JPH0636039U - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＴＯ画素上面に存在していた配線材料層お
よび保護層はエッチング処理時にすべて除去してＩＴＯ
画素上面に一切残存させないこととして液晶表示素子の
パネルの開口率の低下を来すことはない液晶表示素子を
提供する。 【構成】 インジウム チン オキサイド膜より成る画
素３を具備し、薄膜トランジスタより成るスイッチング
素子を具備し、ゲート、補助容量電極その他の電極に対
する配線５’を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金よ
り成る配線材料層５を具備する液晶表示素子において、
配線材料層５を形成するに先だって画素３と配線材料層
５との間にモリブデン或はモリブデン合金より成る保護
層４を形成し、画素３上面に存在する保護層４および配
線材料層５をすべて除去することにより構成された液晶
表示素子。
よび保護層はエッチング処理時にすべて除去してＩＴＯ
画素上面に一切残存させないこととして液晶表示素子の
パネルの開口率の低下を来すことはない液晶表示素子を
提供する。 【構成】 インジウム チン オキサイド膜より成る画
素３を具備し、薄膜トランジスタより成るスイッチング
素子を具備し、ゲート、補助容量電極その他の電極に対
する配線５’を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金よ
り成る配線材料層５を具備する液晶表示素子において、
配線材料層５を形成するに先だって画素３と配線材料層
５との間にモリブデン或はモリブデン合金より成る保護
層４を形成し、画素３上面に存在する保護層４および配
線材料層５をすべて除去することにより構成された液晶
表示素子。
Description
【０００１】
この考案は、液晶表示素子に関し、特にインジウム チン オキサイド（ＩＴ Ｏ）膜より成る画素およびアルミニウム（Ａｌ）或はＡｌ合金より成る配線を有 する液晶表示素子に関する。
【０００２】
この種の液晶表示素子の製造工程を図２を参照して簡単に説明する。１は透明 基板であり、その上面にＩＴＯ画素３が形成される（図２ａ）。２は絶縁膜であ って、この絶縁膜およびＩＴＯ画素３の上面にゲート、補助容量電極その他の電 極に対する配線５’を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金より成る配線材料層 ５が形成される（図２ｂ）。次いで、配線材料層５の上面にはホトレジスト層７ が形成される（図２ｃ）。ホトレジスト層７を形成してからこれを現像した後（ 図２ｄ）、エッチング処理を施して配線材料層５から配線５’が形成される（図 ２ｅ）。
【０００３】 上述された通りの液晶表示素子の製造工程の内のホトレジスト現像工程におい て、現像液によりＡｌ或はＡｌ合金より成る配線材料層５が侵食される結果、水 素が発生する。ここで、Ａｌ或はＡｌ合金より成る配線材料層５に貫通するピン ホール６が存在して、これがたまたまＩＴＯ画素３上面に達していると、この発 生した水素の作用によりＩＴＯ画素３は８により示される画素侵食が生ずるに到 る。
【０００４】 ホトレジスト現像工程の水素の作用によるＩＴＯ画素３の上述の通りの侵食を 防止する従来例としては、図３に示される如く、モリブデン（Ｍｏ）或はＭｏ合 金より成る保護層４をＩＴＯ画素３上面のみにＩＴＯ画素３形成時に形成する例 がある。この様にすることにより、ゲート、補助容量電極その他の電極に対する 配線５’を形成する材料である配線材料層５に貫通するピンホール６が存在して も、配線材料層５とＩＴＯ画素３上面との間には保護層４が介在するがために、 発生した水素がＩＴＯ画素３上面に到達することはできずこれがが腐食されるこ とはない。
【０００５】
しかし、図３に示される従来例の場合、ＩＴＯ画素３上面に存在するＭｏ或は Ｍｏ合金より成る保護層４は配線５’を形成する際にこれと同時に除去すること ができるのであるが、液晶表示素子の製造工程の精度如何によっては除去しきれ ない保護層部分４’がＩＴＯ画素３上面に残存することとなって液晶表示素子の パネルの開口率の低下を来すことがある。
【０００６】 即ち、図３において、ＩＴＯ画素３それぞれにＭｏ或はＭｏ合金より成る保護 層４を形成することによりホトレジスト現像工程の水素の作用によるＩＴＯ画素 ３の侵食を保護する場合、保護層４の内の絶縁膜２により覆われていない領域は これを配線材料層５をエッチングする際に同時にエッチング除去することができ る。ところが、液晶表示素子の製造工程上の誤差に起因して絶縁膜２により覆わ れるに到る保護層４の領域４’が生成する場合がある。この場合、領域４’は絶 縁膜２により覆われているところからエッチング除去されることなくしてＩＴＯ 画素３上に僅か残存することとなる。ＩＴＯ画素３上に残存する領域４’は開口 率を低下せしめる原因となるのである。
【０００７】 この考案は、ＩＴＯ画素上面に存在する保護層および配線材料層のすべてを除 去することにより上述の通りの問題を解消した液晶表示素子を提供するものであ る。
【０００８】
インジウム チン オキサイド膜より成る画素３を具備し、薄膜トランジスタ より成るスイッチング素子を具備し、ゲート、補助容量電極その他の電極に対す る配線５’を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金より成る配線材料層５を具備 する液晶表示素子において、配線材料層５を形成するに先だって画素３と配線材 料層５との間にモリブデン或はモリブデン合金より成る保護層４を形成し、画素 ３上面に存在する保護層４および配線材料層５をすべて除去することにより構成 された液晶表示素子を構成した。
【０００９】
この考案の実施例を図１を参照して説明する。 １は透明基板であり、その上面にＩＴＯ画素３が形成される（図１ａ）。２は 絶縁膜であって、この絶縁膜およびＩＴＯ画素３の上面には、Ｍｏ或はＭｏ合金 層より成る保護層４を形成する。この保護層４の上面には次いでゲート、補助容 量電極その他の電極に対する配線５’を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金よ り成る配線材料層５が形成される（図１ｂ）。配線材料層５の上面にはホトレジ スト層７が形成される（図１ｃ）。ホトレジスト層７を形成してからこれを現像 した後（図１ｄ）、エッチング処理を施して配線材料層５から配線５’が形成さ れるに到る（図１ｅ）。
【００１０】 この考案においては、このエッチング処理において配線材料層５から配線５’ を形成すると共に、同時にＩＴＯ画素３上面に形成されていた保護層４および配 線材料層５すべてを容易に除去することができる。
【００１１】
以上の通りであって、この考案の液晶表示素子はゲート、補助容量電極その他 の電極に対する配線を形成する材料であるＡｌ或はＡｌ合金より成る配線材料層 ５に貫通するピンホール６が存在することがあっても、配線材料層５とＩＴＯ画 素３上面との間にはＭｏ或はＭｏ合金より成る保護層４が介在するがために、Ｉ ＴＯ画素３が腐食されることはないものであって、ＩＴＯ画素３上面に存在して いた配線材料層５および保護層４のすべてをエッチング処理時に容易に除去する ことができるものである。これは配線材料層５および保護層４の除去されるべき 領域がホトレジスト層７の現像を精密に実施することができることにより精密に 確定することができるからであり、図３により図示説明される従来例の如くに液 晶表示素子の製造工程上の誤差に左右されることがないからである。
【００１２】 これら配線材料層５および保護層４をＴＯ画素３上面に一切残存させないこと としたので液晶表示素子のパネルの開口率の低下を来すことはない。
【提出日】平成５年１０月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【０００４】 ホトレジスト現像工程の水素の作用によるＩＴＯ画素３の上述の通りの侵食を 防止する従来例としては、図３に示される如く、モリブデン（Ｍｏ）或はＭｏ合 金より成る保護層４をＩＴＯ画素３上面のみにＩＴＯ画素３形成時に形成する例 がある。この様にすることにより、ゲート、補助容量電極その他の電極に対する 配線５’を形成する材料である配線材料層５に貫通するピンホール６が存在して も、配線材料層５とＩＴＯ画素３上面との間には保護層４が介在するがために、 発生した水素がＩＴＯ画素３上面に到達することはできずこれが腐食されること はない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【００１２】 これら配線材料層５および保護層４をＩＴＯ画素３上面に一切残存させないこ ととしたので液晶表示素子のパネルの開口率の低下を来すことはない。
【図１】この考案を説明する図。
【図２】従来例を説明する図。
【図３】従来例を説明する図。
３ 画素 ４ 保護層 ５ 配線材料層 ５’配線
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月６日
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (1)
- 【請求項１】 インジウム チン オキサイド膜より成
る画素を具備し、薄膜トランジスタより成るスイッチン
グ素子を具備し、ゲート、補助容量電極その他の電極に
対する配線を形成する材料であるアルミニウム或はアル
ミニウム合金より成る配線材料層を具備する液晶表示素
子において、配線材料層を形成するに先だって画素と配
線材料層との間にモリブデン或はモリブデン合金より成
る保護層を形成し、画素上面に存在する保護層および配
線材料層をすべて除去することにより構成されたことを
特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992069220U JP2581640Y2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992069220U JP2581640Y2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636039U true JPH0636039U (ja) | 1994-05-13 |
| JP2581640Y2 JP2581640Y2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=13396428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992069220U Expired - Lifetime JP2581640Y2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581640Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115826A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JPH03260631A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
| JPH0420930A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 配線構造 |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP1992069220U patent/JP2581640Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115826A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JPH03260631A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
| JPH0420930A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 配線構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2581640Y2 (ja) | 1998-09-24 |
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