JPH06330295A - プラズマ製膜装置 - Google Patents
プラズマ製膜装置Info
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- JPH06330295A JPH06330295A JP12159593A JP12159593A JPH06330295A JP H06330295 A JPH06330295 A JP H06330295A JP 12159593 A JP12159593 A JP 12159593A JP 12159593 A JP12159593 A JP 12159593A JP H06330295 A JPH06330295 A JP H06330295A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体や試料が熱ダメージを受ける事無く、表
面に高純度で均質な金属薄膜を製膜できるプラズマ製膜
装置の提供。 【構成】 高真空にしたガス反応容器１内に酸化オスミ
ウムの昇華ガスを希薄ガス圧で充満し、陰電極２- 陽電
極３間に高電圧を印加して直流グロー放電を起こし、セ
ラミック絶縁板９０上に載置した試料９の表面に非結晶
オスミウム金属導電被膜を製膜する。
面に高純度で均質な金属薄膜を製膜できるプラズマ製膜
装置の提供。 【構成】 高真空にしたガス反応容器１内に酸化オスミ
ウムの昇華ガスを希薄ガス圧で充満し、陰電極２- 陽電
極３間に高電圧を印加して直流グロー放電を起こし、セ
ラミック絶縁板９０上に載置した試料９の表面に非結晶
オスミウム金属導電被膜を製膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、負グロー相領域内に配
した基体や試料の表面に金属薄膜を製膜するプラズマ製
膜装置に関する。
した基体や試料の表面に金属薄膜を製膜するプラズマ製
膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図５に示す様に、高真空（１
×１０-6Ｔｏｒｒ）にした気密容器内に、金属材料（例
えばＰｔ- Ｐｄ）を蒸発させる加熱蒸発源（１５００℃
〜２５００℃）１０１を配設し、回転する試料１０２に
向かって金属粒子塊１０３を飛ばして試料表面１０２ａ
に金属粒子塊１０３を蒸着させる真空蒸着法が知られて
いる。又、金属粒子塊１０３を蒸着した試料１０２を気
密容器から取り出して溶解液に浸し、試料部分のみ溶解
除去する事により、走査電子顕微鏡又は透過電子顕微鏡
用のレプリカを作成する事ができる。
×１０-6Ｔｏｒｒ）にした気密容器内に、金属材料（例
えばＰｔ- Ｐｄ）を蒸発させる加熱蒸発源（１５００℃
〜２５００℃）１０１を配設し、回転する試料１０２に
向かって金属粒子塊１０３を飛ばして試料表面１０２ａ
に金属粒子塊１０３を蒸着させる真空蒸着法が知られて
いる。又、金属粒子塊１０３を蒸着した試料１０２を気
密容器から取り出して溶解液に浸し、試料部分のみ溶解
除去する事により、走査電子顕微鏡又は透過電子顕微鏡
用のレプリカを作成する事ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、つ
ぎに示す課題がある。試料表面１０２ａが高温（１００
℃程度）となるので、基体や試料１０２が熱ダメージを
受けて変質し易く、又熱に弱い試料１０２には蒸着でき
ない。試料表面１０２ａに蒸着した金属粒子塊１０３
は、粒子が荒く低純度で不均質な為、透過電子顕微鏡で
観察される像は、図４に示す様に（Ａ）に比べ（Ｂ）の
方が不鮮明になる（走査電子顕微鏡でも同様）。真空蒸
着可能な金属では、検鏡時の電子線照射により蒸着金属
が熱ダメージを受けたり、コンタミネーションを起こし
たりする。
ぎに示す課題がある。試料表面１０２ａが高温（１００
℃程度）となるので、基体や試料１０２が熱ダメージを
受けて変質し易く、又熱に弱い試料１０２には蒸着でき
ない。試料表面１０２ａに蒸着した金属粒子塊１０３
は、粒子が荒く低純度で不均質な為、透過電子顕微鏡で
観察される像は、図４に示す様に（Ａ）に比べ（Ｂ）の
方が不鮮明になる（走査電子顕微鏡でも同様）。真空蒸
着可能な金属では、検鏡時の電子線照射により蒸着金属
が熱ダメージを受けたり、コンタミネーションを起こし
たりする。
【０００４】本発明の目的は、基体や試料が熱ダメージ
を受ける事無く、表面に高純度で均質な金属薄膜を製膜
できるプラズマ製膜装置の提供にある。
を受ける事無く、表面に高純度で均質な金属薄膜を製膜
できるプラズマ製膜装置の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為、
本発明は、以下の構成を採用した。 （１）気密容器と、放電面が対向する様に前記気密容器
内に配置される、陰電極及び陽電極と、前記気密容器内
を高真空状態にする排気手段と、所定の金属化合物をガ
ス化した原料ガスを、高真空状態にした前記気密容器内
に拡散させるガス導入手段と、陰電極- 陽電極間に直流
グロー放電を行なわせる高電圧印加手段とを備え、負グ
ロー相領域内に配した基体の表面に陽イオン化したガス
分子を付着堆積させて金属薄膜を製膜する。
本発明は、以下の構成を採用した。 （１）気密容器と、放電面が対向する様に前記気密容器
内に配置される、陰電極及び陽電極と、前記気密容器内
を高真空状態にする排気手段と、所定の金属化合物をガ
ス化した原料ガスを、高真空状態にした前記気密容器内
に拡散させるガス導入手段と、陰電極- 陽電極間に直流
グロー放電を行なわせる高電圧印加手段とを備え、負グ
ロー相領域内に配した基体の表面に陽イオン化したガス
分子を付着堆積させて金属薄膜を製膜する。
【０００６】（２）気密容器と、放電面が対向する様に
前記気密容器内に配置される、陰電極及び陽電極と、前
記気密容器内を高真空状態にする排気手段と、酸化オス
ミウムの昇華ガスを、高真空状態にした前記気密容器内
に拡散させるガス導入手段と、陰電極- 陽電極間に直流
グロー放電を行なわせる高電圧印加手段とを備え、負グ
ロー相領域内に配した試料の表面に陽イオン化したオス
ミウム分子を付着堆積させて非結晶オスミウム金属導電
被膜を製膜する。
前記気密容器内に配置される、陰電極及び陽電極と、前
記気密容器内を高真空状態にする排気手段と、酸化オス
ミウムの昇華ガスを、高真空状態にした前記気密容器内
に拡散させるガス導入手段と、陰電極- 陽電極間に直流
グロー放電を行なわせる高電圧印加手段とを備え、負グ
ロー相領域内に配した試料の表面に陽イオン化したオス
ミウム分子を付着堆積させて非結晶オスミウム金属導電
被膜を製膜する。
【０００７】
〔請求項１について〕排気手段により気密容器内を高真
空状態にする。所定の金属化合物をガス化した原料ガス
を、ガス導入手段により、気密容器内に導入し、希薄ガ
ス圧にする。高電圧印加手段により、陰電極- 陽電極間
に直流高電圧を印加すると、陰電極- 陽電極間のガス分
子は励起されてプラズマ状態になり、直流グロー放電が
発生する。負グロー相領域内に予め配しておいた基体の
表面には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化したガス
分子が付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な金属
薄膜が製膜される。
空状態にする。所定の金属化合物をガス化した原料ガス
を、ガス導入手段により、気密容器内に導入し、希薄ガ
ス圧にする。高電圧印加手段により、陰電極- 陽電極間
に直流高電圧を印加すると、陰電極- 陽電極間のガス分
子は励起されてプラズマ状態になり、直流グロー放電が
発生する。負グロー相領域内に予め配しておいた基体の
表面には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化したガス
分子が付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な金属
薄膜が製膜される。
【０００８】〔請求項２について〕排気手段により気密
容器内を高真空状態にする。酸化オスミウムの昇華ガス
を、ガス導入手段により、気密容器内に導入し、希薄ガ
ス圧にする。高電圧印加手段により、陰電極- 陽電極間
に直流高電圧を印加すると、陰電極- 陽電極間のガス分
子は励起されてプラズマ状態になり、直流グロー放電が
発生する。負グロー相領域内に予め配しておいた試料の
表面には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化した酸化
オスミウム分子が、試料の表面の微細構造を忠実に形取
りして付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な非結
晶オスミウム金属導電被膜が製膜される。
容器内を高真空状態にする。酸化オスミウムの昇華ガス
を、ガス導入手段により、気密容器内に導入し、希薄ガ
ス圧にする。高電圧印加手段により、陰電極- 陽電極間
に直流高電圧を印加すると、陰電極- 陽電極間のガス分
子は励起されてプラズマ状態になり、直流グロー放電が
発生する。負グロー相領域内に予め配しておいた試料の
表面には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化した酸化
オスミウム分子が、試料の表面の微細構造を忠実に形取
りして付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な非結
晶オスミウム金属導電被膜が製膜される。
【０００９】
〔請求項１について〕高純度で均質な金属薄膜を基体の
表面に製膜する事ができる。直流グロー放電は発熱を伴
なわない為、製膜される基体に熱ダメージを与えない。
表面に製膜する事ができる。直流グロー放電は発熱を伴
なわない為、製膜される基体に熱ダメージを与えない。
【００１０】〔請求項２について〕陽イオン化した酸化
オスミウム分子が、試料の表面の微細構造を忠実に形取
りして付着堆積するので、高純度で均質な非結晶オスミ
ウム金属導電被膜を試料の表面に製膜する事ができる。
又、直流グロー放電は発熱を伴なわない為、試料は熱ダ
メージを受けない。更に、オスミウムは導電性に優れ二
次電子放出効率が良好である。この為、走査電子顕微鏡
を用い、高加速電圧をかけて充分絞った電子線照射で検
鏡すれば鮮明な立体像を観察する事ができる。又、試料
を溶解除去してオスミウム金属のレプリカを作成すれ
ば、透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡の何方でも鮮明な
レプリカ像を観察する事ができる。
オスミウム分子が、試料の表面の微細構造を忠実に形取
りして付着堆積するので、高純度で均質な非結晶オスミ
ウム金属導電被膜を試料の表面に製膜する事ができる。
又、直流グロー放電は発熱を伴なわない為、試料は熱ダ
メージを受けない。更に、オスミウムは導電性に優れ二
次電子放出効率が良好である。この為、走査電子顕微鏡
を用い、高加速電圧をかけて充分絞った電子線照射で検
鏡すれば鮮明な立体像を観察する事ができる。又、試料
を溶解除去してオスミウム金属のレプリカを作成すれ
ば、透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡の何方でも鮮明な
レプリカ像を観察する事ができる。
【００１１】
【実施例】本発明の第１実施例（請求項２に対応）を図
１〜図３に基づいて説明する。図１に示す様に、プラズ
マ製膜装置Ｐは、内部を気密状態にする事ができるガス
反応容器１と、ガス反応容器１内に配置される陰電極２
及び陽電極３と、ガス反応容器１内を高真空状態にする
排気手段４と、酸化オスミウムの昇華ガスをガス反応容
器１内に導入するガス導入手段５と、陰電極２- 陽電極
３間に高電圧を印加する直流高電圧電源６と、陰電極２
の温度を調節する温度調節手段７とを備える。
１〜図３に基づいて説明する。図１に示す様に、プラズ
マ製膜装置Ｐは、内部を気密状態にする事ができるガス
反応容器１と、ガス反応容器１内に配置される陰電極２
及び陽電極３と、ガス反応容器１内を高真空状態にする
排気手段４と、酸化オスミウムの昇華ガスをガス反応容
器１内に導入するガス導入手段５と、陰電極２- 陽電極
３間に高電圧を印加する直流高電圧電源６と、陰電極２
の温度を調節する温度調節手段７とを備える。
【００１２】ガス反応容器１（直径３０ｃｍ、高さ２１
ｃｍ）は、天板部１１、ガラス製の円筒部１２、金属製
の基盤１３、パッキン１４等で構成され、生物医学分野
で必要とされるフリーズ・フラクチャーエッチング法に
対応するカッター８１やハンガー８２を装備している。
ｃｍ）は、天板部１１、ガラス製の円筒部１２、金属製
の基盤１３、パッキン１４等で構成され、生物医学分野
で必要とされるフリーズ・フラクチャーエッチング法に
対応するカッター８１やハンガー８２を装備している。
【００１３】円柱状を呈する陰電極２は、放電面（直径
３ｃｍ）２１が上方を向く様に基盤１３に配設されてい
る。尚、漏洩放電防止の為、陰電極２は、放電面２１以
外が漏洩放電防止筒２２により包囲されている。更に、
２３は、電気ヒータ７１、熱電対７２を配設する為の空
所である。
３ｃｍ）２１が上方を向く様に基盤１３に配設されてい
る。尚、漏洩放電防止の為、陰電極２は、放電面２１以
外が漏洩放電防止筒２２により包囲されている。更に、
２３は、電気ヒータ７１、熱電対７２を配設する為の空
所である。
【００１４】円柱状を呈する陽電極３は、放電面（直径
３ｃｍ）３１が下方を向く様にガス反応容器１と絶縁し
て天板部１１に配設されている。尚、漏洩放電防止の
為、陽電極３は、放電面３１以外が漏洩放電防止筒３２
により包囲されている。
３ｃｍ）３１が下方を向く様にガス反応容器１と絶縁し
て天板部１１に配設されている。尚、漏洩放電防止の
為、陽電極３は、放電面３１以外が漏洩放電防止筒３２
により包囲されている。
【００１５】排気手段４は、ロータリーポンプ、油拡散
ポンプ、液体窒素トラップ、真空度計（何れも図示せ
ず）、及び排気管４１等により構成され、ガス反応容器
１内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空状態にする。
ポンプ、液体窒素トラップ、真空度計（何れも図示せ
ず）、及び排気管４１等により構成され、ガス反応容器
１内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空状態にする。
【００１６】ガス導入手段５は、酸化オスミウム（Ｏｓ
Ｏ4 ）の結晶粉末５１１を入れた容器５１と、結晶粉末
５１１を気化させる蒸発筒５２と、蒸発筒５２と反応空
間１０とを連通する連通穴５２１の大きさを調節する調
整ねじ５３等で構成され、希薄濃度の酸化オスミウムの
昇華ガスを、高真空状態にしたガス反応容器１内に充満
（ガス圧０．０５Ｔｏｒｒ）させる。尚、５４は、ハイ
ドロカーボンのレプリカの作成用に、メタン、エチレ
ン、ナフタレン等のガスを導入する為のノズルである。
Ｏ4 ）の結晶粉末５１１を入れた容器５１と、結晶粉末
５１１を気化させる蒸発筒５２と、蒸発筒５２と反応空
間１０とを連通する連通穴５２１の大きさを調節する調
整ねじ５３等で構成され、希薄濃度の酸化オスミウムの
昇華ガスを、高真空状態にしたガス反応容器１内に充満
（ガス圧０．０５Ｔｏｒｒ）させる。尚、５４は、ハイ
ドロカーボンのレプリカの作成用に、メタン、エチレ
ン、ナフタレン等のガスを導入する為のノズルである。
【００１７】直流高電圧電源６は、電圧が１ｋＶ〜３ｋ
Ｖの範囲で可変可能な電源であり、＋側が陽電極３に結
線され、−側が陰電極２に結線され、電圧及び電流は、
電圧計６１、電流計６２で監視している。
Ｖの範囲で可変可能な電源であり、＋側が陽電極３に結
線され、−側が陰電極２に結線され、電圧及び電流は、
電圧計６１、電流計６２で監視している。
【００１８】温度調節手段７は、空所２３の加熱を行な
う電気ヒータ７１、ヒータ通電用の電源（図示せず）、
及び空所２３内の温度を測定する熱電対７２とで構成さ
れ、陰電極２の温度を設定温度に維持して試料９の温度
を所定温度に保ち、グロー放電条件を厳密に管理する。
う電気ヒータ７１、ヒータ通電用の電源（図示せず）、
及び空所２３内の温度を測定する熱電対７２とで構成さ
れ、陰電極２の温度を設定温度に維持して試料９の温度
を所定温度に保ち、グロー放電条件を厳密に管理する。
【００１９】試料９は、表面９１が負グロー相内に位置
する様に、陰電極２の略中央に載置された良熱伝導性の
セラミック絶縁板９０の上に載せられる（図２参照）。
する様に、陰電極２の略中央に載置された良熱伝導性の
セラミック絶縁板９０の上に載せられる（図２参照）。
【００２０】つぎに、プラズマ製膜装置Ｐの使用方法を
簡単に説明する。 (1) 天板部１１及び円筒部１２を基盤１３から外して試
料９をセラミック絶縁板９０の上に載せ、再び天板部１
１及び円筒部１２を基盤１３に装着する。 (2) 排気手段４を作動させ、ガス反応容器１内を１×１
０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空状態にする。 (3) 酸化オスミウムの結晶粉末５１１を気化させ、調整
ねじ５３を回して蒸発筒５２内の昇華ガスを連通穴５２
１を介してガス反応容器１内に充満（ガス圧０．０５Ｔ
ｏｒｒ）させる。 (4) 直流高電圧電源６を作動させ、陰電極２- 陽電極３
間に高電圧（１ｋＶ〜３ｋＶ）を所定時間印加する。高
電圧の印加により、ガス反応容器１内の酸化オスミウム
分子は、励起されてプラズマ状態になり、陰電極２- 陽
電極３間に直流グロー放電が発生する。試料９の表面９
１には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化した酸化オ
スミウム分子が、試料９の表面９１の微細構造を忠実に
形取りして付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な
非結晶オスミウム金属導電被膜９２が製膜される（図２
参照）。尚、レプリカ膜とする場合は、高電圧の印加時
間を１５秒〜３５秒とし、膜厚を１０ｎｍ〜２０ｎｍの
範囲にする。 (5) 直流高電圧電源６の作動を停止し、ガス反応容器１
内を大気圧にした後、天板部１１及び円筒部１２を基盤
１３から外して試料９をガス反応容器１から取り出す。 (6) 走査電子顕微鏡を用いて試料９の表面９１の立体像
を観察する。又、膜厚を１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にし
た試料９を、試料部分のみ溶かす溶解液に浸し、試料部
分を溶解除去してオスミウム金属のレプリカ（厚さ１０
ｎｍ〜２０ｎｍ）を作成すれば、透過電子顕微鏡、走査
電子顕微鏡の何方でも鮮明なレプリカ像を観察する事が
できる。
簡単に説明する。 (1) 天板部１１及び円筒部１２を基盤１３から外して試
料９をセラミック絶縁板９０の上に載せ、再び天板部１
１及び円筒部１２を基盤１３に装着する。 (2) 排気手段４を作動させ、ガス反応容器１内を１×１
０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空状態にする。 (3) 酸化オスミウムの結晶粉末５１１を気化させ、調整
ねじ５３を回して蒸発筒５２内の昇華ガスを連通穴５２
１を介してガス反応容器１内に充満（ガス圧０．０５Ｔ
ｏｒｒ）させる。 (4) 直流高電圧電源６を作動させ、陰電極２- 陽電極３
間に高電圧（１ｋＶ〜３ｋＶ）を所定時間印加する。高
電圧の印加により、ガス反応容器１内の酸化オスミウム
分子は、励起されてプラズマ状態になり、陰電極２- 陽
電極３間に直流グロー放電が発生する。試料９の表面９
１には、濃縮され激しく拡散する陽イオン化した酸化オ
スミウム分子が、試料９の表面９１の微細構造を忠実に
形取りして付着堆積し、高純度で均質（分子レベル）な
非結晶オスミウム金属導電被膜９２が製膜される（図２
参照）。尚、レプリカ膜とする場合は、高電圧の印加時
間を１５秒〜３５秒とし、膜厚を１０ｎｍ〜２０ｎｍの
範囲にする。 (5) 直流高電圧電源６の作動を停止し、ガス反応容器１
内を大気圧にした後、天板部１１及び円筒部１２を基盤
１３から外して試料９をガス反応容器１から取り出す。 (6) 走査電子顕微鏡を用いて試料９の表面９１の立体像
を観察する。又、膜厚を１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にし
た試料９を、試料部分のみ溶かす溶解液に浸し、試料部
分を溶解除去してオスミウム金属のレプリカ（厚さ１０
ｎｍ〜２０ｎｍ）を作成すれば、透過電子顕微鏡、走査
電子顕微鏡の何方でも鮮明なレプリカ像を観察する事が
できる。
【００２１】本実施例のプラズマ製膜装置Ｐは、以下の
利点を有する。 〔ア〕製膜されたオスミウム金属導電被膜９２は、導電
性に優れ、二次電子放出も良好であり、粒状性を示さな
い（完全な非晶質の三次元重合膜である）ため、強い電
子線照射を行なっても帯電やコンタミネーションを起こ
さない。この為、高加速電圧を印加して充分絞った電子
線照射で検鏡する事ができ、分解能の限界迄、試料表面
の微細構造の鮮明な立体像を走査電子顕微鏡で観察する
事ができる。
利点を有する。 〔ア〕製膜されたオスミウム金属導電被膜９２は、導電
性に優れ、二次電子放出も良好であり、粒状性を示さな
い（完全な非晶質の三次元重合膜である）ため、強い電
子線照射を行なっても帯電やコンタミネーションを起こ
さない。この為、高加速電圧を印加して充分絞った電子
線照射で検鏡する事ができ、分解能の限界迄、試料表面
の微細構造の鮮明な立体像を走査電子顕微鏡で観察する
事ができる。
【００２２】〔イ〕高電圧の印加時間を調整して（図３
参照）、電子線（加速電圧１００ｋＶ程度）が透過し易
い厚さ（１０ｎｍ〜２０ｎｍ）にしたオスミウム金属導
電被膜９２を残し、試料部分だけを溶解除去して一段レ
プリカ膜を作成すれば、透過電子顕微鏡により、膜層の
適度な電子散乱によりレプリカの透視立体像を観察（１
ｎｍ以下の高分解能）する事ができる。尚、このレプリ
カは、走査電子顕微鏡で観察する事もできる為、オスミ
ウム金属レプリカの同一部分を各電子顕微鏡で比較して
検鏡する事ができる。
参照）、電子線（加速電圧１００ｋＶ程度）が透過し易
い厚さ（１０ｎｍ〜２０ｎｍ）にしたオスミウム金属導
電被膜９２を残し、試料部分だけを溶解除去して一段レ
プリカ膜を作成すれば、透過電子顕微鏡により、膜層の
適度な電子散乱によりレプリカの透視立体像を観察（１
ｎｍ以下の高分解能）する事ができる。尚、このレプリ
カは、走査電子顕微鏡で観察する事もできる為、オスミ
ウム金属レプリカの同一部分を各電子顕微鏡で比較して
検鏡する事ができる。
【００２３】〔ウ〕直流グロー放電では、試料９の昇温
を伴なわない為、非結晶オスミウム金属導電被膜９２の
製膜中に試料９が熱によりダメージを受ける事が無い。
を伴なわない為、非結晶オスミウム金属導電被膜９２の
製膜中に試料９が熱によりダメージを受ける事が無い。
【００２４】〔エ〕陽イオン化した酸化オスミウム分子
が、試料９の表面に付着堆積する際、拡散や回り込み効
果が良好であるので、試料９が生体組織（例えば貝の外
套膜）等であっても試料表面の微細構造を忠実に形取り
し、鮮明な像を観察する事ができる。
が、試料９の表面に付着堆積する際、拡散や回り込み効
果が良好であるので、試料９が生体組織（例えば貝の外
套膜）等であっても試料表面の微細構造を忠実に形取り
し、鮮明な像を観察する事ができる。
【００２５】つぎに、本発明の第２、第３実施例を説明
する。第２実施例のプラズマ製膜装置は、プラズマ製膜
装置Ｐのガス導入手段を変更して原料ガスを（ＣＨ3 ）
4 Ｓｉとし、基体である基板の表面に高純度で均質なＳ
ｉ非晶膜を膜付けするものである。
する。第２実施例のプラズマ製膜装置は、プラズマ製膜
装置Ｐのガス導入手段を変更して原料ガスを（ＣＨ3 ）
4 Ｓｉとし、基体である基板の表面に高純度で均質なＳ
ｉ非晶膜を膜付けするものである。
【００２６】又、第３実施例のプラズマ製膜装置は、プ
ラズマ製膜装置Ｐのガス導入手段を変更して原料ガスを
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 とし、基体である
基板の表面に高純度のＳｉ結晶膜を膜付けするものであ
る。
ラズマ製膜装置Ｐのガス導入手段を変更して原料ガスを
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 とし、基体である
基板の表面に高純度のＳｉ結晶膜を膜付けするものであ
る。
【００２７】第２、第３実施例のプラズマ製膜装置は、
基板に熱ダメージを与える事無く、高純度のＳｉ非晶膜
（非結晶金属薄膜）やＳｉ結晶膜（結晶金属薄膜）を基
板の表面に膜付けする事ができ、半導体等の電子デバイ
ス部品の製造に関して大いに役立つ。
基板に熱ダメージを与える事無く、高純度のＳｉ非晶膜
（非結晶金属薄膜）やＳｉ結晶膜（結晶金属薄膜）を基
板の表面に膜付けする事ができ、半導体等の電子デバイ
ス部品の製造に関して大いに役立つ。
【００２８】本発明は、上記実施例以外に、つぎの実施
態様を含む。 ａ．試料９が絶縁体の場合は、セラミック絶縁板９０は
不要であり、直接、試料９を陰電極２上に載置しても良
い。 ｂ．放電面３１、２１が対向し、負グロー相領域内に試
料９（試料表面）を配する事ができれば、陽電極３、陰
電極２の配置方向は自由である。 ｃ．高電圧の印加時間は、製膜する金属薄膜、非結晶オ
スミウム金属導電被膜の厚さに応じて適宜、調整すれば
良い。
態様を含む。 ａ．試料９が絶縁体の場合は、セラミック絶縁板９０は
不要であり、直接、試料９を陰電極２上に載置しても良
い。 ｂ．放電面３１、２１が対向し、負グロー相領域内に試
料９（試料表面）を配する事ができれば、陽電極３、陰
電極２の配置方向は自由である。 ｃ．高電圧の印加時間は、製膜する金属薄膜、非結晶オ
スミウム金属導電被膜の厚さに応じて適宜、調整すれば
良い。
【図１】本発明にかかるプラズマ製膜装置の原理説明図
である。
である。
【図２】そのプラズマ製膜装置における、直流グロー放
電の様子を示す説明図である。
電の様子を示す説明図である。
【図３】そのプラズマ製膜装置において、グロー放電時
間- 膜厚の関係を示すグラフである。
間- 膜厚の関係を示すグラフである。
【図４】プラズマ重合膜レプリカ像（Ａ）と、金属（Ｐ
ｔ- Ｐｄ）蒸着膜レプリカ像（Ｂ）とを比較する顕微鏡
写真である。
ｔ- Ｐｄ）蒸着膜レプリカ像（Ｂ）とを比較する顕微鏡
写真である。
【図５】プラズマ溶射の原理図である。
Ｐ プラズマ製膜装置 １ ガス反応容器（気密容器） ２ 陰電極 ３ 陽電極 ４ 排気手段 ５ ガス導入手段 ６ 直流高電圧電源（高電圧印加手段） ９ 試料 ２１、３１ 放電面 ９２ 非結晶オスミウム金属導電被膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】ＭｇＯ結晶構造（結晶表面）を示す、プラズマ
重合膜レプリカ像（Ａ）と、金属（Ｐｔ- Ｐｄ）蒸着膜
レプリカ像（Ｂ）とを比較する顕微鏡写真である。
重合膜レプリカ像（Ａ）と、金属（Ｐｔ- Ｐｄ）蒸着膜
レプリカ像（Ｂ）とを比較する顕微鏡写真である。
Claims (2)
- 【請求項１】 気密容器と、 放電面が対向する様に前記気密容器内に配置される、陰
電極及び陽電極と、 前記気密容器内を高真空状態にする排気手段と、 所定の金属化合物をガス化した原料ガスを、高真空状態
にした前記気密容器内に拡散させるガス導入手段と、 陰電極- 陽電極間に直流グロー放電を行なわせる高電圧
印加手段とを備え、 負グロー相領域内に配した基体の表面に陽イオン化した
ガス分子を付着堆積させて金属薄膜を製膜するプラズマ
製膜装置。 - 【請求項２】 気密容器と、 放電面が対向する様に前記気密容器内に配置される、陰
電極及び陽電極と、 前記気密容器内を高真空状態にする排気手段と、 酸化オスミウムの昇華ガスを、高真空状態にした前記気
密容器内に拡散させるガス導入手段と、 陰電極- 陽電極間に直流グロー放電を行なわせる高電圧
印加手段とを備え、 負グロー相領域内に配した試料の表面に陽イオン化した
オスミウム分子を付着堆積させて非結晶オスミウム金属
導電被膜を製膜するプラズマ製膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121595A JP2748213B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | プラズマ製膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121595A JP2748213B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | プラズマ製膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330295A true JPH06330295A (ja) | 1994-11-29 |
| JP2748213B2 JP2748213B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=14815149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121595A Expired - Lifetime JP2748213B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | プラズマ製膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748213B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0834593A3 (en) * | 1996-10-02 | 1999-01-27 | Nippon Laser & Electronics Lab. | Plasma thin-film forming apparatus and method |
| JP2002122579A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-26 | Nippon Laser & Electronics Lab | クロマトグラフィー用吸着材 |
| JP2010002355A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Filgen Inc | 走査型電子顕微鏡用検鏡試料の金属薄膜成膜方法 |
| JP2011144418A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Filgen Inc | 導電性薄膜のプラズマ成膜方法 |
| JP2015137918A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 田中 昭 | 電子顕微鏡の検体用レプリカ薄膜の作製方法およびその作製装置 |
| WO2019060060A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | Applied Materials, Inc. | SYSTEM FOR COUPLING VOLTAGE TO PARTS OF A SUBSTRATE |
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| US10510575B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
| US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| CN118315254A (zh) | 2019-01-22 | 2024-07-09 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| US12525441B2 (en) | 2021-06-09 | 2026-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
| US12148595B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-11-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber |
| US20220399186A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
| US12106938B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber |
| US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
| US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US12315732B2 (en) | 2022-06-10 | 2025-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber |
| US12586768B2 (en) | 2022-08-10 | 2026-03-24 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage compensation for plasma processing applications |
| US12272524B2 (en) | 2022-09-19 | 2025-04-08 | Applied Materials, Inc. | Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6075579A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-27 | Toshiba Corp | 金色装飾品 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP5121595A patent/JP2748213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748213B2 (ja) | 1998-05-06 |
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