JPH0635657B2 - パタ−ン化されたアルミニウム層を有するデバイスの製造方法 - Google Patents
パタ−ン化されたアルミニウム層を有するデバイスの製造方法Info
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- JPH0635657B2 JPH0635657B2 JP61502691A JP50269186A JPH0635657B2 JP H0635657 B2 JPH0635657 B2 JP H0635657B2 JP 61502691 A JP61502691 A JP 61502691A JP 50269186 A JP50269186 A JP 50269186A JP H0635657 B2 JPH0635657 B2 JP H0635657B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
- C23C16/20—Deposition of aluminium only
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/412—Deposition of metallic or metal-silicide materials
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は特に、集積回路装置の製造に用いるのに適する
パターン化されたアルミニウム層を含むデバイスの製造
方法に関する。
パターン化されたアルミニウム層を含むデバイスの製造
方法に関する。
発明の背景 パターン化されたアルミニウム層は、集積回路半導体装
置用の超小型の電気回路に広く役立ち、典型的には、こ
のような層は、真空下における蒸着やスパツタリングに
より作られる。このような物理的堆積方法によれば高品
質の膜を製造できるが、他にとり得る方法で化学蒸気堆
積法（ＣＶＤ法）として呼ばれる方法は、大規模な商業
的実践に潜在的により適しているとして注目を受けてい
る。
置用の超小型の電気回路に広く役立ち、典型的には、こ
のような層は、真空下における蒸着やスパツタリングに
より作られる。このような物理的堆積方法によれば高品
質の膜を製造できるが、他にとり得る方法で化学蒸気堆
積法（ＣＶＤ法）として呼ばれる方法は、大規模な商業
的実践に潜在的により適しているとして注目を受けてい
る。
膜堆積の分野は、広範囲にわたって論議されている、す
なわちＪ．Ｌ．ボッセン(J.L.Vossen)等による書籍「薄
膜製法」(Th-in Film Process)、アカデミックプレス(A
cademic Press)１９７８年を参照のこと。そして、以下
のものは、ＣＶＤ法の種種の様相により詳しく接近した
典型的な刊行物である。
なわちＪ．Ｌ．ボッセン(J.L.Vossen)等による書籍「薄
膜製法」(Th-in Film Process)、アカデミックプレス(A
cademic Press)１９７８年を参照のこと。そして、以下
のものは、ＣＶＤ法の種種の様相により詳しく接近した
典型的な刊行物である。
１９６１年６月２７日にＥ．Ｒ．ブレーニング(E.R.Bre
ining)等に発行された米国特許第2,990,295「アルミニ
ウムの堆積」(Deposition of Aluminum)； １９８１年７月３０日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネツケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第1,594,39
9「金属堆積におけるまたは関する改良」(Improvements
in or Pelating to Metal Deposition)； １９８１年８月１２日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第1,595,65
9「半導体装置上への伝導性トラックの提供」(Providin
g Conductive Tracks on Semiconductor Devices)； １９８１年８月１２日にＴ．Ｍ．ジャクソン(T.M.Jacks
on)等に発行された英国特許明細書第1,595,660「金属表
面の腐食保護」(Corrosion Protection of Metal Sarfa
ces)； １９８０年９月１７日にＲ．Ａ．Ｈ．ハネッケ(R.A.H.H
ei-necke)等に発行された英国特許明細書第2,041,983
「半導体装置の金属被覆(Metallizing Semiconductor D
evices)； １９８０年７月３０日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第2,038,88
3「半導体装置の金属被覆」(Metallizing Semiconducto
r Devices)； Ｈ．Ｏ．ピエルソン(H.O.Pierson)による「アルキルの
分解によるアルミニウム コーティング」(Aluminum Co
atings by the Decomposition of Alkyls)、シン ソリ
ッド フイルム(Thin Solid Films)、第45巻（１９７
７）、２５７−２６３頁； Ｍ．Ｊ．クック(M.j.Cooke)等による「半導体被覆用の
アルミニウムのＬＰＣＶＤとＡｌ−Ｓｉ合金」(LPCVD o
f Aluminum and Al-Si Alloys For Semiconcluctor Met
allization) ソリツド ステート テクノロジー(Soli
d State Technology)１９８２年、１２月、６２−６５
頁；及び Ｒ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.H.Heinecks)等による「低
圧アルミニウムＣＶＤ」(Low-Pressure Aluminum CVD)、
ＣＶＤ法の第４回ヨーロッパ会議の議事録(Proceedings
of the Fou-rth European Confereuce on Chewicel Va
por Deposition)、１９８３年、１１９−１２１頁。
ining)等に発行された米国特許第2,990,295「アルミニ
ウムの堆積」(Deposition of Aluminum)； １９８１年７月３０日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネツケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第1,594,39
9「金属堆積におけるまたは関する改良」(Improvements
in or Pelating to Metal Deposition)； １９８１年８月１２日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第1,595,65
9「半導体装置上への伝導性トラックの提供」(Providin
g Conductive Tracks on Semiconductor Devices)； １９８１年８月１２日にＴ．Ｍ．ジャクソン(T.M.Jacks
on)等に発行された英国特許明細書第1,595,660「金属表
面の腐食保護」(Corrosion Protection of Metal Sarfa
ces)； １９８０年９月１７日にＲ．Ａ．Ｈ．ハネッケ(R.A.H.H
ei-necke)等に発行された英国特許明細書第2,041,983
「半導体装置の金属被覆(Metallizing Semiconductor D
evices)； １９８０年７月３０日にＲ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.
H.Hei-necke)等に発行された英国特許明細書第2,038,88
3「半導体装置の金属被覆」(Metallizing Semiconducto
r Devices)； Ｈ．Ｏ．ピエルソン(H.O.Pierson)による「アルキルの
分解によるアルミニウム コーティング」(Aluminum Co
atings by the Decomposition of Alkyls)、シン ソリ
ッド フイルム(Thin Solid Films)、第45巻（１９７
７）、２５７−２６３頁； Ｍ．Ｊ．クック(M.j.Cooke)等による「半導体被覆用の
アルミニウムのＬＰＣＶＤとＡｌ−Ｓｉ合金」(LPCVD o
f Aluminum and Al-Si Alloys For Semiconcluctor Met
allization) ソリツド ステート テクノロジー(Soli
d State Technology)１９８２年、１２月、６２−６５
頁；及び Ｒ．Ａ．Ｈ．ハイネッケ(R.A.H.Heinecks)等による「低
圧アルミニウムＣＶＤ」(Low-Pressure Aluminum CVD)、
ＣＶＤ法の第４回ヨーロッパ会議の議事録(Proceedings
of the Fou-rth European Confereuce on Chewicel Va
por Deposition)、１９８３年、１１９−１２１頁。
発明の要約 アルミニウム層は、集積回路装置の製造において、基板
上に堆積される。ＣＶＤ法は特に、各工程の運用範囲が
広いということそして、有機金属の前駆物質化合物は、
都合よく高い揮発性を有していることを理由として好ま
れる。堆積に先立って表面が活性化していると、堆積層
の密度及び連続性が増大する結果となる。好ましい表面
活性化は、水和された表面を結果として生じ、典型的に
は、室温或は室温に近いような相対的に低い温度で実行
される。
上に堆積される。ＣＶＤ法は特に、各工程の運用範囲が
広いということそして、有機金属の前駆物質化合物は、
都合よく高い揮発性を有していることを理由として好ま
れる。堆積に先立って表面が活性化していると、堆積層
の密度及び連続性が増大する結果となる。好ましい表面
活性化は、水和された表面を結果として生じ、典型的に
は、室温或は室温に近いような相対的に低い温度で実行
される。
図面の簡単な説明 図は、活性化された表面上にアルミニウムメタライゼー
ションを製造するのに用いることができるＣＶＤ装置を
概略的に示す図である。
ションを製造するのに用いることができるＣＶＤ装置を
概略的に示す図である。
詳細な説明 図は、３つの領域を有す炉２を備えた石英反応管１、機
械的真空ポンプ３、基板ホルダ４、基板５、圧力ゲージ
６、加熱コイル８を備えた蒸発室７、流量計９及びバル
ブ１０を示す。
械的真空ポンプ３、基板ホルダ４、基板５、圧力ゲージ
６、加熱コイル８を備えた蒸発室７、流量計９及びバル
ブ１０を示す。
アルミニウムの堆積ステップに先立って、基板表面は、
水和表面を生ずる表面処理により活性化される。このよ
うな処理は、好ましくは１００℃以下の温度のように、
相対的に低い温度で行なわれる。（ここで言う水和され
た表面とは、十分な濃度の水酸基を含んだ層を有す表面
として定義される。）典型的な基板物質は、シリコン、
酸化シリコン、シリカ、アルミナ、及び例えばリン酸ケ
イ酸塩ガラスまたはホウ素−リン酸ケイ酸塩ガラスのよ
うなドープされたケイ酸塩ガラスである。
水和表面を生ずる表面処理により活性化される。このよ
うな処理は、好ましくは１００℃以下の温度のように、
相対的に低い温度で行なわれる。（ここで言う水和され
た表面とは、十分な濃度の水酸基を含んだ層を有す表面
として定義される。）典型的な基板物質は、シリコン、
酸化シリコン、シリカ、アルミナ、及び例えばリン酸ケ
イ酸塩ガラスまたはホウ素−リン酸ケイ酸塩ガラスのよ
うなドープされたケイ酸塩ガラスである。
この好ましい処理は、清浄な基板表面上において、水酸
基グループを含む層を形成すること、水酸基グループ内
の水素イオンを、周囲が高真空で熱安定性を備えた有
機、無機或は有機金属の配位子グループで、或は例えば
クロムまたはアルミニウムイオンなどの適当な金属イオ
ンで形式的に置きかえるように、この層を誘導(derivat
ize)すること、そして、アルミニウム堆積が開始される
時にこの誘導された層を分解することを含む。表面活性
化処理の効能は、誘導された層を分解するときの核形成
サイト(site)の組成におそらく基づいているものと理解
されている。このようなサイトは、イオン、合成物また
はメタライゼーションの原子と同じ或は異なった核種で
もよい原子により構成されている。活性剤を適用するに
先立って、基板表面は、酸によって、更にその後完全に
洗浄することによってきれいにすることが望ましい。
基グループを含む層を形成すること、水酸基グループ内
の水素イオンを、周囲が高真空で熱安定性を備えた有
機、無機或は有機金属の配位子グループで、或は例えば
クロムまたはアルミニウムイオンなどの適当な金属イオ
ンで形式的に置きかえるように、この層を誘導(derivat
ize)すること、そして、アルミニウム堆積が開始される
時にこの誘導された層を分解することを含む。表面活性
化処理の効能は、誘導された層を分解するときの核形成
サイト(site)の組成におそらく基づいているものと理解
されている。このようなサイトは、イオン、合成物また
はメタライゼーションの原子と同じ或は異なった核種で
もよい原子により構成されている。活性剤を適用するに
先立って、基板表面は、酸によって、更にその後完全に
洗浄することによってきれいにすることが望ましい。
都合よく、水酸基グループは、水で洗浄することによっ
て形成され、そして誘導は、好ましくは、例えば有機ク
ロム、有機シラン或は有機アルミニウム化合物のような
有機金属化合物にさらすことにより実行される。後者の
場合、そのような化合物は、アルミニウム堆積に用いら
れる前駆化合物と同じでもよい。
て形成され、そして誘導は、好ましくは、例えば有機ク
ロム、有機シラン或は有機アルミニウム化合物のような
有機金属化合物にさらすことにより実行される。後者の
場合、そのような化合物は、アルミニウム堆積に用いら
れる前駆化合物と同じでもよい。
そのような表面活性化の結果として、そして堆積された
アルミニウム層の連続性と高密度によって、少なくとも
１０１３／cm2の活性化サイト密度が得られる。
アルミニウム層の連続性と高密度によって、少なくとも
１０１３／cm2の活性化サイト密度が得られる。
例えば組織制御(texture control)のような特殊な効果
のために選択することができる変形例は、上述した方法
に包含されており、組織制御は、次のようである。
のために選択することができる変形例は、上述した方法
に包含されており、組織制御は、次のようである。
（ｉ）もし、水酸基グループが有機クロム化合物を用い
て誘導されるなら、後に堆積されるアルミニウムの配向
は、かすかに（１００）ではあるがほとんど不規則であ
ることがわかる。水素を、堆積の間に、有機アルミニウ
ムの希釈剤として用いると、いくらかの（１１１）配向
が得られる。
て誘導されるなら、後に堆積されるアルミニウムの配向
は、かすかに（１００）ではあるがほとんど不規則であ
ることがわかる。水素を、堆積の間に、有機アルミニウ
ムの希釈剤として用いると、いくらかの（１１１）配向
が得られる。
（ii）もし、水酸基グループが有機シラン化合物を用い
て誘導されるなら、かなり強い（１１１）配向が、その
後堆積されるアルミニウム内に形成される。
て誘導されるなら、かなり強い（１１１）配向が、その
後堆積されるアルミニウム内に形成される。
（iii）もし、水酸基グループが室温でアルミニウムア
ルキルにさらすことによって誘導されるなら、中規模の
強度の（１１１）配向の堆積されたアルミニウムが得ら
れる。ただし表面活性化の有効性を維持するために、例
えば、アルミニウムアルキル堆積ふんい気に活性化表面
を迅速にさらすことよって、適当な処置を施すことを条
件とする。
ルキルにさらすことによって誘導されるなら、中規模の
強度の（１１１）配向の堆積されたアルミニウムが得ら
れる。ただし表面活性化の有効性を維持するために、例
えば、アルミニウムアルキル堆積ふんい気に活性化表面
を迅速にさらすことよって、適当な処置を施すことを条
件とする。
（iv）もし、水酸基グループが有機シラン化合物を用い
て誘導され、そして、結果的に得られた層が、その後室
温にて、アルミニウムアルキル化合物にさらされたな
ら、強い（１１１）配向がその後に堆積されたアルミニ
ウム層において得られる。
て誘導され、そして、結果的に得られた層が、その後室
温にて、アルミニウムアルキル化合物にさらされたな
ら、強い（１１１）配向がその後に堆積されたアルミニ
ウム層において得られる。
組織(texture)は、Ｘ線回折像から容易に確認すること
ができる。強い（１１１）組織の場合は、４０から５０
の割合が、最も強い輪郭ラインと最も弱い輪郭ラインの
強度間に観察された。そのような強い（１１１）組織
は、そのような層によって示されるように、電子移動に
対して抵抗が高められたことを考慮すると、アルミニウ
ム層において特に好ましいと考えられる。例えば、Ｓ．
バイジャ(S.Vaidya)等による「Ａ１−0.5％銅薄膜内の
電子移動における組織及び粒状構造の効果」(Effect of
Texture and Grain Structure on Electromigration i
n Al-0.5% Cu Thin Films)、シン ソリッド フィルム
(Thin Solid Films)、第７５巻（１９８１）、２５３−
２５９頁を参照のこと。
ができる。強い（１１１）組織の場合は、４０から５０
の割合が、最も強い輪郭ラインと最も弱い輪郭ラインの
強度間に観察された。そのような強い（１１１）組織
は、そのような層によって示されるように、電子移動に
対して抵抗が高められたことを考慮すると、アルミニウ
ム層において特に好ましいと考えられる。例えば、Ｓ．
バイジャ(S.Vaidya)等による「Ａ１−0.5％銅薄膜内の
電子移動における組織及び粒状構造の効果」(Effect of
Texture and Grain Structure on Electromigration i
n Al-0.5% Cu Thin Films)、シン ソリッド フィルム
(Thin Solid Films)、第７５巻（１９８１）、２５３−
２５９頁を参照のこと。
堆積装置内の、従来の高温表面活性化と比較すると、こ
の新しい方法によれば表面活性化を堆積から分離するこ
とができる。そして、活性化剤の選択に依存して、活性
化された基板は活性層の有効性を過度に損なうことなく
数日間までの貯蔵を行うことができる。更に、活性化は
簡素化され、堆積装置内へのガス状の活性化剤或は試薬
の導入が不要になり、そして、異質の金属原子の導入を
任意としている。（そのような異質原子がない場合は、
堆積装置と同様に堆積された層が汚染される危険性が最
少になる。） 活性化された表面上へのアルミニウムの堆積は、都合の
よいことに、例えば図に示すような装置によって実行さ
れる。そのような装置を使用する際典型的に行なわれる
手順については以下の具体例を参照されたい。典型的に
は、装置製造には、更に、堆積された層のパターン化が
含まれる。パターンは、感光層において光リソグラフィ
により規定され、そして、その後、アルミニウム層にあ
る種のエッチングを施すことにより転写される。
の新しい方法によれば表面活性化を堆積から分離するこ
とができる。そして、活性化剤の選択に依存して、活性
化された基板は活性層の有効性を過度に損なうことなく
数日間までの貯蔵を行うことができる。更に、活性化は
簡素化され、堆積装置内へのガス状の活性化剤或は試薬
の導入が不要になり、そして、異質の金属原子の導入を
任意としている。（そのような異質原子がない場合は、
堆積装置と同様に堆積された層が汚染される危険性が最
少になる。） 活性化された表面上へのアルミニウムの堆積は、都合の
よいことに、例えば図に示すような装置によって実行さ
れる。そのような装置を使用する際典型的に行なわれる
手順については以下の具体例を参照されたい。典型的に
は、装置製造には、更に、堆積された層のパターン化が
含まれる。パターンは、感光層において光リソグラフィ
により規定され、そして、その後、アルミニウム層にあ
る種のエッチングを施すことにより転写される。
例1. ５．１cm（２インチ）の直径を有すシリコン基板ウェハ
は、フッ化水素酸の中に１分間浸漬することにより、表
面活性化処理が施された。そして、室温の純度の高い水
の中で１分間洗浄された。そして、更に、高純度の沸騰
水内で５分間洗浄された。そして、回転させて乾燥し、
イソプロパノール(isopropanol)内に１０％有機クロム
合成物（デュポン社のキュイロン〔Quilon〕（商標））
が存在する溶液内に１０分間浸漬し、純粋イソプロパノ
ール内に５分間浸漬し、そして回転させて乾燥した。
は、フッ化水素酸の中に１分間浸漬することにより、表
面活性化処理が施された。そして、室温の純度の高い水
の中で１分間洗浄された。そして、更に、高純度の沸騰
水内で５分間洗浄された。そして、回転させて乾燥し、
イソプロパノール(isopropanol)内に１０％有機クロム
合成物（デュポン社のキュイロン〔Quilon〕（商標））
が存在する溶液内に１０分間浸漬し、純粋イソプロパノ
ール内に５分間浸漬し、そして回転させて乾燥した。
活性化された基板は、石英キャリアに装填され、そして
反応管内に設置された。管は、ほぼ1.33Ｐａ（１０ミリ
トール）の圧力までポンプにより３回排気された。各排
気ステップの後、管は純粋アルゴンで逆充填された。排
気が継続される間、基板は、ほぼ２５０℃の堆積温度に
加熱された。トリーイソブチルアルミニウムが、加熱さ
れた貯蔵器からニードル弁を介して反応管内へ導入され
た。基板におけるアルミニウムアルキルの熱分解が、結
果としてアルミニウム堆積を生じ、有機性の副産物と未
反応のアルキルはシステムの外へ排出された。反応管内
の圧力は、堆積の間ほぼ23.33Ｐａ（２５０ミリトー
ル）であった。厚さ約1.5マイクロメータの堆積層を形
成するのに約30分要した。堆積された層は、高純度のア
ルミニウムより成ること、0.1原子パーセント未満の炭
素及び0.1原子パーセント未満の酸素を含むことが判明
した。抵抗率は、約３マイクロオーム−cmであった。そ
して、平均粒子サイズは約２マイクロメータであった。
組織はわずかに（１００）で、ほとんど不規則であっ
た。
反応管内に設置された。管は、ほぼ1.33Ｐａ（１０ミリ
トール）の圧力までポンプにより３回排気された。各排
気ステップの後、管は純粋アルゴンで逆充填された。排
気が継続される間、基板は、ほぼ２５０℃の堆積温度に
加熱された。トリーイソブチルアルミニウムが、加熱さ
れた貯蔵器からニードル弁を介して反応管内へ導入され
た。基板におけるアルミニウムアルキルの熱分解が、結
果としてアルミニウム堆積を生じ、有機性の副産物と未
反応のアルキルはシステムの外へ排出された。反応管内
の圧力は、堆積の間ほぼ23.33Ｐａ（２５０ミリトー
ル）であった。厚さ約1.5マイクロメータの堆積層を形
成するのに約30分要した。堆積された層は、高純度のア
ルミニウムより成ること、0.1原子パーセント未満の炭
素及び0.1原子パーセント未満の酸素を含むことが判明
した。抵抗率は、約３マイクロオーム−cmであった。そ
して、平均粒子サイズは約２マイクロメータであった。
組織はわずかに（１００）で、ほとんど不規則であっ
た。
例2. 上述した例１の手順は、デュポン社のボラン(Volan)
（商標）有機クロム合成物が活性化剤として用いられる
点を除いて、同様に適用された。層の特性は、上述した
例１で得られたものと本質的に同じであった。
（商標）有機クロム合成物が活性化剤として用いられる
点を除いて、同様に適用された。層の特性は、上述した
例１で得られたものと本質的に同じであった。
例3. シリコン基板ウェハは、フッ化水素酸の中に１分間浸漬
することにより表面活性化処理が施された。そして、室
温の高純度水中で１分間洗浄され、更に高純度の沸騰水
内で５分間洗浄された。そして、回転させて乾燥し、メ
チレン塩化物中に１０％のアミノプロピル ジメチル
シオキシレンを含んだ溶液に１０分間浸漬され、純粋の
メチレン塩化物中に５分間浸漬された。そして、回転に
より乾燥された。層の特性は、堆積された層がかなり強
い（１１１）配向を有していたという点以外は上述した
例１で得られたものと本質的に同じであった。
することにより表面活性化処理が施された。そして、室
温の高純度水中で１分間洗浄され、更に高純度の沸騰水
内で５分間洗浄された。そして、回転させて乾燥し、メ
チレン塩化物中に１０％のアミノプロピル ジメチル
シオキシレンを含んだ溶液に１０分間浸漬され、純粋の
メチレン塩化物中に５分間浸漬された。そして、回転に
より乾燥された。層の特性は、堆積された層がかなり強
い（１１１）配向を有していたという点以外は上述した
例１で得られたものと本質的に同じであった。
例4. 上述した例３で述べられた手順は、基板がシリコン上に
約0.1マイクロメータの厚さを有す熱シリコン酸化物の
層である点を除いて、同様に適用された。層の特性は、
上記した例３で得られたものと同じであった。
約0.1マイクロメータの厚さを有す熱シリコン酸化物の
層である点を除いて、同様に適用された。層の特性は、
上記した例３で得られたものと同じであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヌゾー，ラルフ ジヨージ アメリカ合衆国 07901 ニユージヤーシ イ，サミツト，シエデイシエイド アヴエ ニユー 22
Claims (9)
- 【請求項１】基板の表面上のパターン化されたアルミニ
ウム層を有する装置の製造方法であって、前記基板が所
望の温度に加熱されている間に、前記基板表面上にガス
状の前駆物質からアルミニウムを堆積させる工程と、前
記アルミニウム層をパターン化する工程とを含む製造方
法において、 前記アルミニウム層を堆積する工程に先立って前記基板
表面を活性化剤で処理することにより、前記基板表面上
に水酸基グループの表面誘導層を形成することを特徴と
するデバイスの製造方法。 - 【請求項２】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記基板が１００℃以下の温度に担持しながら、前記基
板表面が前記活性化剤で処理されることを特徴とするデ
バイスの製造方法。 - 【請求項３】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記活性化剤を用いる処理に先立って、前記基板表面上
に水酸基グループの層を形成していることを特徴とする
デバイスの製造方法。 - 【請求項４】請求の範囲第３項に記載の方法であって、
前記水酸基グループの層は水で洗浄することによって形
成されることを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項５】請求の範囲第４項に記載の方法であって、
前記水の洗浄に先立って、前記基板表面が酸によって清
浄化されることを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項６】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記活性化剤が有機クロム化合物であることを特徴とす
るデバイスの製造方法。 - 【請求項７】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記活性化剤が有機シラン化合物であることを特徴とす
るデバイスの製造方法。 - 【請求項８】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記活性化剤がアルミニウムアルキル化合物であること
を特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項９】請求の範囲第１項に記載の方法であって、
前記活性化剤は、はじめに有機シラン化合物であり次に
アルミニウムアルキル化合物であることを特徴とするデ
バイスの製造方法。
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