JPS60205981A - チツプ型サ−ジ吸収器 - Google Patents
チツプ型サ−ジ吸収器Info
- Publication number
- JPS60205981A JPS60205981A JP59061446A JP6144684A JPS60205981A JP S60205981 A JPS60205981 A JP S60205981A JP 59061446 A JP59061446 A JP 59061446A JP 6144684 A JP6144684 A JP 6144684A JP S60205981 A JPS60205981 A JP S60205981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gap
- surge absorber
- type surge
- varistor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気機器、電子機器を異常電圧から保護する
だめのチップ型サージ吸収器に関するもので、低電圧領
域で漏れ電流がなく、また特に大きなサージ電流が印加
された場合に両端電圧の急倣な上昇や素子破壊を未然に
防ぎ、さらに小型のチップ型サージ吸収器を提供するも
のである。
だめのチップ型サージ吸収器に関するもので、低電圧領
域で漏れ電流がなく、また特に大きなサージ電流が印加
された場合に両端電圧の急倣な上昇や素子破壊を未然に
防ぎ、さらに小型のチップ型サージ吸収器を提供するも
のである。
従来例の構成とその問題点
近年、電子部品のチップ化が急速に進み、ＩＣやトラン
ジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧から保ｎφす
るバリスタ素子を用いたサージ吸収器においても小型化
、チップ化が図られている。
ジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧から保ｎφす
るバリスタ素子を用いたサージ吸収器においても小型化
、チップ化が図られている。
一般にバリスタ素子は電圧が印加されると、その電１１
−に応じて漏れ電流が常時流れ、電子機器の消費′１１
力が増加する。また、大きなサージ電流が流れた場合、
素子自体が破壊したり、劣化したりする欠点がある。こ
れらのことを防止するため、通常はバリスタ素子と直列
または並列にギャップなどを使用する。しかし、サージ
吸収器の小型化、チップ化が進んでいる現在、このよう
に部品点数を増すことは市場ニーズに逆行しているとい
う問題点を有していた。
−に応じて漏れ電流が常時流れ、電子機器の消費′１１
力が増加する。また、大きなサージ電流が流れた場合、
素子自体が破壊したり、劣化したりする欠点がある。こ
れらのことを防止するため、通常はバリスタ素子と直列
または並列にギャップなどを使用する。しかし、サージ
吸収器の小型化、チップ化が進んでいる現在、このよう
に部品点数を増すことは市場ニーズに逆行しているとい
う問題点を有していた。
発明の目的
本発明は前記のような従来の欠点に鑑みてなされたもの
であり、板状ノ＜リスク素子の両端面に第１電極、第２
電極を設け、第１電極の上部に高抵抗層を弁し第３電極
を設け、これらの電極カニ板状バリスタ素子と直列およ
び並列にギヤツブを３杉成することにより、低電圧領域
で漏れ電流がなく、また過太なサージが回加された場合
に両端電圧の急激な上昇や素子破壊を未然に防ぎ、さら
（（ｌ］・括り、高性口「のチップ型サージ吸収器を提
供しようとするものである。
であり、板状ノ＜リスク素子の両端面に第１電極、第２
電極を設け、第１電極の上部に高抵抗層を弁し第３電極
を設け、これらの電極カニ板状バリスタ素子と直列およ
び並列にギヤツブを３杉成することにより、低電圧領域
で漏れ電流がなく、また過太なサージが回加された場合
に両端電圧の急激な上昇や素子破壊を未然に防ぎ、さら
（（ｌ］・括り、高性口「のチップ型サージ吸収器を提
供しようとするものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参１１（ｉ ｌ
。
。
なから説明する０
第１図は本発明の一実施１タリにおけるチップ型サージ
吸収器の斜視図、第２Ｍｄ、その断面図である。
吸収器の斜視図、第２Ｍｄ、その断面図である。
１は板状バリスタ素子で、例えは酸化亜鉛を主成分とし
た焼結体である。２および３は板状）（１ノスタ素子１
の両端面に設けられた第１電極、第２電極で、通常Ａｇ
、Ｎｉなとのメッキ処理などにより形成されている。４
は板状ノクリスタ素子１の表１ｎ］と第一電極２の上部
に設けられた高抵抗層で、ｆｌｌえば樹脂のコーティン
グやガラスの焼判けなどにより形成きれている。６は第
１電極２の上部に高抵抗層４ｆ：介して設けられた第３
電極である。ここで、第１電極２と第３電極５は板状バ
リスタ素子１に対し直列にギャップＧ１を形成し、第２
電極３と第３電極６は板状バリスタ素子１とギャップＧ
１に対し並列にギャップＣＸ２を形成している。
た焼結体である。２および３は板状）（１ノスタ素子１
の両端面に設けられた第１電極、第２電極で、通常Ａｇ
、Ｎｉなとのメッキ処理などにより形成されている。４
は板状ノクリスタ素子１の表１ｎ］と第一電極２の上部
に設けられた高抵抗層で、ｆｌｌえば樹脂のコーティン
グやガラスの焼判けなどにより形成きれている。６は第
１電極２の上部に高抵抗層４ｆ：介して設けられた第３
電極である。ここで、第１電極２と第３電極５は板状バ
リスタ素子１に対し直列にギャップＧ１を形成し、第２
電極３と第３電極６は板状バリスタ素子１とギャップＧ
１に対し並列にギャップＣＸ２を形成している。
但し、この並列ギャップＧ２の放電開始電圧は直列ギャ
ップα１の放電開始電圧より高いことが必要であり１逆
の場合、本発明のチップ型サージ吸収器は単ＶＣギャッ
プの役目しか果さず、伺らの意味も持たなくなる。
ップα１の放電開始電圧より高いことが必要であり１逆
の場合、本発明のチップ型サージ吸収器は単ＶＣギャッ
プの役目しか果さず、伺らの意味も持たなくなる。
以−にのように構成されたチップ型サージ吸収器につい
て以下その効果を説明する。第３図は本発明によるチッ
プ型サージ吸収器の等価回路であり、バリスタ素子２と
放電用空中ギャップ０１が直列に接続され、さらにそれ
らに対し放電用空中ギヘツブＣｒ２が並列に接続された
形になっている。第４図は本発明によるチップ型サージ
吸収器の制限電圧−放電電流特性を示している０ここで
バリスタ素子２の漏れ電流は曲線ａ−ｃ −ｄ −ｆの
ように印加ＩＬ圧とともに上昇し、極端に高い’＋Ｑ圧
が目ｊ加されると、素子Ｚ自体の劣化もしくは破壊力；
発生する０ところが、本発明によるチップ型サージ吸収
器は、バリスタ素子２に対し直列にギャップ“０１が入
っているので、点すまで漏れ電流が全く流れない。そし
て′電圧がＣ以上になるとギャップ。
て以下その効果を説明する。第３図は本発明によるチッ
プ型サージ吸収器の等価回路であり、バリスタ素子２と
放電用空中ギャップ０１が直列に接続され、さらにそれ
らに対し放電用空中ギヘツブＣｒ２が並列に接続された
形になっている。第４図は本発明によるチップ型サージ
吸収器の制限電圧−放電電流特性を示している０ここで
バリスタ素子２の漏れ電流は曲線ａ−ｃ −ｄ −ｆの
ように印加ＩＬ圧とともに上昇し、極端に高い’＋Ｑ圧
が目ｊ加されると、素子Ｚ自体の劣化もしくは破壊力；
発生する０ところが、本発明によるチップ型サージ吸収
器は、バリスタ素子２に対し直列にギャップ“０１が入
っているので、点すまで漏れ電流が全く流れない。そし
て′電圧がＣ以上になるとギャップ。
０１は連続的に放′Ｉシシ、ノクリスタ素子２の能ブｊ
を生かしサージ吸収を行うＯさらに電圧が上７５（リノ
くリスク素子Ａのサージ吸収ｎレカの限界点に近つくと
、並列ギャップＧ２が放電を開始し、線分ｄｅｇに従い
チップ型サージ吸収器の両端電圧が下がり、バリスタ素
子２の劣化あるいは破壊を防止する０発明の効果 以上のように本発明は構成されているものであり、板状
バリスタ素子の両端面に設けられた電極の一方の上部に
高抵抗増を設け、さらにその上部に第３の電極を設け、
これらの電極を板状ツク１）スタ素子に対し直列あるい
は並列のギャップとして利用することにより、小型で消
費電力の小さく、かつ極端なサージ電圧からバリスタ素
子の劣化や破壊を防ぐことのできる冒性能のチップ型サ
ージ吸収器が得られるものである。
を生かしサージ吸収を行うＯさらに電圧が上７５（リノ
くリスク素子Ａのサージ吸収ｎレカの限界点に近つくと
、並列ギャップＧ２が放電を開始し、線分ｄｅｇに従い
チップ型サージ吸収器の両端電圧が下がり、バリスタ素
子２の劣化あるいは破壊を防止する０発明の効果 以上のように本発明は構成されているものであり、板状
バリスタ素子の両端面に設けられた電極の一方の上部に
高抵抗増を設け、さらにその上部に第３の電極を設け、
これらの電極を板状ツク１）スタ素子に対し直列あるい
は並列のギャップとして利用することにより、小型で消
費電力の小さく、かつ極端なサージ電圧からバリスタ素
子の劣化や破壊を防ぐことのできる冒性能のチップ型サ
ージ吸収器が得られるものである。
第１図は本発明におけるチップ型サージ吸収器の斜視図
、第２図は同断面図、第３図は同チップ型サージ吸収器
の等価回路を示す図、第４図は同チップ型サージ吸収器
の制限電圧−放電電流特性を示す図である。 １・・・・・・板状バリスタ素子、２・・・・・・第１
電極、３・・・・・骨、２電極、４・・・・・・高抵抗
層、５・・・・・・第３電極、Ｚ・・・・・・バリスタ
素子、Ｇ１・・・・・・第１のギャップ、０２・・・・
・・第２のギャップ。 イい！ｌ（人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１
名第１図 第 ２ 図 第３図 第４図 →枚覧覧几
、第２図は同断面図、第３図は同チップ型サージ吸収器
の等価回路を示す図、第４図は同チップ型サージ吸収器
の制限電圧−放電電流特性を示す図である。 １・・・・・・板状バリスタ素子、２・・・・・・第１
電極、３・・・・・骨、２電極、４・・・・・・高抵抗
層、５・・・・・・第３電極、Ｚ・・・・・・バリスタ
素子、Ｇ１・・・・・・第１のギャップ、０２・・・・
・・第２のギャップ。 イい！ｌ（人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１
名第１図 第 ２ 図 第３図 第４図 →枚覧覧几
Claims (1)
- 板状バリスタ素子の両端面に第１の電極と第２の電極と
を設け、前記第１の電極および前記板状バリスタ素子表
面を被接するよう高抵抗層を設けると共にこの高抵抗層
上部に第３の電極を設け、前記板状バリスタ素子に対し
第１電極と第３電極が直列に第１のギャップを形成し、
前記板状バリスタ素子と第１のギャップに対し第２電極
と第３電極が並列に第２のギャップを形成し、前記第１
のギャップの放電開始電圧が第２のギャップの放電開始
電圧より高いことを特徴とするチップ型サージ吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061446A JPS60205981A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061446A JPS60205981A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205981A true JPS60205981A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13171294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061446A Pending JPS60205981A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チツプ型サ−ジ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60205981A (ja) |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59061446A patent/JPS60205981A/ja active Pending
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