JPH0635654B2 - 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 - Google Patents
雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材Info
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- JPH0635654B2 JPH0635654B2 JP17800785A JP17800785A JPH0635654B2 JP H0635654 B2 JPH0635654 B2 JP H0635654B2 JP 17800785 A JP17800785 A JP 17800785A JP 17800785 A JP17800785 A JP 17800785A JP H0635654 B2 JPH0635654 B2 JP H0635654B2
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Description
【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、薄膜ヘッド等に使用されるFe-Ni系軟磁性
薄膜用の対雰囲気変動高安定型ターゲット材に係り、ス
パッタ薄膜の被着形成時の雰囲気に対して極めて高い安
定性を有し、形成後のスパッタ薄膜の軟磁気特性のばら
つきがなく、すぐれた軟磁気特性を発現するスパッタ雰
囲気変動に対する安定度の極めて高いターゲット材に関
する。
薄膜用の対雰囲気変動高安定型ターゲット材に係り、ス
パッタ薄膜の被着形成時の雰囲気に対して極めて高い安
定性を有し、形成後のスパッタ薄膜の軟磁気特性のばら
つきがなく、すぐれた軟磁気特性を発現するスパッタ雰
囲気変動に対する安定度の極めて高いターゲット材に関
する。
背景技術 Fe-Ni系軟磁性薄膜、例えば、約80％Ni-Feを主成分とす
るパーマロイからなる軟磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体
の裏打ち層や磁気記録用薄膜ヘッドのコアやヨーク等に
用いられており、Moを含むMoパーマロイあるいはMo及び
Cuを含むMo-Cuパーマロイが多用されている。
るパーマロイからなる軟磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体
の裏打ち層や磁気記録用薄膜ヘッドのコアやヨーク等に
用いられており、Moを含むMoパーマロイあるいはMo及び
Cuを含むMo-Cuパーマロイが多用されている。
この薄膜の形成方法には、通常、スパッタ法が多用され
ている。このスパッタ法は、下地材料の陽極と所要組成
のパーマロイ薄膜と同材質のターゲット材の陰極間に電
圧を印加し、陽イオンによってターゲット表面原子をた
たき出し、下地材料や所要表面に被着させてパーマロイ
薄膜を形成する方法である。
ている。このスパッタ法は、下地材料の陽極と所要組成
のパーマロイ薄膜と同材質のターゲット材の陰極間に電
圧を印加し、陽イオンによってターゲット表面原子をた
たき出し、下地材料や所要表面に被着させてパーマロイ
薄膜を形成する方法である。
いずれの組成のパーマロイ薄膜も、薄膜形成時のスパッ
タ雰囲気条件に極めて敏感であり、すぐれた軟磁性を有
する薄膜を得るには、薄膜形成時のスパッタ雰囲気条件
を厳しく管理する必要があり、到達真空度は、２×10-6
Torr以下、望ましくは1×10-6Torr以下の高真空度を保
持する必要がある。
タ雰囲気条件に極めて敏感であり、すぐれた軟磁性を有
する薄膜を得るには、薄膜形成時のスパッタ雰囲気条件
を厳しく管理する必要があり、到達真空度は、２×10-6
Torr以下、望ましくは1×10-6Torr以下の高真空度を保
持する必要がある。
高真空度を保持するために、真空槽内壁に付着したガ
ス，水分等を放出する目的で、内壁を加熱したり、ある
いは前スパッタと称し、目的の基板に薄膜を形成する以
前に、シャッター等の他の目標物に薄膜を付着させる操
作を長時間行なう必要があった。
ス，水分等を放出する目的で、内壁を加熱したり、ある
いは前スパッタと称し、目的の基板に薄膜を形成する以
前に、シャッター等の他の目標物に薄膜を付着させる操
作を長時間行なう必要があった。
しかしながら、上記のように極めて厳格に雰囲気管理を
行なっても、作業時の外気湿度に影響されたり、極僅か
なリークが発生しても、該パーマロイ薄膜の磁気特性が
著しく劣化したり、作業条件毎に特性のばらつきが発生
する問題があった。
行なっても、作業時の外気湿度に影響されたり、極僅か
なリークが発生しても、該パーマロイ薄膜の磁気特性が
著しく劣化したり、作業条件毎に特性のばらつきが発生
する問題があった。
また、長尺のフィルム等に、連続的にパーマロイ薄膜を
形成する場合には、得られる磁気特性の時間依存性が大
きく、長時間連続して薄膜形成しても、一定の特性値に
なかなか収束し難いという問題があった。
形成する場合には、得られる磁気特性の時間依存性が大
きく、長時間連続して薄膜形成しても、一定の特性値に
なかなか収束し難いという問題があった。
一方、パーマロイ薄膜を得るためのターゲット材は、こ
れまで主にスパッタ能率の改善のため、冷却効率を向上
させたり、材料の利用効率を向上させる目的の改良が加
えられてきたが、スパッタ雰囲気の変動に対する安定度
を考慮したターゲット材は提案されていない。
れまで主にスパッタ能率の改善のため、冷却効率を向上
させたり、材料の利用効率を向上させる目的の改良が加
えられてきたが、スパッタ雰囲気の変動に対する安定度
を考慮したターゲット材は提案されていない。
また、特公昭47-290690号公報には、高硬度を目的にNi-
Fe合金にNbを添加した高透磁率高硬度の磁気録音及び再
生ヘッド用磁性合金が提案されているが、上記の磁性合
金を始め、前述の公知の薄膜及びターゲット材は、スパ
ッタ雰囲気の変動や圧下と、形成されたスパッタ薄膜の
磁気特性の安定化とを、伴に考慮したものではなく、い
ずれも上述の問題点を解決できず、得られた薄膜の軟磁
気特性を安定して得るには、極めて厳格な薄膜形成時の
雰囲気管理を必要とした。
Fe合金にNbを添加した高透磁率高硬度の磁気録音及び再
生ヘッド用磁性合金が提案されているが、上記の磁性合
金を始め、前述の公知の薄膜及びターゲット材は、スパ
ッタ雰囲気の変動や圧下と、形成されたスパッタ薄膜の
磁気特性の安定化とを、伴に考慮したものではなく、い
ずれも上述の問題点を解決できず、得られた薄膜の軟磁
気特性を安定して得るには、極めて厳格な薄膜形成時の
雰囲気管理を必要とした。
発明の目的 この発明は、比較的低い到達真空度あるいは短時間の前
スパッタ等の前処理操作しか行なわない雰囲気条件下で
も、すぐれた特性の軟磁性薄膜が得られるスパッタリン
グ用ターゲット材を目的とし、特に、該雰囲気条件の極
僅かな変動に対しても、磁気特性の大幅な劣化や大きな
ばらつきを発生する従来のターゲット材の欠点を解決
し、すぐれた軟磁性特性を発現する薄膜を安定して得ら
れる対雰囲気変動高安定型の軟磁性薄膜用ターゲット材
を目的としている。
スパッタ等の前処理操作しか行なわない雰囲気条件下で
も、すぐれた特性の軟磁性薄膜が得られるスパッタリン
グ用ターゲット材を目的とし、特に、該雰囲気条件の極
僅かな変動に対しても、磁気特性の大幅な劣化や大きな
ばらつきを発生する従来のターゲット材の欠点を解決
し、すぐれた軟磁性特性を発現する薄膜を安定して得ら
れる対雰囲気変動高安定型の軟磁性薄膜用ターゲット材
を目的としている。
発明の構成と効果 この発明は、すぐれた軟磁気特性が安定して得られる軟
磁性薄膜用ターゲット材を目的に種々検討した結果、Ni
およびFeを主成分とするいわゆるパーマロイ成分組成
に、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Si、Alのいずれか１種または２種以上
を特定量含有させることにより、スパッタリング雰囲気
条件の変化あるいは比較的条件においても左右されるこ
となく、著しく高い安定性を有し、かつすぐれた軟磁気
特性を有する軟磁性薄膜が得られることを知見し完成し
たものである。
磁性薄膜用ターゲット材を目的に種々検討した結果、Ni
およびFeを主成分とするいわゆるパーマロイ成分組成
に、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Si、Alのいずれか１種または２種以上
を特定量含有させることにより、スパッタリング雰囲気
条件の変化あるいは比較的条件においても左右されるこ
となく、著しく高い安定性を有し、かつすぐれた軟磁気
特性を有する軟磁性薄膜が得られることを知見し完成し
たものである。
すなわち、この発明は、Ni40原子％〜90原子％、Fe10原
子％〜50原子％を主成分とし、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Si、Alのう
ち少なくとも１種を0.5原子％〜15原子％含有したこと
を特徴とするスパッタ雰囲気変動に対する薄膜磁気特性
の安定度の高いターゲット材を要旨とする。
子％〜50原子％を主成分とし、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Si、Alのう
ち少なくとも１種を0.5原子％〜15原子％含有したこと
を特徴とするスパッタ雰囲気変動に対する薄膜磁気特性
の安定度の高いターゲット材を要旨とする。
また、この発明は、Ni40原子％〜90原子％、Fe10原子％
〜50原子％の主成分と、副成分としてMo,W,Co,Cuのうち
少なくとも１種を15原子％以下含有し、さらにＶ、Nb、T
a、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.5原子％〜15原子
％含有したことを特徴とするスパッタ雰囲気変動に対す
る薄膜磁気特性の安定度の高いターゲット材である。
〜50原子％の主成分と、副成分としてMo,W,Co,Cuのうち
少なくとも１種を15原子％以下含有し、さらにＶ、Nb、T
a、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.5原子％〜15原子
％含有したことを特徴とするスパッタ雰囲気変動に対す
る薄膜磁気特性の安定度の高いターゲット材である。
この発明による軟磁性薄膜用ターゲット材は、その固有
の組成に特徴を有し、特定組成であれば、下記する効果
を有する。すなわち、実施例に明らかなように、得られ
た薄膜は従来のパーマロイ，Moパーマロイに比べ、すぐ
れた磁気特性を有し、さらに、スパッタ時の雰囲気条件
に鈍感であり、より低い真空度やより短い前スパッタ時
間であっても、得られる軟磁性薄膜の保磁力，透磁率等
の磁気特性の劣化が少なく、スパッタ時の雰囲気に対し
て極めて高い安定性を有しており、得られた薄膜は薄膜
形成後の熱処理を得たのちでも同様である。また、極め
て厳格なスパッタ時の雰囲気管理を行なった場合は、よ
りすぐれた磁気特性が安定して得られる事は言うまでも
ないことである。
の組成に特徴を有し、特定組成であれば、下記する効果
を有する。すなわち、実施例に明らかなように、得られ
た薄膜は従来のパーマロイ，Moパーマロイに比べ、すぐ
れた磁気特性を有し、さらに、スパッタ時の雰囲気条件
に鈍感であり、より低い真空度やより短い前スパッタ時
間であっても、得られる軟磁性薄膜の保磁力，透磁率等
の磁気特性の劣化が少なく、スパッタ時の雰囲気に対し
て極めて高い安定性を有しており、得られた薄膜は薄膜
形成後の熱処理を得たのちでも同様である。また、極め
て厳格なスパッタ時の雰囲気管理を行なった場合は、よ
りすぐれた磁気特性が安定して得られる事は言うまでも
ないことである。
従って、工業的量産規模において、スパッタ時の雰囲気
管理が容易になり、長時間操業や例えばフィルム等に連
続スパッタする場合のロット内あるいはロット間の雰囲
気条件の変化に対しても、磁気特性のばらつきの少ない
薄膜が安価に得られる効果を有する。
管理が容易になり、長時間操業や例えばフィルム等に連
続スパッタする場合のロット内あるいはロット間の雰囲
気条件の変化に対しても、磁気特性のばらつきの少ない
薄膜が安価に得られる効果を有する。
この発明において、ターゲット材は、予め所要組成に合
金化したものを用いるが、合金化が困難であったり、圧
延が困難で所要形状に形成できない場合には、２元系あ
るいは副成分を含有するパーマロイ合金ターゲット上
に、前記添加元素の金属または合金チップを載置あるい
は埋め込む等の手段を施した実施例のごとき複合ターゲ
ット材とするのもよい。
金化したものを用いるが、合金化が困難であったり、圧
延が困難で所要形状に形成できない場合には、２元系あ
るいは副成分を含有するパーマロイ合金ターゲット上
に、前記添加元素の金属または合金チップを載置あるい
は埋め込む等の手段を施した実施例のごとき複合ターゲ
ット材とするのもよい。
さらに、得られたこの発明によるターゲット材によって
得られた軟磁性薄膜は、通常のパーマロイ薄膜と同様に
熱処理によって、磁気特性の向上を計ることができ、60
0℃以下の温度で保持または徐冷する場合は、Ni3Feの規
則格子の生成を抑制できる遷移元素が含まれていること
が望ましい。
得られた軟磁性薄膜は、通常のパーマロイ薄膜と同様に
熱処理によって、磁気特性の向上を計ることができ、60
0℃以下の温度で保持または徐冷する場合は、Ni3Feの規
則格子の生成を抑制できる遷移元素が含まれていること
が望ましい。
発明の限定理由 この発明の軟磁性薄膜用ターゲット材は、Ni及びFeを主
成分とし、V、Nb、Ta、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.
5原子％〜15原子％含有させることを特徴とし、工業的
量産規模において、スパッタ時の雰囲気管理が容易にな
り、雰囲気条件の変化に対しても、磁気特性のばらつき
の少ない薄膜が安価に得られる効果を有する。この効果
が得られる機構については、不明な点が多いが、およそ
以下の如く考えられる。
成分とし、V、Nb、Ta、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.
5原子％〜15原子％含有させることを特徴とし、工業的
量産規模において、スパッタ時の雰囲気管理が容易にな
り、雰囲気条件の変化に対しても、磁気特性のばらつき
の少ない薄膜が安価に得られる効果を有する。この効果
が得られる機構については、不明な点が多いが、およそ
以下の如く考えられる。
一般に、スパッタ時の雰囲気中に含まれる酸素または水
から分解された酸素が、膜内に入り込みパーマロイの磁
気特性を劣化させていることは知られている。この酸素
がどのような形で膜内に存在するのかは明らかにされて
いないが、この発明の薄膜では、Ni及びFeよりも酸素と
の親和力の大きい上記の添加元素の存在により、膜内に
含まれる酸素が、Ni及びFeに直接影響を及ぼすことな
く、本来のパーマロイ薄膜の磁気特性を発現させるもの
と考えられる。
から分解された酸素が、膜内に入り込みパーマロイの磁
気特性を劣化させていることは知られている。この酸素
がどのような形で膜内に存在するのかは明らかにされて
いないが、この発明の薄膜では、Ni及びFeよりも酸素と
の親和力の大きい上記の添加元素の存在により、膜内に
含まれる酸素が、Ni及びFeに直接影響を及ぼすことな
く、本来のパーマロイ薄膜の磁気特性を発現させるもの
と考えられる。
しかし、２元パーマロイあるいは副成分としてMo,W,Co,
Cu等のNi及びFeと比較して、高温での酸素との親和力に
差がないかあるいは逆に親和力の低い元素しか含まない
従来のターゲット材は、上記の酸素の影響を受けやす
く、雰囲気の僅かな悪化に対しても、敏感に反応し、磁
気特性の劣化が起るものと考えられる。
Cu等のNi及びFeと比較して、高温での酸素との親和力に
差がないかあるいは逆に親和力の低い元素しか含まない
従来のターゲット材は、上記の酸素の影響を受けやす
く、雰囲気の僅かな悪化に対しても、敏感に反応し、磁
気特性の劣化が起るものと考えられる。
従って、この発明において、上記元素の効果を得るため
には、V、Nb、Ta、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.5原
子％以上含有させる必要があり、望ましくは、２原子％
以上、さらに望ましくは４原子％以上の含有がよい。し
かし、上記元素を15原子％を越えて含有させると、飽和
磁束密度が著しく低下するため好ましくなく、15原子％
以下の含有、望ましくは12原子％以下、さらに望ましく
は10原子％以下の含有がよい。また、含有量は、飽和磁
束密度や所望磁気特性の薄膜形成雰囲気に対する安定性
などを考慮して適宜選定するとよい。
には、V、Nb、Ta、Ti、Si、Alのうち少なくとも１種を0.5原
子％以上含有させる必要があり、望ましくは、２原子％
以上、さらに望ましくは４原子％以上の含有がよい。し
かし、上記元素を15原子％を越えて含有させると、飽和
磁束密度が著しく低下するため好ましくなく、15原子％
以下の含有、望ましくは12原子％以下、さらに望ましく
は10原子％以下の含有がよい。また、含有量は、飽和磁
束密度や所望磁気特性の薄膜形成雰囲気に対する安定性
などを考慮して適宜選定するとよい。
上記添加元素は、パーマロイ基本成分であるNi及びFe
が、Ni40原子％〜90原子％、Fe10原子％〜50原子％の範
囲の薄膜において効果を発揮するが、副成分としてMo,
W,Co,Cuのいずれかを含有する薄膜においても、上述の
如く同効果を発揮する。
が、Ni40原子％〜90原子％、Fe10原子％〜50原子％の範
囲の薄膜において効果を発揮するが、副成分としてMo,
W,Co,Cuのいずれかを含有する薄膜においても、上述の
如く同効果を発揮する。
この発明によるターゲット材で得られる軟磁性薄膜の磁
気特性は、保磁力100e以下、である。
気特性は、保磁力100e以下、である。
実施例 実施例１ 薄膜形成のため、下記の３種類のターゲットを用意し
た。以下組成はwt％で示す。
た。以下組成はwt％で示す。
(1)79.7Ni-5Mo-Fe（直径100mm，厚み3.5mm） (2)第１図に示す如く、(1)と同じ79.7Ni-5Mo-Feターゲ
ット材(10)上にSiチップ(11)（厚み0.6mm×５mm×５m
m）を放射状に９枚配置した複合ターゲット (3)79.9Ni-4.9Nb-2.1Si-Fe（直径100mm，厚し3.5mm） 上記ターゲット材の(1)は従来組成の比較用であり、(2)
(3)のターゲット材がこの発明によるものである。
ット材(10)上にSiチップ(11)（厚み0.6mm×５mm×５m
m）を放射状に９枚配置した複合ターゲット (3)79.9Ni-4.9Nb-2.1Si-Fe（直径100mm，厚し3.5mm） 上記ターゲット材の(1)は従来組成の比較用であり、(2)
(3)のターゲット材がこの発明によるものである。
スパッタ装置には、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用
い、基板には、室温付近での熱膨脹係数が98×10-7／
℃、厚み0.9mm×25mm×25mm寸法のガラスを用い、基板
ホルダーを水冷して、基板の最高温度をいずれのスパッ
タの場合も50℃〜55℃に保持した。
い、基板には、室温付近での熱膨脹係数が98×10-7／
℃、厚み0.9mm×25mm×25mm寸法のガラスを用い、基板
ホルダーを水冷して、基板の最高温度をいずれのスパッ
タの場合も50℃〜55℃に保持した。
スパッタ条件は、高真空度（Ａ）と低真空度（Ｂ）の２
通り下記第１表の条件で行ない、得られた各種の薄膜の
容易磁化軸の保磁力をＢＨトレーサーを用いて調べ第２
表の結果を得た。
通り下記第１表の条件で行ない、得られた各種の薄膜の
容易磁化軸の保磁力をＢＨトレーサーを用いて調べ第２
表の結果を得た。
第２表において、のａ，ｃ，ｅが高真空度（Ａ）の場合
で、ｂ，ｄ，ｆが低真空度（Ｂ）の場合であり、ａ，ｂ
が(1)のターゲット材による比較例薄膜で、ｃ，ｄが(2)
の複合ターゲット材によるこの発明明薄膜、ｅ，ｆが
(3)のターゲット材によるこの発明薄膜の場合である。
で、ｂ，ｄ，ｆが低真空度（Ｂ）の場合であり、ａ，ｂ
が(1)のターゲット材による比較例薄膜で、ｃ，ｄが(2)
の複合ターゲット材によるこの発明明薄膜、ｅ，ｆが
(3)のターゲット材によるこの発明薄膜の場合である。
第２表において、ａ〜ｆに２段併記する組成式は、上段
がターゲット材で、下段が薄膜組成である。薄膜組成
は、Ｘ線マイクロアナライザーで調べたもので、±0.5
％程度の誤差が見込まれるため、同一ターゲット材で形
成された薄膜間に成分組成の大きなずれはないものと判
断される。
がターゲット材で、下段が薄膜組成である。薄膜組成
は、Ｘ線マイクロアナライザーで調べたもので、±0.5
％程度の誤差が見込まれるため、同一ターゲット材で形
成された薄膜間に成分組成の大きなずれはないものと判
断される。
比較例薄膜は、薄膜形成条件が高真空のａの場合と低真
空ｂの場合では、磁気特性に著しい差があり、ａでは保
磁力が0.90e程度であったのが、ｂでは1208と13倍以上
の保磁力の増加を示しており、薄膜形成時の雰囲気の僅
かな悪化が磁気特性に著しい劣化をもたらしていること
が分る。
空ｂの場合では、磁気特性に著しい差があり、ａでは保
磁力が0.90e程度であったのが、ｂでは1208と13倍以上
の保磁力の増加を示しており、薄膜形成時の雰囲気の僅
かな悪化が磁気特性に著しい劣化をもたらしていること
が分る。
これに対して、この発明による薄膜の場合は、薄膜形成
条件が高真空と低真空との間には、比較例よりはるかに
少ない差しかない。すなわち、ｃとｄとの比較では、ｃ
の保磁力0.80eからｄの20eの僅か2.5倍程度の増加でし
かなく、さらに、ｅとｆとでは、薄膜形成雰囲気の悪化
に関わらず、両者の保磁力にほとんど差がなく、いずれ
も0.308であった。
条件が高真空と低真空との間には、比較例よりはるかに
少ない差しかない。すなわち、ｃとｄとの比較では、ｃ
の保磁力0.80eからｄの20eの僅か2.5倍程度の増加でし
かなく、さらに、ｅとｆとでは、薄膜形成雰囲気の悪化
に関わらず、両者の保磁力にほとんど差がなく、いずれ
も0.308であった。
第２表から明らかなように、SiあるいはNb及びSiを含有
するこの発明のパーマロイ薄膜用ターゲット材は、従来
のMoパーマロイ薄膜用ターゲット材に比べて、スパッタ
時の雰囲気条件に鈍感であり、より低い真空度やより短
いスパッタ時間であっても、得られる軟磁性薄膜の保磁
力，透磁率等の磁気特性の劣化が少なく、スパッタ時の
雰囲気に対して極めて高い安定性を有していることが分
る。
するこの発明のパーマロイ薄膜用ターゲット材は、従来
のMoパーマロイ薄膜用ターゲット材に比べて、スパッタ
時の雰囲気条件に鈍感であり、より低い真空度やより短
いスパッタ時間であっても、得られる軟磁性薄膜の保磁
力，透磁率等の磁気特性の劣化が少なく、スパッタ時の
雰囲気に対して極めて高い安定性を有していることが分
る。
実施例２ 79Ni-4.5Nb-Fe、 79Ni-7Nb-Fe、 79.7Ni-5Mo-Fe82Ni-2Al-Fe、 79.7Ni-5Mo-3Si-Fe、 79Ni-4Ti-Feの６種の合金ターゲット材を用いて、実
施例１と同一のスパッタ装置を使用し、第１表と同様条
件でスパッタして、この発明による10種の薄膜と従来の
Moパーマロイ薄膜を作製した。
施例１と同一のスパッタ装置を使用し、第１表と同様条
件でスパッタして、この発明による10種の薄膜と従来の
Moパーマロイ薄膜を作製した。
得られた一部の薄膜の成分組成をＸ線マイクロアナライ
ザーでで測定し、熱処理を加えない状態での容易磁化軸
の保磁力をＢＨトレーサーを用いて測定し、さらに困難
磁化軸の透磁率を８字コイルを用いて測定し、到達真空
度と前スパッタ時間のスパッタ条件とともに第３表に示
す。なお、透磁率は最高値で示している。また、得られ
たスパッタ薄膜組成は製造条件等で異なるが、Niはター
ゲット組成の±１％以内、他は約±30％以内の組成であ
った。
ザーでで測定し、熱処理を加えない状態での容易磁化軸
の保磁力をＢＨトレーサーを用いて測定し、さらに困難
磁化軸の透磁率を８字コイルを用いて測定し、到達真空
度と前スパッタ時間のスパッタ条件とともに第３表に示
す。なお、透磁率は最高値で示している。また、得られ
たスパッタ薄膜組成は製造条件等で異なるが、Niはター
ゲット組成の±１％以内、他は約±30％以内の組成であ
った。
第３表にから明らかな如く、約６％Nbを含有するこの発
明ターゲット材による薄膜は、到達真空度が、５×10-6
Torr程度の悪い雰囲気で作製されても、１×10-6Torr真
空の場合と比較して、保磁力，透磁率の劣化がほとんど
ない。
明ターゲット材による薄膜は、到達真空度が、５×10-6
Torr程度の悪い雰囲気で作製されても、１×10-6Torr真
空の場合と比較して、保磁力，透磁率の劣化がほとんど
ない。
また、約８％Nbを含有するこの発明ターゲット材による
薄膜は、到達真空度が、5.3×10-6Torr程度の悪い雰囲
気でかつ前スパッタ時間を半分の25分にして作製して
も、比較例よりもすぐれた磁気特性を有していることが
分かる。また、上述のNbの同族元素であるV,Taの場合も
Nbと同様効果が得られることを確認し、さらにTi,Al,Si
の場合もNbと同様効果が得られることが分かる。
薄膜は、到達真空度が、5.3×10-6Torr程度の悪い雰囲
気でかつ前スパッタ時間を半分の25分にして作製して
も、比較例よりもすぐれた磁気特性を有していることが
分かる。また、上述のNbの同族元素であるV,Taの場合も
Nbと同様効果が得られることを確認し、さらにTi,Al,Si
の場合もNbと同様効果が得られることが分かる。
したがって、この発明ターゲット材による薄膜は、従来
ターゲット材による薄膜と比較して、すぐれた磁気特性
を有するとともに、薄膜形成雰囲気条件が広範囲に変化
しても、上記のすぐれた特性が安定して得られることが
明らかである。
ターゲット材による薄膜と比較して、すぐれた磁気特性
を有するとともに、薄膜形成雰囲気条件が広範囲に変化
しても、上記のすぐれた特性が安定して得られることが
明らかである。
実施例３ 実施例１で得られた第２表に示すa,b,c,dの薄膜を用い
て、１×10-4Torrの真空中にて、500℃×１時間の加熱
を行ない、その後徐冷する加熱処理を施し、困難磁化軸
の透磁率（10MHz）を８字コイルを用いて測定した。第
４表に測定結果（最高値）を示す。
て、１×10-4Torrの真空中にて、500℃×１時間の加熱
を行ない、その後徐冷する加熱処理を施し、困難磁化軸
の透磁率（10MHz）を８字コイルを用いて測定した。第
４表に測定結果（最高値）を示す。
比較例のMoパーマロイ薄膜の場合、低真空の悪い雰囲気
条件で作製した薄膜ｂの透磁率は、高真空度で作製した
薄膜ａの透磁率の1/6でしかない。
条件で作製した薄膜ｂの透磁率は、高真空度で作製した
薄膜ａの透磁率の1/6でしかない。
しかし、この発明によるSiを含有したターゲット材より
得られた薄膜では、雰囲気条件の悪い場合の薄膜ｄは、
高真空のよい雰囲気条件で作製した薄膜ｃの約1/2もの
透磁率を示し、熱処理後の特性においても、スパッタ時
の雰囲気条件の影響を受け難いことが明らかである。
得られた薄膜では、雰囲気条件の悪い場合の薄膜ｄは、
高真空のよい雰囲気条件で作製した薄膜ｃの約1/2もの
透磁率を示し、熱処理後の特性においても、スパッタ時
の雰囲気条件の影響を受け難いことが明らかである。
第１図は、実施例１における複合ターゲット材の説明図
である。 10……79.7Ni-5Mo-Feターゲット材、11……Siチップ。
である。 10……79.7Ni-5Mo-Feターゲット材、11……Siチップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−46341（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−94413（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−101633（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Ni40原子％〜90原子％、Fe10原子％〜50原
子％を主成分とし、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Si、Alのうち少なくと
も１種を0.5原子％〜15原子％を含有したことを特徴と
するスパッタ雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度
の高いターゲット材。 - 【請求項２】Ni40原子％〜90原子％、Fe10原子％〜50原
子％の主成分と、副成分としてMo、W、Co、Cuのうち少なく
とも１種を15原子％以下含有し、さらにＶ、Nb、Ta、Ti、S
i、Alのうち少なくとも１種を0.5原子％〜15原子％含有
したことを特徴とするスパッタ雰囲気変動に対する薄膜
磁気特性の安定度の高いターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17800785A JPH0635654B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17800785A JPH0635654B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240363A JPS6240363A (ja) | 1987-02-21 |
| JPH0635654B2 true JPH0635654B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=16040924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17800785A Expired - Lifetime JPH0635654B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635654B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7780826B2 (en) | 2006-08-16 | 2010-08-24 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | Cr-doped FeCoB based target material and method for producing the same |
| US8057650B2 (en) | 2006-11-13 | 2011-11-15 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | Soft magnetic FeCo based target material |
| US8066825B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-11-29 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | (CoFe)Zr/Nb/Ta/Hf based target material |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0674046B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1994-09-21 | 豊田合成株式会社 | ウレタン被覆ステアリングホイール |
| DE19628138C1 (de) * | 1996-07-12 | 1997-05-22 | Krupp Vdm Gmbh | Verwendung einer Eisen-Nickel-Legierung für weichmagnetische Bauteile |
| US8871144B2 (en) | 2003-10-07 | 2014-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity Ni-V alloy target therefrom high-purity Ni-V alloy thin film and process for producing high-purity Ni-V alloy |
| WO2009133921A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP5377901B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-12-25 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材 |
| JP5384849B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2014-01-08 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17800785A patent/JPH0635654B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240363A (ja) | 1987-02-21 |
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