JPH06342856A - セラミックパッケージの構造 - Google Patents
セラミックパッケージの構造Info
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- JPH06342856A JPH06342856A JP5154219A JP15421993A JPH06342856A JP H06342856 A JPH06342856 A JP H06342856A JP 5154219 A JP5154219 A JP 5154219A JP 15421993 A JP15421993 A JP 15421993A JP H06342856 A JPH06342856 A JP H06342856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- chip component
- inner bottom
- housing
- adhesive
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミック筐体の内底面に於けるシールド効果
を維持しつつ、該セラミック筐体の内底面とチップ部品
との接着強度を向上せしめたセラミックパッケージを提
供することを目的とする。 【構成】少なくとも一の開口部を有するセラミック筐体
の内底面にチップ部品の底面を接着固定し前記開口部を
蓋にて封止することにより前記チップ部品を収納するセ
ラミックパッケージに於いて、前記セラミック筐体がそ
の内底面に金属薄膜を付着したものであって、少なくと
も前記チップ部品の接着領域については該金属薄膜の一
部を除去しセラミック筐体の表面を露出せしめたもの。
を維持しつつ、該セラミック筐体の内底面とチップ部品
との接着強度を向上せしめたセラミックパッケージを提
供することを目的とする。 【構成】少なくとも一の開口部を有するセラミック筐体
の内底面にチップ部品の底面を接着固定し前記開口部を
蓋にて封止することにより前記チップ部品を収納するセ
ラミックパッケージに於いて、前記セラミック筐体がそ
の内底面に金属薄膜を付着したものであって、少なくと
も前記チップ部品の接着領域については該金属薄膜の一
部を除去しセラミック筐体の表面を露出せしめたもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックパッケージ、
殊にチップ部品を収納する比較的小型で表面実装に適し
たセラミックパッケージの構造に関する。
殊にチップ部品を収納する比較的小型で表面実装に適し
たセラミックパッケージの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話、ページャ等の通信機器をはじ
めとして電子機器の軽薄短小化が進んでおり、これに伴
ってこれらの装置に搭載される電子部品についてもより
一層の小型化が要求されている。従来のリードタイプの
デバイスに代わって現在では表面実装タイプのデバイス
が主流となりつつある。
めとして電子機器の軽薄短小化が進んでおり、これに伴
ってこれらの装置に搭載される電子部品についてもより
一層の小型化が要求されている。従来のリードタイプの
デバイスに代わって現在では表面実装タイプのデバイス
が主流となりつつある。
【０００３】例えば、弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバ
イス）に於いては、図３（ａ）、（ｂ）の外観斜視図及
び断面図に示す如く一つの開口部を有するセラミック筐
体１の内底面とチップ部品２（この場合ＳＡＷ素子）の
底面とを接着剤３によって固定する所謂ダイボンド加工
すると共に前記セラミック筐体１の内部から外部へ貫通
した導通パターン４の内側露出部とチップ部品２のパッ
ド部（図示しない）をボンディングワイヤ５によって接
続した後、前記開口部をセラミックあるいは金属等の蓋
（図示しない）にて封止するセラミックパッケージが一
般的である。
イス）に於いては、図３（ａ）、（ｂ）の外観斜視図及
び断面図に示す如く一つの開口部を有するセラミック筐
体１の内底面とチップ部品２（この場合ＳＡＷ素子）の
底面とを接着剤３によって固定する所謂ダイボンド加工
すると共に前記セラミック筐体１の内部から外部へ貫通
した導通パターン４の内側露出部とチップ部品２のパッ
ド部（図示しない）をボンディングワイヤ５によって接
続した後、前記開口部をセラミックあるいは金属等の蓋
（図示しない）にて封止するセラミックパッケージが一
般的である。
【０００４】該セラミックパッケージのセラミック筐体
１の内底面は、その表面に金メッキ６を施すのが一般的
である。これは外部からの電磁波による影響を縮減すべ
くシールド効果を得んとするもので、これをアースと接
続するよう電極パターンを構成することが望ましい。単
にセラミックの表面に金メッキをすると両者間の接合強
度が弱いことから、タングステン層さらにニッケル層を
介して金メッキを施すことにより強固な金属膜を形成で
きることは周知の通りである。
１の内底面は、その表面に金メッキ６を施すのが一般的
である。これは外部からの電磁波による影響を縮減すべ
くシールド効果を得んとするもので、これをアースと接
続するよう電極パターンを構成することが望ましい。単
にセラミックの表面に金メッキをすると両者間の接合強
度が弱いことから、タングステン層さらにニッケル層を
介して金メッキを施すことにより強固な金属膜を形成で
きることは周知の通りである。
【０００５】しかしながら、接着剤を十分に硬化せしめ
た上で強度試験を行なうと、しばしば接着剤と金メッキ
の間で剥離が発生すると云う不具合があった。接着剤と
金メッキ間の接着強度が低下すれば、製造時にワイヤボ
ンディングを行なうべく超音波溶接する際、超音波の振
動エネルギーが漏れ易くなり、ボンディングワイヤの付
着強度が低下するあるいは完成品について振動あるいは
衝撃が加わるとチップ部品が剥離する云った問題の発生
が懸念される。
た上で強度試験を行なうと、しばしば接着剤と金メッキ
の間で剥離が発生すると云う不具合があった。接着剤と
金メッキ間の接着強度が低下すれば、製造時にワイヤボ
ンディングを行なうべく超音波溶接する際、超音波の振
動エネルギーが漏れ易くなり、ボンディングワイヤの付
着強度が低下するあるいは完成品について振動あるいは
衝撃が加わるとチップ部品が剥離する云った問題の発生
が懸念される。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上述した如き従来のセラミック
パッケージの欠点を除去するためになされたものであっ
て、セラミック筐体の内底面に於けるシールド効果を維
持しつつ、該セラミック筐体の内底面とチップ部品との
接着強度を向上せしめたセラミックパッケージを提供す
ることを目的とする。
パッケージの欠点を除去するためになされたものであっ
て、セラミック筐体の内底面に於けるシールド効果を維
持しつつ、該セラミック筐体の内底面とチップ部品との
接着強度を向上せしめたセラミックパッケージを提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【発明の概要】上述の目的を達成するため本発明は、少
なくとも一の開口部を有するセラミック筐体の内底面に
チップ部品の底面を接着固定し前記開口部を蓋にて封止
することにより前記チップ部品を収納するセラミックパ
ッケージに於いて、前記セラミック筐体がその内底面に
金属薄膜を付着したものであって、少なくとも前記チッ
プ部品の接着領域については該金属薄膜の一部を除去し
セラミック筐体の表面を露出せしめたもの、あるいは前
記セラミック筐体の内底面に金属薄膜を付着すると共に
該金属薄膜の表面の少なくとも前記チップ部品の接着領
域にセラミック層を形成したことによって、チップ部品
との接着強度を向上させたもの。
なくとも一の開口部を有するセラミック筐体の内底面に
チップ部品の底面を接着固定し前記開口部を蓋にて封止
することにより前記チップ部品を収納するセラミックパ
ッケージに於いて、前記セラミック筐体がその内底面に
金属薄膜を付着したものであって、少なくとも前記チッ
プ部品の接着領域については該金属薄膜の一部を除去し
セラミック筐体の表面を露出せしめたもの、あるいは前
記セラミック筐体の内底面に金属薄膜を付着すると共に
該金属薄膜の表面の少なくとも前記チップ部品の接着領
域にセラミック層を形成したことによって、チップ部品
との接着強度を向上させたもの。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例を示す図面に基づいて
詳細に説明する。実施例の説明に先立ち、本発明の技術
に至るまでの背景について簡単に説明する。
詳細に説明する。実施例の説明に先立ち、本発明の技術
に至るまでの背景について簡単に説明する。
【０００９】接着強度試験の結果より接着剤と金メッキ
の介面に剥離の原因があると仮定して、まず金メッキの
表面を拡大観察したところセラミックに比して金メッキ
の表面は粒子が細かく滑らかであった。この事実に鑑
み、セラミック板に直接チップ部品を接着したものと、
セラミック板の表面に前記セラミック筐体の内底面に付
着したのと同一の金属膜を介してチップ部品を接着した
ものについてその接着強度の実験を行なった。接着剤と
して加熱硬化型一液性シリコン接着剤を用い、サンプル
毎の接着剤量のばらつきを抑えるためディスペンサを用
いて塗布した。チップ部品は１．７×１．９×０．５ｍ
ｍのＬｉＮｂＯ3基板を用いた。接着剤の量はチップ部
品の裏面全体に展開しチップ四辺へのはみ出しが約０．
２ｍｍ程度となるようにディスペンサの吐出量を調整し
た。即ち接着剤の塗布面積は概ね５．３ｍｍ2となる。
の介面に剥離の原因があると仮定して、まず金メッキの
表面を拡大観察したところセラミックに比して金メッキ
の表面は粒子が細かく滑らかであった。この事実に鑑
み、セラミック板に直接チップ部品を接着したものと、
セラミック板の表面に前記セラミック筐体の内底面に付
着したのと同一の金属膜を介してチップ部品を接着した
ものについてその接着強度の実験を行なった。接着剤と
して加熱硬化型一液性シリコン接着剤を用い、サンプル
毎の接着剤量のばらつきを抑えるためディスペンサを用
いて塗布した。チップ部品は１．７×１．９×０．５ｍ
ｍのＬｉＮｂＯ3基板を用いた。接着剤の量はチップ部
品の裏面全体に展開しチップ四辺へのはみ出しが約０．
２ｍｍ程度となるようにディスペンサの吐出量を調整し
た。即ち接着剤の塗布面積は概ね５．３ｍｍ2となる。
【００１０】上述の条件で作成したサンプルについてせ
ん断強度を測定すべく、セラミック板を固定しチップ短
辺にプッシュプルテスターの先端を垂直に押し当て接着
面に平行な荷重をかけた。その結果、セラミック板表面
に接着したチップ部品の最大荷重は金メッキ表面に接着
した場合のそれに比して５．４倍となることが確認され
た。またセラミック板表面に接着した場合はセラミック
板とチップ部品の双方に接着剤が残っており接着剤自身
の破断であったのに対し、金メッキ表面に接着した場合
はチップ部品側にのみ接着剤が残り接着剤と金メッキと
の間の剥離によるものであった。
ん断強度を測定すべく、セラミック板を固定しチップ短
辺にプッシュプルテスターの先端を垂直に押し当て接着
面に平行な荷重をかけた。その結果、セラミック板表面
に接着したチップ部品の最大荷重は金メッキ表面に接着
した場合のそれに比して５．４倍となることが確認され
た。またセラミック板表面に接着した場合はセラミック
板とチップ部品の双方に接着剤が残っており接着剤自身
の破断であったのに対し、金メッキ表面に接着した場合
はチップ部品側にのみ接着剤が残り接着剤と金メッキと
の間の剥離によるものであった。
【００１１】以上の検討及び試験結果に基づき、接着剤
をセラミックと直接接触せしめるため本発明の如き構成
に到達した。図１は本発明に係るセラミックパッケージ
の第１の実施例を示す部分断面図であって、接着剤３と
セラミック筐体１の内底面が直接に接触するようタング
ステン層７、ニッケル層８及び金メッキ６から成る金属
膜を、接着剤の展開する領域について部分的に取り除い
たものであり、同図に於いては金属膜に３本のスリット
を構成したものを図示しているが、実際にはシールド効
果の低下を抑えるため金属膜あるいはスリットを比較的
細かいメッシュ状に構成するのが望ましい。
をセラミックと直接接触せしめるため本発明の如き構成
に到達した。図１は本発明に係るセラミックパッケージ
の第１の実施例を示す部分断面図であって、接着剤３と
セラミック筐体１の内底面が直接に接触するようタング
ステン層７、ニッケル層８及び金メッキ６から成る金属
膜を、接着剤の展開する領域について部分的に取り除い
たものであり、同図に於いては金属膜に３本のスリット
を構成したものを図示しているが、実際にはシールド効
果の低下を抑えるため金属膜あるいはスリットを比較的
細かいメッシュ状に構成するのが望ましい。
【００１２】図２は本発明に係るセラミックパッケージ
の第２の実施例を示す部分断面図であって、従来の金属
膜上にニッケル層及びタングステン層を積層した金属膜
９をセラミック筐体１の内底面のほぼ全面に付着した
後、少なくとも接着剤の展開する領域について金属膜９
の表面にセラミック層１０を構成したものである。
の第２の実施例を示す部分断面図であって、従来の金属
膜上にニッケル層及びタングステン層を積層した金属膜
９をセラミック筐体１の内底面のほぼ全面に付着した
後、少なくとも接着剤の展開する領域について金属膜９
の表面にセラミック層１０を構成したものである。
【００１３】上記いずれの実施例においても金属膜によ
るシールド効果を損なうことなく、チップ部品とセラミ
ック筐体の内底面との接着強度が、上述したセラミック
板にチップ部品を直接接着した場合とほぼ同等まで向上
することが判明した。尚、以上本発明をチップ部品とし
てＳＡＷ素子を用いたものを例に説明してきたが、本発
明はこれのみに限定されるものではなく、半導体チップ
等の他のいかなるデバイスのセラミックパッケージにも
適用可能である。
るシールド効果を損なうことなく、チップ部品とセラミ
ック筐体の内底面との接着強度が、上述したセラミック
板にチップ部品を直接接着した場合とほぼ同等まで向上
することが判明した。尚、以上本発明をチップ部品とし
てＳＡＷ素子を用いたものを例に説明してきたが、本発
明はこれのみに限定されるものではなく、半導体チップ
等の他のいかなるデバイスのセラミックパッケージにも
適用可能である。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明した如く構成するも
のであるから、パッケージ底面側のシールド効果を損な
うことなく、チップ部品とセラミック筐体の内底面との
接着強度を向上せしめ、衝撃等の外力による剥離を極限
する上で著しい効果を奏する。
のであるから、パッケージ底面側のシールド効果を損な
うことなく、チップ部品とセラミック筐体の内底面との
接着強度を向上せしめ、衝撃等の外力による剥離を極限
する上で著しい効果を奏する。
【００１５】
【図１】本発明に係るセラミックパッケージの第１の実
施例を示す部分断面図。
施例を示す部分断面図。
【図２】本発明に係るセラミックパッケージの第２の実
施例を示す部分断面図。
施例を示す部分断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ）はセラミックパッケージの構成
を示す図。
を示す図。
【図４】従来のセラミックパッケージの構成を示す部分
断面図。
断面図。
１・・・セラミック筐体 ２・・・チップ部品 ３・・・接着剤 ６・・・金メッキ ７・・・タングステン層 ８・・・ニッケル層 ９・・・金属膜 １０・・・セラミック層
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも一の開口部を有するセラミック
筐体の内底面にチップ部品の底面を接着固定し前記開口
部を蓋にて封止することにより前記チップ部品を収納す
るセラミックパッケージに於いて、前記セラミック筐体
がその内底面ほぼ全面に金属薄膜を付着したものであっ
て、少なくとも前記チップ部品の接着領域については該
金属薄膜の一部を除去しセラミック筐体の表面を露出せ
しめ、チップ部品との接着強度を向上させたことを特徴
とするセラミックパッケージの構造。 - 【請求項２】少なくとも一の開口部を有するセラミック
筐体の内底面にチップ部品の底面を接着固定し前記開口
部を蓋にて封止することにより前記チップ部品を収納す
るセラミックパッケージに於いて、前記セラミック筐体
の内底面に金属薄膜を付着すると共に該金属薄膜の表面
の少なくとも前記チップ部品の接着領域にセラミック層
を形成し、チップ部品との接着強度を向上させたことを
特徴とするセラミックパッケージの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154219A JPH06342856A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | セラミックパッケージの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154219A JPH06342856A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | セラミックパッケージの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342856A true JPH06342856A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15579454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154219A Pending JPH06342856A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | セラミックパッケージの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007228008A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 |
| CN112820703A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-05-18 | 深圳市中讯声表研究中心有限公司 | 芯片封装结构及其装配方法 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5154219A patent/JPH06342856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007228008A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 |
| CN112820703A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-05-18 | 深圳市中讯声表研究中心有限公司 | 芯片封装结构及其装配方法 |
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