JPH06342012A - 導通テスト用プロ−ブ - Google Patents
導通テスト用プロ−ブInfo
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- JPH06342012A JPH06342012A JP5129409A JP12940993A JPH06342012A JP H06342012 A JPH06342012 A JP H06342012A JP 5129409 A JP5129409 A JP 5129409A JP 12940993 A JP12940993 A JP 12940993A JP H06342012 A JPH06342012 A JP H06342012A
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- barrel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導通テスト用プロ−ブ(10)の構成部材であ
る測子(3A)を測定対象部位に当接させて導通テストを
実施するとき、接触不良に起因する導通の阻害を防止す
る。 【構成】 バレル(2)、先端に測子(3A)を有するプ
ランジャ−(3)、およびスプリング(4)からなる導
通テスト用プロ−ブ(10)に、螺旋状体(12)と、夾搾
部からなるガイド(13)との組合せ、もしくは、ピン状
突起(14)(14A)と、くの字状のガイド溝(15)(15
A)との組合せからなるプランジャ−(3)の旋回方向
反転手段を設け、測定対象部分に向って押込まれるプラ
ンジャ−(3)の旋回方向を、その押込みストロ−クの
途上で反転させ、これによって絶縁層の突き破りを容易
にする。
る測子(3A)を測定対象部位に当接させて導通テストを
実施するとき、接触不良に起因する導通の阻害を防止す
る。 【構成】 バレル(2)、先端に測子(3A)を有するプ
ランジャ−(3)、およびスプリング(4)からなる導
通テスト用プロ−ブ(10)に、螺旋状体(12)と、夾搾
部からなるガイド(13)との組合せ、もしくは、ピン状
突起(14)(14A)と、くの字状のガイド溝(15)(15
A)との組合せからなるプランジャ−(3)の旋回方向
反転手段を設け、測定対象部分に向って押込まれるプラ
ンジャ−(3)の旋回方向を、その押込みストロ−クの
途上で反転させ、これによって絶縁層の突き破りを容易
にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気部品の導通テスト
用プロ−ブに関するものであり、詳細には、半導体装置
等を実装したプリント基板の電気的特性を測定するため
の導通テスト用プロ−ブにおいて、プリント基板の表面
に付着しているぺ−スト、フラックス、あるいは酸化被
膜を突破り、導通状態の測定を確実にするための接触型
測子の改良に関するものである。
用プロ−ブに関するものであり、詳細には、半導体装置
等を実装したプリント基板の電気的特性を測定するため
の導通テスト用プロ−ブにおいて、プリント基板の表面
に付着しているぺ−スト、フラックス、あるいは酸化被
膜を突破り、導通状態の測定を確実にするための接触型
測子の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置、あるいは、IC、抵抗、コ
ンデンサ等を実装した電子機器用プリント基板の電気的
特性を測定する手段として、導通テスト用プロ−ブが使
用されている。
ンデンサ等を実装した電子機器用プリント基板の電気的
特性を測定する手段として、導通テスト用プロ−ブが使
用されている。
【0003】導通テスト用プロ−ブは、測定対象部品の
種類と形状ならびに寸法に応じて種々の形式のものが市
販されている。図4乃至図6は、導通テスト用プロ−ブ
の従来例を示す拡大縦断面図であって、導通テスト用プ
ロ−ブ(1)は、洋白あるいは表面にAuメッキを施こ
されたリン青銅等の導電性金属材料から製作されたバレ
ル(2)内に、先端部分に導通検出用の接触型測子(3
A)を形成したプランジャ−(3)と、このプランジャ
−(3)を上記バレル(2)の軸線方向に押圧付勢する
スプリング(4)を内蔵している。プランジャ−(3)
は、炭素鋼あるいはBeCu合金等からなる軸状部材の
表面にRhあるいはAuメッキを施こすことによって、
図7に例示するように、その先端部分を導電性の測子に
形成しており、これに対応してプランジャ−(3)の押
圧付勢部材として使用されるバネ鋼製スプリング(4)
の表面にもAuメッキ等が施こされている。
種類と形状ならびに寸法に応じて種々の形式のものが市
販されている。図4乃至図6は、導通テスト用プロ−ブ
の従来例を示す拡大縦断面図であって、導通テスト用プ
ロ−ブ(1)は、洋白あるいは表面にAuメッキを施こ
されたリン青銅等の導電性金属材料から製作されたバレ
ル(2)内に、先端部分に導通検出用の接触型測子(3
A)を形成したプランジャ−(3)と、このプランジャ
−(3)を上記バレル(2)の軸線方向に押圧付勢する
スプリング(4)を内蔵している。プランジャ−(3)
は、炭素鋼あるいはBeCu合金等からなる軸状部材の
表面にRhあるいはAuメッキを施こすことによって、
図7に例示するように、その先端部分を導電性の測子に
形成しており、これに対応してプランジャ−(3)の押
圧付勢部材として使用されるバネ鋼製スプリング(4)
の表面にもAuメッキ等が施こされている。
【0004】スプリング(4)による押圧付勢下に、プ
ランジャ−(3)の先端部分に形成されている測子(3
A)を、半導体装置や半導体装置を実装した電子機器用
プリント基板(何れも図示省略)の測定対象部位、例え
ば電極パタ−ン等に押し付けることによって、上記測定
対象部位と導通テスト用プロ−ブ(1)との間が導通状
態となり、これによって上記半導体装置やこれを実装し
た電子機器の電気的特性が測定される。
ランジャ−(3)の先端部分に形成されている測子(3
A)を、半導体装置や半導体装置を実装した電子機器用
プリント基板(何れも図示省略)の測定対象部位、例え
ば電極パタ−ン等に押し付けることによって、上記測定
対象部位と導通テスト用プロ−ブ(1)との間が導通状
態となり、これによって上記半導体装置やこれを実装し
た電子機器の電気的特性が測定される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】スプリング(4)によ
る押圧付勢下に測子(3A)を半導体装置の外部リ−ドや
電子機器のプリント基板の電極パタ−ン等に押し付ける
ことによって測定対象部品の電気的特性が測定される
が、このとき、測子(3A)の押し付け圧力が不足する
と、半導体装置の外部リ−ドや電子機器の電極パタ−ン
の表面に付着している半田付け用ぺ−スト、フラックス
あるいは酸化被膜等からなる絶縁層を突き破ることがで
きなくなる。この結果、測子(3A)の先端部分が半導体
装置や電子機器の測定対象部位に届かなくなり、接触不
良状態に於ける電気的特性の測定は不可能となる。
る押圧付勢下に測子(3A)を半導体装置の外部リ−ドや
電子機器のプリント基板の電極パタ−ン等に押し付ける
ことによって測定対象部品の電気的特性が測定される
が、このとき、測子(3A)の押し付け圧力が不足する
と、半導体装置の外部リ−ドや電子機器の電極パタ−ン
の表面に付着している半田付け用ぺ−スト、フラックス
あるいは酸化被膜等からなる絶縁層を突き破ることがで
きなくなる。この結果、測子(3A)の先端部分が半導体
装置や電子機器の測定対象部位に届かなくなり、接触不
良状態に於ける電気的特性の測定は不可能となる。
【0006】このような接触不良に起因する事故を防止
するには、図4に示す導通テスト用プロ−グ(1)で、
プランジャ−(3)に押圧力を伝達するスプリング
(4)の押圧荷重(バネ定数)を大きくする方法が検討
されている。しかしながら、スプリング(4)の押圧荷
重を増大させると、上記絶縁層の突き破り力は大きくな
るものの、測定対象部位に付加される荷重が増大し、電
極パタ−ンの損傷やプランジャ−(3)の変形等の不都
合が発生し易く、導通テスト用プロ−ブ(1)の耐用期
間も短くなる。
するには、図4に示す導通テスト用プロ−グ(1)で、
プランジャ−(3)に押圧力を伝達するスプリング
(4)の押圧荷重(バネ定数)を大きくする方法が検討
されている。しかしながら、スプリング(4)の押圧荷
重を増大させると、上記絶縁層の突き破り力は大きくな
るものの、測定対象部位に付加される荷重が増大し、電
極パタ−ンの損傷やプランジャ−(3)の変形等の不都
合が発生し易く、導通テスト用プロ−ブ(1)の耐用期
間も短くなる。
【0007】一方、上記スプリング(4)の押圧荷重を
比較的低減させた状態で上記絶縁層の突き破りを容易化
する手段として、図5に例示するように螺旋状軸部
(5)を有する一方向回転型のプランジャ−(3’)
と、上記螺旋状軸部(5)を含むプランジャ−(3’)
全体を導通状態の測定時に一方向に回転させるための夾
搾されたガイド溝(6)を有するバレル(2)からなる
導通テスト用プロ−ブ(1)が提案されている。図6は
図5に示す導通テスト用プロ−グ(1)の変形例を示す
もので、上記螺旋状軸部(5)の代替手段として、バレ
ル(2)の器壁面にプランジャ−(3’)の軸線方向に
対して一定の傾斜角を持つガイド溝(5’)を形成する
と共に、上記ガイド溝(6)に替えて、バレル(2)内
にスライド可能に嵌挿されたプランジャ−(3’)の側
胴面に、上記ガイド溝(5’)内へ嵌まり込む突起
(6’)を付設している。
比較的低減させた状態で上記絶縁層の突き破りを容易化
する手段として、図5に例示するように螺旋状軸部
(5)を有する一方向回転型のプランジャ−(3’)
と、上記螺旋状軸部(5)を含むプランジャ−(3’)
全体を導通状態の測定時に一方向に回転させるための夾
搾されたガイド溝(6)を有するバレル(2)からなる
導通テスト用プロ−ブ(1)が提案されている。図6は
図5に示す導通テスト用プロ−グ(1)の変形例を示す
もので、上記螺旋状軸部(5)の代替手段として、バレ
ル(2)の器壁面にプランジャ−(3’)の軸線方向に
対して一定の傾斜角を持つガイド溝(5’)を形成する
と共に、上記ガイド溝(6)に替えて、バレル(2)内
にスライド可能に嵌挿されたプランジャ−(3’)の側
胴面に、上記ガイド溝(5’)内へ嵌まり込む突起
(6’)を付設している。
【0008】図5あるいは図6に示す一方向旋回型のプ
ランジャ−(3’)を使用することによって、図4に示
す導通テスト用プロ−ブ(1)で問題とされていた過大
な押圧力の付加による測定対象部位の破損やプロ−ブ
(1)の変形等の問題が或る程度迄回避される。しかし
ながら、図5および図6に示す一方向のみに旋回するプ
ランジャ−(3’)を使用した場合プランジャ−
(3’)の回転と共にミクロンオ−ダ−の切粉が発生
し、接触型測子(3A)と、これによって突き破られる絶
縁層との間に切粉が詰まり、摺動抵抗が増大する。この
結果、時間の経過と共にプランジャ−(3’)による絶
縁層の破砕力が低下し、測子(3A)と測定対象部位との
接触が阻害され、導通テストの継続が困難になる。
ランジャ−(3’)を使用することによって、図4に示
す導通テスト用プロ−ブ(1)で問題とされていた過大
な押圧力の付加による測定対象部位の破損やプロ−ブ
(1)の変形等の問題が或る程度迄回避される。しかし
ながら、図5および図6に示す一方向のみに旋回するプ
ランジャ−(3’)を使用した場合プランジャ−
(3’)の回転と共にミクロンオ−ダ−の切粉が発生
し、接触型測子(3A)と、これによって突き破られる絶
縁層との間に切粉が詰まり、摺動抵抗が増大する。この
結果、時間の経過と共にプランジャ−(3’)による絶
縁層の破砕力が低下し、測子(3A)と測定対象部位との
接触が阻害され、導通テストの継続が困難になる。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決手段とし
て、本発明は、導電性のバレル内に、導電性で上記バレ
ルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用の
測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を上
記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性のスプリング
を内蔵してなる導通テスト用プロ−ブにおいて、
て、本発明は、導電性のバレル内に、導電性で上記バレ
ルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用の
測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を上
記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性のスプリング
を内蔵してなる導通テスト用プロ−ブにおいて、
【0010】偏平な横断面図形状を有し、長手方向沿う
所定の区間長毎に捩り方向を逆転させた螺旋状プランジ
ャ−と、この螺旋状プランジャ−のガイド手段として機
能する夾搾部を具えたバレルとの係合構体、あるいは、
プランジャ−の側周壁面とバレルの器壁面に設けられた
ピン状突起と、長手方向に沿う所定周期毎に傾斜方向が
逆転するガイド溝との係合構体で、プランジャ−の旋回
方向の反転手段を形成する。
所定の区間長毎に捩り方向を逆転させた螺旋状プランジ
ャ−と、この螺旋状プランジャ−のガイド手段として機
能する夾搾部を具えたバレルとの係合構体、あるいは、
プランジャ−の側周壁面とバレルの器壁面に設けられた
ピン状突起と、長手方向に沿う所定周期毎に傾斜方向が
逆転するガイド溝との係合構体で、プランジャ−の旋回
方向の反転手段を形成する。
【0011】
【作用】上記所定周期毎に捻捩り方向が逆転する螺旋状
プランジャ−と、夾搾部を具えたバレルとの組合せ、あ
るいはプランジャ−の側周壁面とこれを滑動可能に支持
するバレルの器壁面に設けられたピン状突起と、所定周
期毎に傾斜方向が逆転するガイド溝との組合せを利用し
て、被測定部位、例えば電子機器の電極パタ−ンに向っ
て押込まれるプランジャ−の旋回方向をその押込みスト
ロ−クの途上で逆転させ、錐もみ状の突き破り力を発生
させることによって、被測定部位の表面に形成されてい
る絶縁層、例えば半田付け用ぺ−ストやフラックスを突
き破り、被側定部位にプランジャ−の先端部分に形成さ
れている測子を所定の押付け圧力で密着させ、両者の間
に導通状態を創り出す。
プランジャ−と、夾搾部を具えたバレルとの組合せ、あ
るいはプランジャ−の側周壁面とこれを滑動可能に支持
するバレルの器壁面に設けられたピン状突起と、所定周
期毎に傾斜方向が逆転するガイド溝との組合せを利用し
て、被測定部位、例えば電子機器の電極パタ−ンに向っ
て押込まれるプランジャ−の旋回方向をその押込みスト
ロ−クの途上で逆転させ、錐もみ状の突き破り力を発生
させることによって、被測定部位の表面に形成されてい
る絶縁層、例えば半田付け用ぺ−ストやフラックスを突
き破り、被側定部位にプランジャ−の先端部分に形成さ
れている測子を所定の押付け圧力で密着させ、両者の間
に導通状態を創り出す。
【0012】
【実施例】以下、添付の図1乃至図3を参照して、本発
明の具体例を説明する。尚、以下の記述において、従来
技術を示す図4乃至図7と同一の構成部材は原則として
同一の参照番号で表示し、重複事項に関しては説明を省
略する。図1(A)は本発明の第1の具体例を示す導通
テスト用プロ−ブ(10)の縦断面図である。導通テスト
用プロ−グ(10)は、導電性のバレル(2)と、導電性
で上記バレル(2)の一方の測端面(11)から突出した
先端部分に測子(3A)を形成したプランジャ−(3)
と、このプランジャ−(3)をバレル(2)の軸線方向
に押圧付勢する導電性のスプリング(4)から構成され
ている。そして、バレル(2)内に滑動可能に嵌挿支持
されているプランジャー(3)の基端側には、図1
(B)および(C)(D)に拡大図示するように、偏平
な横断面形状を有し、長手方向に沿う所定の区間長毎に
捩り方向を逆転させた螺旋状体(12)が形成されてい
る。この螺旋状体(12)に対応してバレル(2)の中間
胴部には、上記螺旋状プランジャ−(12)の旋回方向の
反転手段として、夾搾部からなるガイド(13)が設けら
れている。
明の具体例を説明する。尚、以下の記述において、従来
技術を示す図4乃至図7と同一の構成部材は原則として
同一の参照番号で表示し、重複事項に関しては説明を省
略する。図1(A)は本発明の第1の具体例を示す導通
テスト用プロ−ブ(10)の縦断面図である。導通テスト
用プロ−グ(10)は、導電性のバレル(2)と、導電性
で上記バレル(2)の一方の測端面(11)から突出した
先端部分に測子(3A)を形成したプランジャ−(3)
と、このプランジャ−(3)をバレル(2)の軸線方向
に押圧付勢する導電性のスプリング(4)から構成され
ている。そして、バレル(2)内に滑動可能に嵌挿支持
されているプランジャー(3)の基端側には、図1
(B)および(C)(D)に拡大図示するように、偏平
な横断面形状を有し、長手方向に沿う所定の区間長毎に
捩り方向を逆転させた螺旋状体(12)が形成されてい
る。この螺旋状体(12)に対応してバレル(2)の中間
胴部には、上記螺旋状プランジャ−(12)の旋回方向の
反転手段として、夾搾部からなるガイド(13)が設けら
れている。
【0013】図2は、図1に示す導通テスト用プロ−ブ
(10)の変形例を示す斜視図であって、この具体例にお
いては、螺旋状体(12)が測子(3A)に隣接するように
設けられており、これに対応して図1でバレル(2)の
中間胴部に設けられていたガイド(13)が、バレル
(2)のプランジャ−(3)突出側の端面部分(2A)に
設けられている。スプリング(4)による圧縮荷重の作
用下にプランジャ−(3)に押込みストロ−クを与える
と、螺旋状体(12)がガイド(13)と係合する。この結
果、プランジャ−(3)は、押込みの途上で所定の区間
長毎に旋回方向を逆転させ、これによって測子(3A)に
は錐もみ状の突き破り力が発生する。プランジャ−
(3)の旋回方向を所定の時間的周期で反転させること
によって、被測定部位に発生した破砕微細粒が反堰止め
方向即ち、反旋回方向に移動し、測子(3A)による絶縁
層の突き破り力が略一定の水準に維持される。この結
果、測子(3A)が被測定部位に確実に当接するようにな
る。
(10)の変形例を示す斜視図であって、この具体例にお
いては、螺旋状体(12)が測子(3A)に隣接するように
設けられており、これに対応して図1でバレル(2)の
中間胴部に設けられていたガイド(13)が、バレル
(2)のプランジャ−(3)突出側の端面部分(2A)に
設けられている。スプリング(4)による圧縮荷重の作
用下にプランジャ−(3)に押込みストロ−クを与える
と、螺旋状体(12)がガイド(13)と係合する。この結
果、プランジャ−(3)は、押込みの途上で所定の区間
長毎に旋回方向を逆転させ、これによって測子(3A)に
は錐もみ状の突き破り力が発生する。プランジャ−
(3)の旋回方向を所定の時間的周期で反転させること
によって、被測定部位に発生した破砕微細粒が反堰止め
方向即ち、反旋回方向に移動し、測子(3A)による絶縁
層の突き破り力が略一定の水準に維持される。この結
果、測子(3A)が被測定部位に確実に当接するようにな
る。
【0014】図3(A)は本発明の第3の具体例を示す
導通テスト用プロ−ブ(10)の部分縦断面図である。導
通テスト用プロ−ブ(10)が、バレル(2)、プランジ
ャ−(3)および押圧付勢用のスプリング(4)により
構成されている点は図1および図2に示す具体例と同一
であるが、この具体例においては、プランジャ−(3)
の旋回方向を押込みストロ−クの途上で所定の区間長毎
に逆転させる手段が、プランジャ−(3)の側周壁面に
設けられたピン状突起(14)と、バレル(2)の器壁面
に設けられたくの字状のガイド溝(15)で形成されてい
る。ガイド溝(15)は、図3(A)に示すようにバレル
(2)の長手方向に沿う所定の区間長毎に傾斜方向、即
ち、螺旋状溝の巻付方向が反転するように穿設形状が選
定されている。 図3(C)は、本発明の第4の具体例
を示す導通テスト用プロ−ブ(10)の縦断面図である。
この具体例においては、図3(A)に示すものと反対に
ピン状突起(14A)がバレル(2)の内周壁面に設けら
れており、これに対応してプランジャ−(3)の側周壁
面に、長手方向に沿う所定の区間長毎に傾斜方向が反転
するガイド溝(15A)が設けられている。
導通テスト用プロ−ブ(10)の部分縦断面図である。導
通テスト用プロ−ブ(10)が、バレル(2)、プランジ
ャ−(3)および押圧付勢用のスプリング(4)により
構成されている点は図1および図2に示す具体例と同一
であるが、この具体例においては、プランジャ−(3)
の旋回方向を押込みストロ−クの途上で所定の区間長毎
に逆転させる手段が、プランジャ−(3)の側周壁面に
設けられたピン状突起(14)と、バレル(2)の器壁面
に設けられたくの字状のガイド溝(15)で形成されてい
る。ガイド溝(15)は、図3(A)に示すようにバレル
(2)の長手方向に沿う所定の区間長毎に傾斜方向、即
ち、螺旋状溝の巻付方向が反転するように穿設形状が選
定されている。 図3(C)は、本発明の第4の具体例
を示す導通テスト用プロ−ブ(10)の縦断面図である。
この具体例においては、図3(A)に示すものと反対に
ピン状突起(14A)がバレル(2)の内周壁面に設けら
れており、これに対応してプランジャ−(3)の側周壁
面に、長手方向に沿う所定の区間長毎に傾斜方向が反転
するガイド溝(15A)が設けられている。
【0015】スプリング(4)による圧縮荷重の作用下
にプランジャ−(3)に押込みストロ−クを与えると、
第3の具体例ではピン状突起(14)とガイド溝(15)が
係合し、これによって測子(3A)に錐もみ状の突き破り
力が発生する。これと同様に第4の具体例ではプランジ
ャ−(3)の押込みと共にピン状突起(14A)とガイド
溝(15A)が係合し、これによって測子(3A)の旋回方
向が所定の時間的周期で反転する。押込み途上でプラン
ジャ−(3)の旋回方向を所定の時間的周期で反転させ
ることによって、被測定部位に発生したミクロンオ−ダ
−の破砕微細粒が反堰止め方向即ち、反旋回方向に移動
し、測子(3A)による絶縁層の突き破り力が略一定の水
準に維持される。この結果、測子(3A)が被測定部位に
確実に当接するようになる。
にプランジャ−(3)に押込みストロ−クを与えると、
第3の具体例ではピン状突起(14)とガイド溝(15)が
係合し、これによって測子(3A)に錐もみ状の突き破り
力が発生する。これと同様に第4の具体例ではプランジ
ャ−(3)の押込みと共にピン状突起(14A)とガイド
溝(15A)が係合し、これによって測子(3A)の旋回方
向が所定の時間的周期で反転する。押込み途上でプラン
ジャ−(3)の旋回方向を所定の時間的周期で反転させ
ることによって、被測定部位に発生したミクロンオ−ダ
−の破砕微細粒が反堰止め方向即ち、反旋回方向に移動
し、測子(3A)による絶縁層の突き破り力が略一定の水
準に維持される。この結果、測子(3A)が被測定部位に
確実に当接するようになる。
【0016】
【図1】(A)は、本発明に係る導電テスト用プロ−ブ
の第1の具体例を示す縦断面図、 (B)は、(A)の
線I−Iに沿う横断面図、(C)は、螺旋状プランジャ
−の上面図、(D)は、螺旋状プランジャ−の正面図。
の第1の具体例を示す縦断面図、 (B)は、(A)の
線I−Iに沿う横断面図、(C)は、螺旋状プランジャ
−の上面図、(D)は、螺旋状プランジャ−の正面図。
【図2】本発明に係る導通テスト用プロ−ブの第2の具
体例を示す斜視図。
体例を示す斜視図。
【図3】(A)は、本発明に係る導通テスト用プロ−ブ
の第3の具体例を示す部分縦断面図、(B)は、(A)
の線III−IIIに沿う横断面図、(C)は、本発明に係る
導通テスト用プロ−ブの第4の具体例を示す縦断面図
(D)は、(C)の線III−IIIに沿う横断面図、
の第3の具体例を示す部分縦断面図、(B)は、(A)
の線III−IIIに沿う横断面図、(C)は、本発明に係る
導通テスト用プロ−ブの第4の具体例を示す縦断面図
(D)は、(C)の線III−IIIに沿う横断面図、
【図4】導通テスト用プロ−ブの第1の従来例を示す縦
断面図。
断面図。
【図5】導通テスト用プロ−ブの第2の従来例を示す縦
断面図。
断面図。
【図6】導通テスト用プロ−ブの第3の従来例を示す部
分縦断面図。
分縦断面図。
【図7】プランジャ−の先端、測子部分の形状を例示す
る正面図。
る正面図。
2 バレル 3 プランジャ− 3A 測子 4 スプリング 10 導通テスト用プロ−ブ 11 バレルの一方の側端面図 12 螺旋状体 13 夾搾部からなるガイド 14 ピン状突起 14A ピン状突起 15 ガイド溝 15A ガイド溝
Claims (4)
- 【請求項1】 導電性のバレル内に、導電性で上記バレ
ルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用の
測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を上
記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性のスプリング
を内蔵した導通テスト用プロ−ブにおいて、 上記プランジャ−を偏平な横断面形状を有し、長手方向
に沿う所定の区間長毎に捩り方向を逆転させた螺旋状体
で、上記バレルの中間胴部に、上記螺旋状プランジャ−
の旋回方向反転手段として夾搾部からなるガイドを設け
たことを特徴とする導通テスト用プロ−ブ。 - 【請求項2】 導電性のバレル内に、導電性で、上記バ
レルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用
の測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を
上記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性のスプリン
グを内蔵してなる導通テスト用プロ−ブにおいて、 上記プランジャ−を偏平な横断面形状を有し、長手方向
に沿う所定の区間長毎に捩り方向を逆転させた螺旋状
で、上記バレルのプランジャ−突出側の端面部分に、上
記螺施状プランジャ−の旋回方向反転手段として夾搾部
からなるガイドを設けたことを特徴とする導通テスト用
プロ−ブ。 - 【請求項3】 導電性のバレル内に、導電性で上記バレ
ルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用の
測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を上
記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性のスプリング
を内蔵してなる導通テスト用プロ−ブにおいて、 上記バレル内に滑動自在に支持されている上記プランジ
ャ−の側周壁面に、ピン状突起を設け、これに対応して
上記プランジャ−の側周壁面と対向するバレルの器壁面
にその長手方向に沿う所定の区間長毎に傾斜方向が逆転
するガイド溝を形成し、このガイド溝と上記ピン状突起
との係合構体によって上記プランジャ−の旋回方向の反
転手段を形成したことを特徴とする導通テスト用プロ−
ブ。 - 【請求項4】 導電性のバレル内に、導電性で、上記バ
レルの一方の側端面から突出した先端部分に導通検出用
の測子を形成したプランジャ−と、このプランジャ−を
上記バレルの軸線方向に押圧付勢する導電性スプリング
を内蔵してなる導通テスト用プロ−ブにおいて、 上記バレル内に滑動自在に支持されている上記プランジ
ャ−の側周壁面に、その長手方向に沿う所定の区間長毎
に傾斜方向が逆転するガイド溝を形成し、これに対応し
て上記プランジャ−の側周壁面と対向するバレルの内側
壁面にピン状突起と上記ガイド溝との係合構体によって
上記プランジャ−の旋回方向の反転手段を形成したこと
を特徴とする導通テスト用プロ−ブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129409A JP3022056B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 導通テスト用プロ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129409A JP3022056B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 導通テスト用プロ−ブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342012A true JPH06342012A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3022056B2 JP3022056B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=15008833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129409A Expired - Fee Related JP3022056B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 導通テスト用プロ−ブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022056B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154286B1 (en) * | 2005-06-30 | 2006-12-26 | Interconnect Devices, Inc. | Dual tapered spring probe |
| JP2010101687A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Shikahama Seisakusho:Kk | コンタクトプローブ |
| JP2014086376A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電子部品用ソケット |
| KR20170064058A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드 및 그를 포함하는 테스트 장치 |
| KR20230076578A (ko) * | 2021-11-24 | 2023-05-31 | 주식회사 에스디에이 | 스크류 프로브가 구비된 프로브카드 및 이의 제조방법 |
| WO2024032967A1 (de) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | Ingun Prüfmittelbau Gmbh | Prüfstiftvorrichtung |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5129409A patent/JP3022056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154286B1 (en) * | 2005-06-30 | 2006-12-26 | Interconnect Devices, Inc. | Dual tapered spring probe |
| JP2010101687A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Shikahama Seisakusho:Kk | コンタクトプローブ |
| JP2014086376A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電子部品用ソケット |
| KR20170064058A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드 및 그를 포함하는 테스트 장치 |
| KR20230076578A (ko) * | 2021-11-24 | 2023-05-31 | 주식회사 에스디에이 | 스크류 프로브가 구비된 프로브카드 및 이의 제조방법 |
| WO2024032967A1 (de) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | Ingun Prüfmittelbau Gmbh | Prüfstiftvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3022056B2 (ja) | 2000-03-15 |
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