JPH0634371B2 - チツプ型サ−ジ吸収器 - Google Patents
チツプ型サ−ジ吸収器Info
- Publication number
- JPH0634371B2 JPH0634371B2 JP59008065A JP806584A JPH0634371B2 JP H0634371 B2 JPH0634371 B2 JP H0634371B2 JP 59008065 A JP59008065 A JP 59008065A JP 806584 A JP806584 A JP 806584A JP H0634371 B2 JPH0634371 B2 JP H0634371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip type
- varistor element
- electrodes
- surge absorber
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気機器，電子機器を異常電圧から保護する
ためのチップ型サージ吸収器に関するもので、特に大き
なサージ電流が印加された場合、両端電圧の急激な上昇
や素子破壊を未然に防ぎ、かつ小型のチップ型サージ吸
収器を提供するものである。
ためのチップ型サージ吸収器に関するもので、特に大き
なサージ電流が印加された場合、両端電圧の急激な上昇
や素子破壊を未然に防ぎ、かつ小型のチップ型サージ吸
収器を提供するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、電子部品のチップ化が急速に進み、ＩＣ，トラン
ジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧から保護する
バリスタ素子を用いたサージ吸収器においても小型化，
チップ化がなされている。ところが、一般に素子形状が
小さいものや素子のバリスタ電圧が低いものは、サージ
耐量が低く、大きなサージ電流が流れた場合、素子自体
が破壊したり、劣化したりする欠点があった。これを防
止するため、通常は素子と並列にギャップ等を使用して
いる。しかし、サージ吸収器のチップ化が進んでいる現
在、このように部品点数を増すことは部品の小型化の流
れに逆行しているという欠点を有していた。
ジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧から保護する
バリスタ素子を用いたサージ吸収器においても小型化，
チップ化がなされている。ところが、一般に素子形状が
小さいものや素子のバリスタ電圧が低いものは、サージ
耐量が低く、大きなサージ電流が流れた場合、素子自体
が破壊したり、劣化したりする欠点があった。これを防
止するため、通常は素子と並列にギャップ等を使用して
いる。しかし、サージ吸収器のチップ化が進んでいる現
在、このように部品点数を増すことは部品の小型化の流
れに逆行しているという欠点を有していた。
発明の目的 本発明は前記欠点に鑑みてなされたものでありチップ型
バリスタの電極に並列に直接ギャップを形成することに
より、実装性にすぐれ、小型でサージ吸収能力の大きな
チップ型サージ吸収器を提供しようとするものである。
バリスタの電極に並列に直接ギャップを形成することに
より、実装性にすぐれ、小型でサージ吸収能力の大きな
チップ型サージ吸収器を提供しようとするものである。
発明の構成 この目的を達成するために本発明のチップ型サージ吸収
器は、板状バリスタ素子の両端面に設けられた電極と、
前記電極間に少なくとも形成された高抵抗層と、前記高
抵抗層上部に前記電極に対し並列に設けられたギャップ
を形成するギャップ形成用電極とから構成されている。
器は、板状バリスタ素子の両端面に設けられた電極と、
前記電極間に少なくとも形成された高抵抗層と、前記高
抵抗層上部に前記電極に対し並列に設けられたギャップ
を形成するギャップ形成用電極とから構成されている。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例におけるチップ型サ
ージ吸収器の斜視図、第２図は断面図である。１は板状
バリスタ素子で、例えば酸化亜鉛を主成分とした焼結体
である。２は板状バリスタ素子１の両端面に設けられた
電極で、通常Ag，Ni，Pd等のメッキ処理等により形成さ
れている。３は板状バリスタ素子１上部の電極２間に設
けられた高抵抗層で、例えば樹脂コーティング，ガラス
焼付け等より形成されている。４は高抵抗層３の上部に
おいてギャップを形成するためのギャップ形成用電極
で、このギャップが端面電極２に対して並列となるよう
に夫々この端面電極２から高抵抗層３上に延長されてい
る。なおこのギャップ形成用電極４は、電極２と同様A
g，Ni，Pd等のメッキ処理等により形成されている。こ
こで、高抵抗層３は前記電極２の間に少なくとも形成さ
れていればよく、その高抵抗層３上にギャップが形成さ
れるようにギャップ形成用電極４は設けられる。
明する。第１図は本発明の一実施例におけるチップ型サ
ージ吸収器の斜視図、第２図は断面図である。１は板状
バリスタ素子で、例えば酸化亜鉛を主成分とした焼結体
である。２は板状バリスタ素子１の両端面に設けられた
電極で、通常Ag，Ni，Pd等のメッキ処理等により形成さ
れている。３は板状バリスタ素子１上部の電極２間に設
けられた高抵抗層で、例えば樹脂コーティング，ガラス
焼付け等より形成されている。４は高抵抗層３の上部に
おいてギャップを形成するためのギャップ形成用電極
で、このギャップが端面電極２に対して並列となるよう
に夫々この端面電極２から高抵抗層３上に延長されてい
る。なおこのギャップ形成用電極４は、電極２と同様A
g，Ni，Pd等のメッキ処理等により形成されている。こ
こで、高抵抗層３は前記電極２の間に少なくとも形成さ
れていればよく、その高抵抗層３上にギャップが形成さ
れるようにギャップ形成用電極４は設けられる。
以上のように構成されたチップ型サージ吸収器につい
て、以下その動作を説明する。第３図は本発明によるチ
ップ型サージ吸収器の等価回路である。バリスタ素子Ａ
と放電用気中ギャップＢが並列に接続された形になる。
第４図は本発明によるチップ型サージ吸収器の制限電圧
−放電電流特性を示している。今、バリスタ素子Ａの制
限電圧は放電電流が増加するに従い、第４図ａのように
制限電圧が上昇する。通常のサージ吸収器は点線ｂのよ
うな特性を示し、最終的には破壊に至る。しかし、本発
明のチップ型サージ吸収器では、ギャップＢを形成する
電極４間の間隔を適当に調節しておけばＣ点の電圧でギ
ャップＢに放電が起り、その後電圧はギャップＢの放電
抵抗による特性第４図ｄまで下がる。ｅはバリスタ素子
ＡからギャップＢに放電が移行する状態である。このよ
うにしてサージ電流が分流する。
て、以下その動作を説明する。第３図は本発明によるチ
ップ型サージ吸収器の等価回路である。バリスタ素子Ａ
と放電用気中ギャップＢが並列に接続された形になる。
第４図は本発明によるチップ型サージ吸収器の制限電圧
−放電電流特性を示している。今、バリスタ素子Ａの制
限電圧は放電電流が増加するに従い、第４図ａのように
制限電圧が上昇する。通常のサージ吸収器は点線ｂのよ
うな特性を示し、最終的には破壊に至る。しかし、本発
明のチップ型サージ吸収器では、ギャップＢを形成する
電極４間の間隔を適当に調節しておけばＣ点の電圧でギ
ャップＢに放電が起り、その後電圧はギャップＢの放電
抵抗による特性第４図ｄまで下がる。ｅはバリスタ素子
ＡからギャップＢに放電が移行する状態である。このよ
うにしてサージ電流が分流する。
発明の効果 以上のごとく本発明は、板状バリスタ素子と、前記板状
バリスタ素子の両端面に設けられた電極と、前記板状バ
リスタ素子上で、少なくとも前記電極間に形成された高
抵抗層と、前記高抵抗層上において前記板状バリスタ素
子の電極間電圧がある一定電圧以上になった時に放電を
開始するギャップを形成すべく、夫々前記両端面の電極
から高抵抗層上に延長されたギャップ形成用電極とを備
えたものであり、以上の構成とすれば、板状バリスタ素
子の電極間電圧が一定電圧以上となった時にギャップ形
成用電極間のギャップを放電が始まる結果、この板状バ
リスタ素子への大電流が流れることはなくなり、その破
壊を防止できるとともに、制御電圧を低くすることもで
きる。
バリスタ素子の両端面に設けられた電極と、前記板状バ
リスタ素子上で、少なくとも前記電極間に形成された高
抵抗層と、前記高抵抗層上において前記板状バリスタ素
子の電極間電圧がある一定電圧以上になった時に放電を
開始するギャップを形成すべく、夫々前記両端面の電極
から高抵抗層上に延長されたギャップ形成用電極とを備
えたものであり、以上の構成とすれば、板状バリスタ素
子の電極間電圧が一定電圧以上となった時にギャップ形
成用電極間のギャップを放電が始まる結果、この板状バ
リスタ素子への大電流が流れることはなくなり、その破
壊を防止できるとともに、制御電圧を低くすることもで
きる。
またギャップとバリスタ素子が一体化されているので、
小型化出来るだけでなく、実装性もきわめて良好なもの
となる。
小型化出来るだけでなく、実装性もきわめて良好なもの
となる。
第１図は本発明の一実施例におけるチップ型サージ吸収
器の斜視図、第２図は同断面図、第３図は同チップ型サ
ージ吸収器の等価回路の回路図、第４図は同チップ型サ
ージ吸収器のＶ−Ｉ特性の模式図である。 １……板状バリスタ素子、２……電極、３……高抵抗
層、４……ギャップを形成している電極。
器の斜視図、第２図は同断面図、第３図は同チップ型サ
ージ吸収器の等価回路の回路図、第４図は同チップ型サ
ージ吸収器のＶ−Ｉ特性の模式図である。 １……板状バリスタ素子、２……電極、３……高抵抗
層、４……ギャップを形成している電極。
Claims (1)
- 【請求項１】板状バリスタ素子と、前記板状バリスタ素
子の両端面に設けられた電極と、前記板状バリスタ素子
上で、少なくとも前記電極間に形成された高抵抗層と、
前記高抵抗層上において前記板状バリスタ素子の電極間
電圧がある一定電圧以上になった時に放電を開始するギ
ャップを形成すべく、夫々前記両端面の電極から高抵抗
層上に延長されたギャップ形成用電極とからなるチップ
型サージ吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59008065A JPH0634371B2 (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59008065A JPH0634371B2 (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151987A JPS60151987A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0634371B2 true JPH0634371B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=11682940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59008065A Expired - Lifetime JPH0634371B2 (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634371B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511748U (ja) * | 1974-06-19 | 1976-01-08 | ||
| JPS5814562Y2 (ja) * | 1979-07-03 | 1983-03-23 | マルコン電子株式会社 | バリスタ |
| JPS5889035U (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | 田口 治郎兵衛 | 松葉杖の部材 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59008065A patent/JPH0634371B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60151987A (ja) | 1985-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |