JPH06338023A

JPH06338023A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH06338023A
Application number: JP12751793A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Ogata; 誠一小形; Tadashi Saito; 正斎藤; Shinji Takahashi; 伸司高橋; Toshinobu Watanabe; 利信渡辺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-05-28
Filing date: 1993-05-28
Publication date: 1994-12-06

Abstract

(57)【要約】【構成】磁性金属薄膜が絶縁膜を介して積層された積
層磁性膜１，２がその膜厚方向より少なくとも磁性フェ
ライトよりなる第１の基板３，４と第２の基板５，６に
よって挟み込まれてなる磁気コア半体７，８を上記積層
磁性膜１，２を突き合わせるようにして接合一体化した
磁気ヘッドにおいて、少なくとも積層磁性膜１，２の突
き合わせ側の端面に磁性金属膜１０１，１０２を設け、
その磁気ギャップのトラック幅Ｔｗを１３μｍ以下とす
る。【効果】高密度記録が達成され、積層磁性膜１，２の
突き合わせ側の端面にて形成されるギャップ部の実質的
なトラック幅の減少が抑えられ、再生出力が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ等に搭載される磁気ヘッドに関し、特に高密度磁
気記録用ヘッドとして好適な磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、磁気記録の分野においては、高
周波特性に優れる高密度記録用の磁気ヘッドとして膜厚
の薄い磁性金属薄膜を絶縁膜を介して何層にも積層して
なる、いわゆる積層型の金属磁性膜（以下、積層磁性膜
と称する。）を用いた磁気ヘッドの開発が行われてい
る。かかる磁気ヘッドの一例として、上記積層磁性膜を
非磁性材料よりなる基板によって膜厚方向より挟み込ん
でなる磁気コア半体同士を、積層磁性膜を突き合わせる
ようにして接合一体化した、いわゆるラミネートタイプ
の磁気ヘッドが挙げられる。

【０００３】上記ラミネートタイプの磁気ヘッドにおい
ては、積層磁性膜の突き合わせ面間に磁気ギャップが形
成され、該積層磁性膜の幅が磁気ギャップのトラック幅
となることから、挟トラック化が可能であり、高密度記
録が達成される。

【０００４】しかしながら、かかる磁気ヘッドにおい
て、さらなる高密度記録を達成するためにトラック幅を
さらに狭くする、すなわち積層磁性膜の幅をさらに狭め
て行くと、磁路を構成するコア断面積の減少によってヘ
ッド効率が劣化する。上記のような傾向は、トラック幅
を１３μｍ以下とした場合に特に顕著である。

【０００５】このため、従来においては、コア断面積の
確保によってヘッド効率の劣化を防止すべく、基板に磁
性フェライトを使用する方法が提案されている。この方
法によれば、狭トラック化した場合でも、磁性フェライ
ト基板が補助コアとして機能し、コア断面積が充分に確
保されることから、非磁性基板を用いた磁気ヘッドに比
べてヘッド効率の劣化を抑制することができる。

【０００６】ところで、上記のような磁気ヘッドは次の
ようにして形成される。先ず、一方の磁性フェライト基
板上に、膜厚の薄い磁性金属薄膜を絶縁膜を介して何層
にも積層した積層メタル膜である積層磁性膜を形成し、
これに他方の磁性フェライト基板を接合して磁気コア半
体を形成する。次に、上記磁気コア半体とこれと同様に
形成される磁気コア半体同士を、互いの突き合わせ面に
呈する積層磁性膜の端面同士を突き合わせ、ギャップ膜
を介してガラスによりギャップ融着し、接合一体化して
磁気ヘッドを完成する。ただし、上記磁気ヘッドにおい
ては基板が磁性フェライトで構成されていることから、
積層磁性膜の突き合わせ側の端面の幅（トラック幅）を
規制する必要がある。

【０００７】そこで、上記のような磁気ヘッドの積層磁
性膜の突き合わせ側の端面の幅を規制する方法として次
のような方法が挙げられる。先ず、一対の磁性フェライ
ト基板の磁気ギャップ近傍となる部分を機械加工等によ
り予め除去し、そこに非磁性材を充填する。そして、こ
のうち一方の磁性フェライト基板上に積層磁性膜を形成
し、他方の磁性フェライト基板と接合した後、積層磁性
膜のトラック幅方向に平行な面で切断を行う。その結
果、切断面（突き合わせ面）には非磁性材と積層磁性膜
が露出し、該積層磁性膜の突き合わせ側の端面の幅が規
制されることとなる。ところが、この方法では磁気ヘッ
ドの製造工程が煩雑となるばかりでなく、積層磁性膜を
スパッタリングするためにフェライト基板とこれに充填
されている非磁性材に平面研削を行うと、これらの間に
段差が生じ、形成される積層磁性膜の膜特性に影響を及
ぼしてしまう。

【０００８】上記問題を解決する方法として、一方のフ
ェライト基板にスパッタリング等によって積層磁性膜を
形成し、これと他方のフェライト基板を接合した後に、
積層磁性膜の突き合わせ側の端面を所定トラック幅に規
制できるようなトラック幅規制溝を磁気ギャップ近傍と
なる部分に形成する方法が提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な積層磁性膜を用いた磁気ヘッドにおいては、当然のこ
とながら、積層磁性膜の突き合わせ側の端面であるギャ
ップ部に磁性金属薄膜と絶縁膜が露呈することとなる。
この時、上記ギャップ部中の非磁性の絶縁膜で構成され
る部分は磁路として機能しないことから、ギャップ部の
実質的なトラック幅は、積層磁性膜の突き合わせ側の端
面の幅によって決定される見かけ上のトラック幅よりも
小さいものとなってしまい、再生出力が低下するという
不都合が生じている。このような傾向は、前述のように
トラック幅を１３μｍ以下とした場合に特に顕著であ
る。

【００１０】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、高密度記録化に対応可能であり、実
質的なトラック幅の減少が抑えられ、再生出力の向上し
た磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、磁性金属薄膜が絶縁膜を介して積層され
てなる積層磁性膜を少なくとも磁性フェライト材よりな
る一対の基板により膜厚方向より挟み込んでなる一対の
磁気コア半体が、上記積層磁性膜を突き合わせるように
接合一体化されて閉磁路を構成する磁気ヘッドにおい
て、少なくとも、積層磁性膜の突き合わせ側の端面に磁
性金属膜が形成されており、磁気ギャップのトラック幅
をＴｗとしたときに、Ｔｗ≦１３μｍであることを特徴
とするものである。

【００１２】

【作用】本発明においては、磁性金属薄膜が絶縁膜を介
して積層されてなる積層磁性膜の突き合わせ側の端面に
磁性金属膜が形成されているため、ギャップ部が磁性金
属膜のみによって構成される。従って、上記ギャップ部
全体が磁路として機能し、ギャップ部の実質的なトラッ
ク幅の減少が抑制される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ヘッドは、図１に示すように、積層磁性膜１，２がそ
の膜厚方向より磁性フェライト材よりなる第１の基板
３，４と第２の基板５，６によって挟み込まれてなる一
対の磁気コア半体７，８からなり、これら磁気コア半体
７，８の突き合わせ面にはそれぞれ磁性金属膜１０１，
１０２が形成されており、上記磁性金属膜１０１，１０
２を突合わせるようにして融着ガラス９により接合一体
化されて構成されている。なお、上記磁気コア半体７，
８の突き合わせ面間には磁気ギャップｇが形成されてい
る。

【００１４】上記のように磁気コア半体７，８は、主コ
アとなる積層磁性膜１，２とこれを膜厚方向より挾み込
む補助コアとなる第１の基板３，４と第２の基板５，６
とから構成され、該第２の基板５，６の一主面に被着形
成される積層磁性膜１，２を挾み込むようにして第１の
基板３，４が積層されることにより接合一体化されてい
る。

【００１５】上記積層磁性膜１，２は、図２に示すよう
に、高周波特性を向上させる目的で膜厚の薄い磁性金属
薄膜１ａ，１ｂ，１ｃ及び２ａ，２ｂ，２ｃが絶縁膜１
０ｂ ₁，１０ｂ₂，１１ｂ₁，１１ｂ₂を介して積層されて
なる積層メタル膜とされている。そして、上記第２の基
板５，６と磁性金属薄膜１ａ，２ａとの界面には、これ
らの付着力の向上並びに反応防止として機能する下地膜
１０ａ，１１ａが成膜されている。

【００１６】なお、上記磁性金属薄膜１ａ，１ｂ，１ｃ
及び２ａ，２ｂ，２ｃを構成する材料としては、センダ
スト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）やＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ、
又はこれらにＯ，Ｎ等を添加した結晶質磁性金属材料或
いはＦｅ系又はＣｏ系の微結晶磁性金属材料等が挙げら
れる。また、上記磁性金属薄膜の膜厚は、高周波特性の
向上のために１層当たり２〜５μｍとすることが望まし
い。

【００１７】また、一方の絶縁膜１０ｂ₁，１０ｂ₂，１
１ｂ₁，１１ｂ₂としては、例えばＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅
等の酸化物膜やＳｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜等が使用され
る。上記絶縁膜の膜厚としては、例えば０．１〜０．３
μｍ程度が好ましい。

【００１８】さらに、下地膜１０ａ，１１ａには、第２
の基板５，６と磁性金属薄膜１ａ，２ａの付着力を高め
る必要性から、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金
属膜及びそれらの合金膜、或いはそれらを組合わせた積
層膜等が使用される。

【００１９】なお、本実施例においては、磁性金属薄膜
１ａ，１ｂ，１ｃ及び２ａ，２ｂ，２ｃとしてセンダス
ト膜、絶縁膜１０ｂ₁，１０ｂ₂，１１ｂ₁，１１ｂ₂とし
てＳｉＯ₂膜を使用した。そのときの膜厚は、図２中Ｔ
ｗで示す磁気ギャップｇのトラック幅を５μｍとするた
めに、一層あたりの磁性金属薄膜１ａ，１ｂ，１ｃ及び
２ａ，２ｂ，２ｃを３μｍとし、絶縁膜１０ｂ₁，１０
ｂ₂，１１ｂ₁，１１ｂ₂を０．２μｍとした。また、下
地膜１０ａ，１１ａとして、膜厚５０ｎｍのＳｉＯ₂膜
を用いた。

【００２０】また、第１の基板３，４及び第２の基板
５，６は、前述のように磁性フェライト材よりなる。上
記磁性フェライト材としては、単結晶フェライト、多結
晶フェライト、単結晶フェライトと多結晶フェライトの
接合材、面指数の異なる単結晶フェライト，これらの接
合材の何れを用いても良い。

【００２１】なお、本実施例においては、上記第１の基
板３，４及び第２の基板５，６を単結晶フェライトによ
って構成し、その面指数を、媒体対向面が（１１０）、
積層磁性膜接合面が（１１０）、突き合わせ面が（１０
０）となるようにした。

【００２２】さらに、上記のような第１の基板３，４と
第２の基板５，６は、図２に示すようにガラス膜１８，
１９によって接合一体化されており、第１の基板３，４
及び第２の基板５，６とガラス膜１８，１９間にはこれ
らの反応防止等のために下地膜１６ａ，１６ｂ及び１７
ａ，１７ｂが設けられている。

【００２３】上記ガラス膜１８，１９には、低融点ガラ
スをスパッタリングして形成したもの、或いはフリット
ガラスをスピンコーティング等によって塗布して形成し
たものが使用でき、その膜厚としては、０．１μｍ〜
０．５μｍが好ましい。上記下地膜１６ａ，１６ｂ及び
１７ａ，１７ｂには、磁性金属薄膜１ｃ，２ｃまたは第
１の基板３，４とガラス膜１８，１９の反応防止等を目
的として、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃
Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜
及びこれらの合金膜、或いはそれらを組合わせた積層膜
等が使用できる。

【００２４】なお、本実施例においては、下地膜１６
ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂとして膜厚０．１μｍの
Ｃｒ膜を用い、ガラス膜１８，１９として膜厚０．２μ
ｍのスパッタリングによって形成したＰｂ系ガラス膜を
使用した。

【００２５】また、特に本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、前述したように磁気コア半体７，８のそれぞれの突
き合わせ面に磁性金属膜１０１，１０２が形成されてお
り、これらを突き合わせるようにして上記磁気コア半体
７，８は融着ガラス９により接合一体化されている。

【００２６】なお、磁気コア半体７，８においては、第
１の基板３，４と第２の基板５，６が磁性フェライト材
によって構成されていることから積層磁性膜１，２の突
き合わせ側の端面の幅が規制される。すなわち、図２に
拡大して示すように、磁気コア半体７，８の突き合わせ
側の端面の幅は、トラック幅規制溝１４ａ，１４ｂ，１
５ａ，１５ｂによって規制されており、上記磁気コア半
体７，８の突き合わせ面の形状に沿った形で形成される
磁性金属膜１０１，１０２の突き合わせ側の端面の幅も
自ずと規制され、上記突き合わせ側の端面間に形成さ
れ、記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップｇの
トラック幅Ｔｗも決定される。また、積層磁性膜１，２
の突き合わせ側の端面であるギャップ部が磁性金属膜の
みによって構成されていることから、ギャップ部の実質
的なトラック幅が減少することもない。なお、上記磁気
ギャップｇは所定のアジマス角を有する磁気ギャップと
して形成されている。

【００２７】そして、磁気コア半体７，８と磁性金属膜
１０１，１０２の界面にはこれらの付着力向上のために
下地膜１０３，１０４が設けられている。

【００２８】上記磁性金属膜１０１，１０２は、上記磁
性金属薄膜１ａ，１ｂ，１ｃ及び２ａ，２ｂ，２ｃを構
成するものと同様の材料にて構成すれば良く、０．５〜
１０μｍの膜厚で形成することが好ましい。一方、上記
下地膜１０３，１０４としては、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅
等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合金膜、或いはそれ
らを組合わせた積層膜等が使用される。

【００２９】なお、本実施例においては、磁性金属膜１
０１，１０２として膜厚４μｍのセンダストを用い、下
地膜１０３，１０４としては膜厚５０ｎｍのＣｒ膜を用
いた。

【００３０】さらに、積層磁性膜１０１，１０２と融着
ガラス９の反応を防止するために、これらの間には図示
しない反応防止膜が設けられている。上記反応防止膜と
しては、ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ
₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及
びこれらの合金膜、或いはそれらを組合わせた積層膜等
が使用できる。上記反応防止膜の膜厚は０．０５μｍ以
上とすることが好ましい。なお、本実施例においては、
反応防止膜として０．２μｍのＣｒ膜を用いた。

【００３１】さらに、磁気コア半体７，８の突き合わせ
面側にはコイル巻装用の巻き線溝１２，１３、ガラス溝
２２，２３が設けられており、磁気コア半体７，８の接
合強度を確保するため、これらにも融着ガラス９が溶融
充填されている。さらに、この磁気ヘッドにおいては、
磁気記録媒体に対する当たりを確保するために磁気記録
媒体と摺接する磁気記録媒体摺動面に段差が設けられる
とともに、巻線溝１２，１３に形成されたコイルの巻装
状態を良好なものとなすためにこの巻線溝１２，１３と
相対向する位置に巻線補助溝２０，２１が形成されてい
る。

【００３２】このように構成された本実施例の磁気ヘッ
ドにおいては、磁気ギャップｇのトラック幅ＴｗがＴｗ
≦１３μｍであることから、挟ギャップ化がなされ、高
密度記録化を達成することが可能である。また、一対の
磁気コア半体の積層磁性膜の突き合わせ側の端面に磁性
金属膜が形成されていることから、上記端面に形成され
るギャップ部全体が磁路として機能し、ギャップ部の実
質的なトラック幅の減少が抑えられ、再生出力を向上さ
せることが可能である。

【００３３】そこで、本実施例の磁気ヘッドと磁気コア
半体の突き合わせ面に磁性金属膜を有しない従来の磁気
ヘッドの再生出力を比較した。上記従来の磁気ヘッド
は、本実施例の磁気ヘッドと同様の構成を有し、突き合
わせ面に形成される磁性金属膜のみ有しないものとし
た。再生出力は、以下のようにして測定した。すなわ
ち、磁気記録媒体としてＨｉ８用蒸着テープを用い、回
転ドラム固定ヘッド方式の電磁変換特性測定装置を用い
て周速を７．５ｍ／ｓとし、周波数１５ＭＨｚのときの
再生出力を測定した。その結果、本実施例の磁気ヘッド
は従来の磁気ヘッドと比較して、約０．７ｄＢ高い再生
出力を得ることができた。これは、本実施例及び従来の
磁気ヘッドの磁気ギャップのトラック幅を５μｍとした
ことを考慮すると、トラック幅５μｍの時の絶縁膜によ
るギャップ部の実質的なトラック幅の減少に伴う再生出
力の低下分と略一致する。

【００３４】次いで、前述した図１の磁気ヘッドを製造
する方法について工程順に従って説明する。先ず、図３
（ａ）に示すように、フェライト基板２４を用意し、こ
のフェライト基板２４の一主面２４ａをポリッシング加
工等によって鏡面加工する。

【００３５】次に、上記フェライト基板２４の一主面２
４ａに、マスクスパッタにより必要最小限の面積に積層
磁性膜２５，２６を帯状に所定間隔を持って平行となる
ように被着形成する。

【００３６】積層磁性膜２５，２６を形成するに際して
は、前述のようにフェライト基板２４との付着力向上等
のために、図３（ｂ）中に示されるように膜厚５０ｎｍ
のＳｉＯ₂ よりなる下地膜２７を予め形成する。そし
て、高周波特性を向上させるために、積層磁性膜２５，
２６はＳｉＯ₂ よりなる絶縁膜２８を介して膜厚の薄い
センダストよりなる金属磁性薄膜２５ａ，２５ｂ，２５
ｃ（一方の積層磁性膜２６は図示を省略する。）を何層
にも積層することにより形成する。なお、積層磁性膜２
５，２６の厚さは、後行程においてトラック幅規制溝を
形成する必要があることから目的とする記録トラック幅
の１．２〜３倍とすることが好ましい。本実施例の磁気
ヘッドを形成するに際しては、トラック幅５μｍの磁気
ギャップを形成するために膜厚０．２μｍの絶縁膜２８
を介して一層あたりの膜厚３μｍの磁性金属薄膜２５
ａ，２５ｂ，２５ｃを３層重ねた。

【００３７】さらに、上記フェライト基板２４上の積層
磁性膜２５，２６の上に、図４に示すように（図中に
は、積層磁性膜２５のみを示す。）、下地膜３６を成膜
した後、ガラス膜３７を成膜する。本実施例において
は、下地膜３６として膜厚０．１μｍのＣｒ膜を形成
し、ガラス膜３７として膜厚０．２μｍのＰｂ系の低融
点ガラスをスパッタリングによって形成した。

【００３８】また、図５に示すように、他方のフェライ
ト基板３５上にも上記フェライト基板２４と同様に下地
膜３８，ガラス膜３９を形成する。

【００３９】そして、積層メタル膜が形成されたフェラ
イト基板２４と上記フェライト基板３５を、図６（ａ）
に示すように、互いの突合わせ面に形成されたガラス膜
３７，３９同士を突合わせ、圧着しながら、５００℃〜
７００℃に加熱する。この結果、互いの突合わせ面に形
成されたガラス膜３７，３９同士は図６（ｂ）に示すよ
うに融合する。

【００４０】なお、本実施例においては、一対のフェラ
イト基板２４，３５の両者にガラス膜３７，３９を形成
してこれらを融着させたが、フェライト基板２４，３５
の少なくとも一方のみにガラス膜を形成して融着させて
も良い。

【００４１】次に、この接合一体化された積層基板を、
作製する磁気ヘッドに付与するアジマス角と同じ角度を
持って図７中線Ａ−Ａ´，線Ｂ−Ｂ´，線Ｃ−Ｃ´で示
す位置で切断する。

【００４２】次いで、フェライトの不要部分を平面研削
盤等を用いて除去した後、各磁気コア半体ブロック４
０，４１に、図８及び図９に示すようにコイルを巻装す
るための巻線溝４２，４３とガラス融着する際のガラス
溝４４，４５をそれぞれの突合わせ面に形成する。

【００４３】上記巻線溝４２，４３とガラス溝４４，４
５は、いずれも断面略コ字状をなす溝として形成する
が、巻線溝４２，４３の一方の側面４２ａ，４３ａは磁
気ギャップｇのデプスを規制するために傾斜面とする。
なお、巻線溝４２，４３の他方の側面４２ｂ，４３ｂ
は、傾斜面又は垂直面のいずれでもよい。

【００４４】次に、図１０，１１に示すように上記各磁
気コア半体ブロック４０，４１に、ブロックの接合強度
を確保し、且つ磁気ヘッドのトラック幅を規制するため
のトラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及び４７ａ，４７ｂ
を形成する。

【００４５】かかるトラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及
び４７ａ，４７ｂは、積層磁性膜２５，２６の両側であ
ってこの積層磁性膜２５，２６に近接した位置に積層磁
性膜２５，２６の一部を切り欠くようにして、それぞれ
断面略台形状をなす溝としてブロック全体に亘って形成
される。なお、トラック幅規制溝４６ａ，４６ｂ及び４
７ａ，４７ｂの積層磁性膜２５，２６側の一側面４６ａ
₁，４６ｂ₁及び４７ａ ₁，４７ｂ₁は傾斜面となされてお
り、積層磁性膜２５，２６の突き合わせ側の端面の幅を
規制し、磁気ギャップのトラック幅を規制するようにな
されている。

【００４６】そして、図１２，図１３に示すように各磁
気コア半体ブロック４０，４１の突き合わせ面の全面に
わたって、スパッタリングにより磁性金属膜１０５，１
０６を形成する。

【００４７】磁性金属膜１０５，１０６を形成するに際
しては、前述のように磁気コア半体ブロック４０，４１
との付着力向上等のために、図１４中に示されるように
（図１４中には磁気コア半体ブロック４０のみを示
す。）、膜厚５０ｎｍのＣｒ膜よりなる下地膜１０７を
予め形成し、、磁性金属膜１０５として膜厚４μｍのセ
ンダスト膜を形成する。

【００４８】次いで、各磁気コア半体ブロック４０，４
１の突き合わせ面に図示しない膜厚０．２μｍのＣｒ膜
を反応防止膜として形成し、各磁気コア半体ブロック４
０，４１の突合わせ面であるギャップ形成面４０ａ，４
１ａをポリッシング等によって磁性金属膜１０５，１０
６の突き合わせ側の端面の幅が所定のトラック幅となる
ように鏡面加工する。

【００４９】そして、一方の磁気コア半体ブロック４０
のギャップ形成面４０ａ又は双方の磁気コア半体ブロッ
ク４０，４１のギャップ形成面４０ａ及び４１ａにギャ
ップ膜（図示は省略する。）を形成した後、図１５に示
すように、これら磁気コア半体ブロック４０，４１を、
磁性金属膜１０５，１０６の突き合わせ側の端面の位置
合わせを行い、融着ガラス４８を流し込みながら接合を
行う。

【００５０】この結果、これら磁気コア半体ブロック４
０，４１は、融着ガラス４８によって接合一体化され、
積層磁性膜２５，２６の突合わせ面間に記録再生ギャッ
プとして動作する磁気ギャップｇが構成される。

【００５１】そして、融着ガラス４８によって接合一体
化された磁気コア半体ブロックに、巻線補助溝を形成し
た後、磁気記録媒体摺動面に円筒研磨を行い当たり幅加
工を施し、所定チップ形状となるように切断する。

【００５２】この結果、図１に示すような高密度記録が
達成でき、良好な再生特性を有する磁気ヘッドが完成す
る。

【００５３】なお、本発明を適用した磁気ヘッドの実施
例としては、上述のようなものの他、図１６に示される
ような磁気ヘッドが挙げられる。すなわち、磁気コア
７，８の突き合わせ側の端面のみに磁性金属膜１０７，
１０８が設けられるものであり、このような磁気ヘッド
は上述の磁気ヘッドと略同様の製造工程を経て製造され
る。すなわち、第２の基板５，６上に積層磁性膜１，２
を被着形成した後、第１の基板を接合して一対の磁気コ
ア半体７，８を形成する。そして、磁気コア半体７，８
の突き合わせ面に磁性金属膜１０７，１０８を形成した
後に、上記突き合わせ面に磁性金属膜１０７，１０８の
突き合わせ側の端面を規制するようなトラック幅規制溝
５５ａ，５５ｂ，５６ａ，５６ｂを設け、上記端面間に
形成される磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗも規制す
る。その後、一対の磁気コア半体の接合を行い、磁気ヘ
ッドを形成する。上記磁気ヘッドにおいても、前述の磁
気ヘッドと同様に下地膜等を設けても良い。

【００５４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、磁性
金属薄膜が絶縁膜を介して積層されてなる積層磁性膜を
少なくとも磁性フェライト材よりなる一対の基板により
膜厚方向より挟み込んでなる一対の磁気コア半体が、上
記積層磁性膜を突き合わせるように接合一体化されて閉
磁路を構成する磁気ヘッドにおいて、少なくとも、積層
磁性膜の突き合わせ側の端面に磁性金属膜が形成されて
おり、磁気ギャップのトラック幅をＴｗとしたときに、
Ｔｗ≦１３μｍであるため、高密度記録が達成され、上
記積層磁性膜の突き合わせ側の端面に磁性金属膜が形成
されていることから、突き合わせ側の端面であるギャッ
プ部が磁性金属膜のみによって構成され、上記ギャップ
部全体が磁路として機能する。従って、ギャップ部の実
質的なトラック幅の減少が抑制され、再生出力が低下す
ることもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図である。

【図２】図１の磁気ヘッドにおける磁気記録媒体摺動面
部分を示す要部拡大断面図である。

【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すもので、（ａ）はフェライト基板に積層磁性膜
を形成する工程を示す斜視図であり、（ｂ）は積層磁性
膜部分を示す要部拡大正面図である。

【図４】フェライト基板上に成膜された積層磁性膜上に
ガラス膜を成膜する工程を示す要部拡大正面図である。

【図５】フェライト基板上にガラス膜を成膜する工程を
示す要部拡大正面図である。

【図６】（ａ）は積層磁性膜が形成されたフェライト基
板と他方のフェライト基板を接合する工程を示す斜視図
であり、（ｂ）はその接合部分を拡大して示す要部拡大
正面図である。

【図７】接合一体化された積層基板を切断する工程を示
す斜視図である。

【図８】一方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガラ
ス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図９】他方の磁気コア半体ブロックに巻線溝及びガラ
ス溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１０】一方の磁気コア半体ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１１】他方の磁気コア半体ブロックにトラック幅規
制溝を形成する工程を示す斜視図である。

【図１２】一方の磁気コア半体ブロックに磁性金属膜を
形成する工程を示す斜視図である。

【図１３】他方の磁気コア半体ブロックに磁性金属膜を
形成する工程を示す斜視図である。

【図１４】磁性金属膜部分を示す要部拡大正面図であ
る。

【図１５】磁気コア半体ブロック同士の加圧融着工程を
示す斜視図である。

【図１６】本発明を適用した磁気ヘッドの他の実施例の
磁気記録媒体摺動面部分を示す要部拡大面図である。

【符号の説明】

１，２・・・積層磁性膜１ａ，１ｂ，１ｃ，２ａ，２ｂ，２ｃ・・・磁性金属薄
膜３，４・・・第１の基板５，６・・・第２の基板７，８・・・磁気コア半体９・・・融着ガラス１０１，１０２・・・磁性金属膜ｇ・・・磁気ギャップＴｗ・・・トラック幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡辺利信東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性金属薄膜が絶縁膜を介して積層され
てなる積層磁性膜を少なくとも磁性フェライト材よりな
る一対の基板により膜厚方向より挟み込んでなる一対の
磁気コア半体が、上記積層磁性膜を突き合わせるように
接合一体化されて閉磁路を構成する磁気ヘッドにおい
て、少なくとも、積層磁性膜の突き合わせ側の端面に磁性金
属膜が形成されており、磁気ギャップのトラック幅を
Ｔｗとしたときに、Ｔｗ≦１３μｍであることを特徴と
する磁気ヘッド。