JPH06336695A - 陽極酸化の終了方法および陽極酸化装置 - Google Patents
陽極酸化の終了方法および陽極酸化装置Info
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- JPH06336695A JPH06336695A JP15439993A JP15439993A JPH06336695A JP H06336695 A JPH06336695 A JP H06336695A JP 15439993 A JP15439993 A JP 15439993A JP 15439993 A JP15439993 A JP 15439993A JP H06336695 A JPH06336695 A JP H06336695A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の種類、酸化条件によって変化が少ない
酸化時間の設定方法および陽極酸化装置を提供する。 【構成】 定電流酸化の後定電圧酸化に移行した時点を
起点とした時間で酸化終了とすることまたは、定電圧酸
化に移行した時点から実電流が規定値になるまでの時間
を基数とし時間で酸化終了とすることを特徴とする。
酸化時間の設定方法および陽極酸化装置を提供する。 【構成】 定電流酸化の後定電圧酸化に移行した時点を
起点とした時間で酸化終了とすることまたは、定電圧酸
化に移行した時点から実電流が規定値になるまでの時間
を基数とし時間で酸化終了とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体および液晶パネル
の金属膜に陽極酸化法で絶縁膜を形成する方法および装
置に関する。
の金属膜に陽極酸化法で絶縁膜を形成する方法および装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルの陽極酸化を例にとり説明す
る。液晶パネルでは絶縁性基板としてガラスを、金属膜
としてはアルミニュームまたはタンタルが使用される。
る。液晶パネルでは絶縁性基板としてガラスを、金属膜
としてはアルミニュームまたはタンタルが使用される。
【０００３】パターン化した金属膜を有する被酸化基板
を電解液、例えば酒石酸アンモニュームの５％水溶液に
浸漬し、基板を直流電源の陽極に、ステンレススチール
板を陰極に接続してアルミニュームの表面に酸化アルミ
の絶縁膜を形成する。
を電解液、例えば酒石酸アンモニュームの５％水溶液に
浸漬し、基板を直流電源の陽極に、ステンレススチール
板を陰極に接続してアルミニュームの表面に酸化アルミ
の絶縁膜を形成する。
【０００４】図４は陽極酸化の説明図である。酸化槽２
１の電解液２２に被酸化基板２３を浸漬する。被酸化基
板２３の大きさは３００ｍｍ×４００ｍｍ、厚み１．１
ｍｍである。被酸化基板２３には厚み３０００オングス
トロームのアルミ膜パターン２６が形成されており、そ
のパターンに連結したプローブ接続部２５に陽極プロー
ブを接続する。
１の電解液２２に被酸化基板２３を浸漬する。被酸化基
板２３の大きさは３００ｍｍ×４００ｍｍ、厚み１．１
ｍｍである。被酸化基板２３には厚み３０００オングス
トロームのアルミ膜パターン２６が形成されており、そ
のパターンに連結したプローブ接続部２５に陽極プロー
ブを接続する。
【０００５】図５は従来の陽極酸化法の電流と電圧のタ
イムチャートである。２７は定電流の設定値Ｉ１、２８
は最大電圧の設定値Ｖ１であり、２９は実電流、３０は
実電圧の波形である。アルミニュームの場合、通常、Ｉ
１＝１Ａ、Ｖ１＝１００Ｖである。
イムチャートである。２７は定電流の設定値Ｉ１、２８
は最大電圧の設定値Ｖ１であり、２９は実電流、３０は
実電圧の波形である。アルミニュームの場合、通常、Ｉ
１＝１Ａ、Ｖ１＝１００Ｖである。
【０００６】初めは抵抗値が小さいので定電流Ｉ１が流
れる。アルミ膜の表面に酸化アルミの絶縁膜が形成され
るに従い抵抗値が増大し、電圧は直線的に上昇する。こ
の電圧が設定最大電圧Ｖ１に達すると、電圧は一定とな
り電流が減少する。この領域では定電圧で酸化が行われ
る。
れる。アルミ膜の表面に酸化アルミの絶縁膜が形成され
るに従い抵抗値が増大し、電圧は直線的に上昇する。こ
の電圧が設定最大電圧Ｖ１に達すると、電圧は一定とな
り電流が減少する。この領域では定電圧で酸化が行われ
る。
【０００７】また、定電流酸化域は粗膜形成期間であ
り、定電圧酸化域は酸化膜の熟成期間である。
り、定電圧酸化域は酸化膜の熟成期間である。
【０００８】従来は酸化を開始してから所要厚みの酸化
膜ができるまでの時間を実験的に求めて酸化時間とし
た。即ち、定電流酸化時間と定電圧酸化時間の合計時間
を設定し酸化を行う。
膜ができるまでの時間を実験的に求めて酸化時間とし
た。即ち、定電流酸化時間と定電圧酸化時間の合計時間
を設定し酸化を行う。
【０００９】即ち、従来の酸化時間設定方法では、酸化
条件の変化によって酸化膜の熟成が不十分で酸化膜の品
質が低下するという欠陥があった。
条件の変化によって酸化膜の熟成が不十分で酸化膜の品
質が低下するという欠陥があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
の種類、酸化条件によって変化が少なく、高品質酸化膜
を作成する陽極酸化の終了方法、および陽極酸化装置を
提供することである。
の種類、酸化条件によって変化が少なく、高品質酸化膜
を作成する陽極酸化の終了方法、および陽極酸化装置を
提供することである。
【００１１】
【問題を解決するための手段】本発明は定電流で酸化の
後、定電圧酸化に移行した時点を起点とした時間で酸化
終了とすること、または定電圧酸化に移行した時点から
実電流が規定値になるまでの時間を基数とした時間で酸
化終了とすることを特徴とする。
後、定電圧酸化に移行した時点を起点とした時間で酸化
終了とすること、または定電圧酸化に移行した時点から
実電流が規定値になるまでの時間を基数とした時間で酸
化終了とすることを特徴とする。
【００１２】
【実施例】本発明を図面を参照して説明する。図１は本
発明の第１の実施例の陽極酸化装置の構成図である。
発明の第１の実施例の陽極酸化装置の構成図である。
【００１３】電流設定回路１で定電流値を設定し、電圧
設定回路２で最大電圧値を設定して制御回路３を介して
直流電源４に定電流値と最大電圧値をセットする。
設定回路２で最大電圧値を設定して制御回路３を介して
直流電源４に定電流値と最大電圧値をセットする。
【００１４】直流電源４の陽極を酸化槽６の基板７の金
属膜９に陽極プローブ１８を用いて接続し、陰極を極板
８に接続して起動スイッチ１０で酸化を開始する。
属膜９に陽極プローブ１８を用いて接続し、陰極を極板
８に接続して起動スイッチ１０で酸化を開始する。
【００１５】直流電源４の陽極電圧を電圧判定回路１１
で最大電圧に到達したこと、即ち、定電圧酸化に移行し
たことを判定してタイマ１２を起動する。タイマ１２の
時間が酸化時間設定回路１３に等しくなった時制御回路
３は直流電源４をオフとして酸化を終了する。
で最大電圧に到達したこと、即ち、定電圧酸化に移行し
たことを判定してタイマ１２を起動する。タイマ１２の
時間が酸化時間設定回路１３に等しくなった時制御回路
３は直流電源４をオフとして酸化を終了する。
【００１６】図２は本発明の第２の実施例の陽極酸化装
置の構成図、図３は本発明の第２の実施例の陽極酸化装
置のタイムチャートである。酸化の開始からタイマ１２
の起動までは第１の実施例と全く同様に行う。
置の構成図、図３は本発明の第２の実施例の陽極酸化装
置のタイムチャートである。酸化の開始からタイマ１２
の起動までは第１の実施例と全く同様に行う。
【００１７】直流電源４の酸化電流を抵抗１４で測定
し、電流検出回路１５で電流が規定電流設定回路１７の
値以下になったことを検出してタイマ１２を停止する。
制御回路３は時間倍率設定回路１６に設定された倍率Ｎ
をタイマ１２の時間Ｔに乗じた時間Ｔ×Ｎだけ追加酸化
を行った後直流電源４をオフとして酸化を終了する。
し、電流検出回路１５で電流が規定電流設定回路１７の
値以下になったことを検出してタイマ１２を停止する。
制御回路３は時間倍率設定回路１６に設定された倍率Ｎ
をタイマ１２の時間Ｔに乗じた時間Ｔ×Ｎだけ追加酸化
を行った後直流電源４をオフとして酸化を終了する。
【００１８】上記説明では、電圧判定回路１１で定電圧
酸化に移行したことを判定した場合について述べたが、
本発明はこれに限定されるものではなく直流電源４から
出力される定電圧モード移行信号によっても本発明を実
現できる。
酸化に移行したことを判定した場合について述べたが、
本発明はこれに限定されるものではなく直流電源４から
出力される定電圧モード移行信号によっても本発明を実
現できる。
【００１９】また、上記説明では、電流が規定電圧設定
回路１７の値以下になったことを検出してタイマ１２を
停止した場合について述べたが、設定した定電流との
比、例えば２０％を設定して、定電流の２０％の以下に
なった時タイマ１２を停止するように制御することによ
っても本発明を実現できる。
回路１７の値以下になったことを検出してタイマ１２を
停止した場合について述べたが、設定した定電流との
比、例えば２０％を設定して、定電流の２０％の以下に
なった時タイマ１２を停止するように制御することによ
っても本発明を実現できる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は次のような
効果を奏するものである。金属の酸化膜の熟成期間を設
定して酸化終了とするので高品質の酸化膜を形成するこ
とができる。
効果を奏するものである。金属の酸化膜の熟成期間を設
定して酸化終了とするので高品質の酸化膜を形成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の陽極酸化装置の構成図
である。
である。
【図２】本発明の第２の実施例の陽極酸化装置の構成図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施例の陽極酸化装置のタイム
チャートである。
チャートである。
【図４】陽極酸化の説明図である。
【図５】従来の陽極酸化法の電流と電圧のタイムチャー
トである。
トである。
１…電流設定回路、２…電圧設定回路、３…制御回路、
４…直流電源、６…酸化槽、７…基板、８…極板、９…
金属膜、１０…起動スイッチ、１１…判定回路、１２…
タイマ、１３…酸化時間設定回路、１４…抵抗、１５…
電流検出回路、１６…時間倍率設定回路、１７…規定電
流設定回路、１８…陽極プローブ、２１…酸化槽、２２
…電解液、２３…被酸化基板、２４…液面、２５…プロ
ーブ接続部、２７…定電流の設定値、２８…最大電圧の
設定値、２９…実電流、３０…実電圧の波形。
４…直流電源、６…酸化槽、７…基板、８…極板、９…
金属膜、１０…起動スイッチ、１１…判定回路、１２…
タイマ、１３…酸化時間設定回路、１４…抵抗、１５…
電流検出回路、１６…時間倍率設定回路、１７…規定電
流設定回路、１８…陽極プローブ、２１…酸化槽、２２
…電解液、２３…被酸化基板、２４…液面、２５…プロ
ーブ接続部、２７…定電流の設定値、２８…最大電圧の
設定値、２９…実電流、３０…実電圧の波形。
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して定電流で酸化した後定電圧で陽極酸化す
る方法において、定電圧酸化に移行した時点を起点とし
た時間で酸化終了することを特徴とした陽極酸化の終了
方法。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して定電流で酸化した後定電圧で陽極酸化す
る方法において、定電圧酸化に移行した時点から実電流
が規定値に減少するまでの時間を基数とした時間で酸化
終了することを特徴とした陽極酸化の終了方法。 - 【請求項３】 実電流の規定値を定電流との比としたこ
とを特徴とした請求項２記載の陽極酸化の終了方法。 - 【請求項４】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して定電流で酸化した後定電圧で陽極酸化す
る装置において、定電流設定手段と最大電圧設定手段と
酸化時間設定手段とモード変化判定手段と直流電源と酸
化槽と陽極プローブと陰極板と制御回路からなることを
特徴とした陽極酸化装置。 - 【請求項５】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して定電流で酸化した後定電圧で陽極酸化す
る装置において、定電流設定手段と最大電圧設定手段と
時間倍率設定手段と実電流測定手段と電流検出手段とモ
ード変化判定手段と直流電源と酸化槽と陽極プローブと
陰極板と制御回路からなることを特徴とした陽極酸化装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15439993A JPH06336695A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化の終了方法および陽極酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15439993A JPH06336695A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化の終了方法および陽極酸化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06336695A true JPH06336695A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15583298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15439993A Pending JPH06336695A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化の終了方法および陽極酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06336695A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104040698A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-09-10 | 透明金属有限公司 | 在平坦导电表面上形成氧化物层 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP15439993A patent/JPH06336695A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104040698A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-09-10 | 透明金属有限公司 | 在平坦导电表面上形成氧化物层 |
| JP2014525517A (ja) * | 2011-09-08 | 2014-09-29 | クリア メタルズ インコーポレイテッド | 平らな導電性表面への酸化物層の形成 |
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