JPH06338020A

JPH06338020A - 磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH06338020A
Application number: JP12751493A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sugano; 丘菅野; Tadashi Saito; 正斎藤; Seiichi Ogata; 誠一小形; Yoshito Ikeda; 義人池田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-05-28
Filing date: 1993-05-28
Publication date: 1994-12-06

Abstract

(57)【要約】【構成】金属磁性膜１，２がその膜厚方向より少なく
ともその一部がフェライト材よりなる第１の基板３，４
と第２の基板５，６によって挟み込まれてなる一対の磁
気コア半体７，８を上記金属磁性膜１，２の端面同士を
突き合わせるようにしてギャップ融着する際に、圧力Ｐ
を２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａとしてギャップ融着する。【効果】所定のギャップ長を精度良く形成し、ギャッ
プ融着により金属磁性膜及び基板に残留応力を発生させ
ず、これらの磁気特性を低下させることがなく、その電
磁変換特性を良好なものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ等に搭載される高密度磁気記録用磁気ヘッドを形
成する磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、磁気記録の分野においては、高
周波特性に優れる高密度磁気記録用の磁気ヘッドとして
膜厚の薄い磁性金属薄膜を絶縁膜を介して何層にも積層
してなる、いわゆる積層型の金属磁性膜を用いた磁気ヘ
ッドの開発が行われている。かかる磁気ヘッドとして
は、例えば上記金属磁性膜を一対の基板によって挟み込
んでなる一対の磁気コア半体同士を、ギャップ融着する
ことにより接合一体化した、いわゆるラミネートタイプ
の磁気ヘッドが挙げられる。

【０００３】このラミネートタイプの磁気ヘッドにおい
ては、金属磁性膜の膜厚を磁気ギャップのトラック幅と
することから、上記基板にはセラミックスや結晶化ガラ
ス等の非磁性材料よりなる基板が用いられる。

【０００４】しかしながら、かかる磁気ヘッドにおい
て、さらなる高密度記録を達成するためにトラック幅を
狭くして行くと、磁路を構成するコア断面積の減少によ
ってヘッド効率が劣化する。

【０００５】このため、従来においては、コア断面積の
確保によってヘッド効率の劣化を防止すべく、基板に磁
性フェライトを使用する磁気ヘッドが提案されている。
この方法によれば、狭トラック化した場合でも、磁性フ
ェライトによってコア断面積が充分に確保されることか
ら、非磁性基板を用いた磁気ヘッドに比べてヘッド効率
の劣化を抑制することができる。

【０００６】上記のような磁気ヘッドを製造するには、
先ず、一方の磁気フェライト基板上に、膜厚の薄い磁性
金属薄膜を絶縁膜を介して何層にも積層した積層メタル
膜である金属磁性膜を形成し、これにもう一方の磁気フ
ェライト基板を接合して磁気コア半体を形成する。次
に、上記磁気コア半体とこれと同様に形成される磁気コ
ア半体同士を、互いの突き合わせ面に呈する金属磁性膜
の端面同士を突き合わせ、ギャップ膜を介してガラスに
よりギャップ融着して接合一体化し、磁気ヘッドを完成
する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記磁気コ
ア半体同士をギャップ融着するに際しては、これら磁気
コア半体同士を所定の圧力を加えて融着する必要があ
る。しかし、その圧力の大きさによっては、金属磁性膜
と基板に残留応力が発生し、磁気特性が劣化する、ま
た、ギャップが大きくなってしまうといった不都合が生
じる。

【０００８】上記のような傾向は、磁気ギャップのトラ
ック幅を１３μｍ以下と狭ギャップ化した場合に特に顕
著である。したがって、ギャップ融着における加圧力を
制御して金属磁性膜及び基板への残留応力の影響を低減
することが切望されている。

【０００９】そこで本発明は、このような従来の実状に
鑑みて提案されたものであり、所定のギャップ長を精度
良く形成することができ、ギャップ融着により金属磁性
膜及び基板に残留応力が発生せず、これらの磁気特性を
低下させることがなく、電磁変換特性の良好な磁気ヘッ
ドを製造することを可能とする磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、少なくともその一部がフェライト材より
なる基板により金属磁性膜を膜厚方向より挟み込んでな
る一対の磁気コア半体をそれぞれの突き合わせ面に呈す
る金属磁性膜の端面同士を突き合わせてギャップ融着す
る磁気ヘッドの製造方法において、ギャップ融着時にお
ける圧力Ｐを２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａとしてギャップ
融着することを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明は、ギャップ融着時における圧力Ｐを２
ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａとすることにより、金属磁性膜
及び基板に残留応力が発生せず、また、ギャップ長も一
定になる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。先ず、本発明を適用
した磁気ヘッドの製造方法によって形成される磁気ヘッ
ドについて説明する。

【００１３】上記磁気ヘッドは、図１に示すように、金
属磁性膜１，２がその膜厚方向よりフェライト材よりな
る第１の基板３，４と第２の基板５，６によって挟み込
まれてなる一対の磁気コア半体７，８からなり、これら
磁気コア半体７，８が上記金属磁性膜１，２の端面同士
を突合わせるようにして融着ガラス９により接合一体化
されて構成されている。

【００１４】上記のように磁気コア半体７，８は、主コ
アとなる金属磁性膜１，２とこれを膜厚方向より挾み込
む補助コアとなる第１の基板３，４と第２の基板５，６
とから構成され、該第２の基板５，６の一主面に被着形
成される金属磁性膜１，２を挾み込むようにして第１の
基板３，４が積層されることにより接合一体化されてい
る。この際、第１の基板３，４と第２の基板５，６は、
図２に示すようにガラス膜１８，１９によって接合一体
化されており、第１の基板３，４及び第２の基板５，６
とガラス膜１８，１９間にはこれらの反応防止等のため
に下地膜１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂが設けられ
ている。

【００１５】なお、上記金属磁性膜１，２は、図２に示
すように、高周波特性を向上させる目的で膜厚の薄い磁
性金属薄膜１ａ，１ｂ，１ｃ及び２ａ，２ｂ，２ｃを絶
縁膜１０ｂ₁，１０ｂ₂，１１ｂ₁，１１ｂ₂を介して何層
にも積層してなる積層メタル膜とされている。そして、
上記第２の基板５，６と磁性金属薄膜１ａ，２ａとの界
面には、これらの付着力の向上並びに反応防止として機
能する下地膜１０ａ，１１ａが成膜されている。

【００１６】また、上記磁気コア半体７，８は、前述の
ように互いの突合わせ面に呈する金属磁性膜１，２の端
面同士が図示しないギャップ膜を介して突合わされ、融
着ガラス９により接合一体化されており、その金属磁性
膜１，２の突合わせ面間には記録再生ギャップとして動
作する磁気ギャップｇが構成されている。なお、磁気ギ
ャップのトラック幅Ｔｗは、第１の基板３，４及び第２
の基板５，６がフェライトよりなるためトラック幅規制
溝１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂによって規制されて
おり、これらによる溝部にも融着ガラス９が充填されて
いる。

【００１７】さらに、磁気コア半体７，８の突き合わせ
面側にはコイル巻装用の巻き線溝１２，１３、ガラス溝
２２，２３が設けられており、磁気コア半体７，８の接
合強度を確保するため、これらにも融着ガラス９が溶融
充填されている。さらに、この磁気ヘッドにおいては、
磁気記録媒体に対する当たりを確保するために磁気記録
媒体と摺接する磁気記録媒体摺動面に段差が設けられる
とともに、巻線溝１２，１３に形成されたコイルの巻装
状態を良好なものとなすためにこの巻線溝１２，１３と
相対向する位置に巻線補助溝２０，２１が形成されてい
る。

【００１８】次いで、本発明を適用した磁気ヘッドの製
造方法の実施例について説明する。先ず、図３（ａ）に
示すように、フェライト基板２４を用意し、このフェラ
イト基板２４の一主面２４ａをポリッシング加工等によ
って鏡面加工する。なお、上記フェライト材としては、
単結晶フェライト，多結晶フェライト，単結晶フェライ
トと多結晶フェライトの接合材，面指数の異なる単結晶
フェライトの接合材の何れを用いても良い。

【００１９】次に、上記フェライト基板２４の一主面２
４ａに、マスクスパッタにより必要最小限の面積に金属
磁性膜２５，２６を帯状に所定間隔を持って平行となる
ように被着形成する。前述したように、上記金属磁性膜
２５，２６は、膜厚の薄い磁性金属薄膜を絶縁膜を介し
て何層にも積層した積層メタル膜とされており、これら
の膜をマスクスパッタにより順次積層形成して金属磁性
膜２５，２６を形成する。

【００２０】なお、上記金属磁性薄膜を構成する材料と
しては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）やＦｅ−Ｒｕ
−Ｇａ−Ｓｉ、又はこれらにＯ，Ｎ等を添加した結晶質
磁性金属材料或いはＦｅ系又はＣｏ系の微結晶磁性金属
材料等が挙げられる。また、上記磁性金属薄膜の膜厚
は、高周波特性の向上のために１層当たり２〜５μｍと
することが望ましい。

【００２１】一方の絶縁膜としては、例えばＳｉＯ₂，
Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜やＳｉ₃Ｎ ₄等の窒化物膜等が
使用される。上記絶縁膜の膜厚としては、例えば０．１
〜０．３μｍ程度が好ましい。そして、金属磁性膜２
５，２６の厚さは、後行程においてトラック幅規制溝を
形成する必要があることから目的とする記録トラック幅
の１．２〜３倍とすることが好ましく、磁性金属薄膜と
絶縁膜を複数層形成する。

【００２２】また、金属磁性膜２５，２６を形成するに
際しては、前述のようにフェライト基板２４との付着力
向上等のために、図３（ｂ）中に示されるような下地膜
２７を予め形成しても良く、下地膜２７としては、Ｓｉ
Ｏ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物
膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合
金膜或いはそれらを組合わせた積層膜等が挙げられる。

【００２３】さらに、上記フェライト基板２４上の金属
磁性膜２５，２６の上に、図４に示すように（図中に
は、金属磁性膜２５のみを示す。）、下地膜３６を成膜
した後、ガラス膜３７を成膜する。上記下地膜３６は、
金属磁性膜２５，２６とガラス膜３７の反応防止等を目
的として設けられるものであるが、これを構成する膜と
しては、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ
₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｐｔ等の金属膜或いはそ
れらを組合わせた積層膜等が挙げられる。また、ガラス
膜３７は、Ｐｂ系の低融点ガラスをスパッタリングす
る、或いはフリットガラスをスピンコーティング等によ
って塗布して形成すれば良い。なお、ガラス膜の厚さと
しては、０．１μｍ〜０．５μｍの厚さが好ましい。

【００２４】また、図５に示すように、他方のフェライ
ト基板３５上にも上記フェライト基板２４と同様に下地
膜３８，ガラス膜３９を形成する。

【００２５】そして、積層膜が形成されたフェライト基
板２４と上記フェライト基板３５を、図６（ａ）に示す
ように、互いの突合わせ面に形成されたガラス膜３７，
３９同士を突合わせ、圧着しながら、５００℃〜７００
℃に加熱し、接合一体化する。この結果、互いの突合わ
せ面に形成されたガラス膜３７，３９同士は図６（ｂ）
に示すように融合する。

【００２６】なお、本実施例においては、一対のフェラ
イト基板２４，３５の両者にガラス膜３７，３９を形成
してこれらを融着させたが、フェライト基板２４，３５
の少なくとも一方のみにガラス膜を形成して融着させて
も良い。

【００２７】次に、この接合一体化された積層基板を、
作製する磁気ヘッドに付与するアジマス角と同じ角度を
持って図７中線Ａ−Ａ´，線Ｂ−Ｂ´，線Ｃ−Ｃ´で示
す位置で切断する。

【００２８】次いで、フェライトの不要部分を平面研削
盤等を用いて除去した後、各磁気コア半体ブロック４
０，４１に、図８及び図９に示すようにコイルを巻装す
るための巻線溝４２，４３とガラス融着する際のガラス
溝４４，４５をそれぞれの突合わせ面に形成する。

【００２９】上記巻線溝４２，４３とガラス溝４４，４
５は、いずれも断面略コ字状をなす溝として形成する
が、巻線溝４２，４３の一方の側面４２ａ，４３ａは磁
気ギャップｇのデプスを規制するために傾斜面とする。
なお、巻線溝４２，４３の他方の側面４２ｂ，４３ｂ
は、傾斜面又は垂直面のいずれでもよい。

【００３０】次に、図１０，１１に示すように上記各磁
気コア半体ブロック４０，４１に、ブロックの接合強度
を確保し、且つ磁気ヘッドのトラック幅を規制するため
のトラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及び４７ａ，４７ｂ
を形成する。

【００３１】かかるトラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及
び４７ａ，４７ｂは、金属磁性膜２５，２６の両側であ
ってこの金属磁性膜２５，２６に近接した位置に、金属
磁性膜２５，２６の一部を切り欠くようにそれぞれ断面
略台形状をなす溝としてブロック全体に亘って形成す
る。なお、トラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及び４７
ａ，４７ｂの金属磁性膜２５，２６側の一側面４６
ａ₁，４６ｂ₁及び４７ａ₁，４７ｂ₁は傾斜面となされて
おり、金属磁性膜２５，２６の幅を規制し、磁気ギャッ
プのトラック幅を規制するようになされている。

【００３２】次に、上記各磁気コア半体ブロック４０，
４１の突合わせ面であるギャップ形成面４０ａ，４１ａ
をポリッシング等によって鏡面加工する。

【００３３】そして、一方の磁気コア半体ブロック４０
のギャップ形成面４０ａ又は双方の磁気コア半体ブロッ
ク４０，４１のギャップ形成面４０ａ及び４１ａにギャ
ップ膜（図示は省略する。）を形成した後、図１２に示
すように、これら磁気コア半体ブロック４０，４１を、
それぞれの突き合わせ面に呈する金属磁性膜２５，２６
の端面同士を突き合わせて記録トラックの位置合わせを
行い、融着ガラス４８を流し込みながらギャップ融着す
る。

【００３４】この結果、これら磁気コア半体ブロック４
０，４１は、融着ガラス４８によって接合一体化され、
金属磁性膜２５，２６の突合わせ面間に記録再生ギャッ
プとして動作する磁気ギャップｇが構成される。

【００３５】この時、本実施例では、上記ギャップ融着
時における圧力Ｐを２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａの範囲と
して、磁気コア半体ブロック同士の融着を行う。かかる
範囲でギャップ融着すれば、磁気コア半体ブロックを構
成するフェライト基板及び金属磁性膜にギャップ融着に
よる残留応力が発生せず、またギャップ長が変化するこ
とがない。従って、磁気特性を損なうことがない。すな
わち、これらによって構成される磁気ヘッドの基板及び
金属磁性膜の磁気特性が低下することがなく、該磁気ヘ
ッドの電磁変換特性は良好なものとなる。

【００３６】そして、融着ガラス４８によって接合一体
化された磁気コア半体ブロックに、巻線補助溝を形成し
た後、磁気記録媒体摺動面に円筒研磨を行い当たり幅加
工を施し、所定チップ形状となるように切断する。この
結果、図１に示すような磁気ヘッドが完成する。

【００３７】ここで、実際に上述の工程を経て作成した
磁気ヘッドの電磁変換特性について実験調査を行った。
本実験例においては、基板として単結晶フェライトを用
い、磁性金属薄膜として厚さ３μｍのセンダスト（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ）膜を用い、絶縁膜として厚さ０．２μｍ
のＳｉＯ₂ 膜を用い、磁性金属薄膜を３層重ね、トラッ
ク幅５μｍの磁気ギャップを作製するものとし、下地膜
としては５０ｎｍ厚さのＳｉＯ₂ 膜を用いた。そして、
厚さ０．１μｍのＣｒ膜を下地膜として厚さ０．２μｍ
のＰｂ系ガラス膜を融着ガラスとしてスパッタリングし
た。他方のフェライト基板上にも同様に融着ガラスを形
成した。

【００３８】そして、ギャップ融着における圧力Ｐを変
化させて、磁気ヘッドの電磁変換特性に及ぼす影響につ
いて調査を行った。すなわち、圧力Ｐを１ＭＰａ，２Ｍ
Ｐａ，５ＭＰａ，１０ＭＰａ，２０ＭＰａ，４０ＭＰａ
と変化させて磁気ヘッドを作製し、それぞれの磁気ヘッ
ドの電磁変換特性を評価した。

【００３９】電磁変換特性の評価方法としては、以下の
ような方法を用いた。すなわち、磁気記録媒体として８
ｍｍ用塗布型テープを使用し、固定ヘッド方式の電磁変
換特性測定装置を用い、周波数１０ＭＨｚ，相対速度
７．５ｍ／ｓで自己録再を行い、再生出力を測定した。
結果を図１３に示す。なお、図１３中の再生出力は、ギ
ャップ融着の際の圧力Ｐが１０ＭＰａである磁気ヘッド
の再生出力を０ｄＢとした場合の相対出力として示す。

【００４０】図１３の結果を見てわかるように、ギャッ
プ融着時の圧力Ｐが２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａである磁
気ヘッドにおいては、その再生出力は安定している。と
ころが、圧力Ｐが１０ＭＰａよりも高いと、再生出力が
急激に減少する。これは、ギャップ融着の際の圧力によ
ってギャップ近傍における金属磁性膜及びフェライト基
板に残留応力が発生し、これらの磁気特性が低下し、磁
気ヘッドの電磁変換特性が低下するためと思われる。一
方、圧力Ｐが１０ＭＰａ以下であると、ギャップ近傍に
おける金属磁性膜及びフェライト基板への残留応力が低
減され、再生出力は向上する。また、圧力Ｐを２ＭＰａ
よりも低くすると、（図中斜線部にて示す。）ギャップ
が接合されず、ギャップが大きくなる。従って、ギャッ
プ融着時の圧力Ｐを２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａとするこ
とによって、ギャップ近傍の基板及び金属磁性膜に残留
応力が発生しないため、これらの磁気特性が低下するこ
とがなく、得られる磁気ヘッドの電磁変換特性が良好な
ものとなることが確認された。

【００４１】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、前述の
ように基板がフェライト材のみによって構成される磁気
ヘッドの他に、基板が非磁性材料とフェライト材の接合
材によって構成される図１４に示すような磁気ヘッドを
製造する際にも適用可能である。該磁気ヘッドは前述の
磁気ヘッドと同様に、金属磁性膜１０１，１０２がその
膜厚方向よりフェライト材よりなる第１の基板１０３，
１０４と第２の基板１０５，１０６によって挟み込まれ
てなる一対の磁気コア半体１０７，１０８からなり、こ
れら磁気コア半体１０７，１０８が上記金属磁性膜１０
１，１０２の端面同士を突合わせるようにして融着ガラ
ス１０９により接合一体化されて構成されている。な
お、各磁気コア半体１０７，１０８にはコイル巻き線溝
１１２，１１３、ガラス溝１２２，１２３、巻き線補助
溝１２０，１２１も設けられ、これらは前述の磁気ヘッ
ドに設けられるものと同様の役割を有する。

【００４２】この際、上記磁気ヘッドにおいては特に、
第１の基板１０３，１０４が磁気記録媒体と摺接する摺
接部１０３ａ，１０４ａが非磁性材Ｎよりなり、その他
の部分であるバック部１０３ｂ，１０４ｂが磁性材料Ｍ
からなっている。

【００４３】これら摺接部１０３ａ，１０４ａとバック
部１０３ｂ，１０４ｂとは、図１５にその接合部分を拡
大して示すように、Ｃｒよりなる下地膜１１４ａ，１１
４ｂを介してガラスをスパッタリングしてなるガラス膜
１１５によって接合一体化されている。摺接部１０３
ａ，１０４ａとガラス膜１１５間及びバック部１０３
ｂ，１０４ｂとガラス膜１１５間に介在される下地膜１
１４ａ，１１４ｂは、当該ガラス膜１１５の付着力の向
上或いは反応防止等を目的として設けられるものであ
る。なお、図１５には一方の磁気コア半体１０７のみを
示してあるが、他方の磁気コア半体１０８も同様の構成
である。

【００４４】上記ガラス膜１０５には、ガラスをスパッ
タリングして作成されたもの以外に、スピンコーティン
グ等によって塗布されたフリットガラスよりなる膜が使
用できる。そして、下地膜１１４ａ，１１４ｂには、Ｓ
ｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化
物膜、Ｃｒの他Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜或いはそれ
らを組合わせた積層膜等が使用できる。

【００４５】なお、上記摺接部１０３ａ，１０４ａに用
いられる非磁性材料Ｎには、例えばＣａＴｉＯ₃，Ｚｒ
Ｏ₂，ＢａＴｉＯ₂等のセラミックス或いは結晶化ガラ
ス、非磁性フェライト等が挙げられる。また、バック部
１０３ｂ，１０４ｂに用いられる磁性材料Ｍには、磁性
フェライト等が用いられる。

【００４６】一方、第２の基板１０５，１０６は、磁気
記録媒体と摺接する摺接部からバック部に至るまで全て
非磁性材料Ｎからなっている。この第２の基板１０５，
１０６には、例えばＣａＴｉＯ₃，ＺｒＯ₂，ＢａＴｉ
Ｏ₂等のセラミックス或いは結晶化ガラス、非磁性フェ
ライト等よりなる基板がいずれも使用できる。

【００４７】上記のような構成を有する磁気ヘッドを製
造するに際しても、前述の磁気ヘッドの製造方法の実施
例に準じて製造を行えば良く、同一部分を省略し、第１
の基板１０５，１０６に関する部分について述べる。

【００４８】先ず、図１６（ａ）に示すような長方形状
をなす非磁性基板１２９を用意する。そして、この非磁
性基板１２９の主面１２９ａをポリッシング等によって
鏡面加工した後、図１６（ｂ）に示すようにスパッタリ
ングによってガラス膜１３０を成膜する。その際、ガラ
ス膜１３０の付着力の向上或いは反応防止等を目的とし
て、Ｃｒよりなる下地膜１３１を成膜する。

【００４９】次に、図１７（ａ）に示すように、上記非
磁性基板１２９と接合一体化させるための磁性フェライ
ト基板１３２を用意する。そして、この磁性フェライト
基板１３２の主面１３２ａを鏡面加工した後、この主面
１３２ａに、図１７（ｂ）に示すようにしてＣｒよりな
る下地膜１３３を成膜し、その上にガラス膜１３４をス
パッタリングによって形成する。

【００５０】次いで、これら非磁性基板１２９と磁性フ
ェライト基板１３２を、そのガラス膜１３０，１３４同
士を突合わせ面として図１８（ａ）に示すように突合わ
せ、圧着しながら加熱を行い基板接合を行う。このと
き、互いの突合わせ面に形成されたガラス膜１３０，１
３４は、図１８（ｂ）に示すように、互いに溶け合って
融合し合う。この結果、非磁性基板１２９と磁性フェラ
イト基板１３２とが強固に接合一体化され、第１の基板
となる接合基板１３５が形成される。

【００５１】そして、上記接合基板１３５と非磁性基板
によって金属磁性膜を膜厚方向より挟み込んで一対の磁
気コア半体ブロックを形成し、ギャップ融着を行って図
１４に示すような磁気ヘッドを完成する。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、少なくともその一部がフェライト材よりなる基板
により金属磁性膜を膜厚方向より挟み込んでなる一対の
磁気コア半体をそれぞれの突き合わせ面に呈する金属磁
性膜の端面同士を突き合わせてギャップ融着する磁気ヘ
ッドの製造方法において、ギャップ融着時における圧力
Ｐを２ＭＰａ≦Ｐ≦１０ＭＰａとしているため、金属磁
性薄膜及び基板に残留応力が発生せず、またギャップ長
も一定となる。従って、金属磁性薄膜及び基板の磁気特
性を低下させることがなく、電磁変換特性の良好な磁気
ヘッドを形成することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法によっ
て形成される磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。

【図２】図１の磁気ヘッドにおける磁気記録媒体摺動面
部分を示す要部拡大断面図である。

【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法の一例
を工程順に示すもので、（ａ）はフェライト基板に金属
磁性膜を形成する工程を示す斜視図であり、（ｂ）は金
属磁性膜部分を示す要部拡大正面図である。

【図４】フェライト基板上に成膜された金属磁性膜上に
ガラス膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図である。

【図５】フェライト基板上にガラス膜を成膜する工程を
示す要部拡大正面図である。

【図６】（ａ）は金属磁性膜が形成されたフェライト基
板と他方のフェライト基板を接合する工程を示す斜視図
であり、（ｂ）はその接合部分を拡大して示す要部拡大
正面図である。

【図７】接合一体化された積層基板を切断する工程を示
す斜視図である。

【図８】一方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガラ
ス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図９】他方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガラ
ス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１０】一方の磁気コア半体ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１１】他方の磁気コア半体ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１２】磁気コア半体ブロック同士のギャップ融着工
程を示す斜視図である。

【図１３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法によ
って製造される磁気ヘッドの電磁変換特性を示す図であ
る。

【図１４】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法によ
って形成される磁気ヘッドの他の例を示す斜視図であ
る。

【図１５】図１４の磁気ヘッドにおける第１の基板の接
合部分を拡大して示す要部拡大断面図である。

【図１６】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法の他
の例を順次示すもので、（ａ）は接合基板作成のための
非磁性基板の斜視図であり、（ｂ）はこの非磁性基板に
ガラス膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図である。

【図１７】（ａ）は接合基板作成のための磁性フェライ
ト基板の斜視図であり、（ｂ）はこの磁性フェライト基
板にガラス膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図であ
る。

【図１８】（ａ）は非磁性基板と磁性フェライト基板を
接合して接合基板を作成する工程を示す斜視図であり、
（ｂ）はその接合基板の接合部分を拡大して示す要部拡
大平面図である。

【符号の説明】

１，２・・・金属磁性膜１ａ，１ｂ，１ｃ，２ａ，２ｂ，２ｃ・・・磁性金属薄
膜３，４・・・第１の基板５，６・・・第２の基板７，８・・・磁気コア半体９・・・融着ガラス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池田義人東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともその一部がフェライト材より
なる一対の基板により金属磁性膜を膜厚方向より挟み込
んでなる一対の磁気コア半体をそれぞれの突き合わせ面
に呈する金属磁性膜の端面同士を突き合わせてギャップ
融着する磁気ヘッドの製造方法において、ギャップ融着時における圧力Ｐを２ＭＰａ≦Ｐ≦１０Ｍ
Ｐａとしてギャップ融着することを特徴とする磁気ヘッ
ドの製造方法。