JPH0785467A - 磁気記録媒体の製造方法及びその装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及びその装置Info
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- JPH0785467A JPH0785467A JP23197093A JP23197093A JPH0785467A JP H0785467 A JPH0785467 A JP H0785467A JP 23197093 A JP23197093 A JP 23197093A JP 23197093 A JP23197093 A JP 23197093A JP H0785467 A JPH0785467 A JP H0785467A
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- film
- support
- drum
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性膜やバックコート膜が均一に形成され、
かつ、いずれもが乾式メッキ手段によって設けられ、し
かもその製造能率が高い技術を提供することである。 【構成】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバックコー
ト膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、ドラ
ムに前記支持体を添接させてバックコート膜を設ける工
程と、前記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは逆に
反転添接させて金属磁性膜を設ける工程とを具備する磁
気記録媒体の製造方法。
かつ、いずれもが乾式メッキ手段によって設けられ、し
かもその製造能率が高い技術を提供することである。 【構成】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバックコー
ト膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、ドラ
ムに前記支持体を添接させてバックコート膜を設ける工
程と、前記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは逆に
反転添接させて金属磁性膜を設ける工程とを具備する磁
気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に金属薄膜型の磁気
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、磁性金属粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、磁性金属粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図４に示される構成である。
尚、図４中、３０はポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム、３１はＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性膜、３
２は潤滑剤の膜、３３はバックコート層である。
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図４に示される構成である。
尚、図４中、３０はポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム、３１はＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性膜、３
２は潤滑剤の膜、３３はバックコート層である。
【０００４】このような構造の磁気記録媒体は、図５の
ような真空蒸着装置によって磁性膜３１を成膜した後、
真空蒸着装置から取り出し、磁性膜３１の上に潤滑剤を
塗布して潤滑膜３２を形成し、又、ＰＥＴフィルム３０
の裏面にバックコート用の塗料を塗布してバックコート
層３３を形成しているのが通常である。尚、図５中、４
１は冷却キャンロール、４２ａはＰＥＴフィルム３０の
供給側ロール、４２ｂはＰＥＴフィルム３０の巻取側ロ
ール、４３はルツボ、４４は磁性金属、４５は真空容器
である。
ような真空蒸着装置によって磁性膜３１を成膜した後、
真空蒸着装置から取り出し、磁性膜３１の上に潤滑剤を
塗布して潤滑膜３２を形成し、又、ＰＥＴフィルム３０
の裏面にバックコート用の塗料を塗布してバックコート
層３３を形成しているのが通常である。尚、図５中、４
１は冷却キャンロール、４２ａはＰＥＴフィルム３０の
供給側ロール、４２ｂはＰＥＴフィルム３０の巻取側ロ
ール、４３はルツボ、４４は磁性金属、４５は真空容器
である。
【０００５】しかしながら、このような製造方法は、磁
性膜３１の形成が蒸着手段といった方法であるのに、バ
ックコート層３３の形成が塗布手段といった方法であ
り、各々の手段が違い過ぎることから、製造がそれだけ
煩瑣なものとなっている。
性膜３１の形成が蒸着手段といった方法であるのに、バ
ックコート層３３の形成が塗布手段といった方法であ
り、各々の手段が違い過ぎることから、製造がそれだけ
煩瑣なものとなっている。
【０００６】
【発明の開示】上記のような問題点に対する検討が鋭意
押し進められて行った結果、バックコート層の形成も磁
性膜の形成と同様な手段、すなわち蒸着手段のような乾
式メッキ手段を採用すれば良いであろうとの啓示を得る
に至った。そこで、早速、図５のような真空蒸着装置を
二つ組み合わせ、第１の真空蒸着装置Ａで磁性膜の形成
を行い、第２の真空蒸着装置Ｂでバックコート膜の形成
を行うことを試みた。尚、このような技術思想の実施に
際して、第１の真空蒸着装置Ａと第２の真空蒸着装置Ｂ
との間に関連がなく、互いに独立したものであれば、製
造能率が悪いことから、図６のような真空蒸着装置を考
え出した。しかしながら、この場合には、磁性膜やバッ
クコート膜が均一に形成され難いことが有り、改善が求
められた。
押し進められて行った結果、バックコート層の形成も磁
性膜の形成と同様な手段、すなわち蒸着手段のような乾
式メッキ手段を採用すれば良いであろうとの啓示を得る
に至った。そこで、早速、図５のような真空蒸着装置を
二つ組み合わせ、第１の真空蒸着装置Ａで磁性膜の形成
を行い、第２の真空蒸着装置Ｂでバックコート膜の形成
を行うことを試みた。尚、このような技術思想の実施に
際して、第１の真空蒸着装置Ａと第２の真空蒸着装置Ｂ
との間に関連がなく、互いに独立したものであれば、製
造能率が悪いことから、図６のような真空蒸着装置を考
え出した。しかしながら、この場合には、磁性膜やバッ
クコート膜が均一に形成され難いことが有り、改善が求
められた。
【０００７】この問題点に対する検討が押し進められて
行った結果、磁性膜用の冷却キャンロールとバックコー
ト層用の冷却キャンロールとが別々の冷却キャンロール
として構成され、各々の冷却キャンロールが独立駆動で
回転されていることから、完全なる同期が取れ難く、こ
の僅かなずれによって支持体の走行性が低下し、磁性膜
やバックコート膜が均一に形成され難くなるのであろう
と考えられた。
行った結果、磁性膜用の冷却キャンロールとバックコー
ト層用の冷却キャンロールとが別々の冷却キャンロール
として構成され、各々の冷却キャンロールが独立駆動で
回転されていることから、完全なる同期が取れ難く、こ
の僅かなずれによって支持体の走行性が低下し、磁性膜
やバックコート膜が均一に形成され難くなるのであろう
と考えられた。
【０００８】そこで、磁性膜用の冷却キャンロールとバ
ックコート層用の冷却キャンロールとを一つの冷却キャ
ンロールとして構成すれば、上記の欠陥が改善されるで
あろうとの知見が得られたのである。このような知見に
基づいて本発明が達成されたものであり、本発明の目的
は、磁性膜やバックコート膜が均一に形成され、かつ、
いずれもが乾式メッキ手段によって設けられ、しかもそ
の製造能率が高い技術を提供することである。
ックコート層用の冷却キャンロールとを一つの冷却キャ
ンロールとして構成すれば、上記の欠陥が改善されるで
あろうとの知見が得られたのである。このような知見に
基づいて本発明が達成されたものであり、本発明の目的
は、磁性膜やバックコート膜が均一に形成され、かつ、
いずれもが乾式メッキ手段によって設けられ、しかもそ
の製造能率が高い技術を提供することである。
【０００９】この本発明の目的は、支持体の一面に乾式
メッキ手段でバックコート膜が設けられ、他面に乾式メ
ッキ手段で金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体の
製造方法であって、ドラムに前記支持体を添接させてバ
ックコート膜を設ける工程と、前記ドラムに前記支持体
を前記添接方向とは逆に反転添接させて金属磁性膜を設
ける工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法によって達成される。
メッキ手段でバックコート膜が設けられ、他面に乾式メ
ッキ手段で金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体の
製造方法であって、ドラムに前記支持体を添接させてバ
ックコート膜を設ける工程と、前記ドラムに前記支持体
を前記添接方向とは逆に反転添接させて金属磁性膜を設
ける工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法によって達成される。
【００１０】又、支持体の一面に乾式メッキ手段でバッ
クコート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁
性膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造方法であって、ドラムに前
記支持体を添接させてバックコート膜を設ける工程と、
前記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは逆に反転添
接させて金属磁性膜を設ける工程と、この金属磁性膜上
に潤滑膜を設ける工程とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法によって達成される。
クコート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁
性膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造方法であって、ドラムに前
記支持体を添接させてバックコート膜を設ける工程と、
前記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは逆に反転添
接させて金属磁性膜を設ける工程と、この金属磁性膜上
に潤滑膜を設ける工程とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法によって達成される。
【００１１】尚、本発明になる磁気記録媒体の製造方法
においては、バックコート膜を設ける工程の後、金属磁
性膜を設ける工程があるようにすることが好ましい。
又、支持体の一面に乾式メッキ手段でバックコート膜が
設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造装置であって、ドラムと、
このドラムに支持体を添接させる第１の添接手段と、こ
の第１の添接手段による支持体添接方向とは逆に支持体
を添接させる為に反転させる反転手段と、この反転手段
で反転させられた支持体を前記ドラムに添接させる第２
の添接手段と、前記ドラムに添接させた支持体の一面に
バックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手段と、前記
ドラムに添接させた支持体の他面に金属磁性膜を設ける
第２の乾式メッキ手段とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造装置によって達成される。
においては、バックコート膜を設ける工程の後、金属磁
性膜を設ける工程があるようにすることが好ましい。
又、支持体の一面に乾式メッキ手段でバックコート膜が
設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造装置であって、ドラムと、
このドラムに支持体を添接させる第１の添接手段と、こ
の第１の添接手段による支持体添接方向とは逆に支持体
を添接させる為に反転させる反転手段と、この反転手段
で反転させられた支持体を前記ドラムに添接させる第２
の添接手段と、前記ドラムに添接させた支持体の一面に
バックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手段と、前記
ドラムに添接させた支持体の他面に金属磁性膜を設ける
第２の乾式メッキ手段とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造装置によって達成される。
【００１２】又、支持体の一面に乾式メッキ手段でバッ
クコート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁
性膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造装置であって、ドラムと、
このドラムに支持体を添接させる第１の添接手段と、こ
の第１の添接手段による支持体添接方向とは逆に支持体
を添接させる為に反転させる反転手段と、この反転手段
で反転させられた支持体を前記ドラムに添接させる第２
の添接手段と、前記ドラムに添接させた支持体の一面に
バックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手段と、前記
ドラムに添接させた支持体の他面に金属磁性膜を設ける
第２の乾式メッキ手段と、金属磁性膜の上に潤滑膜を設
ける潤滑膜形成手段とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造装置によって達成される。
クコート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁
性膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けら
れてなる磁気記録媒体の製造装置であって、ドラムと、
このドラムに支持体を添接させる第１の添接手段と、こ
の第１の添接手段による支持体添接方向とは逆に支持体
を添接させる為に反転させる反転手段と、この反転手段
で反転させられた支持体を前記ドラムに添接させる第２
の添接手段と、前記ドラムに添接させた支持体の一面に
バックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手段と、前記
ドラムに添接させた支持体の他面に金属磁性膜を設ける
第２の乾式メッキ手段と、金属磁性膜の上に潤滑膜を設
ける潤滑膜形成手段とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造装置によって達成される。
【００１３】尚、本発明になる磁気記録媒体の製造装置
において、支持体は第１の乾式メッキ手段の側から第２
の乾式メッキ手段を経て走行するよう構成されてなるこ
とが好ましい。又、第１の乾式メッキ手段は第１の真空
室に、第２の乾式メッキ手段は第２の真空室に配設さ
れ、ドラムが第１の真空室と第２の真空室との隔壁を通
って配設されたものであることが好ましい。又、第１の
乾式メッキ手段は第１の真空室に、第２の乾式メッキ手
段は第２の真空室に、潤滑膜形成手段は第３の真空室に
配設され、ドラムが第１の真空室と第２の真空室と第３
の真空室との隔壁を通って配設されたものであることが
好ましい。
において、支持体は第１の乾式メッキ手段の側から第２
の乾式メッキ手段を経て走行するよう構成されてなるこ
とが好ましい。又、第１の乾式メッキ手段は第１の真空
室に、第２の乾式メッキ手段は第２の真空室に配設さ
れ、ドラムが第１の真空室と第２の真空室との隔壁を通
って配設されたものであることが好ましい。又、第１の
乾式メッキ手段は第１の真空室に、第２の乾式メッキ手
段は第２の真空室に、潤滑膜形成手段は第３の真空室に
配設され、ドラムが第１の真空室と第２の真空室と第３
の真空室との隔壁を通って配設されたものであることが
好ましい。
【００１４】本発明の磁気記録媒体に用いられる非磁性
の支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった高分子材料などが用いられる。
そして、支持体面上には、必要に応じて密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が設けられている。すなわ
ち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸
着法により構成される薄膜の密着性を向上させ、さらに
磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性
を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚
さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによっ
てアンダーコート層が構成されている。
の支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった高分子材料などが用いられる。
そして、支持体面上には、必要に応じて密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が設けられている。すなわ
ち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸
着法により構成される薄膜の密着性を向上させ、さらに
磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性
を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚
さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによっ
てアンダーコート層が構成されている。
【００１５】非磁性の支持体面上に金属磁性膜が設けら
れる。金属磁性膜の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいは
これらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられ
る。尚、金属磁性膜の厚さは、例えば１０００〜２００
０Å程度であることが好ましい。
れる。金属磁性膜の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいは
これらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられ
る。尚、金属磁性膜の厚さは、例えば１０００〜２００
０Å程度であることが好ましい。
【００１６】非磁性の支持体の反対側の面上にバックコ
ート膜が設けられる。バックコート膜の材料としては、
例えばＣｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金や
Ａｌ−Ｓｉ系合金を用いることが出来る。尚、Ｃｕ−Ａ
ｌ−Ｘ系合金を用いる場合には、Ａｌ含有量は５〜３０
ａｔ％であり、Ｘ含有量が５ａｔ％以下であることが好
ましい。特に、好ましくはＣｕ含有量は７０〜９０ａｔ
％、Ａｌ含有量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ含有量が０．５
〜４ａｔ％で、Ｆｅ含有量が０．４〜５ａｔ％で、Ｎｉ
含有量が０．４〜４ａｔ％であり、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
総含有量が１〜６ａｔ％であることが好ましい。Ａｌ−
Ｓｉ系合金を用いる場合には、Ａｌ含有量は１５〜７０
ａｔ％、Ｓｉ含有量は１５〜７０ａｔ％であることが好
ましい。
ート膜が設けられる。バックコート膜の材料としては、
例えばＣｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金や
Ａｌ−Ｓｉ系合金を用いることが出来る。尚、Ｃｕ−Ａ
ｌ−Ｘ系合金を用いる場合には、Ａｌ含有量は５〜３０
ａｔ％であり、Ｘ含有量が５ａｔ％以下であることが好
ましい。特に、好ましくはＣｕ含有量は７０〜９０ａｔ
％、Ａｌ含有量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ含有量が０．５
〜４ａｔ％で、Ｆｅ含有量が０．４〜５ａｔ％で、Ｎｉ
含有量が０．４〜４ａｔ％であり、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
総含有量が１〜６ａｔ％であることが好ましい。Ａｌ−
Ｓｉ系合金を用いる場合には、Ａｌ含有量は１５〜７０
ａｔ％、Ｓｉ含有量は１５〜７０ａｔ％であることが好
ましい。
【００１７】上記金属磁性膜やバックコート膜は、蒸着
法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ
法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロン
スパッタ法、イオンビームスパッタ法などの各種の乾式
メッキ手段を採用できる。尚、これらの膜の形成時に酸
化性ガスを供給し、表層部分を酸化させ、酸化膜による
保護膜が形成されるようにすることが好ましいものであ
る。
法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ
法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロン
スパッタ法、イオンビームスパッタ法などの各種の乾式
メッキ手段を採用できる。尚、これらの膜の形成時に酸
化性ガスを供給し、表層部分を酸化させ、酸化膜による
保護膜が形成されるようにすることが好ましいものであ
る。
【００１８】支持体面に設けられる金属磁性膜とバック
コート膜との関係は、金属磁性膜によって現れる応力の
方向とバックコート膜によって現れる応力の方向とが同
じであることが好ましい。例えば、金属磁性膜によって
現れる応力が引っ張り応力タイプの場合には、バックコ
ート膜によって現れる応力も引っ張り応力タイプのもの
となるようバックコート膜の種類や形成条件を選定する
ことが好ましい。かつ、双方の膜が引っ張り応力タイプ
のものである場合には、バックコート膜によって現れる
応力の絶対値が金属磁性膜によって現れる応力よりも大
きくなるよう設計し、これによってカール率が０〜１５
％、特に５〜１５％であるようにすることが一層好まし
い。又、金属磁性膜によって現れる応力が圧縮応力タイ
プの場合には、バックコート膜によって現れる応力も圧
縮応力タイプのものとなるようバックコート膜の種類や
形成条件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜が
圧縮応力タイプのものである場合には、バックコート膜
によって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現れ
る応力よりも小さくなるよう設計し、これによってカー
ル率が０〜１５％、特に５〜１５％であるようにするこ
とが一層好ましい。
コート膜との関係は、金属磁性膜によって現れる応力の
方向とバックコート膜によって現れる応力の方向とが同
じであることが好ましい。例えば、金属磁性膜によって
現れる応力が引っ張り応力タイプの場合には、バックコ
ート膜によって現れる応力も引っ張り応力タイプのもの
となるようバックコート膜の種類や形成条件を選定する
ことが好ましい。かつ、双方の膜が引っ張り応力タイプ
のものである場合には、バックコート膜によって現れる
応力の絶対値が金属磁性膜によって現れる応力よりも大
きくなるよう設計し、これによってカール率が０〜１５
％、特に５〜１５％であるようにすることが一層好まし
い。又、金属磁性膜によって現れる応力が圧縮応力タイ
プの場合には、バックコート膜によって現れる応力も圧
縮応力タイプのものとなるようバックコート膜の種類や
形成条件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜が
圧縮応力タイプのものである場合には、バックコート膜
によって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現れ
る応力よりも小さくなるよう設計し、これによってカー
ル率が０〜１５％、特に５〜１５％であるようにするこ
とが一層好ましい。
【００１９】磁性金属膜（保護膜が設けられている場合
には、保護膜）の表面には、潤滑剤の膜が設けられる。
用いられる潤滑剤としてはパーフロオロポリエーテル、
例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，Ｃ
Ｈ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OC
F2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH といったよう
なカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF 2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O)
m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2) n -OH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコー
ル変性パーフロオロポリエーテル等が挙げられる。
には、保護膜）の表面には、潤滑剤の膜が設けられる。
用いられる潤滑剤としてはパーフロオロポリエーテル、
例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，Ｃ
Ｈ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OC
F2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH といったよう
なカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF 2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O)
m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2) n -OH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコー
ル変性パーフロオロポリエーテル等が挙げられる。
【００２０】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００２１】
【実施例】図１〜図３は本発明の一実施例を示すもの
で、図１は本発明になる磁気記録媒体の製造装置の概略
正面図、図２は要部（ドラム（冷却キャンロール）部
分）の概略側面図、図３は得られた磁気記録媒体の概略
断面図である。各図中、１はＰＥＴフィルムといった非
磁性の支持体、２は支持体１の裏面に設けられたバック
コート膜、３は支持体１の表面に設けられた磁性膜、４
は磁性膜３の表面に設けられた潤滑剤の膜（潤滑膜）で
ある。
で、図１は本発明になる磁気記録媒体の製造装置の概略
正面図、図２は要部（ドラム（冷却キャンロール）部
分）の概略側面図、図３は得られた磁気記録媒体の概略
断面図である。各図中、１はＰＥＴフィルムといった非
磁性の支持体、２は支持体１の裏面に設けられたバック
コート膜、３は支持体１の表面に設けられた磁性膜、４
は磁性膜３の表面に設けられた潤滑剤の膜（潤滑膜）で
ある。
【００２２】１１ａはバックコート膜２形成用の第１の
真空槽、１１ｂは磁性膜３形成用の第２の真空槽、１１
ｃは潤滑膜４形成用の第３の真空槽であり、これら第１
の真空槽１１ａと第２の真空槽１１ｂと第３の真空槽１
１ｃとは隔壁によって区分けされたものである。これら
の真空槽１１ａ，１１ｂ，１１ｃには、隔壁を貫通して
一つのドラム（１２ａ，１２ｂの部分は冷却キャンロー
ル、１２ｃの部分は加熱キャンロール）１２が配設され
ている。尚、ドラム１２には、図示していないが、支持
体案内用のガイド溝が形成されている。
真空槽、１１ｂは磁性膜３形成用の第２の真空槽、１１
ｃは潤滑膜４形成用の第３の真空槽であり、これら第１
の真空槽１１ａと第２の真空槽１１ｂと第３の真空槽１
１ｃとは隔壁によって区分けされたものである。これら
の真空槽１１ａ，１１ｂ，１１ｃには、隔壁を貫通して
一つのドラム（１２ａ，１２ｂの部分は冷却キャンロー
ル、１２ｃの部分は加熱キャンロール）１２が配設され
ている。尚、ドラム１２には、図示していないが、支持
体案内用のガイド溝が形成されている。
【００２３】１３は第１の真空槽１１ａと第２の真空槽
１１ｂとの境界部分に設けられたガイドローラー室であ
り、このガイドローラー室１３にはガイドローラー１４
ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅが配設されてい
る。１５ａは支持体１の供給側ロール、１５ｂは支持体
１の巻取側ロールであり、支持体１は供給側ロール１５
ａから冷却キャンロール１２ａに螺旋状に巻き付けら
れ、そして冷却キャンロール１２ａから離間してガイド
ローラー１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅに添
接させられ、今度はそれまでの螺旋方向とは反転させて
冷却キャンロール１２ｂに螺旋状に巻き付けられ、巻取
側ロール１５ｂに巻き取られて行くようになっている。
すなわち、供給側ロール１５ａから巻取側ロール１５ｂ
に走行して行く途中で支持体１の裏表が反転走行するよ
うに構成されている。
１１ｂとの境界部分に設けられたガイドローラー室であ
り、このガイドローラー室１３にはガイドローラー１４
ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅが配設されてい
る。１５ａは支持体１の供給側ロール、１５ｂは支持体
１の巻取側ロールであり、支持体１は供給側ロール１５
ａから冷却キャンロール１２ａに螺旋状に巻き付けら
れ、そして冷却キャンロール１２ａから離間してガイド
ローラー１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅに添
接させられ、今度はそれまでの螺旋方向とは反転させて
冷却キャンロール１２ｂに螺旋状に巻き付けられ、巻取
側ロール１５ｂに巻き取られて行くようになっている。
すなわち、供給側ロール１５ａから巻取側ロール１５ｂ
に走行して行く途中で支持体１の裏表が反転走行するよ
うに構成されている。
【００２４】１６ａは第１のルツボ、１６ｂは第２のル
ツボであり、第１のルツボ１６ａにはバックコート膜構
成用のＣｕ−Ａｌ−Ｎｉ（８５ａｔ％−１０ａｔ％−５
ａｔ％）合金１７が充填されており、第２のルツボ１６
ｂには磁性膜構成用のＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａ
ｔ％）合金１８が充填されている。そして、図示してい
ないが、電子銃などの手段によってルツボ内の金属が蒸
発させられるように構成されている。尚、蒸発源（第２
のルツボ１６ｂ）と冷却キャンロール１２ｂの部分に巻
き付けられている支持体１の間には、第１の遮蔽板と第
２の遮蔽板とが交互に配設されている。
ツボであり、第１のルツボ１６ａにはバックコート膜構
成用のＣｕ−Ａｌ−Ｎｉ（８５ａｔ％−１０ａｔ％−５
ａｔ％）合金１７が充填されており、第２のルツボ１６
ｂには磁性膜構成用のＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａ
ｔ％）合金１８が充填されている。そして、図示してい
ないが、電子銃などの手段によってルツボ内の金属が蒸
発させられるように構成されている。尚、蒸発源（第２
のルツボ１６ｂ）と冷却キャンロール１２ｂの部分に巻
き付けられている支持体１の間には、第１の遮蔽板と第
２の遮蔽板とが交互に配設されている。
【００２５】１９は、第３の真空槽１１ｃ内に配設され
たターボ分子ポンプである。そして、ルツボ内に充填さ
れた、例えば分子量２０００〜５０００のパーフルオロ
ポリエーテルといった潤滑剤がヒーターで加熱され、案
内手段によってターボ分子ポンプ１９に潤滑剤の蒸気が
案内されるように構成されている。上記のように構成さ
せた装置において、支持体１を供給側ロール１５ａから
巻取側ロール１５ｂに走行させる。そして、先ず、第１
の真空槽１１ａ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例え
ば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより第１のルツ
ボ１６ａ内のバックコート膜構成用のＣｕ−Ａｌ−Ｎｉ
合金１７を蒸発させ、冷却キャンロール１２ａの部分に
巻き付けられるように添接されている支持体１の裏面に
Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ合金１７を１７００Å厚さ蒸着させて
バックコート膜２を形成する。
たターボ分子ポンプである。そして、ルツボ内に充填さ
れた、例えば分子量２０００〜５０００のパーフルオロ
ポリエーテルといった潤滑剤がヒーターで加熱され、案
内手段によってターボ分子ポンプ１９に潤滑剤の蒸気が
案内されるように構成されている。上記のように構成さ
せた装置において、支持体１を供給側ロール１５ａから
巻取側ロール１５ｂに走行させる。そして、先ず、第１
の真空槽１１ａ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例え
ば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより第１のルツ
ボ１６ａ内のバックコート膜構成用のＣｕ−Ａｌ−Ｎｉ
合金１７を蒸発させ、冷却キャンロール１２ａの部分に
巻き付けられるように添接されている支持体１の裏面に
Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ合金１７を１７００Å厚さ蒸着させて
バックコート膜２を形成する。
【００２６】バックコート膜２が形成された支持体１は
ガイドローラー１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４
ｅにより裏表が反転させられて冷却キャンロール１２ｂ
に添接させられるようになり、すなわち１０-4〜１０-6
Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排
気されている第２の真空槽１１ｂ内に案内されるように
なる。
ガイドローラー１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４
ｅにより裏表が反転させられて冷却キャンロール１２ｂ
に添接させられるようになり、すなわち１０-4〜１０-6
Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排
気されている第２の真空槽１１ｂ内に案内されるように
なる。
【００２７】第２の真空槽１１ｂ内に案内され、冷却キ
ャンロール１２ｂの部分に複数条になるよう巻き付けら
れて添接されている支持体１の表面に、抵抗加熱、高周
波加熱、電子ビーム加熱などにより第２のルツボ１６ｂ
内のＣｏ−Ｎｉ合金１８を蒸発させ、支持体１の表面に
Ｃｏ−Ｎｉ合金１８を１５００Å厚さ蒸着させて磁性膜
３を形成する。
ャンロール１２ｂの部分に複数条になるよう巻き付けら
れて添接されている支持体１の表面に、抵抗加熱、高周
波加熱、電子ビーム加熱などにより第２のルツボ１６ｂ
内のＣｏ−Ｎｉ合金１８を蒸発させ、支持体１の表面に
Ｃｏ−Ｎｉ合金１８を１５００Å厚さ蒸着させて磁性膜
３を形成する。
【００２８】尚、これらバックコート膜２及び磁性膜３
の形成に際しては、ノズル口から５０℃程度に加熱され
た酸素ガスが蒸着部分（金属薄膜）に約１５０ｃｃ／ｍ
ｉｎ程度の割合で吹き付けられ、金属薄膜の表層部分が
強制酸化させられる。尚、金属が堆積して薄膜が形成さ
れた瞬間から直後の間である位置において酸素ガスが吹
き付けられるよう、かつ、その吹付角度（衝突角度）が
９０°であるようノズルのノズル口はセッティングされ
ている。
の形成に際しては、ノズル口から５０℃程度に加熱され
た酸素ガスが蒸着部分（金属薄膜）に約１５０ｃｃ／ｍ
ｉｎ程度の割合で吹き付けられ、金属薄膜の表層部分が
強制酸化させられる。尚、金属が堆積して薄膜が形成さ
れた瞬間から直後の間である位置において酸素ガスが吹
き付けられるよう、かつ、その吹付角度（衝突角度）が
９０°であるようノズルのノズル口はセッティングされ
ている。
【００２９】この後、支持体１は１〜１０-4Ｔｏｒｒ程
度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度に排気されてい
る第３の真空槽１１ｃ側に導かれて来る。すなわち、第
３の真空槽１１ｃ内のドラム１２（加熱キャンロール１
２ｃの部分）に添接されて来る。この加熱キャンロール
１２ｃに対向してターボ分子ポンプ１９が設けられてお
り、このターボ分子ポンプ１９にはヒーターで２００℃
程度に加熱されたルツボ内の潤滑剤が蒸気として集めら
れているから、潤滑剤の蒸気が支持体１の磁性膜３表面
（酸化膜の表面）に乾燥後の厚さが２０Å程度となるよ
う吹き付けられる。
度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度に排気されてい
る第３の真空槽１１ｃ側に導かれて来る。すなわち、第
３の真空槽１１ｃ内のドラム１２（加熱キャンロール１
２ｃの部分）に添接されて来る。この加熱キャンロール
１２ｃに対向してターボ分子ポンプ１９が設けられてお
り、このターボ分子ポンプ１９にはヒーターで２００℃
程度に加熱されたルツボ内の潤滑剤が蒸気として集めら
れているから、潤滑剤の蒸気が支持体１の磁性膜３表面
（酸化膜の表面）に乾燥後の厚さが２０Å程度となるよ
う吹き付けられる。
【００３０】そして、上記一連の作業が終わると巻取側
ロール１５ｂを取り出し、巻取側ロール１５ｂに巻かれ
ている原反を所定の幅にスリットし、磁気テープなどに
する。上記のような磁気記録媒体の製造技術によれば、
バックコート膜や磁性膜いずれもが、例えば蒸着手段と
いった乾式メッキ手段で形成されるから、製造はそれだ
け簡単なものとなる。
ロール１５ｂを取り出し、巻取側ロール１５ｂに巻かれ
ている原反を所定の幅にスリットし、磁気テープなどに
する。上記のような磁気記録媒体の製造技術によれば、
バックコート膜や磁性膜いずれもが、例えば蒸着手段と
いった乾式メッキ手段で形成されるから、製造はそれだ
け簡単なものとなる。
【００３１】さらには、バックコート膜や磁性膜の形成
に際して、支持体が添接されるドラム１２は一本である
から、バックコート膜や磁性膜の形成に際しての走行ず
れは起きず、これらの膜が均一に形されるようになる。
従って、出力ムラが少ない高性能な磁気記録媒体が得ら
れる。しかも、支持体が添接されるドラム１２は一本で
あるから、駆動系の構成、つまりは装置の構成も簡単な
ものとなる。
に際して、支持体が添接されるドラム１２は一本である
から、バックコート膜や磁性膜の形成に際しての走行ず
れは起きず、これらの膜が均一に形されるようになる。
従って、出力ムラが少ない高性能な磁気記録媒体が得ら
れる。しかも、支持体が添接されるドラム１２は一本で
あるから、駆動系の構成、つまりは装置の構成も簡単な
ものとなる。
【００３２】
【効果】本発明によれば、出力ムラが少ない高性能な磁
気記録媒体が効率良く得られる。しかも、このような高
性能な磁気記録媒体を得る製造技術は簡単であり、か
つ、装置自体も簡単なものである。
気記録媒体が効率良く得られる。しかも、このような高
性能な磁気記録媒体を得る製造技術は簡単であり、か
つ、装置自体も簡単なものである。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の製造装置の概略正
面図
面図
【図２】本発明になる磁気記録媒体の製造装置の要部の
概略側面図
概略側面図
【図３】本発明になる製造装置により得られた磁気記録
媒体の概略断面図
媒体の概略断面図
【図４】従来の金属薄膜型の磁気記録媒体の概略断面図
【図５】従来の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造装置の
概略側面図
概略側面図
【図６】途中経過における磁気記録媒体の製造装置の概
略正面図
略正面図
１ 支持体 ２ バックコート膜 ３ 磁性膜 ４ 潤滑膜 １１ａ 第１の真空槽 １１ｂ 第２の真空槽 １１ｃ 第３の真空槽 １２ ドラム １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ ガイドロ
ーラー １５ａ 供給側ロール １５ｂ 巻取側ロール １６ａ 第１のルツボ １６ｂ 第２のルツボ １７ Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ合金 １８ Ｃｏ−Ｎｉ合金 １９ ターボ分子ポンプ
ーラー １５ａ 供給側ロール １５ｂ 巻取側ロール １６ａ 第１のルツボ １６ｂ 第２のルツボ １７ Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ合金 １８ Ｃｏ−Ｎｉ合金 １９ ターボ分子ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバック
コート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性
膜が設けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、
ドラムに前記支持体を添接させてバックコート膜を設け
る工程と、前記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは
逆に反転添接させて金属磁性膜を設ける工程とを具備す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバック
コート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性
膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けられ
てなる磁気記録媒体の製造方法であって、ドラムに前記
支持体を添接させてバックコート膜を設ける工程と、前
記ドラムに前記支持体を前記添接方向とは逆に反転添接
させて金属磁性膜を設ける工程と、この金属磁性膜上に
潤滑膜を設ける工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 バックコート膜を設ける工程の後、金属
磁性膜を設ける工程があることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバック
コート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性
膜が設けられてなる磁気記録媒体の製造装置であって、
ドラムと、このドラムに支持体を添接させる第１の添接
手段と、この第１の添接手段による支持体添接方向とは
逆に支持体を添接させる為に反転させる反転手段と、こ
の反転手段で反転させられた支持体を前記ドラムに添接
させる第２の添接手段と、前記ドラムに添接させた支持
体の一面にバックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手
段と、前記ドラムに添接させた支持体の他面に金属磁性
膜を設ける第２の乾式メッキ手段とを具備することを特
徴とする磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項５】 支持体の一面に乾式メッキ手段でバック
コート膜が設けられ、他面に乾式メッキ手段で金属磁性
膜が設けられ、この金属磁性膜の上に潤滑膜が設けられ
てなる磁気記録媒体の製造装置であって、ドラムと、こ
のドラムに支持体を添接させる第１の添接手段と、この
第１の添接手段による支持体添接方向とは逆に支持体を
添接させる為に反転させる反転手段と、この反転手段で
反転させられた支持体を前記ドラムに添接させる第２の
添接手段と、前記ドラムに添接させた支持体の一面にバ
ックコート膜を設ける第１の乾式メッキ手段と、前記ド
ラムに添接させた支持体の他面に金属磁性膜を設ける第
２の乾式メッキ手段と、金属磁性膜の上に潤滑膜を設け
る潤滑膜形成手段とを具備することを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置。 - 【請求項６】 支持体は第１の乾式メッキ手段の側から
第２の乾式メッキ手段を経て走行するよう構成されてな
ることを特徴とする請求項４または請求項５の磁気記録
媒体の製造装置。 - 【請求項７】 第１の乾式メッキ手段は第１の真空室
に、第２の乾式メッキ手段は第２の真空室に配設されて
おり、ドラムが第１の真空室と第２の真空室との隔壁を
通って配設されていることを特徴とする請求項４または
請求項５の磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項８】 第１の乾式メッキ手段は第１の真空室
に、第２の乾式メッキ手段は第２の真空室に、潤滑膜形
成手段は第３の真空室に配設されており、ドラムが第１
の真空室と第２の真空室と第３の真空室との隔壁を通っ
て配設されていることを特徴とする請求項５の磁気記録
媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197093A JPH0785467A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197093A JPH0785467A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785467A true JPH0785467A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16931908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23197093A Pending JPH0785467A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785467A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10258116A1 (de) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Siemens Ag | Temperiereinrichtung für bei der Beschichtung mit supraleitendem Material eingesetzte Substratbänder |
| DE102005058869A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Bändern |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23197093A patent/JPH0785467A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10258116A1 (de) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Siemens Ag | Temperiereinrichtung für bei der Beschichtung mit supraleitendem Material eingesetzte Substratbänder |
| DE102005058869A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Bändern |
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