蒸
発するＣｏ、またはＣｏ−Ｎｉを用い、酸素ガス供給口
８ａから供給される酸素の雰囲気中で蒸着を行うことに
よって長尺の磁気テープが生産できる。
造する方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特にそ
の生産性において他を凌いでいる。この方法によれば、
図２に示すように、長尺帯状の高分子基板４ａが円筒状
キャン５ａの周面に沿って走行する間に、電子ビーム６
ａを照射された蒸発源７ａを用いて蒸着することによっ
て、磁性層を形成することができ、磁気記録媒体の量産
ができる。磁性体として、電子ビーム蒸着源７ａから蒸
発するＣｏ、またはＣｏ−Ｎｉを用い、酸素ガス供給口
８ａから供給される酸素の雰囲気中で蒸着を行うことに
よって長尺の磁気テープが生産できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板４ａ上に真空蒸着
法によって薄膜磁性層を形成するにあたっては、基板４
ａ面への蒸気の入射方向が磁気特性及び記録再生性に大
きな影響を与える。そのため、Ｃｏ系酸化物薄膜テープ
では斜め蒸着によって磁性層を形成し、ノイズの低減の
ために磁性層の多層化が検討されている。
法によって薄膜磁性層を形成するにあたっては、基板４
ａ面への蒸気の入射方向が磁気特性及び記録再生性に大
きな影響を与える。そのため、Ｃｏ系酸化物薄膜テープ
では斜め蒸着によって磁性層を形成し、ノイズの低減の
ために磁性層の多層化が検討されている。
【０００５】しかしながら、図２に示すような方法で斜
め蒸着を行う場合、記録再生特性の向上のために蒸気の
入射角を適正範囲に制限すると、蒸発原子の利用効果が
非常に小さくなってしまう。又磁性層の多層化を行う場
合には工程が増加してコストアップを招く。本発明はこ
れらの問題点を解消することを課題とする。
め蒸着を行う場合、記録再生特性の向上のために蒸気の
入射角を適正範囲に制限すると、蒸発原子の利用効果が
非常に小さくなってしまう。又磁性層の多層化を行う場
合には工程が増加してコストアップを招く。本発明はこ
れらの問題点を解消することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空中でエン
ドレス帯体の表面に沿って移動する帯状基板上に電子ビ
ーム蒸着法によって薄膜を形成する薄膜の製造装置にお
いて、電子ビーム蒸発源と帯状基板走行空間との間に配
した遮蔽板に複数の開口を設け、同一の電子ビーム蒸発
源によって、帯状基板に複数回にわたり薄膜を形成する
ように構成すると共に、帯状基板の走行位置、複数の開
口の配設位置及び電子ビーム蒸発源の設置位置の３者の
関係位置を、電子ビーム蒸発源から帯状基板に入射する
蒸気の入射角の複数回にわたる薄膜の形成を通して生ず
る変化が、単調増加、単調減少のいずれにもならないよ
うに、定めたことを特徴とする。
ドレス帯体の表面に沿って移動する帯状基板上に電子ビ
ーム蒸着法によって薄膜を形成する薄膜の製造装置にお
いて、電子ビーム蒸発源と帯状基板走行空間との間に配
した遮蔽板に複数の開口を設け、同一の電子ビーム蒸発
源によって、帯状基板に複数回にわたり薄膜を形成する
ように構成すると共に、帯状基板の走行位置、複数の開
口の配設位置及び電子ビーム蒸発源の設置位置の３者の
関係位置を、電子ビーム蒸発源から帯状基板に入射する
蒸気の入射角の複数回にわたる薄膜の形成を通して生ず
る変化が、単調増加、単調減少のいずれにもならないよ
うに、定めたことを特徴とする。
【０００７】又本発明は、真空中でエンドレス帯体の表
面に沿って移動する帯状基板上に電子ビーム蒸着法によ
って薄膜を形成する薄膜の製造方法において、帯状基板
の１走行中に複数回にわたり電子ビーム蒸発源からの蒸
着による薄膜形成を行い、かつ走行経路全体を通した蒸
気入射角の変化の極小、極大の合計が２以上あることを
特徴とする。
面に沿って移動する帯状基板上に電子ビーム蒸着法によ
って薄膜を形成する薄膜の製造方法において、帯状基板
の１走行中に複数回にわたり電子ビーム蒸発源からの蒸
着による薄膜形成を行い、かつ走行経路全体を通した蒸
気入射角の変化の極小、極大の合計が２以上あることを
特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、エンドレス帯体を利用し、こ
れに沿って帯状基板を走行させているので、複数回の蒸
着位置の夫々において、帯状基板の走行方向を蒸気の入
射角が最適範囲になるように定めることが可能になり、
又帯状基板の走行方向を例えば直線状にすることによっ
て、蒸気の入射角の変化が比較的小さい状態での良好な
蒸着を可能とすることができる。そしてエンドレス帯体
に沿って帯状基板が１度走行する間に、後層形成時の蒸
気の入射角を前層形成時の初期入射角側に戻して薄膜の
積層ができる等、多層膜の形成を効率良く行うことがで
きる。
れに沿って帯状基板を走行させているので、複数回の蒸
着位置の夫々において、帯状基板の走行方向を蒸気の入
射角が最適範囲になるように定めることが可能になり、
又帯状基板の走行方向を例えば直線状にすることによっ
て、蒸気の入射角の変化が比較的小さい状態での良好な
蒸着を可能とすることができる。そしてエンドレス帯体
に沿って帯状基板が１度走行する間に、後層形成時の蒸
気の入射角を前層形成時の初期入射角側に戻して薄膜の
積層ができる等、多層膜の形成を効率良く行うことがで
きる。
【０００９】
【実施例】図１に示す実施例について説明する。排気系
１によって真空排気された真空漕２の中で、巻き出しロ
ール３から回転方向１２に沿って巻出された長尺の高分
子基板である帯状基板４は、ガイドロール１１によって
巻回されているエンドレス状の金属薄帯（エンドレス帯
体）５の表面に沿って走行中に、電子ビーム６を照射さ
れている電子ビーム蒸発源７より遮蔽板９の開口部
Ａ1 、Ａ2 において蒸着を受けた後に、巻き取りロール
１０に巻きとられる。
１によって真空排気された真空漕２の中で、巻き出しロ
ール３から回転方向１２に沿って巻出された長尺の高分
子基板である帯状基板４は、ガイドロール１１によって
巻回されているエンドレス状の金属薄帯（エンドレス帯
体）５の表面に沿って走行中に、電子ビーム６を照射さ
れている電子ビーム蒸発源７より遮蔽板９の開口部
Ａ1 、Ａ2 において蒸着を受けた後に、巻き取りロール
１０に巻きとられる。
【００１０】帯状基板４と金属薄帯５の密着性を高める
ために、帯状基板４は金属薄帯５にニップロール１６に
よって押し当てられた後に、薄膜の形成に先立って密着
用電子銃１３から電子ビーム１４を照射される。ニップ
ロール１６及び密着用電子銃１３は必要のない場合には
省略できる。ガス導入ノズル８を設置し、ここから酸素
を導入することによって反応蒸着によって薄膜を形成す
ることができる。
ために、帯状基板４は金属薄帯５にニップロール１６に
よって押し当てられた後に、薄膜の形成に先立って密着
用電子銃１３から電子ビーム１４を照射される。ニップ
ロール１６及び密着用電子銃１３は必要のない場合には
省略できる。ガス導入ノズル８を設置し、ここから酸素
を導入することによって反応蒸着によって薄膜を形成す
ることができる。
【００１１】エンドレス状の金属薄帯５は、図１に示す
ように５つのガイドロール１１に懸回されて、エンドレ
ス回動し、巻き出しロール３から供給された帯状基板４
を斜下右方に導き、ここで第１回目の蒸着を行わせ、次
いで上方に導いた後、再び斜下右方に導き、ここで第２
回目の蒸着を行わせ、その後上方に導いて、巻き取りロ
ール１０に渡している。第１回目の蒸着は、遮蔽板９の
第１の開口部Ａ1 を利用して行い、その蒸気入射角を基
板法線に対し７０度から５０度に変化させている。第２
回目の蒸着は、遮蔽基板９の第２の開口部Ａ2 を利用し
て行い、この場合も蒸気入射角を基板法線に対し７０度
から５０度に変化させている。
ように５つのガイドロール１１に懸回されて、エンドレ
ス回動し、巻き出しロール３から供給された帯状基板４
を斜下右方に導き、ここで第１回目の蒸着を行わせ、次
いで上方に導いた後、再び斜下右方に導き、ここで第２
回目の蒸着を行わせ、その後上方に導いて、巻き取りロ
ール１０に渡している。第１回目の蒸着は、遮蔽板９の
第１の開口部Ａ1 を利用して行い、その蒸気入射角を基
板法線に対し７０度から５０度に変化させている。第２
回目の蒸着は、遮蔽基板９の第２の開口部Ａ2 を利用し
て行い、この場合も蒸気入射角を基板法線に対し７０度
から５０度に変化させている。
【００１２】帯状基板４としてポリエチレンテレフタレ
ートを用い、薄膜としてＣｏ−Ｏ磁性層を２度形成し
た。従来の図２に示す方法で蒸気入射角を７０度から５
０度にして、２層構造の磁性層を形成するためには、２
工程を必要としたが、本実施例の方法を用いれば、上記
のように１工程でこれを実現できる。本実施例の方法で
得たものと、従来法で得たものとを比較するため、ＭＩ
Ｇヘッドを用いて記録再生特性の比較試験を行ったとこ
ろ、本実施例の方法で得たものの方が低ノイズであるこ
とが判明した。又オージェデプスプロファイルによる分
析の結果、本実施例の方法で得たものの方が、磁性層間
の酸化物層が薄くなっており、ノイズの低減に貢献して
いるのではないかと考えられる。
ートを用い、薄膜としてＣｏ−Ｏ磁性層を２度形成し
た。従来の図２に示す方法で蒸気入射角を７０度から５
０度にして、２層構造の磁性層を形成するためには、２
工程を必要としたが、本実施例の方法を用いれば、上記
のように１工程でこれを実現できる。本実施例の方法で
得たものと、従来法で得たものとを比較するため、ＭＩ
Ｇヘッドを用いて記録再生特性の比較試験を行ったとこ
ろ、本実施例の方法で得たものの方が低ノイズであるこ
とが判明した。又オージェデプスプロファイルによる分
析の結果、本実施例の方法で得たものの方が、磁性層間
の酸化物層が薄くなっており、ノイズの低減に貢献して
いるのではないかと考えられる。
【００１３】なお、図１に示した実施例では蒸発源が１
つで、遮蔽板９の開口部が２カ所であったが、蒸発源や
開口部を増設したり、帯状基板上にあらかじめ下地層が
形成されている場合等においても本発明は有効である。
又実施例では薄膜としてＣｏ−Ｏ磁性層を形成する場合
について述べたが、磁性層としてＣｏ−Ｎｉ−Ｏを用い
た場合や、磁性層以外の薄膜を形成する場合についても
本発明は有効である。
つで、遮蔽板９の開口部が２カ所であったが、蒸発源や
開口部を増設したり、帯状基板上にあらかじめ下地層が
形成されている場合等においても本発明は有効である。
又実施例では薄膜としてＣｏ−Ｏ磁性層を形成する場合
について述べたが、磁性層としてＣｏ−Ｎｉ−Ｏを用い
た場合や、磁性層以外の薄膜を形成する場合についても
本発明は有効である。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、記録再生特性等の膜特
性のすぐれた多層構造の薄膜を、蒸発原子の利用効果を
高めて、効率良く得ることができる。
性のすぐれた多層構造の薄膜を、蒸発原子の利用効果を
高めて、効率良く得ることができる。
【図１】本発明の薄膜の製造装置の１例を示す図であ
る。
る。
【図２】従来例の薄膜の製造装置を示す図である。
４ 帯状基板 ５ エンドレス帯体 ７ 蒸発源 ８ ガス導入ノズル Ａ1 、Ａ2 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 真空中でエンドレス帯体の表面に沿って
移動する帯状基板上に電子ビーム蒸着法によって薄膜を
形成する薄膜の製造装置において、電子ビーム蒸発源と
帯状基板走行空間との間に配した遮蔽板に複数の開口を
設け、同一の電子ビーム蒸発源によって、帯状基板に複
数回にわたり薄膜を形成するように構成すると共に、帯
状基板の走行位置、複数の開口の配設位置及び電子ビー
ム蒸発源の設置位置の３者の関係位置を、電子ビーム蒸
発源から帯状基板に入射する蒸気の入射角の複数回にわ
たる薄膜の形成を通して生ずる変化が、単調増加、単調
減少のいずれにもならないように、定めたことを特徴と
する薄膜の製造装置。 - 【請求項２】 真空中でエンドレス帯体の表面に沿って
移動する帯状基板上に電子ビーム蒸着法によって薄膜を
形成する薄膜の製造方法において、帯状基板の１走行中
に複数回にわたり電子ビーム蒸発源からの蒸着による薄
膜形成を行い、かつ走行経路全体を通した蒸気入射角の
変化の極小、極大の合計が２以上あることを特徴とする
薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 帯状基板として高分子基板を用い、薄膜
としてＣｏとＯ、またはＣｏとＮｉとＯを主成分とする
磁性層を形成することを特徴とする請求項２記載の薄膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122750A JPH06330292A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 薄膜の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122750A JPH06330292A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 薄膜の製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330292A true JPH06330292A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14843679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5122750A Pending JPH06330292A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 薄膜の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06330292A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6571728B1 (en) * | 1999-04-21 | 2003-06-03 | Tohoku Pioneer Corporation | Process for producing organic electroluminescent display and apparatus for producing the same |
| WO2008111306A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Panasonic Corporation | 蒸着装置および蒸着装置を用いた膜の製造方法 |
| JP2010059519A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Panasonic Corp | 蒸着装置および蒸着装置を用いた蒸着膜の製造方法 |
| CN102738447A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 三星Sdi株式会社 | 连续沉积装置 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5122750A patent/JPH06330292A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6571728B1 (en) * | 1999-04-21 | 2003-06-03 | Tohoku Pioneer Corporation | Process for producing organic electroluminescent display and apparatus for producing the same |
| WO2008111306A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Panasonic Corporation | 蒸着装置および蒸着装置を用いた膜の製造方法 |
| US8241699B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Deposition apparatus and method for manufacturing film by using deposition apparatus |
| KR101478844B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2015-01-02 | 파나소닉 주식회사 | 증착장치 및 증착장치를 이용한 막의 제조방법 |
| JP2010059519A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Panasonic Corp | 蒸着装置および蒸着装置を用いた蒸着膜の製造方法 |
| CN102738447A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 三星Sdi株式会社 | 连续沉积装置 |
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