JPH0634377B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JPH0634377B2 JPH0634377B2 JP1321373A JP32137389A JPH0634377B2 JP H0634377 B2 JPH0634377 B2 JP H0634377B2 JP 1321373 A JP1321373 A JP 1321373A JP 32137389 A JP32137389 A JP 32137389A JP H0634377 B2 JPH0634377 B2 JP H0634377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting surface
- rod
- light source
- light beam
- shaped light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は加熱装置、特に電子部品のハンダ付けに好適
な加熱装置に関する。
な加熱装置に関する。
＜従来の技術＞ 従来のハンダ付け用の加熱装置を第５図及び第６図に基
づいて説明する（特開昭６３−９８６号公報参照）。１
が左右一対の反射ミラーで、内側断面形状が所定サイズ
の楕円Ｏ１に合致する半楕円筒形状であって、その頂点
Ａ付近に切欠部２を形成した如き形状を呈している。つ
まり、図面上現れないがこの同一断面形状のまま所定の
長さサイズを備えた立体形状となっている。従って、こ
の反射ミラー１の内側には、半楕円凹面の反射面３が形
成されることとなる。そして、この反射面３が合致する
楕円Ｏ１の第１焦点ｆ１には棒状光源４としてのハロゲ
ンランプが反射ミラー１と平行な長手方向に沿って設置
されている。この棒状光源４から発せられた光ビームＬ
は反射面３にて反射された後、第２焦点ｆ２近辺に集光
する。
づいて説明する（特開昭６３−９８６号公報参照）。１
が左右一対の反射ミラーで、内側断面形状が所定サイズ
の楕円Ｏ１に合致する半楕円筒形状であって、その頂点
Ａ付近に切欠部２を形成した如き形状を呈している。つ
まり、図面上現れないがこの同一断面形状のまま所定の
長さサイズを備えた立体形状となっている。従って、こ
の反射ミラー１の内側には、半楕円凹面の反射面３が形
成されることとなる。そして、この反射面３が合致する
楕円Ｏ１の第１焦点ｆ１には棒状光源４としてのハロゲ
ンランプが反射ミラー１と平行な長手方向に沿って設置
されている。この棒状光源４から発せられた光ビームＬ
は反射面３にて反射された後、第２焦点ｆ２近辺に集光
する。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本来ならば、この第２焦点ｆ２の一点に完全に集光する
訳であるが、棒状光源４自体が一定の幅（太さ）を有し
ているために、集光された光ビームＬは棒状光源４に平
行な一定幅Ｄの帯状の照射エリア１７となる。つまり、
反射面３の棒状光源４から遠い部分（例えばｂ〜ｃの範
囲）で反射された光ビームＬ１は反射による倍率が低い
ために、第２焦点ｆ２に幅ｄ′である棒状光源４の像を
結び、棒状光源４に近い頂点Ａ寄りの部分（例えばａ〜
ｂの範囲）で反射された光ビームＬ２は反射による倍率
が高いために、第２焦点ｆ２に幅Ｄである棒状光源４の
像を結び、この光ビームＬ２に係る像の幅Ｄが光ビーム
Ｌの全体的な幅となる。
訳であるが、棒状光源４自体が一定の幅（太さ）を有し
ているために、集光された光ビームＬは棒状光源４に平
行な一定幅Ｄの帯状の照射エリア１７となる。つまり、
反射面３の棒状光源４から遠い部分（例えばｂ〜ｃの範
囲）で反射された光ビームＬ１は反射による倍率が低い
ために、第２焦点ｆ２に幅ｄ′である棒状光源４の像を
結び、棒状光源４に近い頂点Ａ寄りの部分（例えばａ〜
ｂの範囲）で反射された光ビームＬ２は反射による倍率
が高いために、第２焦点ｆ２に幅Ｄである棒状光源４の
像を結び、この光ビームＬ２に係る像の幅Ｄが光ビーム
Ｌの全体的な幅となる。
このように第２焦点ｆ２位置に得られる帯状の照射エリ
ア１７の幅Ｄがどうしても広くなりがちで、この照射エ
リア１７にてフラットパックＩＣ５のリードピン６の列
をハンダ７にて基板８に接合しようとしても、熱に弱い
ＩＣ部分９や或いは隣のリードピン１０に光ビームＬが
当たってしまうため、良好なハンダ処理を行いづらかっ
た。
ア１７の幅Ｄがどうしても広くなりがちで、この照射エ
リア１７にてフラットパックＩＣ５のリードピン６の列
をハンダ７にて基板８に接合しようとしても、熱に弱い
ＩＣ部分９や或いは隣のリードピン１０に光ビームＬが
当たってしまうため、良好なハンダ処理を行いづらかっ
た。
この発明はこのような従来の技術に着目してなされたも
のであり、従来よりも幅が狭い状の照射エリアを得るこ
とができる加熱装置を提供せんとするものである。
のであり、従来よりも幅が狭い状の照射エリアを得るこ
とができる加熱装置を提供せんとするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 上記の目的を達成するために、この発明に係る加熱装置
の反射面は、所定サイズの楕円に合致する曲率の半楕円
凹面であって、その頂点寄り部分が大きな幅の切欠部と
なっている第１反射面と、前期第１反射面の楕円と同一
の第１焦点を共有したサイズ大なる楕円に合致する曲率
の部分楕円凹面であって、前記第１反射面の切欠部の対
応位置に該第１反射面１２とは分離された状態で配さ
れ、その頂点部分が棒状光源よりも若干大なる幅の切欠
部となっている第２反射面とから成り、前記棒状光源
が、第１反射面及び第２反射面の共通する第１焦点に位
置している。
の反射面は、所定サイズの楕円に合致する曲率の半楕円
凹面であって、その頂点寄り部分が大きな幅の切欠部と
なっている第１反射面と、前期第１反射面の楕円と同一
の第１焦点を共有したサイズ大なる楕円に合致する曲率
の部分楕円凹面であって、前記第１反射面の切欠部の対
応位置に該第１反射面１２とは分離された状態で配さ
れ、その頂点部分が棒状光源よりも若干大なる幅の切欠
部となっている第２反射面とから成り、前記棒状光源
が、第１反射面及び第２反射面の共通する第１焦点に位
置している。
＜作 用＞ 棒状光源からの光ビームを高倍率で反射する反射面の頂
点寄り部分を切欠部として無くして第１反射面と、その
切欠部の対応位置に第２反射面を配したので、この第２
反射面における反射倍率は下がり、この部分で反射され
た光ビームは外側へ広がらず、帯状照射エリアの幅が狭
くなる。
点寄り部分を切欠部として無くして第１反射面と、その
切欠部の対応位置に第２反射面を配したので、この第２
反射面における反射倍率は下がり、この部分で反射され
た光ビームは外側へ広がらず、帯状照射エリアの幅が狭
くなる。
＜実施例＞ 以下この発明の好適な一実施例を第１図〜第４図に基づ
いて説明する。尚、従来と共通する部分には同一の符号
を付し、重複する説明は省略する。
いて説明する。尚、従来と共通する部分には同一の符号
を付し、重複する説明は省略する。
この実施例に係る反射ミラー１１は、楕円Ｏ１に合致す
る曲率の半楕円凹面で、その頂点Ａ寄り部分を大きな切
欠部１９とした第１反射面１２を備えた一対の第１反射
ミラー１３と、前記楕円Ｏ１と同一の第１焦点ｆ１を共
有し且つ該楕円Ｏ１よりもサイズ大なる楕円Ｏ２に合致
する曲率の部分楕円凹面であって、前記切欠部１９の対
応位置に、第１反射面１２とは分離された状態で配され
た第２反射面１４を備えた第２反射ミラー１５と、から
成っている。棒状の光源４は第１反射面１２及び第２反
射面１４の共通の第１焦点ｆ１に設置されている。ま
た、第２反射面１４の頂点Ａ′部分は幅の狭い切欠部１
６となっている。この部分を切欠部１６としたのは、こ
の部分で反射された光ビームが棒状光源４自体にはね返
ってきて、この棒状光源４自身に熱負荷を加えてしまう
からである。
る曲率の半楕円凹面で、その頂点Ａ寄り部分を大きな切
欠部１９とした第１反射面１２を備えた一対の第１反射
ミラー１３と、前記楕円Ｏ１と同一の第１焦点ｆ１を共
有し且つ該楕円Ｏ１よりもサイズ大なる楕円Ｏ２に合致
する曲率の部分楕円凹面であって、前記切欠部１９の対
応位置に、第１反射面１２とは分離された状態で配され
た第２反射面１４を備えた第２反射ミラー１５と、から
成っている。棒状の光源４は第１反射面１２及び第２反
射面１４の共通の第１焦点ｆ１に設置されている。ま
た、第２反射面１４の頂点Ａ′部分は幅の狭い切欠部１
６となっている。この部分を切欠部１６としたのは、こ
の部分で反射された光ビームが棒状光源４自体にはね返
ってきて、この棒状光源４自身に熱負荷を加えてしまう
からである。
そして、棒状光源４から発せられた光ビームＬのうち、
第１反射面１２にて反射された光ビームＬ１は、棒状光
源４から第１反射面１２までの距離が長いために、従来
通り反射倍率が低く、第２焦点ｆ２に幅ｄ′である棒状
光源４の像を結ぶ。また、第２反射面１４にて反射され
た光ビームＬ２は、棒状光源４から第２反射面１４まで
の距離が長くなったため、それに応じて反射倍率が下が
り、先の第１反射面１２で反射された光ビームＬ１のす
ぐ外側の接近位置に光ビームＬ１を包み込む状態で幅ｄ
である棒状光源４の像を結ぶ。従って、前記第１反射面
１２及び第２反射面１４にて反射されて集光された光ビ
ームＬ（Ｌ１、Ｌ２）は狭い幅（この実施例では２〜３
mm）ｄの帯状の照射エリア１７となる。この実施例にお
ける光ビームＬをエネルギー（集光密度）の面から従来
例と比べると、第４図から明らかなように、本発明の光
ビームＬの方が従来よりも第２焦点ｆ２に集中している
のがわかる。
第１反射面１２にて反射された光ビームＬ１は、棒状光
源４から第１反射面１２までの距離が長いために、従来
通り反射倍率が低く、第２焦点ｆ２に幅ｄ′である棒状
光源４の像を結ぶ。また、第２反射面１４にて反射され
た光ビームＬ２は、棒状光源４から第２反射面１４まで
の距離が長くなったため、それに応じて反射倍率が下が
り、先の第１反射面１２で反射された光ビームＬ１のす
ぐ外側の接近位置に光ビームＬ１を包み込む状態で幅ｄ
である棒状光源４の像を結ぶ。従って、前記第１反射面
１２及び第２反射面１４にて反射されて集光された光ビ
ームＬ（Ｌ１、Ｌ２）は狭い幅（この実施例では２〜３
mm）ｄの帯状の照射エリア１７となる。この実施例にお
ける光ビームＬをエネルギー（集光密度）の面から従来
例と比べると、第４図から明らかなように、本発明の光
ビームＬの方が従来よりも第２焦点ｆ２に集中している
のがわかる。
次に、上記の如き構造をした加熱装置により、フラット
パックＩＣ５のリードピン６を基板８に接合する場合の
動作を説明する。まず、棒状光源４には最初から全電圧
（１００Ｖ）をかけずに、照射エリア１７を基板８上に
おいて目で確認できる程度の小さい電圧（２０Ｖ）をか
ける。そして、照射エリア１７をリードピン６の列に位
置合わせさせた後に全電圧をかける。そうすることによ
り、第１反射面１２及び第２反射面１４にてそれぞれ反
射された光ビームＬ１、Ｌ２の相乗作用によりリードピ
ン６の下方のハンダ７が溶けて、リードピン６が基板８
に対して確実に接合されることとなる。つまり、第１反
射面１２からの光ビームＬ１はリードピン６めがけて狭
い幅ｄ′で照射され、これに対し第２反射面からの光ビ
ームＬ２は先の光ビームＬ１の直ぐ外側の接近位置をめ
がけて幅ｄで照射されるため、光ビームＬ１はダイレク
トにリードピン６及びハンダ７を加熱し、光ビームＬ２
には先の光ビームＬ１による加熱部分周辺の基板８等を
ソフトに加熱する。従って、溶融したハンダ７は基板８
に対する「なじみ」や「ぬれ性」が高まり、大変に良好
なハンダ付け処理を行うことができる。しかも、このよ
うに光ビームＬ１、Ｌ２による相乗的な加熱を行なえる
ものでありながら、その照射エリア１７自体の幅ｄは従
来に比べて狭いので、熱に弱いＩＣ部分９や隣接するリ
ードピンに光ビームＬが当たったりするようなことはな
い。しかも、照射エリア１７の幅ｄが狭くなった分だけ
光ビームＬのエンジンが高まるので、従来よりも短時間
（約８秒）でハンダ７を溶融させることができ、ハンダ
付け作業能率が高まる。加えて、第１ミラー１３と第２
反射ミラー１５との隙間１８から棒状光源４の出し入れ
を行なえるようになり、メンテナンス性が向上する。
パックＩＣ５のリードピン６を基板８に接合する場合の
動作を説明する。まず、棒状光源４には最初から全電圧
（１００Ｖ）をかけずに、照射エリア１７を基板８上に
おいて目で確認できる程度の小さい電圧（２０Ｖ）をか
ける。そして、照射エリア１７をリードピン６の列に位
置合わせさせた後に全電圧をかける。そうすることによ
り、第１反射面１２及び第２反射面１４にてそれぞれ反
射された光ビームＬ１、Ｌ２の相乗作用によりリードピ
ン６の下方のハンダ７が溶けて、リードピン６が基板８
に対して確実に接合されることとなる。つまり、第１反
射面１２からの光ビームＬ１はリードピン６めがけて狭
い幅ｄ′で照射され、これに対し第２反射面からの光ビ
ームＬ２は先の光ビームＬ１の直ぐ外側の接近位置をめ
がけて幅ｄで照射されるため、光ビームＬ１はダイレク
トにリードピン６及びハンダ７を加熱し、光ビームＬ２
には先の光ビームＬ１による加熱部分周辺の基板８等を
ソフトに加熱する。従って、溶融したハンダ７は基板８
に対する「なじみ」や「ぬれ性」が高まり、大変に良好
なハンダ付け処理を行うことができる。しかも、このよ
うに光ビームＬ１、Ｌ２による相乗的な加熱を行なえる
ものでありながら、その照射エリア１７自体の幅ｄは従
来に比べて狭いので、熱に弱いＩＣ部分９や隣接するリ
ードピンに光ビームＬが当たったりするようなことはな
い。しかも、照射エリア１７の幅ｄが狭くなった分だけ
光ビームＬのエンジンが高まるので、従来よりも短時間
（約８秒）でハンダ７を溶融させることができ、ハンダ
付け作業能率が高まる。加えて、第１ミラー１３と第２
反射ミラー１５との隙間１８から棒状光源４の出し入れ
を行なえるようになり、メンテナンス性が向上する。
＜発明の効果＞ この発明に係る加熱装置は、以上説明してきた如き内容
のものであって、第２反射面が棒状光源から離れること
となるので、この部分における反射倍率が下がることと
なり、光ビームが外側へ広がらず帯状照射エリアの幅が
狭くなる。従って、基板上に電子部品等を密集状態でハ
ンダ付けしたりする場合のハンダ部位加熱用として好適
である。
のものであって、第２反射面が棒状光源から離れること
となるので、この部分における反射倍率が下がることと
なり、光ビームが外側へ広がらず帯状照射エリアの幅が
狭くなる。従って、基板上に電子部品等を密集状態でハ
ンダ付けしたりする場合のハンダ部位加熱用として好適
である。
また、照射エリアの幅が狭くなって分だけ光ビームのエ
ネルギーが高まるので、加熱対象部位の温度を従来より
も短時間で目標温度まで到達させることができ、ハンダ
付け作業能率が向上する。
ネルギーが高まるので、加熱対象部位の温度を従来より
も短時間で目標温度まで到達させることができ、ハンダ
付け作業能率が向上する。
加えて、第１反射面と第２反射との間の隙間から棒状光
源の出し入れ等を行うことができるようになりメンテナ
ンス性も向上する。
源の出し入れ等を行うことができるようになりメンテナ
ンス性も向上する。
第１図はこの発明の好適な一実施例を示す加熱装置の概
略側面図、 第２図は第１図に示した加熱装置の全体斜視図、第３図
は光ビームによりフラットパックＩＣのリードピンをハ
ンダ付けする状態を示す拡大側面図、 第４図は光ビームの集光密度と第２焦点位置との関係を
示す図、 第５図は従来の加熱装置を示す第１図相当の側面図、そ
して 第６図は従来の加熱装置を示す第３図相当の拡大側面図
である。 ４……棒状光源 １１……反射ミラー １３……第１反射面 １４……第２反射面 １９……切欠部 １７……照射エリア Ａ、Ａ′……頂点 Ｌ……光ビーム Ｏ１、Ｏ２……楕円
略側面図、 第２図は第１図に示した加熱装置の全体斜視図、第３図
は光ビームによりフラットパックＩＣのリードピンをハ
ンダ付けする状態を示す拡大側面図、 第４図は光ビームの集光密度と第２焦点位置との関係を
示す図、 第５図は従来の加熱装置を示す第１図相当の側面図、そ
して 第６図は従来の加熱装置を示す第３図相当の拡大側面図
である。 ４……棒状光源 １１……反射ミラー １３……第１反射面 １４……第２反射面 １９……切欠部 １７……照射エリア Ａ、Ａ′……頂点 Ｌ……光ビーム Ｏ１、Ｏ２……楕円
Claims (1)
- 【請求項１】反射ミラー１１の内側に単一の棒状光源４
を設置し、該反射ミラー１１の反射面でもって棒状光源
４から発せられた光ビームＬを棒状光源４と平行な１本
の細い帯状の照射エリア１７として集光する加熱装置に
おいて、 上記反射面は、所定サイズの楕円Ｏ１に合致する曲率の
半楕円凹面であって、その頂点Ａ寄り部分が大きな幅の
切欠部１９となっている第１反射面１２と、 前記第１反射面１２の楕円と同一の第１焦点ｆ１を共有
したサイズ大なる楕円Ｏ２に合致する曲率の部分楕円凹
面であって、前記第１反射面１２の切欠部１９の対応位
置に該第１反射面１２とは分離された状態で配され、そ
の頂点Ａ′部分が棒状光源４よりも若干大なる幅の切欠
部１６となっている第２反射面１４とから成り、 前記棒状光源４が、第１反射面１２及び第２反射面１４
の共通する第１焦点ｆ１に位置していることを特徴とす
る加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321373A JPH0634377B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321373A JPH0634377B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184287A JPH03184287A (ja) | 1991-08-12 |
| JPH0634377B2 true JPH0634377B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=18131842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321373A Expired - Lifetime JPH0634377B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634377B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2047876C1 (ru) * | 1993-03-30 | 1995-11-10 | Научно-производственная фирма "МГМ" | Устройство для светолучевой обработки |
| RU2047875C1 (ru) * | 1993-03-30 | 1995-11-10 | Научно-производственная фирма "МГМ" | Устройство для светолучевой обработки |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067507B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 加熱装置 |
| JPH01161692A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Japan Ranpu Kk | ランプ熱源装置 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1321373A patent/JPH0634377B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03184287A (ja) | 1991-08-12 |
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