JPH0757210A

JPH0757210A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0757210A
Application number: JP20313593A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Saito; 正斎藤; Shinji Takahashi; 伸司高橋; Toshinobu Watanabe; 利信渡辺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-08-17
Filing date: 1993-08-17
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【構成】金属磁性膜１，２が磁性フェライト材よりな
る一対の基板３，５及び４，６により膜厚方向から挟み
込まれてなる一対の磁気コア半体７，８が、上記金属磁
性膜１，２を突き合わせるようにして接合一体化され、
これら金属磁性膜１，２の突き合わせ面間には磁気ギャ
ップｇが形成されている磁気ヘッドにおいて、金属磁性
膜１，２が磁気ヘッド走行方向Ｍに対して斜交して略一
直線状に連なるようにし、上記金属磁性膜１，２と磁気
ヘッド走行方向Ｍのなす角度θ₁ を１０゜≦θ₁ ≦１５
゜とする。この時、磁気ヘッドのチップ厚さＷを１００
μｍ≦Ｗ≦２５０μｍ、トラック幅ＴｗをＴｗ≦１５μ
ｍとし、アジマス角θ₂ を２０゜≦θ₂ としても良い。【効果】高帯域での高ヘッド出力が確保される。ま
た、金属磁性膜の偏摩耗によるヘッド出力の低下が防止
され、耐摩耗性も向上される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
等に用いられる磁気ヘッドに関するものであり、特に金
属磁性膜を一対の基板で挟持した一対の磁気コア半体を
接合一体化させてなる、いわゆる、ラミネートタイプの
磁気ヘッドの改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】１０〜５０ＭＨｚ以上の高帯域において
記録再生を行う磁気ヘッドとして、１〜５μｍ程度の磁
性金属薄膜を厚さ１００〜２００ｎｍ程度の絶縁膜と交
互に積層したものを磁気コアとする磁気ヘッドが実用に
供せられている。上記磁気ヘッドとしては、例えば、図
１６に示すように、セラミックス，結晶化ガラス等の非
磁性材基板１０１ａ，１０１ｂ，１０２ａ，１０２ｂに
よって前述の積層磁性膜である金属磁性膜１０３ａ，１
０３ｂを挟み込んだ磁気コア半体１０４，１０５を、金
属磁性膜１０３ａ，１０３ｂを突き合わせるようにして
接合一体化した、いわゆるラミネートタイプの磁気ヘッ
ドが知られている。

【０００３】上記ラミネートタイプの磁気ヘッドにおい
ては、金属磁性膜の突き合わせ面間に磁気ギャップが形
成され、該金属磁性膜の幅が磁気ギャップのトラック幅
となることから、挟トラック化が可能であり、高密度記
録が達成される。

【０００４】しかしながら、かかる磁気ヘッドにおい
て、さらなる高密度記録を達成するためにトラック幅を
さらに狭くする、すなわち金属磁性膜の幅をさらに狭め
て行くと、磁路を構成するコア断面積の減少によってヘ
ッド効率が劣化する。上記のような傾向は、トラック幅
を１５μｍ以下とした場合に特に顕著である。

【０００５】このため、従来においては、特開昭６３−
７４１０３号公報に示されるような基板に酸化物系磁性
材を使用した磁気ヘッドが提案されている。該磁気ヘッ
ドにおいては、コア断面積の確保によってヘッド効率の
劣化を防止しており、狭トラック化した場合でも、酸化
物系磁性基板が補助コアとして機能し、コア断面積が充
分に確保されることから、非磁性基板を用いた磁気ヘッ
ドに比べてヘッド効率の劣化を抑制することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】また、上記のようなラ
ミネート型の磁気ヘッドにおいては、情報信号を高密度
に記録させるために、磁気ギャップにアジマス角をもた
せている。すなわち、図１７に示すように、磁気コア半
体１０６，１０７の金属磁性膜１０８，１０９の突き合
わせ面間に形成される磁気ギャップｇにアジマス角をも
たせている。なお、前述の特開昭６３−７４１０３号公
報に示されるような磁気ヘッドにおいても同様であり、
該磁気ヘッドにおいては、上記金属磁性膜がアジマス角
を有する磁気ギャップｇに対して垂直方向に延在するよ
うにしている。

【０００７】そして、一般に、磁気ギャップにアジマス
角をもたせる場合、トラック幅を狭くするに伴いアジマ
ス角を大きくする必要があるとされており、例えば、前
記のようにトラック幅を１５μｍ以下とした場合におい
ては、アジマス角を２０゜以上とすることが好ましいと
されている。

【０００８】ところが、上記の特開昭６３−７４１０３
号公報に示されるような磁気ヘッドにおいてアジマス角
を２０゜以上とすると、以下のような不都合が生じる。
該磁気ヘッドは、ビデオテープレコーダに使用されるた
め、そのチップ厚が１００μｍ〜２５０μｍ程度に規制
されている。このような例えばチップ厚が１００μｍで
ある磁気ヘッドのアジマス角を２０゜以上とすると、金
属磁性膜が磁気ギャップｇに対して垂直方向に延在され
ていることから、図１８に示すように、金属磁性膜１０
８，１０９の配置位置が巻線溝１１０，１１１形成位置
と合致してしまい、金属磁性膜１０８，１０９が巻線溝
１１０，１１１付近で分断されてしまう。また、例えば
チップ厚が２５０μｍである磁気ヘッドのアジマス角を
２０゜以上とすると、図１９に示すように、金属磁性膜
１０８，１０９が巻線溝１１０，１１１によって分断さ
れることはないものの磁気コア半体１０６，１０７中に
形成される金属磁性膜１０８，１０９によって形成され
る磁路が極端に狭いものとなってしまう。従って、どち
らの場合においても上記磁気ヘッドの高帯域におけるヘ
ッド出力が低下するといった不都合が生じる。

【０００９】上記不都合を解消するために、上記磁気ヘ
ッドのチップ厚を厚くして、金属磁性膜によって形成さ
れる磁路を拡大することも提案されているが、磁気ヘッ
ド中の酸化物系磁性材料基板の体積の増大による磁気ヘ
ッドのインダクタンスの増加によって√Ｌ当たりのヘッ
ド出力の低下が発生する、或いは酸化物系磁性材料基板
の体積の増大による材料コストの増大が発生し、好まし
くない。

【００１０】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、チップ厚を１００μｍ以上２５０μ
以下とし、トラック幅を１５μｍ以下とし、アジマス角
を２０゜以上とした場合においても、高帯域において高
ヘッド出力を得ることの可能な磁気ヘッドを提供するこ
とを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、磁性フェライト材よりなる一対の基板に
より金属磁性膜を膜厚方向より挟み込んでなる一対の磁
気コア半体が、上記金属磁性膜を突き合わせるようにし
て接合一体化されており、これら金属磁性膜の突き合わ
せ面間に磁気ギャップが形成されている磁気ヘッドにお
いて、前記一対の磁気コア半体の金属磁性膜が磁気ヘッ
ド走行方向に対して斜交して略一直線状に連なってお
り、上記金属磁性膜とヘッド走行方向のなす角度をθ₁
としたときに１０゜≦θ₁ ≦１５゜であることを特徴と
するものである。

【００１２】すなわち、本発明の磁気ヘッドは、ラミネ
ート型の磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜を磁気ギャッ
プと直交させるのではなく、斜交するように配置し、す
なわち磁気ヘッド走行方向とも斜交するように配置し、
該金属磁性膜の磁気ヘッド走行方向に対する角度を規制
することによって、金属磁性膜の配置位置を制御し、巻
線溝において金属磁性膜が途切れる、或いは金属磁性膜
によって形成される磁路が極端に狭くなるようなことが
ないようにし、高帯域においても高ヘッド出力を確保す
るようにしたものである。

【００１３】また、本発明は上記のような磁気ヘッドに
おいて、トラック幅方向におけるチップ厚をＷとしたと
きに１００μｍ≦Ｗ≦２５０μｍであること、磁気ギャ
ップのトラック幅をＴｗとしたときにＴｗ≦１５μｍ、
磁気ギャップのアジマス角をθ₂ としたときに２０゜≦
θ₂ であることを特徴とするものである。

【００１４】さらに本発明は、上記のような磁気ヘッド
において、磁気ギャップ近傍にガラスが充填されている
こと、磁気ギャップのトラック幅規制溝が、基板と金属
磁性膜を同時に溝加工することにより形成されているこ
とを特徴とするものである。

【００１５】

【作用】本発明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コ
ア半体の金属磁性膜が磁気ヘッド走行方向に対して斜交
して略一直線状に連なっており、上記金属磁性膜とヘッ
ド走行方向のなす角度をθ₁ としたときに１０゜≦θ₁
≦１５゜であるため、例えば、チップ厚Ｗを１００μｍ
≦Ｗ≦２５０μｍとし、トラック幅ＴｗをＴｗ≦１５μ
ｍとし、アジマス角θ₂ を２０゜≦θ₂ とした場合にお
いても、巻線溝において金属磁性膜が途切れる、或いは
金属磁性膜によって形成される磁路が極端に狭くなるよ
うなことがないため、高帯域においても高ヘッド出力が
確保される。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１７】本実施例の磁気ヘッドは、図１及び図２に
示すように、金属磁性膜１，２がその膜厚方向より磁性
フェライト材よりなる第１の基板３，４と第２の基板
５，６によって挟み込まれてなる一対の磁気コア半体
７，８からなり、これら磁気コア半体７，８が上記金属
磁性膜１，２同士を突合わせるようにして融着ガラス９
により接合一体化されて構成されている。このとき、上
記金属磁性膜１，２は、図中Ｍで示す磁気ヘッド走行方
向に対して角度θ₁ で斜交して略一直線状に連なるよう
になされている。そして、上記金属磁性膜１，２の突き
合わせ面間には、アジマス角θ₂ を有する磁気ギャップ
ｇが形成されている。

【００１８】上記のように磁気コア半体７，８は、主コ
アとなる金属磁性膜１，２とこれを膜厚方向より挾み込
む補助コアとなる第１の基板３，４と第２の基板５，６
とから構成され、該第２の基板５，６の一主面に被着形
成される金属磁性膜１，２を挾み込むようにして第１の
基板３，４が積層されることにより接合一体化されてい
る。

【００１９】上記金属磁性膜１，２は、高周波特性を向
上させる目的で膜厚の薄い磁性金属薄膜が絶縁膜を介し
て積層されてなる積層メタル膜とされている。

【００２０】上記磁性金属薄膜を構成する材料として
は、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）やＦｅ−Ｒｕ−Ｇ
ａ−Ｓｉ、又はこれらにＯ，Ｎ等を添加した結晶質磁性
金属材料或いはＦｅ系又はＣｏ系の微結晶磁性金属材料
等が挙げられる。また、上記磁性金属薄膜の膜厚は、高
周波特性の向上のために１層当たり２〜５μｍとするこ
とが望ましい。

【００２１】また、一方の絶縁膜としては、例えばＳｉ
Ｏ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜やＳｉ₃Ｎ₄等の窒化物
膜等が使用される。上記絶縁膜の膜厚としては、例えば
０．１〜０．３μｍ程度が好ましい。

【００２２】なお、本実施例においては、磁性金属薄膜
としてセンダスト膜、絶縁膜としてＳｉＯ₂膜を使用し
た。そのときの膜厚は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔ
ｗを１５μｍとするために、一層あたりの磁性金属薄膜
を３μｍとし、絶縁膜を０．２μｍとして６層形成し
た。

【００２３】また、第１の基板３，４及び第２の基板
５，６は、前述のように磁性フェライト材よりなる。上
記磁性フェライト材としては、単結晶フェライト、多結
晶フェライト、単結晶フェライトと多結晶フェライトの
接合材、面指数の異なる単結晶フェライトの接合材の何
れを用いても良い。なお、本実施例においては、単結晶
フェライトを用いた。

【００２４】そして、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗを規制するため
に、磁気コア半体７，８の突き合わせ面に磁性フェライ
ト材よりなる第１の基板３，４及び第２の基板５，６を
切り欠くようなトラック幅規制溝１０ａ，１０ｂ，１１
ａ，１１ｂを設けており、これらによる溝部にも融着ガ
ラス９が充填されている。なお、本実施例の磁気ヘッド
においては、第１の基板３，４及び第２の基板５，６の
厚さを調整して、チップ厚Ｗが２００μｍとなるように
した。

【００２５】さらに、磁気コア半体７，８の突き合わせ
面側にはコイル巻装用の巻き線溝１２，１３、ガラス溝
１４，１５が設けられており、磁気コア半体７，８の接
合強度を確保するため、これらにも融着ガラス９が溶融
充填されている。また、この磁気ヘッドにおいては、磁
気記録媒体と摺接する磁気記録媒体摺接面の両側に段差
部１６ａ，１６ｂが設けられ、磁気記録媒体に対する当
たり幅Ｈが規制されるとともに、巻線溝１２，１３に形
成されたコイルの巻装状態を良好なものとなすためにこ
の巻線溝１２，１３と相対向する位置に巻線補助溝１
７，１８が形成されている。なお、本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、当たり幅Ｈを８０μｍとしている。

【００２６】このとき、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、前述のように、上記金属磁性膜１，２が、図中Ｍで
示す磁気ヘッド走行方向に対して角度θ₁ で斜交して略
一直線状に連なるようになされ、これらの突き合わせ面
間には、アジマス角θ₂ を有する磁気ギャップｇが形成
されている。そして、磁気ギャップｇのアジマス角θ ₂
を２０゜とし、金属磁性膜１，２が磁気ヘッド走行方向
Ｍに対して斜交する角度θ₁ を１０゜≦θ₁ ≦１５゜の
範囲としている。

【００２７】従って、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、金属磁性膜は磁気ギャップｇ及び磁気ヘッド走行方
向と一致しておらず、斜めに配置されており、且つ上記
金属磁性膜の磁気ヘッド走行方向Ｍに対して斜交する角
度θ₁ が１０゜≦θ₁ ≦１５゜とされて該金属磁性膜の
配置方向が制御されている。すなわち、チップ厚Ｗを従
来の厚さとしたままで、トラック幅Ｔｗを１５μｍ以下
と挟トラック化し、磁気ギャップｇのアジマス角θ₂ を
２０゜とした場合においても、金属磁性膜は巻線溝を取
り囲む形で連続して磁路を構成しており、金属磁性膜が
巻線溝によって分断される、金属磁性膜によって構成さ
れる磁路が極端に狭くなるといったことがなく、金属磁
性膜の有する高透磁率特性がいかんなく発揮され、高帯
域における高ヘッド出力が確保される。

【００２８】次いで、前述した図１の磁気ヘッドを製造
する方法について工程順に従って説明する。先ず、図３
に示すように、単結晶フェライトよりなる磁性フェライ
ト基板２１を用意し、この磁性フェライト基板２１の両
面をポリッシング加工等によって鏡面加工する。次に、
図４に示すように、上記磁性フェライト基板２１の一方
の面に、スパッタリングにより金属磁性膜２２を被着形
成する。

【００２９】上記金属磁性膜２２を形成するに際して
は、磁性フェライト基板２１との付着力向上等のため
に、磁性フェライト基板２１上に下地膜を予め形成して
おいても良く、該下地膜としては、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ
₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合金膜、或いは
それらを組合わせた積層膜等が使用される。なお、本実
施例においては、膜厚５０ｎｍのＳｉＯ₂膜を使用し
た。

【００３０】そして、金属磁性膜２２は、高周波特性を
向上させるために、ＳｉＯ₂ よりなる絶縁膜を介して膜
厚の薄いセンダストよりなる磁性金属薄膜を何層にも積
層することにより形成する。なお、金属磁性膜２２の厚
さは、後行程においてトラック幅規制溝を形成する必要
があることから目的とする記録トラック幅の１．２〜３
倍とすることが好ましく、本実施例の磁気ヘッドを形成
するに際しては、トラック幅１５μｍの磁気ギャップを
形成するために膜厚０．２μｍの絶縁膜を介して一層あ
たりの膜厚３μｍの磁性金属薄膜を６層重ねた。

【００３１】さらに、上記磁性フェライト基板２１上の
金属磁性膜２２の上及びその反対面上に、図５に示すよ
うに低融点ガラス膜２３を成膜する。このとき、金属磁
性膜２２及び磁性フェライト基板２１と低融点ガラス膜
２３の反応を防止するために下地膜を形成しても良く、
該下地膜としては、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物
膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｐｔ等の金
属膜及びこれらの合金膜、或いはそれらを組合わせた積
層膜等が使用できる。なお、本実施例においては、下地
膜として膜厚０．１μｍのＣｒ膜を形成した。

【００３２】上記低融点ガラス膜２３としては、低融点
ガラスをスパッタリングして形成したもの、或いはフリ
ットガラスをスピンコーティング等によって塗布して形
成したものが使用でき、その膜厚としては、０．１μｍ
〜０．５μｍが好ましい。本実施例においては、低融点
ガラス膜２３は膜厚０．２μｍのＰｂＯ系の低融点ガラ
スをスパッタリングによって形成するものとした。

【００３３】なお、本実施例においては、低融点ガラス
膜２３を磁性フェライト基板２１の両面に形成したが、
上記低融点ガラス膜２３はどちらか一方の面のみに形成
すれば良い。

【００３４】そして、上記のように金属磁性膜２２及び
低融点ガラス膜２３の形成された磁性フェライト基板２
１を図６に示すように（以降、低融点ガラス膜２３の図
示は省略する。）複数積層し、加圧しながら５００℃〜
７００℃に加熱して複数の磁性フェライト基板２１の接
合を行い、磁気コアブロック２４を形成する。このと
き、複数の磁性フェライト基板２１は、図中αで示す傾
斜角を有して積層形成する。なお、傾斜角αは下記の式
１により求められる角度である。

【００３５】α＝θ₂ −θ₁ ・・・（式１）

【００３６】これは、後工程において磁気コアブロック
２４の切断を行う際の廃棄部分の量を低減して製造コス
トを削減するためであり、傾斜角αを有しない状態で積
層しても良い。

【００３７】次に、図７に示すように、磁気コアブロッ
ク２４中の磁性フェライト基板２１の積層によって段差
部となっている両側面を傾斜角αを有する面となるよう
に切断し、これらの面に沿った切断面にて磁気コアブロ
ック２４を２分割し、磁気コア半体ブロック２５，２６
を形成する。そして、切断面を研磨し、図８に示すよう
に巻線溝２７，２８を形成する。しかる後、この切断面
において、図９に示すように磁性フェライト基板２１と
金属磁性膜２２の境界線に沿って金属磁性膜２２の一側
縁にかかるような位置で巻線溝２７，２８と直交するよ
うに溝加工を行ってトラック幅規制溝２９，３０を切削
もしくは研削により形成する。

【００３８】そして、上記磁気コア半体ブロック２５，
２６の突き合わせ面に鏡面加工を行い、ギャップ膜を形
成した後、図１０に示すように、磁気コア半体ブロック
２５，２６の接合を行う。この際、上記磁気コア半体の
トラックの位置合わせを行った後、両磁気コアブロック
２５，２６を突き合わせ、先の低融点ガラスよりもさら
に低融点のガラス３１で融着すると、前記トラック幅規
制溝２９，３０中にもガラス３１が流れ込み、磁気コア
半体ブロック２５，２６が接合され、突き合わせ面間に
磁気ギャップｇを有する磁気ヘッドブロック３２が形成
される。

【００３９】次いで、巻線補助溝の加工，磁気記録媒体
摺接面の円筒研磨を行った後、図１１に示すように、磁
気ギャップｇがアジマス角θ₂ を有するように磁気ヘッ
ドブロック３２を傾け、図中Ｘ−Ｘ’及びＹ−Ｙ’線で
示す位置でスライシングして分離する。そして、磁気記
録媒体との当たり幅を規定する段差部の加工を行い、先
の実施例の磁気ヘッドを完成する。

【００４０】そこで、本実施例の磁気ヘッドの効果を確
認すべく、以下のような実験を行った。すなわち、磁気
ヘッドの金属磁性膜が磁気ヘッド走行方向に対して斜交
する角度θ₁ を変化させて磁気ヘッドを作製し、各磁気
ヘッドの周波数に対するヘッド出力を測定した。

【００４１】各磁気ヘッドのチップ厚Ｗを２００μｍと
し、当たり幅Ｈを８０μｍとし、トラック幅Ｔｗを１５
μｍとし、磁気ギャップのアジマス角θ₂ を２０゜とし
て、金属磁性膜の斜交する角度θ₁ を０゜，５゜，１０
゜，１５゜，２０゜，２５゜とした磁気ヘッドサンプル
１〜６を作製し、各磁気ヘッドのヘッド出力を測定し
た。各磁気ヘッドサンプル１〜６は、前述の製造工程中
の磁性フェライト基板を積層する際の傾斜角αをそれぞ
れ２０゜，１５゜，１０゜，５゜，０゜，−５゜（図
６，７中に示す傾斜角の方向を正の方向とする。）とし
て磁気コアブロックを形成して製造を行った。

【００４２】なお、ヘッド出力は、各磁気ヘッドの金属
磁性膜の偏摩耗が発生しない程度の測定時間内にて測定
するものとした。結果を図１２に示す。図１２の横軸は
周波数を示し、縦軸はヘッド出力（相対出力）を示す。
磁気ヘッドサンプル１〜３の結果は略同等であり、図中
実線で示し、磁気ヘッドサンプル４の結果は図中破線で
示し、磁気ヘッドサンプル５の結果は図中一点鎖線で示
し、磁気ヘッドサンプル６の結果は図中二点鎖線で示
す。図１２の結果を見てわかるように、角度θ₁が０゜
〜１５゜である磁気ヘッドサンプル１〜４においては略
同等のヘッド出力が得られたが、角度θ₁ が２０゜以上
である磁気ヘッドサンプル５，６においては高帯域での
ヘッド出力の低下が見られた。

【００４３】これは、以下の理由によるものである。角
度θ₁ が０゜である磁気ヘッドサンプル１においては、
金属磁性膜による磁路が十分に確保されており、また、
角度θ₁ が５゜〜１５゜である磁気ヘッドサンプル２〜
４においては、例えば図１３に示す（図１３には磁気ヘ
ッドサンプル４の磁気ギャップｇ近傍部を示す。）よう
に、金属磁性膜１，２の配設位置が図中破線で示す巻線
溝１２，１３形成位置と合致することがなく、金属磁性
膜１，２が分断される、金属磁性膜１，２によって形成
される磁路が極端に狭くなることがなく、金属磁性膜
１，２の有する高透磁率特性がいかんなく発揮され、高
帯域における高ヘッド出力が確保される。

【００４４】しかしながら、角度θ₁ が２０゜，２５゜
である磁気ヘッドサンプル５，６においては、例えば図
１４に示す（図１４には磁気ヘッドサンプル６の磁気ギ
ャップｇ近傍部を示す。）ように、金属磁性膜４１，４
２の配設位置と図中破線で示す巻線溝５２，５３の形成
位置が非常に近いものとなるため、金属磁性膜４１，４
２によって形成される磁路が巻線溝５２，５３形成位置
において極端に狭くなり、高帯域におけるヘッド出力が
確保できなくなるためであると思われる。

【００４５】ところで、これまで述べてきたようなラミ
ネート型の磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体摺接面
が磁性フェライト基板と金属磁性膜によって構成されて
おり、金属磁性膜を構成する磁性金属材料の耐摩耗性が
磁性フェライト基板を構成する磁性フェライト材料と比
較して低いことから、磁気記録媒体と長時間摺接すると
金属磁性膜の偏摩耗が発生し易いといった不都合があ
る。上記金属磁性膜の偏摩耗が発生すると、スペーシン
グロスによりヘッド出力が低下してしまう。

【００４６】そこで、上記各磁気ヘッドサンプル１〜６
における磁気記録媒体に対するヘッド摺接時間とヘッド
出力の関係を調査した。結果を図１５に示す。図１５の
横軸はヘッド摺接時間を示し、縦軸はヘッド出力の低下
量を示す。図を見てわかるように、金属磁性膜が磁気ヘ
ッド走行方向に対して斜交する角度θ₁ が０゜，５゜で
ある磁気ヘッドサンプル１，２においては、磁気記録媒
体とのヘッド摺接時間の増加に伴い、ヘッド出力が著し
く低下した。一方、角度θ₁ が１０゜，１５゜，２０
゜，２５゜である磁気ヘッドサンプル３，４，５，６に
おいては、ヘッド摺接時間が増加してもヘッド出力はさ
ほど低下しないことが確認された。

【００４７】これは、角度θ₁ が０゜，５゜である磁気
ヘッドサンプル１，２においては、磁気ヘッド走行方向
と略同方向に金属磁性膜が配置されており、磁気記録媒
体摺接面中に占める磁性金属材料の割合が大きく、金属
磁性膜の偏摩耗が発生し易く、スペーシングロスが発生
しやすいためである。また、角度θ₁ が１０゜，１５
゜，２０゜，２５゜である磁気ヘッドサンプル３，４，
５，６においては、磁気ヘッド走行方向に斜交した方向
に金属磁性膜が配置されており、磁気記録媒体摺接面中
に占める磁性金属材料の割合が小さく、金属磁性膜の偏
摩耗が発生しにくく、スペーシングロスが発生しにくい
ためである。

【００４８】なお、角度θ₁ が０゜である磁気ヘッドサ
ンプル１と角度θ₁ が１０゜である磁気ヘッドサンプル
３の耐摩耗性を比較したところ、磁気ヘッドサンプル３
の方が３０％高い耐摩耗性を示した。従って、本実施例
の磁気ヘッドにおいて、角度θ₁ を１０゜以上とするこ
とで、耐摩耗性も大きく向上されることも確認された。

【００４９】従って、上記のような磁気ヘッドにおいて
は、金属磁性膜による磁路を十分に確保するといった理
由から、金属磁性膜の磁気ヘッド走行方向に対する角度
θ₁を１５゜以下とすることが好ましく、金属磁性膜の
偏摩耗を防止する、耐摩耗性を向上するといった理由か
ら、角度θ₁ を１０゜以上とすることが好ましいことが
確認された。すなわち、上述の本実施例の磁気ヘッドに
おいては、トラック幅を１５μｍと挟トラック化し、ア
ジマス角θ₂ を２０゜以上とし、チップ厚を従来のよう
に２００μｍとした場合においても、高帯域における高
ヘッド出力が確保され、偏摩耗によるヘッド出力の低下
が防止されることが確認された。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体の金属
磁性膜が磁気ヘッド走行方向に対して斜交して略一直線
状に連なっており、上記金属磁性膜とヘッド走行方向の
なす角度をθ₁ としたときに１０゜≦θ₁ ≦１５゜であ
るため、例えば、チップ厚Ｗを１００μｍ≦Ｗ≦２５０
μｍとし、トラック幅ＴｗをＴｗ≦１５μｍとし、アジ
マス角θ₂ を２０゜≦θ ₂ とした場合においても、巻線
溝において金属磁性膜が途切れる、或いは金属磁性膜に
よって形成される磁路が極端に狭くなるようなことがな
いため、高帯域においても高ヘッド出力が確保される。

【００５１】また、本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜が磁気ヘッド走行方向に対して斜交して形成さ
れるため、磁気記録媒体摺接面に金属磁性膜が占める割
合が小さくなり、金属磁性膜の偏摩耗によるヘッド出力
の低下が防止され、耐摩耗性も向上される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。

【図２】図１の磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍部を示す
平面図である。

【図３】図１の磁気ヘッドを製造する方法を工程順に示
すものであり、磁性フェライト基板に鏡面加工を行う工
程を示す斜視図である。

【図４】磁性フェライト基板上に金属磁性膜を形成する
工程を示す斜視図である。

【図５】低融点ガラス膜を形成する工程を示す斜視図で
ある。

【図６】磁気コアブロックを形成する工程を示す斜視図
である。

【図７】磁気コア半体ブロックを形成する工程を示す斜
視図である。

【図８】磁気コア半体ブロックに巻線溝を形成する工程
を示す斜視図である。

【図９】磁気コア半体ブロックにトラック幅規制溝を形
成する工程を示す斜視図である。

【図１０】磁気コア半体ブロックを接合する工程を示す
斜視図である。

【図１１】磁気ヘッドブロックをスライシングする工程
を示す平面図である。

【図１２】周波数とヘッド出力の関係を示す図である。

【図１３】磁気ヘッドサンプル３の磁気ギャップ近傍部
を示す平面図である。

【図１４】磁気ヘッドサンプル６の磁気ギャップ近傍部
を示す平面図である。

【図１５】ヘッド摺接時間とヘッド出力の低下量の関係
を示す図である。

【図１６】従来の磁気ヘッドの一例を示す斜視図であ
る。

【図１７】従来の磁気ヘッドの他の例を示す斜視図であ
る。

【図１８】従来の磁気ヘッドのさらに他の例を示す斜視
図である。

【図１９】従来の磁気ヘッドのさらに他の例を示す斜視
図である。

【符号の説明】

１，２・・・金属磁性膜３，４，５，６・・・基板７，８・・・磁気コア半体ｇ・・・磁気ギャップＭ・・・磁気ヘッド走行方向 θ₁ ・・・角度 θ₂ ・・・アジマス角Ｗ・・・チップ厚Ｔｗ・・・トラック幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性フェライト材よりなる一対の基板に
より金属磁性膜を膜厚方向より挟み込んでなる一対の磁
気コア半体が、上記金属磁性膜を突き合わせるようにし
て接合一体化されており、これら金属磁性膜の突き合わ
せ面間に磁気ギャップが形成されている磁気ヘッドにお
いて、前記一対の磁気コア半体の金属磁性膜が磁気ヘッド走行
方向に対して斜交して略一直線状に連なっており、上記金属磁性膜とヘッド走行方向のなす角度をθ₁ とし
たときに１０゜≦θ₁≦１５゜であることを特徴とする
磁気ヘッド。
【請求項２】トラック幅方向におけるチップ厚をＷと
したときに１００μｍ≦Ｗ≦２５０μｍであることを特
徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】磁気ギャップのトラック幅をＴｗとした
ときにＴｗ≦１５μｍ、磁気ギャップのアジマス角をθ
₂ としたときに２０゜≦θ₂ であることを特徴とする請
求項１又は２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】磁気ギャップ近傍にガラスが充填されて
いることを特徴とする請求項１，２又は３記載の磁気ヘ
ッド。
【請求項５】磁気ギャップのトラック幅規制溝が、基
板と金属磁性膜を同時に溝加工することにより形成され
ていることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の
磁気ヘッド。