JPH0634442B2 - ムライト配線基板の製造方法 - Google Patents
ムライト配線基板の製造方法Info
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- JPH0634442B2 JPH0634442B2 JP61278598A JP27859886A JPH0634442B2 JP H0634442 B2 JPH0634442 B2 JP H0634442B2 JP 61278598 A JP61278598 A JP 61278598A JP 27859886 A JP27859886 A JP 27859886A JP H0634442 B2 JPH0634442 B2 JP H0634442B2
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- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はムライト配線基板にかかわり、特に、基板表面
の導体にNi めっきを施したムライト配線基板の製造方
法に関する。
の導体にNi めっきを施したムライト配線基板の製造方
法に関する。
セラミック配線基板は、信頼性が高く、小型化が可能で
あるという特長をもつことから、ＬＳＩチップや小型電
子部品を搭載するための回路基板として用いられてい
る。ムライトを主成分とするムライト配線基板もその一
例であり、製造方法は一般的なアルミナ配線基板と同様
である。すなわち、セラミック原料粉末を有機樹脂で結
合したセラミック生シート（以下グリーンシートと記
す）を作製し、穴加工および印刷を行い配線層を形成し
た後、所定温度で焼成する。続いて、配線基板表面の導
体の保護および部品のはんだ接続のため、基板表面の導
体上にめっきを施す。このめっきとしては、従来Ni−Ｐ
系の無電解めっきが行われている。続いて、めっき膜の
熱処理を行った後、部品をはんだ接続する。なお、熱処
理としては、基板表面導体とめっき膜との間で十分な接
着を得るために、600 ℃以上の温度で行う必要がある。
あるという特長をもつことから、ＬＳＩチップや小型電
子部品を搭載するための回路基板として用いられてい
る。ムライトを主成分とするムライト配線基板もその一
例であり、製造方法は一般的なアルミナ配線基板と同様
である。すなわち、セラミック原料粉末を有機樹脂で結
合したセラミック生シート（以下グリーンシートと記
す）を作製し、穴加工および印刷を行い配線層を形成し
た後、所定温度で焼成する。続いて、配線基板表面の導
体の保護および部品のはんだ接続のため、基板表面の導
体上にめっきを施す。このめっきとしては、従来Ni−Ｐ
系の無電解めっきが行われている。続いて、めっき膜の
熱処理を行った後、部品をはんだ接続する。なお、熱処
理としては、基板表面導体とめっき膜との間で十分な接
着を得るために、600 ℃以上の温度で行う必要がある。
上記従来技術は、めっき膜が熱処理時において収縮する
という点について十分配慮がされておらず、そのため、
従来用いられているNi−Ｐ系のめっき膜では、めっき後
の熱処理を行うことによって、めっき膜の端部が持ち上
がり、極端な場合には、配線基板表面のムライト部にク
ラックが発生するという問題があった。このように、端
部が持ち上がったり、クラックが発生したりすると、部
品と配線基板との熱膨張率差に基づく熱ストレスが上記
端部およびクラックに集中するため、接続の寿命が大幅
に短かくなり、部品をはんだ接続した場合の信頼性が大
幅に低下する。
という点について十分配慮がされておらず、そのため、
従来用いられているNi−Ｐ系のめっき膜では、めっき後
の熱処理を行うことによって、めっき膜の端部が持ち上
がり、極端な場合には、配線基板表面のムライト部にク
ラックが発生するという問題があった。このように、端
部が持ち上がったり、クラックが発生したりすると、部
品と配線基板との熱膨張率差に基づく熱ストレスが上記
端部およびクラックに集中するため、接続の寿命が大幅
に短かくなり、部品をはんだ接続した場合の信頼性が大
幅に低下する。
本発明の目的は、接続の信頼性が高いめっき膜を施した
ムライト配線基板の製造方法を提供することにある。
ムライト配線基板の製造方法を提供することにある。
上記目的は、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を
主成分とする基板を用い、該ムライト基板に導体パター
ンを形成した後、該導体パターン上にめっき膜として、
組成がNi：98.0重量％以上99.99 重量％以下、Ｂ：2.0
重量％以下0.01重量％以上で、膜厚が8.0 μｍ以下のＮ
ｉ−Ｂ合金よりなるめっき膜を形成し、かつ1000℃以下
で熱処理を行うことにより、達成される。
主成分とする基板を用い、該ムライト基板に導体パター
ンを形成した後、該導体パターン上にめっき膜として、
組成がNi：98.0重量％以上99.99 重量％以下、Ｂ：2.0
重量％以下0.01重量％以上で、膜厚が8.0 μｍ以下のＮ
ｉ−Ｂ合金よりなるめっき膜を形成し、かつ1000℃以下
で熱処理を行うことにより、達成される。
前述した熱処理後のめっき膜の端部の持ち上がりや配線
基板表面のクラックが発生する原因は、Ni−Ｐ組成のめ
っき膜が熱処理時のアモルファス状態からNiとNi3Ｐに
相変化する際の体積減少に伴って起こる収縮である。こ
の収縮量は、例えば、めっき膜組成がNi：92〜99重量
％、Ｐ：８〜１重量％のもので、800 ℃以下の熱処理温
度で0.9〜0.5％である。めっき膜は、ムライト配線基板
の表面導体上にあるため、上記収縮によって応力が発生
し、その結果、端部の持ち上がり配線基板表面のクラッ
クが発生することとなる。従って、端部の持ち上がりや
クラックを防止するには、熱処理字の変態に伴う応力が
小さいめっき膜を使用すればよい。具体的には、相変化
に伴う収縮量が小さい、また硬度が低いめっき膜を用い
ればよい。そのためには、純Ni に近いもの、すなわち
Ｐの含有量を少なくしてやればよいが、無電界めっきで
は上記した１重量％以下にすることは困難である。な
お、電気Ni めっき法で配線基板表面導体のすべてにめ
っきすることは、電気的に遊離している配線パターンが
あるため、実施はできない。
基板表面のクラックが発生する原因は、Ni−Ｐ組成のめ
っき膜が熱処理時のアモルファス状態からNiとNi3Ｐに
相変化する際の体積減少に伴って起こる収縮である。こ
の収縮量は、例えば、めっき膜組成がNi：92〜99重量
％、Ｐ：８〜１重量％のもので、800 ℃以下の熱処理温
度で0.9〜0.5％である。めっき膜は、ムライト配線基板
の表面導体上にあるため、上記収縮によって応力が発生
し、その結果、端部の持ち上がり配線基板表面のクラッ
クが発生することとなる。従って、端部の持ち上がりや
クラックを防止するには、熱処理字の変態に伴う応力が
小さいめっき膜を使用すればよい。具体的には、相変化
に伴う収縮量が小さい、また硬度が低いめっき膜を用い
ればよい。そのためには、純Ni に近いもの、すなわち
Ｐの含有量を少なくしてやればよいが、無電界めっきで
は上記した１重量％以下にすることは困難である。な
お、電気Ni めっき法で配線基板表面導体のすべてにめ
っきすることは、電気的に遊離している配線パターンが
あるため、実施はできない。
一方、相変化に伴う収縮量が小さく、かつ熱処理後の硬
度が低いめっき膜として、Ni−Ｂ組成のめっき膜があ
る。その適正な組成範囲は、Ni：98.0重量％以上99.99
重量％以下、Ｂ：2.0重量％以下0.01重量％以上であ
る。この範囲内の組成のめっき膜の収縮量は、1000℃以
下の熱処理温度で0.5％以下である。また、熱処理後の
めっき膜の硬度も、従来のNi−Ｐ系めっき膜の２／３以
下である。なお、熱処理温度が1000℃を超えると、収縮
量も0.5％以上となり、従来技術の場合と同様に持ち上
がりの傾向が現れるので、適切でない。
度が低いめっき膜として、Ni−Ｂ組成のめっき膜があ
る。その適正な組成範囲は、Ni：98.0重量％以上99.99
重量％以下、Ｂ：2.0重量％以下0.01重量％以上であ
る。この範囲内の組成のめっき膜の収縮量は、1000℃以
下の熱処理温度で0.5％以下である。また、熱処理後の
めっき膜の硬度も、従来のNi−Ｐ系めっき膜の２／３以
下である。なお、熱処理温度が1000℃を超えると、収縮
量も0.5％以上となり、従来技術の場合と同様に持ち上
がりの傾向が現れるので、適切でない。
本発明のムライト配線基板の製造方法における接続の信
頼性の高いＮｉ−Ｂめっき膜の組成は、Ｎｉ−Ｂの無電
解めっき液中には必ず安定剤としてＢを含有させる必要
があることから、無電解Ｎｉ−Ｂめっき膜中のＢ含有量
を０．０１重量％未満にすることは極めて難しく、その
ためＢ含有量は０．０１重量％以上、すなわちＮｉ含有
量は９９．９９％以下とすることが望ましい。
頼性の高いＮｉ−Ｂめっき膜の組成は、Ｎｉ−Ｂの無電
解めっき液中には必ず安定剤としてＢを含有させる必要
があることから、無電解Ｎｉ−Ｂめっき膜中のＢ含有量
を０．０１重量％未満にすることは極めて難しく、その
ためＢ含有量は０．０１重量％以上、すなわちＮｉ含有
量は９９．９９％以下とすることが望ましい。
ところで、Ｎｉ−Ｂめっき膜は、めっき膜形成時はアモ
ルファス状態であるが、熱処理によってＮｉ３Ｂ等の結
晶の析出が生じる。この時、めっき膜の体積の収縮が起
こり、本発明のムライト配線基板との組み合わせにおい
ては、その収縮量は０．５％以下であれば発生する応力
は小さく配線の信頼性が保たれ接続不良は生じない。こ
のＮｉ−Ｂめっき膜の収縮量は、Ｂ含有量が多くなるほ
ど増加し、Ｂ含有量が２重量％において収縮量は０．５
％となるので、Ｂ含有量は２重量％以下、すなわちＮｉ
９８．０重量％以上とすることが望ましい。
ルファス状態であるが、熱処理によってＮｉ３Ｂ等の結
晶の析出が生じる。この時、めっき膜の体積の収縮が起
こり、本発明のムライト配線基板との組み合わせにおい
ては、その収縮量は０．５％以下であれば発生する応力
は小さく配線の信頼性が保たれ接続不良は生じない。こ
のＮｉ−Ｂめっき膜の収縮量は、Ｂ含有量が多くなるほ
ど増加し、Ｂ含有量が２重量％において収縮量は０．５
％となるので、Ｂ含有量は２重量％以下、すなわちＮｉ
９８．０重量％以上とすることが望ましい。
なお、めっき膜の厚さについては、応力がめっき膜の相
変化に伴う収縮に起因していることから、薄いほどよい
が、導体表面を十分に覆うだけの膜厚は必要である。こ
れらのことから、めっき膜としては、8.0μｍ以下、具
体的には1.0〜8.0μｍ程度が適切である。
変化に伴う収縮に起因していることから、薄いほどよい
が、導体表面を十分に覆うだけの膜厚は必要である。こ
れらのことから、めっき膜としては、8.0μｍ以下、具
体的には1.0〜8.0μｍ程度が適切である。
以下、本発明の具体的な実施例とその比較例について説
明する。
明する。
実施例１： 粒子径が数μｍ以下のムライト粉末を70重量％、焼結助
剤としてコージェライトとシリカの微粉末を30重量％、
有機バインダとしてポリビニルブチラールを上記セラミ
ック粒末100 ｇに対して８ｇ、溶剤としてトリクロール
エチレン、テトラクロルエチレンおよびブチルアルコー
ルからなるアセオトロープを上記セラミック粉末100 ｇ
当り45ｇを加え合わせ、ボールミルで十分混合し、セラ
ミック粉末が均一に分散したスラリーをつくる。続い
て、撹拌しながら低圧で脱泡して、スラリー内の気泡を
除去した後、このスラリーをドクターブレイド型キャス
ティング装置を用いて薄板化し、厚さ0.25mmのグリーン
シートを作製する。このようにして作製したグリーンシ
ートの外形を切断し200mm 角とする。さらに、配線の上
下間の導通をとるための貫通孔を、超硬ピンを有する打
抜金型を用いて加工する。
剤としてコージェライトとシリカの微粉末を30重量％、
有機バインダとしてポリビニルブチラールを上記セラミ
ック粒末100 ｇに対して８ｇ、溶剤としてトリクロール
エチレン、テトラクロルエチレンおよびブチルアルコー
ルからなるアセオトロープを上記セラミック粉末100 ｇ
当り45ｇを加え合わせ、ボールミルで十分混合し、セラ
ミック粉末が均一に分散したスラリーをつくる。続い
て、撹拌しながら低圧で脱泡して、スラリー内の気泡を
除去した後、このスラリーをドクターブレイド型キャス
ティング装置を用いて薄板化し、厚さ0.25mmのグリーン
シートを作製する。このようにして作製したグリーンシ
ートの外形を切断し200mm 角とする。さらに、配線の上
下間の導通をとるための貫通孔を、超硬ピンを有する打
抜金型を用いて加工する。
次に、配線パターンを形成するが、最初に、配線用導体
材料となるタングステンペーストの作製について説明す
る。平均粒径が1.5μｍのタングステン粒末80ｇ、有機
バインダとしてエチルセルロースを３ｇ、有機溶剤とし
てジエチレングリコールを17ｇを加え合わせ、らいかい
機および３本ロールを用いて混練した後、ブチルカルビ
トールアセテートを加えて粘度を調整する。
材料となるタングステンペーストの作製について説明す
る。平均粒径が1.5μｍのタングステン粒末80ｇ、有機
バインダとしてエチルセルロースを３ｇ、有機溶剤とし
てジエチレングリコールを17ｇを加え合わせ、らいかい
機および３本ロールを用いて混練した後、ブチルカルビ
トールアセテートを加えて粘度を調整する。
続いて、上記タングステンペーストを用い、スクリーン
印刷法によって、前記貫通孔加工をしたグリーンシート
の貫通孔にペーストを充填するとともに、グリーンシー
ト表面に配線パターンを形成する。同様にして、積層す
るための各々のグリーンシートに所定の配線パターンを
印刷形成する。
印刷法によって、前記貫通孔加工をしたグリーンシート
の貫通孔にペーストを充填するとともに、グリーンシー
ト表面に配線パターンを形成する。同様にして、積層す
るための各々のグリーンシートに所定の配線パターンを
印刷形成する。
次に、上記配線パターンを形成したグリーンシートを積
み重ね、100 ℃、150kg/cm2で加熱圧着し、積層体とす
る。積層工程を終えたグリーンシート積層体は、焼成さ
れてムライト配線基板となる。この焼成は、モリブデン
を発熱体とする箱型電気炉を用い、窒素、水素、水蒸気
の混合ガス雰囲気中で、1600℃まで昇温して行った。
み重ね、100 ℃、150kg/cm2で加熱圧着し、積層体とす
る。積層工程を終えたグリーンシート積層体は、焼成さ
れてムライト配線基板となる。この焼成は、モリブデン
を発熱体とする箱型電気炉を用い、窒素、水素、水蒸気
の混合ガス雰囲気中で、1600℃まで昇温して行った。
続いて、焼成工程が終ったムライト配線基板の表裏面の
導体部分に、無電解Ni めっきにより、組成がNi：99.5
重量％、Ｂ：0.5 重量％のめっき膜を４μｍ形成し、さ
らに、このめっき膜上に、無電解めっきにより、金めっ
き膜を0.2 μｍ形成する。このようにして、めっきを施
したムライト配線基板を、窒素、水素の混合ガス雰囲気
中で、850 ℃まで加熱し、めっき膜の熱処理を行った。
導体部分に、無電解Ni めっきにより、組成がNi：99.5
重量％、Ｂ：0.5 重量％のめっき膜を４μｍ形成し、さ
らに、このめっき膜上に、無電解めっきにより、金めっ
き膜を0.2 μｍ形成する。このようにして、めっきを施
したムライト配線基板を、窒素、水素の混合ガス雰囲気
中で、850 ℃まで加熱し、めっき膜の熱処理を行った。
熱処理を終えたムライト配線基板の表面を走査型電子顕
微鏡で観察したところ、端部の持ち上がりやクラックは
なかった。続いて、このムライト基板とＬＳＩチップと
の接続寿命を調べるために、−25℃から150 ℃のヒート
サイクル試験を行ったところ、3000サイクル後でも接続
不良は発生しなかった。なお、本実施例の組成のめっき
膜の熱処理での収縮率は0.3％であった。
微鏡で観察したところ、端部の持ち上がりやクラックは
なかった。続いて、このムライト基板とＬＳＩチップと
の接続寿命を調べるために、−25℃から150 ℃のヒート
サイクル試験を行ったところ、3000サイクル後でも接続
不良は発生しなかった。なお、本実施例の組成のめっき
膜の熱処理での収縮率は0.3％であった。
第１図に、本実施例のムライト配線基板の断面を示す。
比較例１： 実施例１と同様な方法によって、焼成までの工程を終了
したムライト配線基板の表裏面の導体部分に、無電解め
っきにより、組成がNi：98重量％、Ｐ：２重量％のめっ
き膜を厚さ 4μｍ形成した。続いて、実施例１と同様
に、金めっきと熱処理をした後、表面観察を行ったとこ
ろ、持ち上がりおよびクラックの発生が認められた。ま
た、実施例１の場合と同様のヒートサイクル試験では、
60サイクル後に接続不良が発生した。なお、この比較例
の組成のめっき膜の熱処理での収縮率は0.6%であった。
したムライト配線基板の表裏面の導体部分に、無電解め
っきにより、組成がNi：98重量％、Ｐ：２重量％のめっ
き膜を厚さ 4μｍ形成した。続いて、実施例１と同様
に、金めっきと熱処理をした後、表面観察を行ったとこ
ろ、持ち上がりおよびクラックの発生が認められた。ま
た、実施例１の場合と同様のヒートサイクル試験では、
60サイクル後に接続不良が発生した。なお、この比較例
の組成のめっき膜の熱処理での収縮率は0.6%であった。
実施例２： 実施例１と同様の方法で焼成までを終了したムライト配
線基板の表裏面の導体部分に、めっき膜組成がNi：98.0
重量％以上99.99重量％以下、Ｂ：2.0重量％以下0.01重
量％以上で、膜厚が1.0〜８μｍのめっき膜を形成した
後、金めっき膜を0.2μｍ形成した。続いて、600 〜100
0℃の温度範囲で熱処理を行った後、表面観察を行っ
た。
線基板の表裏面の導体部分に、めっき膜組成がNi：98.0
重量％以上99.99重量％以下、Ｂ：2.0重量％以下0.01重
量％以上で、膜厚が1.0〜８μｍのめっき膜を形成した
後、金めっき膜を0.2μｍ形成した。続いて、600 〜100
0℃の温度範囲で熱処理を行った後、表面観察を行っ
た。
その結果、上記範囲内の組成、膜厚、熱処理温度におい
ては、持ち上がりやクラックの発生はなかった。一方、
実施例１の場合と同様のヒートサイクル試験において
は、3000 サイクル後でも接続不良は発生しなかった。
なお、この範囲内でのめっき膜の収縮量はすべて0.5％
以下であった。
ては、持ち上がりやクラックの発生はなかった。一方、
実施例１の場合と同様のヒートサイクル試験において
は、3000 サイクル後でも接続不良は発生しなかった。
なお、この範囲内でのめっき膜の収縮量はすべて0.5％
以下であった。
比較例２： 実施例１と同様の方法で焼成まで終了したムライト配線
基板の表裏面の導体部分に、めっき膜組成がＮｉ：９
７．０重量％以上、９８．０重量％未満、Ｂ：２．０重
量％を超え、３．０重量％以下で、膜厚が８μｍを超
え、１０μｍ以下のめっき膜を形成した後、実施例２と
同様に、金めっき膜を０．２μｍ形成した。続いて、６
００〜１０００℃の温度範囲で熱処理した後、表面観察
を行ったところ、持ち上がりおよびクラックの発生が認
められた。また、実施例２の場合と同様のヒートサイク
ル試験では、３０００サイクル未満で接続不良が発生し
た。なお、実施例２と同様にめっき膜の熱処理における
収縮量を調べた結果、すべてにおいて収縮量は０．５％
を超えるものであった。
基板の表裏面の導体部分に、めっき膜組成がＮｉ：９
７．０重量％以上、９８．０重量％未満、Ｂ：２．０重
量％を超え、３．０重量％以下で、膜厚が８μｍを超
え、１０μｍ以下のめっき膜を形成した後、実施例２と
同様に、金めっき膜を０．２μｍ形成した。続いて、６
００〜１０００℃の温度範囲で熱処理した後、表面観察
を行ったところ、持ち上がりおよびクラックの発生が認
められた。また、実施例２の場合と同様のヒートサイク
ル試験では、３０００サイクル未満で接続不良が発生し
た。なお、実施例２と同様にめっき膜の熱処理における
収縮量を調べた結果、すべてにおいて収縮量は０．５％
を超えるものであった。
実施例３： ムライトセラミックの組成として、粒子径が数μｍ以下
のムライト粉末を50重量％以上95重量％以下、焼結助剤
としてコージェライトとシリカの微粉末を50重量％以下
５重量％以上の組成範囲のものについて、配線用導体材
料となるタングステンペースト用のタングステンの平均
粒径が0.5μｍ以上から6.0μｍまでのものを用い、焼成
温度を1450℃から1700℃として、実施例１と同様の方法
によって焼成工程を終了したムライト配線基板を作製し
た後、実施例２と同様の方法、範囲で、めっき、および
熱処理を行った。
のムライト粉末を50重量％以上95重量％以下、焼結助剤
としてコージェライトとシリカの微粉末を50重量％以下
５重量％以上の組成範囲のものについて、配線用導体材
料となるタングステンペースト用のタングステンの平均
粒径が0.5μｍ以上から6.0μｍまでのものを用い、焼成
温度を1450℃から1700℃として、実施例１と同様の方法
によって焼成工程を終了したムライト配線基板を作製し
た後、実施例２と同様の方法、範囲で、めっき、および
熱処理を行った。
続いて、表面観察およびヒートサイクル試験を行ったと
ころ、上記のムライトセラミックの組成範囲内で、すべ
て実施例と同様の結果を得た。
ころ、上記のムライトセラミックの組成範囲内で、すべ
て実施例と同様の結果を得た。
本発明によれば、熱処理時の応力が小さいめっき膜を得
ることができ、熱処理に際してのめっき膜の端部の持ち
上がりや配線基板表面のムライト部のクラックの発生が
なくなるため、接続の信頼生の高いムライト配線基板を
製造することができる。
ることができ、熱処理に際してのめっき膜の端部の持ち
上がりや配線基板表面のムライト部のクラックの発生が
なくなるため、接続の信頼生の高いムライト配線基板を
製造することができる。
第１図は本発明によりムライト配線基板にNi-Ｂ系めっ
き膜を形成したときの断面図である。 符号の説明 １……セラミック基板、２……導体金属 ３……Ni−Ｂ系めっき膜
き膜を形成したときの断面図である。 符号の説明 １……セラミック基板、２……導体金属 ３……Ni−Ｂ系めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 槌田 誠一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 戸田 堯三 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−202595（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−217694（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−43275（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を
主成分とする基板を用い、ムライト配線基板を製造する
方法であって、上記ムライト基板に導体パターンを形成
した後、上記導体パターン上に、めっき膜の組成がＮ
ｉ：９８．０重量％以上、９９．９９重量％以下、Ｂ：
２．０重量％以下、０．０１重量％以上で、膜厚が８．
０μｍ以下のＮｉ−Ｂ合金よりなるめっき膜を形成し、
１０００℃以下の温度で熱処理を行う工程を含むことを
特徴とするムライト配線基板の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP61278598A JPH0634442B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | ムライト配線基板の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP61278598A JPH0634442B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | ムライト配線基板の製造方法 |
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| JPH0634442B2 true JPH0634442B2 (ja) | 1994-05-02 |
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- 1987-11-25 CN CN87108030A patent/CN1006356B/zh not_active Expired
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