JPH0694592B2 - 無電解メッキ法 - Google Patents
無電解メッキ法Info
- Publication number
- JPH0694592B2 JPH0694592B2 JP61092994A JP9299486A JPH0694592B2 JP H0694592 B2 JPH0694592 B2 JP H0694592B2 JP 61092994 A JP61092994 A JP 61092994A JP 9299486 A JP9299486 A JP 9299486A JP H0694592 B2 JPH0694592 B2 JP H0694592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plated
- plating
- polymer composition
- electroless plating
- organometallic compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
- H05K3/387—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、無電解メッキ法に関するものであり、詳しく
は無電解メッキに対して触媒能を持つ金属を遊離する有
機金属化合物を含有する有機溶媒可溶性重合体を、被メ
ッキ物に塗布し、有機金属化合物を熱分解してメッキ触
媒金属核を遊離させ被メッキ物に固着せしめ、メッキ触
媒金属核以外の熱処理後の重合体組成物を除去した後、
被メッキ物に無電解メッキを行う方法に関するものであ
る。
は無電解メッキに対して触媒能を持つ金属を遊離する有
機金属化合物を含有する有機溶媒可溶性重合体を、被メ
ッキ物に塗布し、有機金属化合物を熱分解してメッキ触
媒金属核を遊離させ被メッキ物に固着せしめ、メッキ触
媒金属核以外の熱処理後の重合体組成物を除去した後、
被メッキ物に無電解メッキを行う方法に関するものであ
る。
（ロ）従来の技術 無電解メッキ法は、金属導体被膜形成法として比較的簡
便で且つ量産性に優れ、無電解メッキ後必要に応じて電
気メッキを施すこともできるため、機能的用途及び装飾
的用途等多方面にわたり広く利用されている。
便で且つ量産性に優れ、無電解メッキ後必要に応じて電
気メッキを施すこともできるため、機能的用途及び装飾
的用途等多方面にわたり広く利用されている。
更に、近年プリント基板は電気機器の少型化に伴い高密
度化が要求され、両面スルホール基板及び多層基板へと
発展してきている。
度化が要求され、両面スルホール基板及び多層基板へと
発展してきている。
従来のスルホールメッキは、電気メッキを使用したパネ
ルメッキ法及びパターンメッキ法で製造されてきたが、
工程が複雑であり多層基板のようにスルホールのアスペ
クト比が高い場合、スルホール内の導体被膜の均一性を
向上させるため無電解メッキ法が注目され一部実用に供
されている。
ルメッキ法及びパターンメッキ法で製造されてきたが、
工程が複雑であり多層基板のようにスルホールのアスペ
クト比が高い場合、スルホール内の導体被膜の均一性を
向上させるため無電解メッキ法が注目され一部実用に供
されている。
又、プラスチックに対して無電解メッキを施すと、プラ
スチックの耐熱性、剛性及び表面硬度の向上等が図れる
とともに、プラスチックの表面に金属光沢及び金属固有
の性能を付与できるため、家庭電化製品、自動車内外装
飾部品、事務機器部品及び一般工業用品等の製造に賞用
されている。〔青谷薫片、金属表面工業全書５、プラス
チックメッキ、金属メッキ技術（４）槙書店昭和47年６
月25日発行〕。
スチックの耐熱性、剛性及び表面硬度の向上等が図れる
とともに、プラスチックの表面に金属光沢及び金属固有
の性能を付与できるため、家庭電化製品、自動車内外装
飾部品、事務機器部品及び一般工業用品等の製造に賞用
されている。〔青谷薫片、金属表面工業全書５、プラス
チックメッキ、金属メッキ技術（４）槙書店昭和47年６
月25日発行〕。
最近急速な発展を遂げたプリント配線基板は、通常紙や
ガラス繊維強化フェノール樹脂及びエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂基板或いはポリイミド、ポリエステル及びポ
リサルホン等のフィルム基板上に積層された銅箔の不必
要な部分を除去する方法によって製造されているが、工
程簡略化及び回路性能の向上が図れることから無電解メ
ッキ法が注目されている。
ガラス繊維強化フェノール樹脂及びエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂基板或いはポリイミド、ポリエステル及びポ
リサルホン等のフィルム基板上に積層された銅箔の不必
要な部分を除去する方法によって製造されているが、工
程簡略化及び回路性能の向上が図れることから無電解メ
ッキ法が注目されている。
又、無電解メッキ法は、各電子機器より発生する電磁波
によるディジタル回路の誤動作を除くための電子機器筐
体の導体化、所謂電磁波シールド手法の一つとして他の
導体化方法、例えば金属溶射法、導電性塗料コーティン
グ法等に比し生成する金属導体被膜が極めて薄く、軽量
且つシールド効果が優れているため、今後一層の発展が
期待されている。
によるディジタル回路の誤動作を除くための電子機器筐
体の導体化、所謂電磁波シールド手法の一つとして他の
導体化方法、例えば金属溶射法、導電性塗料コーティン
グ法等に比し生成する金属導体被膜が極めて薄く、軽量
且つシールド効果が優れているため、今後一層の発展が
期待されている。
通常、無電解メッキ法は、被メッキ物の脱脂等の表面処
理工程、メッキ密着強度向上のための表面粗化工程、メ
ッキ触媒金属核の付与工程、水洗工程及び無電解メッキ
工程よりなっている。
理工程、メッキ密着強度向上のための表面粗化工程、メ
ッキ触媒金属核の付与工程、水洗工程及び無電解メッキ
工程よりなっている。
メッキ触媒金属核の付与工程では、被メッキ物は活性化
剤溶液に浸漬される。
剤溶液に浸漬される。
活性化剤としては、被メッキ物がプラスチック等の非導
電性物質の場合第１錫塩水溶液と塩化パラジウム水溶
液、被メッキ物が非導電性及び導電性の表面を有する場
合塩化第一錫と塩化パラジウムよりなる酸性水溶液が使
用される。
電性物質の場合第１錫塩水溶液と塩化パラジウム水溶
液、被メッキ物が非導電性及び導電性の表面を有する場
合塩化第一錫と塩化パラジウムよりなる酸性水溶液が使
用される。
アディティブ法プリント回路基板のように部分的に無電
解メッキを施したい場合には、所望の部分のみを活性化
する方法としてニッケル及びパラジウム等の金属又はこ
れらの塩を含有する接着性重合物よりなるインクを被メ
ッキ物の所定の部分に塗布し、メッキ浴に浸漬後メッキ
を行う方法、特開昭59−88891号公報に開示されている
ようなニッケル、パラジウム及び白金等の有機金属錯体
を含有する接着性重合体よりなるインクを被メッキ物に
塗布し、加熱ないし特定の還元剤に浸漬後メッキする方
法等がある。
解メッキを施したい場合には、所望の部分のみを活性化
する方法としてニッケル及びパラジウム等の金属又はこ
れらの塩を含有する接着性重合物よりなるインクを被メ
ッキ物の所定の部分に塗布し、メッキ浴に浸漬後メッキ
を行う方法、特開昭59−88891号公報に開示されている
ようなニッケル、パラジウム及び白金等の有機金属錯体
を含有する接着性重合体よりなるインクを被メッキ物に
塗布し、加熱ないし特定の還元剤に浸漬後メッキする方
法等がある。
更に、被メッキ物全面を活性化処理後、被メッキ物のメ
ッキ不要部分をメッキレジストで被覆し無電解メッキ
後、メッキレジストを除去する方法もある。
ッキ不要部分をメッキレジストで被覆し無電解メッキ
後、メッキレジストを除去する方法もある。
又、スルホール内部の導体被膜を無電解メッキのみで形
成する場合、メッキ触媒金属核は浸漬法で核付けされ
る。
成する場合、メッキ触媒金属核は浸漬法で核付けされ
る。
即ち、回路基板作製の工程は銅張り積層板全面にメッキ
触媒金属核を核付け後、必要回路部分をドライフィルム
を使用してマスクし不必要な銅箔をエッチング除去し、
無電解メッキが施される。
触媒金属核を核付け後、必要回路部分をドライフィルム
を使用してマスクし不必要な銅箔をエッチング除去し、
無電解メッキが施される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 従来の無電解メッキ法では、メッキ触媒金属核の付与工
程において活性化剤が溶液であるため、被メッキ物を浸
漬するための特定のラック等の設置が必要となり、この
工程の連続化は困難であった。
程において活性化剤が溶液であるため、被メッキ物を浸
漬するための特定のラック等の設置が必要となり、この
工程の連続化は困難であった。
又、スルホール内部の導体被膜を無電解メッキのみで形
成する場合、メッキ触媒金属核は浸漬法で核付けされる
ため工程の連続化が困難である。
成する場合、メッキ触媒金属核は浸漬法で核付けされる
ため工程の連続化が困難である。
更に、第一錫塩水溶液と塩化パラジウム水溶液の組合せ
及び塩化第一錫と塩化パラジウムよりなる酸性水溶液等
の活性化剤を使用すると被メッキ物表面に錫イオンが残
存することがあり、無電解メッキ法で生成する金属導体
被膜物性に悪影響を与える。
及び塩化第一錫と塩化パラジウムよりなる酸性水溶液等
の活性化剤を使用すると被メッキ物表面に錫イオンが残
存することがあり、無電解メッキ法で生成する金属導体
被膜物性に悪影響を与える。
又、所望部分のみに無電解メッキを施すために、所望の
部分のみを活性化するニッケル及びパラジウム等の金属
又はこれらの塩を含有した接着性重合物よりなるインク
及び特開昭59−88891号公報のインクを使用する方法
は、接着性重合物上に金属導体被膜が生成するため被メ
ッキ物本来の特性が損なわれることがある。
部分のみを活性化するニッケル及びパラジウム等の金属
又はこれらの塩を含有した接着性重合物よりなるインク
及び特開昭59−88891号公報のインクを使用する方法
は、接着性重合物上に金属導体被膜が生成するため被メ
ッキ物本来の特性が損なわれることがある。
更に、被メッキ物のメッキ不要部分をメッキレジストで
被覆し無電解メッキを行う方法は、メッキ不要部分に活
性化剤中の高価なパラジウム金属等を固着させることに
なり経剤性が劣り、メッキレジストの塗布及び剥離等の
煩雑な工程が必要となる。又、この方法をプリント回路
基板製造に使用した場合、回路間にパラジウム金属が残
存することがあり、回路の耐電圧性等の信頼性が劣る欠
点がある。
被覆し無電解メッキを行う方法は、メッキ不要部分に活
性化剤中の高価なパラジウム金属等を固着させることに
なり経剤性が劣り、メッキレジストの塗布及び剥離等の
煩雑な工程が必要となる。又、この方法をプリント回路
基板製造に使用した場合、回路間にパラジウム金属が残
存することがあり、回路の耐電圧性等の信頼性が劣る欠
点がある。
ドライフィルムを使用する方法は、ドライフィルムが高
価であり必要回路部分をマスクする工程は高度な技術を
要し、更には最近多く採用されるようになったランドレ
スのスルホール（ビアホール）には採用できない。
価であり必要回路部分をマスクする工程は高度な技術を
要し、更には最近多く採用されるようになったランドレ
スのスルホール（ビアホール）には採用できない。
（ニ）問題点を解決するための手段 本発明等は、上述の欠点を解決すべく鋭意検討の結果、
無電解メッキに対して触媒能を持つ金属を遊離する有機
金属化合物を含有する有機溶媒可溶性重合体組成物を、
被メッキ物のメッキ所望部分に塗布し加熱処理を行った
後、該重合体を始めとする熱処理後の重合体組成物を化
学的に除去すると、被メッキ物に該重合体組成物を塗布
した部分に大部分の金属がメッキ触媒金属核として遊
離、固着し、この金属が無電解メッキの活性化点となる
ことを見出し本発明を完成したものである。
無電解メッキに対して触媒能を持つ金属を遊離する有機
金属化合物を含有する有機溶媒可溶性重合体組成物を、
被メッキ物のメッキ所望部分に塗布し加熱処理を行った
後、該重合体を始めとする熱処理後の重合体組成物を化
学的に除去すると、被メッキ物に該重合体組成物を塗布
した部分に大部分の金属がメッキ触媒金属核として遊
離、固着し、この金属が無電解メッキの活性化点となる
ことを見出し本発明を完成したものである。
即ち、本発明は有機金属化合物を含有する有機溶媒可溶
性重合体組成物を被メッキ物に塗布し、該有機金属化合
物を熱分解してメッキ触媒金属核を被メッキ物に遊離、
固着せしめ、メッキ触媒金属核以外の熱処理後の重合体
組成物を有機溶媒又はアルカリ水溶液で溶解、除去後被
メッキ物に無電解メッキを行う方法に関するものであ
る。
性重合体組成物を被メッキ物に塗布し、該有機金属化合
物を熱分解してメッキ触媒金属核を被メッキ物に遊離、
固着せしめ、メッキ触媒金属核以外の熱処理後の重合体
組成物を有機溶媒又はアルカリ水溶液で溶解、除去後被
メッキ物に無電解メッキを行う方法に関するものであ
る。
尚、本発明における塗布とは、単なる塗布及び小口径の
貫通孔の充填も意味している。
貫通孔の充填も意味している。
本発明に使用される有機金属化合物は、常温で酸素及び
湿気等に対し安定で、且つ加熱により金属を遊離する化
合物である。
湿気等に対し安定で、且つ加熱により金属を遊離する化
合物である。
金属としては、周期率表ＩＢ及びVIII族の各金属が挙げ
られ、特にコバルト、ニッケル、パラジウム及び銅等が
好ましい。
られ、特にコバルト、ニッケル、パラジウム及び銅等が
好ましい。
配位子としては、三級ホスフィン、三級ホスファイト、
一酸化炭素、直鎖或いは環状オレフィン、共役オレフィ
ン、アリール化合物、有機シアノ化合物、有機イソニト
リル化合物、カルボニル化合物、有機メルカプト化合
物、複素環化合物又はアルキル基、ビニル基、アリル
基、アリール基、エチリジン基、アシル基、アシルオキ
シ基及びアミノ基を有する化合物、更にはハロゲン、酸
素、水素及び窒素等の原子であり、これらは一種以上の
組合せより選ぶ事ができる。
一酸化炭素、直鎖或いは環状オレフィン、共役オレフィ
ン、アリール化合物、有機シアノ化合物、有機イソニト
リル化合物、カルボニル化合物、有機メルカプト化合
物、複素環化合物又はアルキル基、ビニル基、アリル
基、アリール基、エチリジン基、アシル基、アシルオキ
シ基及びアミノ基を有する化合物、更にはハロゲン、酸
素、水素及び窒素等の原子であり、これらは一種以上の
組合せより選ぶ事ができる。
本発明に使用される有機溶媒可溶性重合体は、被メッキ
物にメッキ金属を固着後、メッキ金属触媒以外の熱処理
後の重合体を有機溶媒又はアルカリ水溶液で溶解する必
要があることから乾燥後の重合体が、有機溶媒又はアル
カリ性水溶液に溶解性を示すことが必要である。
物にメッキ金属を固着後、メッキ金属触媒以外の熱処理
後の重合体を有機溶媒又はアルカリ水溶液で溶解する必
要があることから乾燥後の重合体が、有機溶媒又はアル
カリ性水溶液に溶解性を示すことが必要である。
又、有機金属化合物を均一に溶解又は分解する必要性が
あることより液状重合体又は有機溶剤に対し溶解性を示
す重合体が選ばれる。
あることより液状重合体又は有機溶剤に対し溶解性を示
す重合体が選ばれる。
これら重合体の具体例としては、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニール、ポリサルホン、ポリカーボネート、ポリア
クリレート、ポリアミド、繊維素誘導体樹脂及びロジン
変成マレイン酸樹脂並びにこれらの共重合体が挙げら
れ、これらを単独又はブレンドして使用することができ
る。
化ビニール、ポリサルホン、ポリカーボネート、ポリア
クリレート、ポリアミド、繊維素誘導体樹脂及びロジン
変成マレイン酸樹脂並びにこれらの共重合体が挙げら
れ、これらを単独又はブレンドして使用することができ
る。
これら重合体は粉状、粒状、塊状及び溶液状等のいずれ
の形態でも使用することができる。
の形態でも使用することができる。
本発明の有機金属化合物を含む重合体組成物は、有機金
属化合物と重合体が均一に混合されている必要があり、
一般に次のように調製される。
属化合物と重合体が均一に混合されている必要があり、
一般に次のように調製される。
重合体が固体である場合は、重合体の有機溶剤溶液と有
機金属化合物を混合する方法、重合体の有機溶剤溶液と
有機金属化合物の有機溶剤溶液を混合する方法等が挙げ
られる。
機金属化合物を混合する方法、重合体の有機溶剤溶液と
有機金属化合物の有機溶剤溶液を混合する方法等が挙げ
られる。
重合体が液状の場合には、重合体に直接有機金属化合物
を添加し混合することもできるが、作業性、生成する重
合体組成物の均質性を考慮すると有機溶剤の使用が好ま
しい。
を添加し混合することもできるが、作業性、生成する重
合体組成物の均質性を考慮すると有機溶剤の使用が好ま
しい。
有機金属化合物を含む重合体組成物は、重合体100部に
対し有機金属化合物0.001〜50部よりなり、有機溶剤及
び添加剤を使用して粘度は数センチポアズ〜数10万セン
チポアズに調製される。
対し有機金属化合物0.001〜50部よりなり、有機溶剤及
び添加剤を使用して粘度は数センチポアズ〜数10万セン
チポアズに調製される。
本発明に使用される有機溶剤には特に制限はないが、被
メッキ物がプラスチックである場合被メッキ物を溶解、
膨潤させることがないように選択する必要がある。
メッキ物がプラスチックである場合被メッキ物を溶解、
膨潤させることがないように選択する必要がある。
有機溶剤の１例を挙げるとヘキサン、シクロヘキサン、
エチルエーテル、ジオキサン、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ、エチレングリコール、クロロホルム、四
塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン、メチル
エチルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、酢酸エ
チル、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、アセトン、ピリジン、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシド等
がある。
エチルエーテル、ジオキサン、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ、エチレングリコール、クロロホルム、四
塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン、メチル
エチルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、酢酸エ
チル、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、アセトン、ピリジン、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシド等
がある。
有機溶剤は、単品で使用しても二種以上の混合溶剤を使
用しても良い。
用しても良い。
上述の添加剤としては、カーボンブラック、タルク、二
酸化珪素及び硫酸バリウム等の顔料、消泡剤及び界面活
性剤、更には有機金属化合物よりメッキ触媒金属核を遊
離する作用を有する還元剤及びラジカル発生剤等が挙げ
られる。
酸化珪素及び硫酸バリウム等の顔料、消泡剤及び界面活
性剤、更には有機金属化合物よりメッキ触媒金属核を遊
離する作用を有する還元剤及びラジカル発生剤等が挙げ
られる。
有機金属化合物を含む重合体組成物の調製には、通常の
撹拌、混合機が使用され、羽根付き撹拌機、ホモミキサ
ー、ヘンシャルミキサー、ボールミル、サンドミル及び
ロールミル等が挙げられる。
撹拌、混合機が使用され、羽根付き撹拌機、ホモミキサ
ー、ヘンシャルミキサー、ボールミル、サンドミル及び
ロールミル等が挙げられる。
次に、本発明の有機金属化合物を含む重合体組成物を使
用した無電解メッキ法について詳述する。
用した無電解メッキ法について詳述する。
被メッキ物に対する有機金属化合物を含む重合体組成物
の塗布方法は、該重合体組成物の粘度を考慮して種々の
塗布方法が採用される。
の塗布方法は、該重合体組成物の粘度を考慮して種々の
塗布方法が採用される。
塗布方法としては、浸漬法、スピンコート法、スプレー
法、ドクターブレード法、バーコート法、刷毛塗り法、
スクリーン印刷法及びロールコート法が挙げられる。
法、ドクターブレード法、バーコート法、刷毛塗り法、
スクリーン印刷法及びロールコート法が挙げられる。
又、部分的に無電解メッキを施したい場合には、印刷法
により部分的に有機金属化合物を含む重合体組成物を塗
布する方法、被メッキ物表面を適当な被覆剤で被覆後、
有機金属化合物を含む重合体組成物を塗布する方法及び
凹部及び貫通部に有機金属化合物を含む重合体組成物を
充填する方法等を採用することができる。
により部分的に有機金属化合物を含む重合体組成物を塗
布する方法、被メッキ物表面を適当な被覆剤で被覆後、
有機金属化合物を含む重合体組成物を塗布する方法及び
凹部及び貫通部に有機金属化合物を含む重合体組成物を
充填する方法等を採用することができる。
本発明は、有機金属化合物を含む重合体組成物の塗布に
先立ち、被メッキ物を充分乾燥しておく必要がある。
先立ち、被メッキ物を充分乾燥しておく必要がある。
しかし、その他の被メッキ物の特別な前処理を行う必要
はなく、通常実施されている方法、例えば被メッキ物の
脱脂洗浄及び表面粗化処理等を必要に応じ適用すること
ができる。
はなく、通常実施されている方法、例えば被メッキ物の
脱脂洗浄及び表面粗化処理等を必要に応じ適用すること
ができる。
被メッキ物としては、プラスチック、ガラス、セラミッ
クス、木材、植物繊維、紙及び金属等が挙げられる。
クス、木材、植物繊維、紙及び金属等が挙げられる。
次に、有機金属化合物を含む重合体組成物を塗布した被
メッキ物は乾燥及び熱処理される。
メッキ物は乾燥及び熱処理される。
乾燥を行う場合には、有機金属化合物を含む重合体組成
物が発泡しないように注意深く行う必要がある。発泡が
起こると、被メッキ物と有機金属化合物を含む重合体組
成物との密着性が悪くなり、均一にメッキ触媒金属核が
固着しない。
物が発泡しないように注意深く行う必要がある。発泡が
起こると、被メッキ物と有機金属化合物を含む重合体組
成物との密着性が悪くなり、均一にメッキ触媒金属核が
固着しない。
乾燥温度は、有機金属化合物を含む重合体組成物中の有
機溶剤等の低沸点分が揮散する温度が選ばれ、一般に50
〜250℃の範囲で行われる。
機溶剤等の低沸点分が揮散する温度が選ばれ、一般に50
〜250℃の範囲で行われる。
乾燥された有機金属化合物を含む重合体組成物を塗布し
た被メッキ物は、熱処理される。
た被メッキ物は、熱処理される。
熱処理温度は、前記した有機金属化合物が熱分解により
メッキ触媒金属核を遊離、固着する温度が選ばれる。
メッキ触媒金属核を遊離、固着する温度が選ばれる。
従って、必ずしも有機金属化合物の熱分解温度を採用す
る必要はない。即ち、一般に50〜500℃、好ましくは80
〜350℃の範囲で行われる。
る必要はない。即ち、一般に50〜500℃、好ましくは80
〜350℃の範囲で行われる。
加熱時間は、上記温度においては数分〜数十分で充分で
ある。
ある。
又、前述の有機金属化合物よりのメッキ触媒金属核を遊
離する還元剤及びラジカル発生剤等を使用すると、この
熱処理温度は低下し、時間は短縮される。
離する還元剤及びラジカル発生剤等を使用すると、この
熱処理温度は低下し、時間は短縮される。
この加熱処理は、上述の乾燥を兼ねて行うこともでき
る。
る。
乾燥及び熱処理温度は、有機金属化合物を含む重合体組
成物を塗布した被メッキ物の乾燥、有機金属化合物より
メッキ触媒金属核が遊離、固着する温度並びに重合体及
び被メッキ物の耐熱温度等を考慮して選択する必要があ
る。
成物を塗布した被メッキ物の乾燥、有機金属化合物より
メッキ触媒金属核が遊離、固着する温度並びに重合体及
び被メッキ物の耐熱温度等を考慮して選択する必要があ
る。
重合体組成物が塗布され、メッキ触媒金属核が遊離、固
着した被メッキ物よりメッキ触媒金属核以外の塗布乾燥
物を除去する方法としては、熱処理後の重合体組成物中
の主要成分である重合体及び／又は有機金属化合物の配
位子、その熱分解生成物等を溶解する、有機溶媒又はア
ルカリ水溶液が使用される。
着した被メッキ物よりメッキ触媒金属核以外の塗布乾燥
物を除去する方法としては、熱処理後の重合体組成物中
の主要成分である重合体及び／又は有機金属化合物の配
位子、その熱分解生成物等を溶解する、有機溶媒又はア
ルカリ水溶液が使用される。
有機溶媒としては、前述の有機溶媒が用いられ、重合体
がロジン変成マレイン酸樹脂のようにアルカリ性水溶液
に溶解性を示す場合には、アルカリ水溶液が用いられ
る。
がロジン変成マレイン酸樹脂のようにアルカリ性水溶液
に溶解性を示す場合には、アルカリ水溶液が用いられ
る。
溶解方法としては、有機溶媒又はアルカリ性水溶液へ浸
漬、同水溶液中での震盪及び同水溶液のシャワー洗浄等
が挙げられる。この場合、熱処理後の重合体中に顔料等
の固形文が存在しても、これらは容易に有機溶媒又はア
ルカリ水溶液側に移行する。
漬、同水溶液中での震盪及び同水溶液のシャワー洗浄等
が挙げられる。この場合、熱処理後の重合体中に顔料等
の固形文が存在しても、これらは容易に有機溶媒又はア
ルカリ水溶液側に移行する。
熱処理後の重合体の組成物の溶解は、被メッキ物に対し
て有機溶媒又はアルカリ性水溶液が不活性である必要が
あり、対象メッキ物及び重合体等の選択に注意する必要
がある。被メッキ物がプラスチックである場合、特に注
意する必要がある。
て有機溶媒又はアルカリ性水溶液が不活性である必要が
あり、対象メッキ物及び重合体等の選択に注意する必要
がある。被メッキ物がプラスチックである場合、特に注
意する必要がある。
被メッキ物よりメッキ触媒金属核以外の大部分の熱処理
後の重合体組成物を溶解除去後被メッキ物は必要に応じ
洗浄され、無電解メッキに供される。
後の重合体組成物を溶解除去後被メッキ物は必要に応じ
洗浄され、無電解メッキに供される。
無電解メッキ液には、特に制限はなく通常の葡萄糖及び
ホルマリン等の還元剤よりなる無電解メッキ液が使用さ
れる。
ホルマリン等の還元剤よりなる無電解メッキ液が使用さ
れる。
無電解メッキ金属としては、銅、ニッケル等が挙げられ
る。
る。
（ホ）発明の効果 本発明は、周期率表ＩＢ及びVIII族の有機金属化合物を
含有する重合体組成物を使用するため、被メッキ物表面
に錫イオンが残存することがなく、無電解メッキ法で生
成する金属導体被膜物性に悪影響を与えない。
含有する重合体組成物を使用するため、被メッキ物表面
に錫イオンが残存することがなく、無電解メッキ法で生
成する金属導体被膜物性に悪影響を与えない。
又、本発明は任意の部分に触媒の核付けができるため、
無電解メッキ不要部分に活性化剤中の高価なパラジウム
金属等を固着させることがなく経済性に優れ、メッキレ
ジストの塗布及び剥離等の煩雑な工程が必要なく、プリ
ント回路基板製造においては回路の耐電圧性等の信頼性
が向上する。
無電解メッキ不要部分に活性化剤中の高価なパラジウム
金属等を固着させることがなく経済性に優れ、メッキレ
ジストの塗布及び剥離等の煩雑な工程が必要なく、プリ
ント回路基板製造においては回路の耐電圧性等の信頼性
が向上する。
更に、無電解メッキに先立ち、被メッキ物上の大部分の
熱処理後の重合体組成物を溶解除去するため熱処理後の
重合体組成物上に金属導体被膜が生成することがなく、
被メッキ物本来の特性が発揮できる。
熱処理後の重合体組成物を溶解除去するため熱処理後の
重合体組成物上に金属導体被膜が生成することがなく、
被メッキ物本来の特性が発揮できる。
更に上記熱処理後の重合体を有機溶媒及びアルカリ水溶
液等で溶解除去するので、全メッキ工程の連続化が可能
となった。
液等で溶解除去するので、全メッキ工程の連続化が可能
となった。
又、スルホール内部の導体被膜の形成も連続化が可能と
なり、ランドレスのスルホール（ビアホール）も採用で
きるようになった。
なり、ランドレスのスルホール（ビアホール）も採用で
きるようになった。
（ヘ）実施例 以下に本発明を実施例によって詳述するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
実施例１ 有機金属化合物としてジ−η−クロロ−ビス（μ−２−
メチルアリル）二パラジウム（II）0.005〜0.1部、重合
体としてポリカーボネート（三菱互斯化学KK製、ユーピ
ロンＳ−2000）２〜10部と変化させ、有機溶剤としてク
ロロホルム100部を均一に混合し有機金属化合物を含有
する重合体化合物を調製した。
メチルアリル）二パラジウム（II）0.005〜0.1部、重合
体としてポリカーボネート（三菱互斯化学KK製、ユーピ
ロンＳ−2000）２〜10部と変化させ、有機溶剤としてク
ロロホルム100部を均一に混合し有機金属化合物を含有
する重合体化合物を調製した。
この組成物に、直径１mm、1.8mm及び2.5mmの貫通孔を10
個づつ設けた厚さ1.6mmの市販の紙−フェノール積層
板、紙−エポキシ積層板及びガラス−エポキシ積層板を
浸漬後、室温で30分間乾燥し、170℃で10分間加熱処理
した。
個づつ設けた厚さ1.6mmの市販の紙−フェノール積層
板、紙−エポキシ積層板及びガラス−エポキシ積層板を
浸漬後、室温で30分間乾燥し、170℃で10分間加熱処理
した。
次に、各積層板をクロロホルム中で充分洗浄しポリカー
ボネートを溶解除去し、アセトン及び水で洗浄後、無電
解メッキ浴（奥野製薬工業KK製、化学銅＃200）に室温
で20分間浸漬したところ、表面及び貫通孔内部ともに均
一に化学銅メッキされた各積層板を得た。
ボネートを溶解除去し、アセトン及び水で洗浄後、無電
解メッキ浴（奥野製薬工業KK製、化学銅＃200）に室温
で20分間浸漬したところ、表面及び貫通孔内部ともに均
一に化学銅メッキされた各積層板を得た。
各積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例２ 有機金属化合物としてジ−η−クロロテトラカルボニル
二ロジウム（II）0.1部、重合体としてポリカーボネー
ト（三菱互斯化学KK製、ユーピロンＳ−2000）10部を使
用した他は、実施例１と同様にして有機金属を含有する
重合体組成物を調製した。
二ロジウム（II）0.1部、重合体としてポリカーボネー
ト（三菱互斯化学KK製、ユーピロンＳ−2000）10部を使
用した他は、実施例１と同様にして有機金属を含有する
重合体組成物を調製した。
この組成物に、直径１mmの貫通孔を10個設けた厚さ1.6m
mの市販のガラス−エポキシ積層板を浸漬後、実施例１
と同様にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫
通孔内部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポ
キシ積層板を得た。
mの市販のガラス−エポキシ積層板を浸漬後、実施例１
と同様にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫
通孔内部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポ
キシ積層板を得た。
この積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例３ 有機金属化合物としてビス（ジベンジリデンアセトン）
白金（０）0.3部を使用した他は、実施例２と同様にし
て無電解メッキを行ったところ、表面及び貫通孔内部と
もに均一に化学銅メッキされたガラス−エポキシ積層板
を得た。
白金（０）0.3部を使用した他は、実施例２と同様にし
て無電解メッキを行ったところ、表面及び貫通孔内部と
もに均一に化学銅メッキされたガラス−エポキシ積層板
を得た。
この積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例４ 有機金属化合物としてベンジルクロロビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（II）0.2部を使用した他
は、実施例２と同様にして無電解メッキを行ったとこ
ろ、表面及び貫通孔内部ともに均一に化学銅メッキされ
たガラス−エポキシ積層板を得た。
ルホスフィン）パラジウム（II）0.2部を使用した他
は、実施例２と同様にして無電解メッキを行ったとこ
ろ、表面及び貫通孔内部ともに均一に化学銅メッキされ
たガラス−エポキシ積層板を得た。
この積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例５ 有機金属化合物としてジクロロビス（トリエチルホスフ
ィン）ニッケル（II）0.5部を使用した他は、実施例２
と同様にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫
通孔内部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポ
キシ積層板を得た。
ィン）ニッケル（II）0.5部を使用した他は、実施例２
と同様にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫
通孔内部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポ
キシ積層板を得た。
この積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例６ 有機金属化合物としてジクロロビス（トリブチルホスフ
ィン）銅（II）1.0部を使用した他は、実施例２と同様
にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫通孔内
部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポキシ積
層板を得た。
ィン）銅（II）1.0部を使用した他は、実施例２と同様
にして無電解メッキを行ったところ、表面及び貫通孔内
部ともに均一に化学銅メッキされたガラス−エポキシ積
層板を得た。
この積層板は全てのスルホールで導通があった。
実施例７ 有機金属化合物としてジ−η−クロロ−ビス（μ−２−
メチルアリル）二パラジウム（II）0.1部及び重合体と
してポリカーボネート（三菱互斯化学KK製、ユーピロン
Ｓ−2000）10部を使用した他は、実施例１と同様にして
有機金属化合物を含有する重合体組成物を調製した。
メチルアリル）二パラジウム（II）0.1部及び重合体と
してポリカーボネート（三菱互斯化学KK製、ユーピロン
Ｓ−2000）10部を使用した他は、実施例１と同様にして
有機金属化合物を含有する重合体組成物を調製した。
この組成物を、市販のガラス−エポキシ積層板の片面に
バーコーターで塗布し充分に乾燥したところ塗膜の厚さ
は５μであった。
バーコーターで塗布し充分に乾燥したところ塗膜の厚さ
は５μであった。
次に、170℃で10分間加熱処理を行い、実施例１と同様
に処理しちところ、片面のみに均一に化学銅メッキされ
たガラス−エポキシ積層板を得た。
に処理しちところ、片面のみに均一に化学銅メッキされ
たガラス−エポキシ積層板を得た。
実施例８ 実施例７のポリカーボネート（三菱互斯化学KK製、ユー
ピロンＳ−2000）の代わりにポリサルホン（日産化学KK
製、ユーデルポリサルホンＰ−1700）を使用しジ−η−
クロロ−ビス（μ−２−メチルアリル）二パラジウム
（II）を含有する重合体組成物を調製し、実施例１と同
様に市販のガラス−エポキシ積層板の無電解メッキを行
ったところ、表面及び貫通孔内部ともに均一に化学銅メ
ッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
ピロンＳ−2000）の代わりにポリサルホン（日産化学KK
製、ユーデルポリサルホンＰ−1700）を使用しジ−η−
クロロ−ビス（μ−２−メチルアリル）二パラジウム
（II）を含有する重合体組成物を調製し、実施例１と同
様に市販のガラス−エポキシ積層板の無電解メッキを行
ったところ、表面及び貫通孔内部ともに均一に化学銅メ
ッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
実施例９ 実施例７のジ−η−クロロ−ビス（μ−２−メチルアリ
ル）二パラジウム（II）を含有する重合体組成物に、ス
ライドグラスを浸漬、室温で乾燥し、170℃で10分間加
熱処理後、重合体塗膜を引剥がした。
ル）二パラジウム（II）を含有する重合体組成物に、ス
ライドグラスを浸漬、室温で乾燥し、170℃で10分間加
熱処理後、重合体塗膜を引剥がした。
次に、実施例１と同様にして無電解メッキを行ったとこ
ろ、均一に化学銅メッキされたスライドグラスを得た。
ろ、均一に化学銅メッキされたスライドグラスを得た。
実施例10 アルミナ基板を使用した他は実施例９と同様にして、均
一に化学銅メッキされたアルミナ基板を得た。
一に化学銅メッキされたアルミナ基板を得た。
実施例11 サンディングにより表面を粗化した市販のガラス−エポ
キシ積層板のメッキ所望部分以外を、メッキマスキング
テープ（奥野製薬KK製、Ｃ−2500）で被覆した。
キシ積層板のメッキ所望部分以外を、メッキマスキング
テープ（奥野製薬KK製、Ｃ−2500）で被覆した。
この積層板を、実施例７のジ−η−クロロ−ビス（μ−
２−メチルアリル）二パラジウム（II）を含有する重合
体組成物に浸漬、室温で乾燥し、マスキングテープを除
去した後、170℃で10分間熱処理した。
２−メチルアリル）二パラジウム（II）を含有する重合
体組成物に浸漬、室温で乾燥し、マスキングテープを除
去した後、170℃で10分間熱処理した。
次に、この積層板をクロロホルム中で充分洗浄しポリカ
ーボネートを溶解除去し、アセトン及び水で洗浄後、実
施例１と同様にして無電解メッキを行ったところ、該重
合体組成物をメッキしメッキ所望部分のみに均一に化学
銅メッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
ーボネートを溶解除去し、アセトン及び水で洗浄後、実
施例１と同様にして無電解メッキを行ったところ、該重
合体組成物をメッキしメッキ所望部分のみに均一に化学
銅メッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
実施例12 市販のアルカリ溶解型スルホール充填インク（山栄化学
KK製、SER−490WS）の固形分100部に対し、ジ−η−ク
ロロ−ビス（μ−２−メチルアリル）二パラジウム（I
I）0.01部を撹拌混合し有機金属を含有する重合体組成
物とした。
KK製、SER−490WS）の固形分100部に対し、ジ−η−ク
ロロ−ビス（μ−２−メチルアリル）二パラジウム（I
I）0.01部を撹拌混合し有機金属を含有する重合体組成
物とした。
図１に示すような積層板１の両面に銅箔２を形成した厚
さ1.6mmのガラス−エポキシ基板の所定位置に、図２に
示すように直径0.6mm及び直径1.5mmの貫通孔３を開け
た。
さ1.6mmのガラス−エポキシ基板の所定位置に、図２に
示すように直径0.6mm及び直径1.5mmの貫通孔３を開け
た。
上記重合体組成物をロールコーターを使用し貫通孔に充
填後、硬度70度のウレタン製スキージにより両面より完
全に重合体組成物を除去した。
填後、硬度70度のウレタン製スキージにより両面より完
全に重合体組成物を除去した。
この結果、図３に示すように、上記重合体組成物４が貫
通孔内部に充填される。
通孔内部に充填される。
次に、この積層板を120℃で80分間加熱処理すると、図
４に示すように、重合体組成物は充填乾燥物５及び貫通
孔内壁に固着したメッキ触媒パラジウム金属核６とな
る。
４に示すように、重合体組成物は充填乾燥物５及び貫通
孔内壁に固着したメッキ触媒パラジウム金属核６とな
る。
続いて、図５に示すように、アルカリ溶解型エッチング
レジスト（山栄化学KK製、SER−420−31）７で銅箔上に
パターンを描き乾燥した。
レジスト（山栄化学KK製、SER−420−31）７で銅箔上に
パターンを描き乾燥した。
更に、図６に示すように、塩化第２鉄の飽和水溶液でパ
ターンが描かれなかった銅箔部分を除去し、充分水洗し
た。
ターンが描かれなかった銅箔部分を除去し、充分水洗し
た。
続いて、図７に示すように、40℃の２％苛性水溶液に浸
漬しエッチングレジスト及び貫通孔の充填乾燥物を溶解
除去後水洗し、銅箔でパターンが描かれ、貫通孔内部に
メッキ触媒パラジウム金属核７が固着した積層板を得
た。
漬しエッチングレジスト及び貫通孔の充填乾燥物を溶解
除去後水洗し、銅箔でパターンが描かれ、貫通孔内部に
メッキ触媒パラジウム金属核７が固着した積層板を得
た。
次に、実施例１と同様にして無電解メッキを行い、図８
に示すように、銅箔パターン上及び貫通孔内部が均一に
化学銅メッキ８されたガラス−エポキシ積層板を得た。
に示すように、銅箔パターン上及び貫通孔内部が均一に
化学銅メッキ８されたガラス−エポキシ積層板を得た。
このガラス−エポキシ積層板は、ビアホール９及びスル
ホール10で導通があった。
ホール10で導通があった。
実施例13 直径0.6mm、0.8mm、1.8mm及び2.5mmの貫通孔を50個開け
た厚さ1.6mmの市販のガラス−エポキシ積層板に、実施
例12のアルカリ溶解型スルホール充填インク（山栄化学
KK製、SER−490WS）とジ−η−クロロ−ビス（μ−２−
メチルアリル）二パラジウム（II）よりなる有機金属を
含有する重合体組成物を実施例13と同様にして充填後、
120℃で80分間加熱処理した。
た厚さ1.6mmの市販のガラス−エポキシ積層板に、実施
例12のアルカリ溶解型スルホール充填インク（山栄化学
KK製、SER−490WS）とジ−η−クロロ−ビス（μ−２−
メチルアリル）二パラジウム（II）よりなる有機金属を
含有する重合体組成物を実施例13と同様にして充填後、
120℃で80分間加熱処理した。
次に、40℃の２％苛性水溶液に浸漬し水洗後、実施例１
と同様にして無電解メッキを行い貫通孔内部のみ均一に
化学銅メッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
と同様にして無電解メッキを行い貫通孔内部のみ均一に
化学銅メッキされたガラス−エポキシ積層板を得た。
このガラス．エポキシ積層板の全てのスルホールで導通
があった。
があった。
図１から図８は、本発明を使用した実施例12のプリント
基板の製造方法である。 １……銅箔、２……積層板、３……貫通孔、４……重合
体組成物、５……充填乾燥物、６……メッキ触媒パラジ
ウム金属核、７……エッチングレジスト、８……化学銅
メッキ、９……ビアホール、10……スルホール
基板の製造方法である。 １……銅箔、２……積層板、３……貫通孔、４……重合
体組成物、５……充填乾燥物、６……メッキ触媒パラジ
ウム金属核、７……エッチングレジスト、８……化学銅
メッキ、９……ビアホール、10……スルホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−123046（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−35630（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−36668（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−173191（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】有機金属化合物含有する有機溶媒可溶性重
合体組成物を被メッキ物に塗布し、該有機金属化合物を
含む重合体組成物を熱処理することにより重合体組成物
に含まれる有機金属化合物を熱分解してメッキ触媒金属
核を被メッキ物に遊離、固着せしめ、熱処理後の重合体
組成物を有機溶媒又はアルカリ水溶液に溶解、除去後、
被メッキ物にメッキすることを特徴とする無電解メッキ
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092994A JPH0694592B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 無電解メッキ法 |
| DE8787105557T DE3765566D1 (de) | 1986-04-22 | 1987-04-14 | Verfahren zur stromlosen plattierung. |
| EP87105557A EP0243794B1 (en) | 1986-04-22 | 1987-04-14 | Electroless plating method |
| US07/171,223 US4830880A (en) | 1986-04-22 | 1988-03-22 | Formation of catalytic metal nuclei for electroless plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092994A JPH0694592B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 無電解メッキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250180A JPS62250180A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0694592B2 true JPH0694592B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14069920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61092994A Expired - Lifetime JPH0694592B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 無電解メッキ法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4830880A (ja) |
| EP (1) | EP0243794B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0694592B2 (ja) |
| DE (1) | DE3765566D1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200272A (en) * | 1988-04-29 | 1993-04-06 | Miles Inc. | Process for metallizing substrate surfaces |
| US4960613A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-02 | General Electric Company | Laser interconnect process |
| US5130172A (en) * | 1988-10-21 | 1992-07-14 | The Regents Of The University Of California | Low temperature organometallic deposition of metals |
| JPH0476985A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Cmk Corp | プリント配線板の製造法 |
| JPH04232271A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-08-20 | Kali Chem Ag | 銅を含有する層の基板上への析出方法 |
| WO1993012267A1 (fr) * | 1991-12-11 | 1993-06-24 | Sensors And Synergy S.A. | Resine polymerique, en particulier pour le depot de metal sur un substrat et son utilisation |
| US5311660A (en) * | 1993-02-10 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Methyl chloroform-free desmear process in additive circuitization |
| JP3262408B2 (ja) * | 1993-05-18 | 2002-03-04 | ペルメレック電極株式会社 | ガス電極の製造方法 |
| BE1007879A3 (fr) * | 1994-01-05 | 1995-11-07 | Blue Chips Holding | Resine polymerique a viscosite ajustable pour le depot de palladium catalytique sur un substrat, son procede de preparation et son utilisation. |
| FR2736453B1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-08-08 | Gemplus Card Int | Support portable a microcircuit, notamment carte a puce, et procede de fabrication dudit support |
| JP3811991B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2006-08-23 | 株式会社デンソー | 酸素センサ素子の製造方法及び酸素センサ素子 |
| US6023842A (en) * | 1996-09-24 | 2000-02-15 | Macdermid, Incorporated | Process for the manufacture of printed circuit boards |
| US6315880B1 (en) * | 1997-10-16 | 2001-11-13 | Mary R. Reidmeyer | Chemical plating method, electrolytic cell and automotive oxygen sensor using it |
| IE980461A1 (en) | 1998-06-15 | 2000-05-03 | Univ Cork | Method for selective activation and metallisation of materials |
| JP3816241B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2006-08-30 | 株式会社大和化成研究所 | 金属を還元析出させるための水溶液 |
| JP3065041B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2000-07-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体デバイスの成膜方法及び成膜装置 |
| US6599583B1 (en) | 1999-03-29 | 2003-07-29 | N. Edward Berg | Method for making segemented through holes in printed circuit boards |
| US6703186B1 (en) * | 1999-08-11 | 2004-03-09 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Method of forming a conductive pattern on a circuit board |
| GB0402960D0 (en) * | 2004-02-10 | 2004-03-17 | Plastic Logic Ltd | Thermal imaging of catalyst in electroless deposition of metal films |
| US20050227049A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-13 | Boyack James R | Process for fabrication of printed circuit boards |
| JP4602680B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-12-22 | 株式会社オーツカ | 電磁波シールド構造 |
| KR100797692B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| EP2623632A3 (en) | 2008-06-30 | 2017-01-18 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming a microstructure |
| KR101735223B1 (ko) | 2012-07-30 | 2017-05-12 | 이스트맨 코닥 캄파니 | 고해상도 전도성 패턴의 플렉소그래픽 인쇄용 잉크 제형 |
| WO2015084893A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | Energia Technologies, Inc. | Methods of fuel production |
| US20170159184A1 (en) * | 2015-12-07 | 2017-06-08 | Averatek Corporation | Metallization of low temperature fibers and porous substrates |
| JP6993801B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2022-01-14 | 株式会社ミマキエンジニアリング | めっき方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1543792A (fr) * | 1966-12-29 | 1900-01-01 | Ibm | Métallisation de matières plastiques |
| DE2116389C3 (de) * | 1971-03-30 | 1980-04-03 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
| US3900320A (en) * | 1971-09-30 | 1975-08-19 | Bell & Howell Co | Activation method for electroless plating |
| JPS5313330B2 (ja) * | 1974-03-15 | 1978-05-09 | ||
| US4006047A (en) * | 1974-07-22 | 1977-02-01 | Amp Incorporated | Catalysts for electroless deposition of metals on comparatively low-temperature polyolefin and polyester substrates |
| US3937857A (en) * | 1974-07-22 | 1976-02-10 | Amp Incorporated | Catalyst for electroless deposition of metals |
| DE2852375A1 (de) * | 1978-12-04 | 1980-06-26 | Dynamit Nobel Ag | Isolierstoffkoerper mit im harz verteilten metallpartikeln |
| US4368281A (en) * | 1980-09-15 | 1983-01-11 | Amp Incorporated | Printed circuits |
| DE3148280A1 (de) * | 1981-12-05 | 1983-06-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| DE3150985A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| JPS6036668A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき用触媒 |
| US4719145A (en) * | 1983-09-28 | 1988-01-12 | Rohm And Haas Company | Catalytic process and systems |
| JPS60173191A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-06 | 東海染工株式会社 | 部分導電化法 |
| JPS60195077A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | 奥野製薬工業株式会社 | セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物 |
| US4585502A (en) * | 1984-04-27 | 1986-04-29 | Hitachi Condenser Co., Ltd. | Process for producing printed circuit board |
| US4663240A (en) * | 1984-11-06 | 1987-05-05 | Enthone, Incorporated | RFI shielded plastic articles and process for making same |
| DE3510982A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin | Herstellung metallischer strukturen auf nichtleitern |
| DE3666230D1 (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-16 | American Telephone & Telegraph | Method of making a device comprising a patterned aluminum layer |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61092994A patent/JPH0694592B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-04-14 EP EP87105557A patent/EP0243794B1/en not_active Expired
- 1987-04-14 DE DE8787105557T patent/DE3765566D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-22 US US07/171,223 patent/US4830880A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62250180A (ja) | 1987-10-31 |
| US4830880A (en) | 1989-05-16 |
| EP0243794A1 (en) | 1987-11-04 |
| DE3765566D1 (de) | 1990-11-22 |
| EP0243794B1 (en) | 1990-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4830880A (en) | Formation of catalytic metal nuclei for electroless plating | |
| US4217182A (en) | Semi-additive process of manufacturing a printed circuit | |
| US3625758A (en) | Base material and method for the manufacture of printed circuits | |
| US4388351A (en) | Methods of forming a patterned metal film on a support | |
| EP0276276B1 (en) | Method for manufacture of printed circuit boards | |
| US3854973A (en) | Method of making additive printed circuit boards | |
| US3666549A (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| US3481777A (en) | Electroless coating method for making printed circuits | |
| JPS60207395A (ja) | スルーホールメツキした電気プリント回路板の製造法 | |
| JPH01503101A (ja) | 水性アルカリで現像及び剥離し得るフォトレジストを用いる、印刷配線板のアディテイブ製造方法 | |
| US3865623A (en) | Fully additive process for manufacturing printed circuit boards | |
| US3799816A (en) | Metallizing insulating bases | |
| US4913768A (en) | Process for producing electrical conductor boards | |
| USRE28042E (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| JP2885113B2 (ja) | 印刷配線板およびその製造方法 | |
| AU575953B2 (en) | Composition and process for conditioning the surface of plastic substrates prior to metal plating | |
| CA1224276A (en) | Process for producing printed circuits | |
| JPH06260759A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| CA1162323A (en) | Method of producing circuit boards using adhesive coating | |
| JPH07122850A (ja) | 低誘電率プリント基板の製造方法 | |
| JPS62243394A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS6355998A (ja) | 高密度プリント配線板の製造方法 | |
| JPS5950239B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS62284082A (ja) | 無電解メツキ用メツキレジスト組成物および無電解メツキ方法 | |
| JPS61163693A (ja) | プリント配線板の製造方法 |