JPH06349627A - Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト - Google Patents
Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトInfo
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- JPH06349627A JPH06349627A JP6060585A JP6058594A JPH06349627A JP H06349627 A JPH06349627 A JP H06349627A JP 6060585 A JP6060585 A JP 6060585A JP 6058594 A JP6058594 A JP 6058594A JP H06349627 A JPH06349627 A JP H06349627A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、ビデオテープレコーダーシ
ステムにおいて、高画質及び高解像度を実現する磁気ヘ
ッドに適用し得るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを提供
しようとするものである。 【構成】 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯの基本成分に
ＳｎＯ2 、ＣｏＯ、ＣａＣＯ3 及びＶ2 Ｏ5 が各々添加
されてなるＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトにより構成さ
れている。
ステムにおいて、高画質及び高解像度を実現する磁気ヘ
ッドに適用し得るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを提供
しようとするものである。 【構成】 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯの基本成分に
ＳｎＯ2 、ＣｏＯ、ＣａＣＯ3 及びＶ2 Ｏ5 が各々添加
されてなるＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトにより構成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
ーシステムの映像記録再生用磁気ヘッドに適用される単
結晶フェライト（Ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｆｅ
ｒｒｉｔｅ）に係るもので、詳しくは、７〜８MHz の高
周波領域で映像の高画質及び高解像度を実現し得るＭｎ
−Ｚｎ系単結晶フェライトに関するものである。
ーシステムの映像記録再生用磁気ヘッドに適用される単
結晶フェライト（Ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｆｅ
ｒｒｉｔｅ）に係るもので、詳しくは、７〜８MHz の高
周波領域で映像の高画質及び高解像度を実現し得るＭｎ
−Ｚｎ系単結晶フェライトに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
においては、電気比抵抗値が大きく、初期透磁率の値も
大きく、耐磨耗性特性が良く、さらに、飽和磁束の密度
が大きいという長点を有しているため、ビデオテープレ
コーダーシステムの映像記録再生用磁気ヘッドの製造に
適用されている。映像の高画質及び高解像度を要求しな
い従来の低級映像記録再生用磁気ヘッドにおいては、４
〜５MHz の周波数帯域で従来のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトが所望の性能を満足していた。然るに、最近、映
像の高画質及び高解像度が要求され、従来の低級ビデオ
テープレコーダーシステムの映像記録再生用磁気ヘッド
では、それらの要求に対応することができないため、高
画質及び高解像度に充分に対応し得る高級ビデオテープ
レコーダーシステムが必要になり、従って、７〜８MHz
周波数帯域でも初期透磁率値が大きく、ラビング雑音
（ｒａｂｂｉｎｇ ｎｏｉｓｅ）の小さい映像記録再生
用磁気ヘッドの開発が活発に行われている。
においては、電気比抵抗値が大きく、初期透磁率の値も
大きく、耐磨耗性特性が良く、さらに、飽和磁束の密度
が大きいという長点を有しているため、ビデオテープレ
コーダーシステムの映像記録再生用磁気ヘッドの製造に
適用されている。映像の高画質及び高解像度を要求しな
い従来の低級映像記録再生用磁気ヘッドにおいては、４
〜５MHz の周波数帯域で従来のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトが所望の性能を満足していた。然るに、最近、映
像の高画質及び高解像度が要求され、従来の低級ビデオ
テープレコーダーシステムの映像記録再生用磁気ヘッド
では、それらの要求に対応することができないため、高
画質及び高解像度に充分に対応し得る高級ビデオテープ
レコーダーシステムが必要になり、従って、７〜８MHz
周波数帯域でも初期透磁率値が大きく、ラビング雑音
（ｒａｂｂｉｎｇ ｎｏｉｓｅ）の小さい映像記録再生
用磁気ヘッドの開発が活発に行われている。
【０００３】このような従来のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトの製造過程及び該Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
を利用した映像記録再生用磁気ヘッドの製造過程とを説
明すると次のようである。先ず、第１段階Ｓ１で、Ｆｅ
2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯの粉末が配合されてＭｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトは基本成分のみにより構成され、
この場合において、粉末状態のＦｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及び
ＺｎＯは各々５１〜５４モル％、２７〜３３モル％及び
１６〜２０モル％の比率に配合され、それらのＦｅ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ及びＺｎＯを除き、他の成分は添加されな
い。以下において、説明を容易にするため、それらＦｅ
2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯは、各々５３モル％、２８モ
ル％及び１９モル％に各々配合されるものとする。次い
で、第２段階Ｓ２で、それら配合されたＦｅ2 Ｏ3 、Ｍ
ｎＯ及びＺｎＯは湿式ボールミリング（ｂａｌｌ ｍｉ
ｌｌｉｎｇ）により均質に混合され、それら混合された
原料はスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）状態になる。その後、
第３段階Ｓ３で、該スラリー状態の原料はスラリー（ｓ
ｌｕｒｒｙ）乾燥法により乾燥され、粉末の状態にな
る。次いで、第４段階Ｓ４で、該乾燥状態の原料は１２
００℃の温度で４時間の間焼結される。その後、第５段
階Ｓ５で、該焼結された原料は連続式垂直ブリジマン
（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法により＜１００＞方向のＭｎ−
Ｚｎシード（ｓｅｅｄ）方向に結晶成長させ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトのインゴット（ｉｎｇｏｔ）とに
する。次いで、第６段階Ｓ６で、該インゴットの先方側
端が切断され、該切断面がＨＣｌ溶液によりエッチング
（ｅｔｃｈｉｎｇ）された後、該エッチングされた面の
方位はＨｅのレーザ測定装置により測定される。その
後、第７段階Ｓ７で、該方位が測定されたインゴットか
ら磁気ヘッドのための１．６cm厚さのブロックが切断さ
れ、さらに１mm厚さのウェーハが切断され、引き続いて
それらのブロック及びウェーハが切断される。それらの
切断されたウェーハの電気比抵抗が４ポイントプローブ
（ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ）測定法により測定される。
次いで、第８段階Ｓ８で、内径５mm、外径８mm及び厚さ
０．５mmのトロイダルサンプル（ｔｏｒｏｉｄａｌ ｓ
ａｍｐｌｅ）が製造され、該トロイダルサンプルから飽
和磁気密度（Ｂｉｏ）、初期透磁率（μｉ）及び透磁率
（μ）の温度依存性が各々測定される。
ライトの製造過程及び該Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
を利用した映像記録再生用磁気ヘッドの製造過程とを説
明すると次のようである。先ず、第１段階Ｓ１で、Ｆｅ
2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯの粉末が配合されてＭｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトは基本成分のみにより構成され、
この場合において、粉末状態のＦｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及び
ＺｎＯは各々５１〜５４モル％、２７〜３３モル％及び
１６〜２０モル％の比率に配合され、それらのＦｅ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ及びＺｎＯを除き、他の成分は添加されな
い。以下において、説明を容易にするため、それらＦｅ
2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯは、各々５３モル％、２８モ
ル％及び１９モル％に各々配合されるものとする。次い
で、第２段階Ｓ２で、それら配合されたＦｅ2 Ｏ3 、Ｍ
ｎＯ及びＺｎＯは湿式ボールミリング（ｂａｌｌ ｍｉ
ｌｌｉｎｇ）により均質に混合され、それら混合された
原料はスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）状態になる。その後、
第３段階Ｓ３で、該スラリー状態の原料はスラリー（ｓ
ｌｕｒｒｙ）乾燥法により乾燥され、粉末の状態にな
る。次いで、第４段階Ｓ４で、該乾燥状態の原料は１２
００℃の温度で４時間の間焼結される。その後、第５段
階Ｓ５で、該焼結された原料は連続式垂直ブリジマン
（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法により＜１００＞方向のＭｎ−
Ｚｎシード（ｓｅｅｄ）方向に結晶成長させ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトのインゴット（ｉｎｇｏｔ）とに
する。次いで、第６段階Ｓ６で、該インゴットの先方側
端が切断され、該切断面がＨＣｌ溶液によりエッチング
（ｅｔｃｈｉｎｇ）された後、該エッチングされた面の
方位はＨｅのレーザ測定装置により測定される。その
後、第７段階Ｓ７で、該方位が測定されたインゴットか
ら磁気ヘッドのための１．６cm厚さのブロックが切断さ
れ、さらに１mm厚さのウェーハが切断され、引き続いて
それらのブロック及びウェーハが切断される。それらの
切断されたウェーハの電気比抵抗が４ポイントプローブ
（ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ）測定法により測定される。
次いで、第８段階Ｓ８で、内径５mm、外径８mm及び厚さ
０．５mmのトロイダルサンプル（ｔｏｒｏｉｄａｌ ｓ
ａｍｐｌｅ）が製造され、該トロイダルサンプルから飽
和磁気密度（Ｂｉｏ）、初期透磁率（μｉ）及び透磁率
（μ）の温度依存性が各々測定される。
【０００４】そして、このように、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶
フェライトが５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３
３モル％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯの基本
成分により構成され、表１に示したように、不可避的不
純物以外の他の成分を含有していない場合は、前記トロ
イダルサンプルは４２００〜５０００Ｇの飽和磁束密度
（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で２００〜２３０の
初期透磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数では透
磁率（μ）の２次ピーク（ｐｅａｋ）に該当する温度
（Ｔμ2P）が０〜５０℃になる。
フェライトが５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３
３モル％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯの基本
成分により構成され、表１に示したように、不可避的不
純物以外の他の成分を含有していない場合は、前記トロ
イダルサンプルは４２００〜５０００Ｇの飽和磁束密度
（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で２００〜２３０の
初期透磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数では透
磁率（μ）の２次ピーク（ｐｅａｋ）に該当する温度
（Ｔμ2P）が０〜５０℃になる。
【０００５】
【表１】
【０００６】
【表２】
【０００７】且つ、表２に示したように、Ｍｎ−Ｚｎ系
単結晶フェライトが５３モル％のＦｅ 2 Ｏ3 、２８モル
％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯを各々基本成分とし
て構成され、不可避的不純物以外の他の成分を含有して
いない場合は、前記トロイダルサンプルは４９００Ｇの
飽和磁束密度（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で３０
０の初期透磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数で
透磁率（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）が
２０℃になり、ウェーハの電気比抵抗は０．３２Ω・cm
になる。又、図５に示したように、第９段階Ｓ９で映像
記録再生用磁気ヘッドが製造され、該磁気ヘッドはギャ
ップ（ｇａｐ；Ｇ）が０．３７mmで、トラック（ｔｒａ
ｃｋ；Ｗ）の幅が３１μｍで、磁気テープとの接触点は
（２１１）である。その後、第１０段階Ｓ１０で、該磁
気ヘッドの再生出力とラビング雑音とが各々測定され
る。即ち、表１に示したように、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フ
ェライトが５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３３
モル％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯを基本成
分とし、不可避的不純物以外の他の成分を含有していな
い場合は、磁気ヘッドは１７０〜２２０μＶの再生出力
を示し、５〜８dBのラビング雑音を示めす。表２に示し
たように、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトが５３モル％
のＦｅ2 Ｏ3 、２０モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺ
ｎＯを基本成分とし、不可避的不純物以外の他の成分を
含有していない場合は、磁気ヘッドは１９０μＶの再生
出力を示し、６dBのラビング雑音を示めす。従って、こ
の場合、磁気テープのラビング雑音は５〜８dBの比較的
高い値になるが、これは、磁気テープの磁区（ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ）が堅固に固定されず、該磁区
が容易に変形されるためである。
単結晶フェライトが５３モル％のＦｅ 2 Ｏ3 、２８モル
％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯを各々基本成分とし
て構成され、不可避的不純物以外の他の成分を含有して
いない場合は、前記トロイダルサンプルは４９００Ｇの
飽和磁束密度（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で３０
０の初期透磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数で
透磁率（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）が
２０℃になり、ウェーハの電気比抵抗は０．３２Ω・cm
になる。又、図５に示したように、第９段階Ｓ９で映像
記録再生用磁気ヘッドが製造され、該磁気ヘッドはギャ
ップ（ｇａｐ；Ｇ）が０．３７mmで、トラック（ｔｒａ
ｃｋ；Ｗ）の幅が３１μｍで、磁気テープとの接触点は
（２１１）である。その後、第１０段階Ｓ１０で、該磁
気ヘッドの再生出力とラビング雑音とが各々測定され
る。即ち、表１に示したように、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フ
ェライトが５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３３
モル％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯを基本成
分とし、不可避的不純物以外の他の成分を含有していな
い場合は、磁気ヘッドは１７０〜２２０μＶの再生出力
を示し、５〜８dBのラビング雑音を示めす。表２に示し
たように、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトが５３モル％
のＦｅ2 Ｏ3 、２０モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺ
ｎＯを基本成分とし、不可避的不純物以外の他の成分を
含有していない場合は、磁気ヘッドは１９０μＶの再生
出力を示し、６dBのラビング雑音を示めす。従って、こ
の場合、磁気テープのラビング雑音は５〜８dBの比較的
高い値になるが、これは、磁気テープの磁区（ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ）が堅固に固定されず、該磁区
が容易に変形されるためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを利用した磁気ヘッ
ドにおいては、７〜８MHz の周波数領域で比較的低い初
期透磁率及び高いラビング雑音を示めすため、高画質及
び高解像度を要求する高級ハイファイシステム及び超Ｖ
ＨＳビデオテープレコーダーのような磁気ヘッドには適
用し得ないという不都合な点があった。
来のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを利用した磁気ヘッ
ドにおいては、７〜８MHz の周波数領域で比較的低い初
期透磁率及び高いラビング雑音を示めすため、高画質及
び高解像度を要求する高級ハイファイシステム及び超Ｖ
ＨＳビデオテープレコーダーのような磁気ヘッドには適
用し得ないという不都合な点があった。
【０００９】それで、このような問題点を解決するた
め、本発明者達は研究を重ねた結果、次のようなＭｎ−
Ｚｎ系単結晶フェライトを提供しようとするものであ
る。
め、本発明者達は研究を重ねた結果、次のようなＭｎ−
Ｚｎ系単結晶フェライトを提供しようとするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、高周波
領域で初期透磁率値が比較的大きくなる一方、ラビング
雑音が比較的小さくなるＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
を提供しようとするものである。このような本発明の目
的は、５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３３モル
％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯよりなる基本
成分に、０．２〜２モル％のＳｎＯ2 、０．１〜１モル
％のＣｏＯ、０．２〜１モル％のＣａＣＯ3 及び０．０
２〜１重量％のＶ2 Ｏ5 を各々添加されてなるＭｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトにより達成される。
領域で初期透磁率値が比較的大きくなる一方、ラビング
雑音が比較的小さくなるＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
を提供しようとするものである。このような本発明の目
的は、５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３３モル
％のＭｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯよりなる基本
成分に、０．２〜２モル％のＳｎＯ2 、０．１〜１モル
％のＣｏＯ、０．２〜１モル％のＣａＣＯ3 及び０．０
２〜１重量％のＶ2 Ｏ5 を各々添加されてなるＭｎ−Ｚ
ｎ系単結晶フェライトにより達成される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し図面を用いて詳
細に説明する。図１に示したように、本発明に係るＭｎ
−Ｚｎ系単結晶フェライトにおいては、基本成分である
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯが、各々５１モル％、２
９モル％及び２０モル％によりなる座標点（Ａ）と、５
３モル％、２７モル％及び２０モル％によりなる座標点
（Ｂ）と、５４モル％、２７モル％及び１９モル％によ
りなる座標点（Ｃ）と、５４モル％、３０モル％及び１
６モル％によりなる座標点（Ｄ）と、５１モル％、３３
モル％及び１６モル％によりなる座標点（Ｅ）とにより
決定される。図１において、この成分組成は、座標点
（Ａ）と座標点（Ｂ）を結び、座標点（Ｂ）と座標点
（Ｃ）を結び、座標点（Ｃ）と座標点（Ｄ）を結び、座
標点（Ｄ）と座標点（Ｅ）を結び、且つ、座標点（Ｅ）
と座標点（Ａ）を結んだ５角形の領域内となる。従っ
て、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトのＦｅ 2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ及びＺｎＯによりなる基本成分領域は、それら座標点
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）が順次連結
されてなる５角形領域内部に限定される。又、Ｆｅ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ及びＺｎＯが各々５３モル％、２８モル％及
び１９モル％によりなる座標点の付近では、ＳｎＯ、Ｃ
ｏＯ、ＣａＣＯ3 及びＶ2 Ｏ 5 が各々０．２〜２モル
％、０．２〜１モル％、０．２〜１モル％及び０．０２
〜１重量％添加される場合、磁気ヘッドの特性が一層優
秀になる。
細に説明する。図１に示したように、本発明に係るＭｎ
−Ｚｎ系単結晶フェライトにおいては、基本成分である
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯが、各々５１モル％、２
９モル％及び２０モル％によりなる座標点（Ａ）と、５
３モル％、２７モル％及び２０モル％によりなる座標点
（Ｂ）と、５４モル％、２７モル％及び１９モル％によ
りなる座標点（Ｃ）と、５４モル％、３０モル％及び１
６モル％によりなる座標点（Ｄ）と、５１モル％、３３
モル％及び１６モル％によりなる座標点（Ｅ）とにより
決定される。図１において、この成分組成は、座標点
（Ａ）と座標点（Ｂ）を結び、座標点（Ｂ）と座標点
（Ｃ）を結び、座標点（Ｃ）と座標点（Ｄ）を結び、座
標点（Ｄ）と座標点（Ｅ）を結び、且つ、座標点（Ｅ）
と座標点（Ａ）を結んだ５角形の領域内となる。従っ
て、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトのＦｅ 2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ及びＺｎＯによりなる基本成分領域は、それら座標点
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）が順次連結
されてなる５角形領域内部に限定される。又、Ｆｅ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ及びＺｎＯが各々５３モル％、２８モル％及
び１９モル％によりなる座標点の付近では、ＳｎＯ、Ｃ
ｏＯ、ＣａＣＯ3 及びＶ2 Ｏ 5 が各々０．２〜２モル
％、０．２〜１モル％、０．２〜１モル％及び０．０２
〜１重量％添加される場合、磁気ヘッドの特性が一層優
秀になる。
【００１２】以下、このような本発明に係るＭｎ−Ｚｎ
系単結晶フェライトの第１の実施例について説明する。
先ず、本発明の第１段階Ｓ１１では、粉末状態の原料で
ある５３モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ、１
９モル％のＺｎＯ、０．５モル％のＳｎＯ2 、０．５モ
ル％のＣｏＯ、０．５モル％のＣａＣＯ3 、０．０２モ
ル％のＶ2 Ｏ5 が各々配合される。次いで、本発明の第
２段階Ｓ１２では、従来の第２段階Ｓ２から第８段階Ｓ
８までの過程が同様に行われる。本発明の場合、表２に
示したように、ウェーハの電気比抵抗は０．４５Ω・cm
になり、トロイダルサンプルは４８００Ｇの飽和磁束密
度（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で５５０の初期透
磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数での透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−１０
℃である。図２に示したように、結晶成長させたインゴ
ットの位置が５０〜２３０mmの範囲にある場合、本発明
に係るウェーハの電気比抵抗は実線で表示したように
０．４〜０．５Ω・cmであり、従来ウェーハの比抵抗は
点線で表示したように、０．２５〜０．３８Ω・cmであ
る。また、本発明に係るウェーハの電気比抵抗値は１１
０mmの位置で０．４５Ω・cmであるが、従来ウェーハの
電気比抵抗は同様な位置で０．３２Ω・cmである。
系単結晶フェライトの第１の実施例について説明する。
先ず、本発明の第１段階Ｓ１１では、粉末状態の原料で
ある５３モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ、１
９モル％のＺｎＯ、０．５モル％のＳｎＯ2 、０．５モ
ル％のＣｏＯ、０．５モル％のＣａＣＯ3 、０．０２モ
ル％のＶ2 Ｏ5 が各々配合される。次いで、本発明の第
２段階Ｓ１２では、従来の第２段階Ｓ２から第８段階Ｓ
８までの過程が同様に行われる。本発明の場合、表２に
示したように、ウェーハの電気比抵抗は０．４５Ω・cm
になり、トロイダルサンプルは４８００Ｇの飽和磁束密
度（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で５５０の初期透
磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数での透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−１０
℃である。図２に示したように、結晶成長させたインゴ
ットの位置が５０〜２３０mmの範囲にある場合、本発明
に係るウェーハの電気比抵抗は実線で表示したように
０．４〜０．５Ω・cmであり、従来ウェーハの比抵抗は
点線で表示したように、０．２５〜０．３８Ω・cmであ
る。また、本発明に係るウェーハの電気比抵抗値は１１
０mmの位置で０．４５Ω・cmであるが、従来ウェーハの
電気比抵抗は同様な位置で０．３２Ω・cmである。
【００１３】図３に示したように、結晶成長されたイン
ゴットの位置が５０〜２３０mmの範囲にある場合、本発
明に係るトロイダルは初期透磁率（μｉ）が実線で表示
したように、５００〜５６０であり、従来のトロイダル
サンプルの初期透磁率は点線で表示したように、２５０
〜３３０である。また、本発明に係るトロイダルサンプ
ルの初期透磁率は１１０mmの位置で５５０であり、従来
のトロイダルサンプルの初期透磁率は同様な位置で３０
０である。更に、図４に示したように、測定温度か−５
０〜１６０℃の範囲にある場合、本発明に係るトロイダ
ルサンプルの透磁率（μ）は実線で表示したように、ピ
ークが−１０℃で４３００を示し、１４０℃で３２００
を示すが、従来のトロイダルサンプルの透磁率は２０℃
で２８００を示し、１２０℃で２５５０を示す。従っ
て、本発明に係るトロイダルサンプルの透磁率の２次ピ
ークが出現する−１０℃の温度は、従来のトロイダルの
透磁率の２次ピークを出現する２０℃の温度よりも低く
なる。次いで、本発明の第３段階Ｓ１３では、従来の第
９段階Ｓ９及び第１０段階Ｓ１０の過程が各々同様に行
われる。この場合、表２に示したように、磁気ヘッドは
２８０μＶの再生出力を示し、２dBのラビング雑音を示
す。
ゴットの位置が５０〜２３０mmの範囲にある場合、本発
明に係るトロイダルは初期透磁率（μｉ）が実線で表示
したように、５００〜５６０であり、従来のトロイダル
サンプルの初期透磁率は点線で表示したように、２５０
〜３３０である。また、本発明に係るトロイダルサンプ
ルの初期透磁率は１１０mmの位置で５５０であり、従来
のトロイダルサンプルの初期透磁率は同様な位置で３０
０である。更に、図４に示したように、測定温度か−５
０〜１６０℃の範囲にある場合、本発明に係るトロイダ
ルサンプルの透磁率（μ）は実線で表示したように、ピ
ークが−１０℃で４３００を示し、１４０℃で３２００
を示すが、従来のトロイダルサンプルの透磁率は２０℃
で２８００を示し、１２０℃で２５５０を示す。従っ
て、本発明に係るトロイダルサンプルの透磁率の２次ピ
ークが出現する−１０℃の温度は、従来のトロイダルの
透磁率の２次ピークを出現する２０℃の温度よりも低く
なる。次いで、本発明の第３段階Ｓ１３では、従来の第
９段階Ｓ９及び第１０段階Ｓ１０の過程が各々同様に行
われる。この場合、表２に示したように、磁気ヘッドは
２８０μＶの再生出力を示し、２dBのラビング雑音を示
す。
【００１４】本発明に係るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライ
トの第２の実施例を説明すると次のようである。即ち、
１モル％のＳｎＯ2 、０．５モル％のＣｏＯ、０．５モ
ル％のＣａＣＯ3 、０．５重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３
モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル
％のＺｎＯよりなる基本成分に添加されることを除いて
は、第１の実施例と同様である。この場合、表３に示し
たように、ウェーハの電気比抵抗は０．５５Ω・cmであ
り、トロイダルサンプルは４６００Ｇの飽和磁束密度
（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で５００の初期透磁
率（μｉ）を示す一方、０．５MHz の周波数で透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−３０
℃である。且つ、磁気ヘッドは２７０μＶの再生出力を
示し、１．５dBのラビング雑音を示す。
トの第２の実施例を説明すると次のようである。即ち、
１モル％のＳｎＯ2 、０．５モル％のＣｏＯ、０．５モ
ル％のＣａＣＯ3 、０．５重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３
モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル
％のＺｎＯよりなる基本成分に添加されることを除いて
は、第１の実施例と同様である。この場合、表３に示し
たように、ウェーハの電気比抵抗は０．５５Ω・cmであ
り、トロイダルサンプルは４６００Ｇの飽和磁束密度
（Ｂｉｏ）を示し、７MHz の周波数で５００の初期透磁
率（μｉ）を示す一方、０．５MHz の周波数で透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−３０
℃である。且つ、磁気ヘッドは２７０μＶの再生出力を
示し、１．５dBのラビング雑音を示す。
【００１５】
【表３】
【００１６】又、本発明に係るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトの第３の実施例を説明すると次のようである。即
ち、２．０モル％のＳｎＯ2 、１モル％のＣｏＯ、１モ
ル％のＣａＣＯ3 、１重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３モル
％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％の
ＺｎＯよりなる基本成分に添加されることを除いては第
１の実施例と同様である。この場合、表３に示したよう
に、ウェーハの電気比抵抗は０．６Ω・cmであり、トロ
イダルサンプルは４５００Ｇの飽和磁束密度（Ｂｉｏ）
を示し、７MHz の周波数で４００の初期透磁率（μｉ）
を示す一方、０．５MHz の周波数で透磁率（μ）の２次
ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−４０℃である。且
つ、磁気ヘッドは２４０μＶの再生出力を示し、１．５
dBのラビング雑音を示す。
ライトの第３の実施例を説明すると次のようである。即
ち、２．０モル％のＳｎＯ2 、１モル％のＣｏＯ、１モ
ル％のＣａＣＯ3 、１重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３モル
％のＦｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％の
ＺｎＯよりなる基本成分に添加されることを除いては第
１の実施例と同様である。この場合、表３に示したよう
に、ウェーハの電気比抵抗は０．６Ω・cmであり、トロ
イダルサンプルは４５００Ｇの飽和磁束密度（Ｂｉｏ）
を示し、７MHz の周波数で４００の初期透磁率（μｉ）
を示す一方、０．５MHz の周波数で透磁率（μ）の２次
ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−４０℃である。且
つ、磁気ヘッドは２４０μＶの再生出力を示し、１．５
dBのラビング雑音を示す。
【００１７】更に、本発明に係るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フ
ェライトの第１の比較例を説明すると次のようである。
即ち、０．１モル％のＳｎＯ2 、０．０５モル％のＣｏ
Ｏ、０．１モル％のＣａＣＯ3 、０．０１重量％のＶ2
Ｏ5 が各々５３モル％のＦｅ 2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎ
Ｏ及び１９モル％のＺｎＯよりなる基本成分に添加され
ることを除いては、第１の実施例と同様である。この場
合、表３に示したように、ウェーハの電気比抵抗は０．
３５Ω・cmであり、トロイダルサンプルは５０００Ｇの
飽和磁束密度を示し、７MHz の周波数で３３０の初期透
磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数で透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は＋１０
℃である。且つ、磁気ヘッドは２１０μＶの再生出力を
示し、５dBのラビング雑音を示す。
ェライトの第１の比較例を説明すると次のようである。
即ち、０．１モル％のＳｎＯ2 、０．０５モル％のＣｏ
Ｏ、０．１モル％のＣａＣＯ3 、０．０１重量％のＶ2
Ｏ5 が各々５３モル％のＦｅ 2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎ
Ｏ及び１９モル％のＺｎＯよりなる基本成分に添加され
ることを除いては、第１の実施例と同様である。この場
合、表３に示したように、ウェーハの電気比抵抗は０．
３５Ω・cmであり、トロイダルサンプルは５０００Ｇの
飽和磁束密度を示し、７MHz の周波数で３３０の初期透
磁率（μｉ）を示し、０．５MHz の周波数で透磁率
（μ）の２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は＋１０
℃である。且つ、磁気ヘッドは２１０μＶの再生出力を
示し、５dBのラビング雑音を示す。
【００１８】以下、本発明に係るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フ
ェライトの第２の比較例を説明する。２．５モル％のＳ
ｎＯ2 、１．５モル％のＣｏＯ、１．５モル％のＣａＣ
Ｏ3、１．５重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３モル％のＦｅ
2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯに
よりなる基本成分に添加されることを除いては、第１の
実施例と同様である。この場合、表３に示したように、
ウェーハの電気比抵抗は０．７５Ω・cmであり、トロイ
ダルサンプルは４２００Ｇの飽和磁束密度（Ｂｉｏ）を
示し、７MHz の周波数で３００の初期透磁率（μｉ）の
２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−６０℃であ
る。且つ、磁気ヘッドは、１９０μＶの再生出力を示
し、４．５dBのラビング雑音を示す。
ェライトの第２の比較例を説明する。２．５モル％のＳ
ｎＯ2 、１．５モル％のＣｏＯ、１．５モル％のＣａＣ
Ｏ3、１．５重量％のＶ2 Ｏ5 が各々５３モル％のＦｅ
2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯに
よりなる基本成分に添加されることを除いては、第１の
実施例と同様である。この場合、表３に示したように、
ウェーハの電気比抵抗は０．７５Ω・cmであり、トロイ
ダルサンプルは４２００Ｇの飽和磁束密度（Ｂｉｏ）を
示し、７MHz の周波数で３００の初期透磁率（μｉ）の
２次ピークに該当する温度（Ｔμ2P）は−６０℃であ
る。且つ、磁気ヘッドは、１９０μＶの再生出力を示
し、４．５dBのラビング雑音を示す。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＭｎ
−Ｚｎ系単結晶フェライトにおいては、５３モル％のＦ
ｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯ
よりなる基本成分に、０．２〜２モル％のＳｎＯ2 、
０．１２１モル％のＣｏＯ、０．２〜１モル％のＣａＣ
Ｏ3 及び０．０２〜１重量％のＶ2 Ｏ5 が各々添加され
ているため、磁気ヘッドの再生出力が増加され、ラビン
グ雑音が減少されて、高画質及び高解像度の映像を実現
する磁気ヘッドに適用し得る効果がある。
−Ｚｎ系単結晶フェライトにおいては、５３モル％のＦ
ｅ2 Ｏ3 、２８モル％のＭｎＯ及び１９モル％のＺｎＯ
よりなる基本成分に、０．２〜２モル％のＳｎＯ2 、
０．１２１モル％のＣｏＯ、０．２〜１モル％のＣａＣ
Ｏ3 及び０．０２〜１重量％のＶ2 Ｏ5 が各々添加され
ているため、磁気ヘッドの再生出力が増加され、ラビン
グ雑音が減少されて、高画質及び高解像度の映像を実現
する磁気ヘッドに適用し得る効果がある。
【図１】本願発明のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトの基
本成分領域を示すＦｅ2 Ｏ3 −ＭｎＯ−ＺｎＯ系３元状
態図を示す。
本成分領域を示すＦｅ2 Ｏ3 −ＭｎＯ−ＺｎＯ系３元状
態図を示す。
【図２】結晶成長させたＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
のインゴットから切り出したウェーハの位置と電気比抵
抗との関係を示し、実線は本願発明を点線は従来例を示
す。
のインゴットから切り出したウェーハの位置と電気比抵
抗との関係を示し、実線は本願発明を点線は従来例を示
す。
【図３】結晶成長させたＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト
のインゴットからのトロイダルサンプルの位置と初期透
磁率との関係を示し、実線は本願発明を点線は従来例を
示す。
のインゴットからのトロイダルサンプルの位置と初期透
磁率との関係を示し、実線は本願発明を点線は従来例を
示す。
【図４】トロイダルサンプルの温度と透磁率との関係を
示し、実線は本願発明を点線は従来例を示す。
示し、実線は本願発明を点線は従来例を示す。
【図５】映像記録用再生磁気ヘッドの概略斜視図を示
す。
す。
Ｇ…磁気ヘッドのギャップ Ｗ…磁気ヘッドのトラック幅
フロントページの続き (72)発明者 コー ジェ ヒュン 大韓民国，キュンキ−ド，クーンポ，ケウ ムジュン−ドン 734−18 (72)発明者 ジャン ウー スン 大韓民国，ソウル，ソチョー−ク，バンベ ボン−ドン 776−８，コーンジュン ア パート ビー−603
Claims (1)
- 【請求項１】 高画質及び高解像度の映像を実現する磁
気ヘッドに適用し得るＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトで
あって、 ５１〜５４モル％のＦｅ2 Ｏ3 、２７〜３３モル％のＭ
ｎＯ及び１６〜２０モル％のＺｎＯよりなる基本成分
に、０．２〜２モル％のＳｎＯ2 、０．１〜１モル％の
ＣｏＯ、０．２〜１モル％のＣａＣＯ3 及び０．０２〜
１重量％のＶ2 Ｏ 5 が各々添加されてなるＭｎ−Ｚｎ系
単結晶フェライト。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930005291A KR960012995B1 (ko) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 단결정 페라이트 |
| KR5291/1993 | 1993-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349627A true JPH06349627A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2732797B2 JP2732797B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=19353214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060585A Expired - Lifetime JP2732797B2 (ja) | 1993-03-31 | 1994-03-30 | Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5368764A (ja) |
| JP (1) | JP2732797B2 (ja) |
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| JP3758464B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2006-03-22 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
| JP5196704B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2013-05-15 | 京セラ株式会社 | フェライト焼結体の製造方法 |
| CN100340524C (zh) * | 2005-03-21 | 2007-10-03 | 乳源东阳光磁性材料有限公司 | 高居里温度低损耗双五千锰锌系铁氧体及其制备方法 |
| CN100344571C (zh) * | 2005-03-21 | 2007-10-24 | 乳源东阳光磁性材料有限公司 | 低损耗锰锌系铁氧体及其制备方法 |
| CN100344572C (zh) * | 2005-03-21 | 2007-10-24 | 乳源东阳光磁性材料有限公司 | 高叠加性能锰锌系铁氧体及其制备方法 |
| CN100340523C (zh) * | 2005-03-21 | 2007-10-03 | 乳源东阳光磁性材料有限公司 | 较高磁导率低损耗锰锌系铁氧体及其制备方法 |
| CN101859621B (zh) * | 2009-04-08 | 2012-07-04 | 广东江粉磁材股份有限公司 | 一种高磁导率MnZn铁氧体材料及其制造方法 |
| CN101916637B (zh) * | 2010-08-26 | 2013-07-10 | 江苏省晶石磁性材料与器件工程技术研究有限公司 | 一种防开裂磁性材料及其制备方法 |
| CN101916638B (zh) * | 2010-08-26 | 2013-07-10 | 江苏省晶石磁性材料与器件工程技术研究有限公司 | 一种低损耗磁芯及其烧结工艺 |
| CN102982945B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-05-04 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有CaO的铁磁芯的制造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS565046B1 (ja) * | 1969-05-09 | 1981-02-03 | ||
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| JPS5632399A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-01 | Hitachi Metals Ltd | Single crystal ferrite |
| JPS56163518A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-16 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS63222097A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | Hitachi Metals Ltd | Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライト |
-
1993
- 1993-03-31 KR KR1019930005291A patent/KR960012995B1/ko not_active Expired - Fee Related
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1994
- 1994-03-30 JP JP6060585A patent/JP2732797B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1994-03-31 US US08/221,405 patent/US5368764A/en not_active Expired - Fee Related
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