JPH0636275A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は垂直磁化記録方式の磁気ディスク装
置に用いる高透磁率な軟磁性層上に垂直記録層を積層し
た垂直磁気記録媒体に関し、高透磁率な軟磁性層に対す
る外部からの浮遊磁界の侵入を十分に抑制し、対応する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端への磁界集中を阻止して磁
界集中による垂直記録層の記録磁化の減磁、或いは消磁
等を防止することを目的とする。 【構成】 非磁性なディスク基板22上に、高透磁率な軟
磁性層23と垂直記録層25とを積層してなる二層膜構造の
垂直磁気記録媒体21において、前記軟磁性層23が配設さ
れた非磁性基板22上の最外周縁端部と最内周縁端部の少
なくとも一方に、該軟磁性層23よりも高透磁率で高飽和
磁束密度な軟磁性の外部磁場吸収層24を設けた構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は垂直磁化記録方式の磁気
ディスク装置等に用いる垂直磁気記録媒体に係り、特に
信頼性の向上を図った垂直磁気記録媒体に関するもので
ある。

【０００２】近年、コンピュータシステムにおける情報
処理量の増大により、磁気ディスク装置での記録情報も
増加し、より小型で大容量化が進められ、高密度記録化
が要求されている。これに伴って従来の水平磁化記録方
式に比べて遙に高密度記録が可能な垂直磁化記録方式が
開発され、垂直磁化記録方式の媒体として高透磁率な軟
磁性層上に垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気
記録媒体が提案され、実用化が進められている。

【０００３】このような二層膜構造の垂直磁気記録媒体
では、高透磁率な軟磁性層の存在により、該軟磁性層に
外部からの漏洩磁界が吸収され易く、その吸収された漏
洩磁界が対応する垂直磁気ヘッドの主磁極に集中し、そ
の磁界集中により記録・再生を阻害する傾向にある、こ
のため、そのような外部漏洩磁界の影響を防止した信頼
性の良い媒体構造が必要とされている。

【０００４】

【従来の技術】従来の二層膜構造の垂直磁気記録媒体１
は図７に示すように、表面にNiＰめっき処理、或いはア
ルマイト処理を施したアルミニウム、またはガラス等か
らなる非磁性のディスク基板２上に、例えば１μｍの膜
厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層（軟磁性裏打ち
層とも称する）３と、該軟磁性層３の膜厚方向に垂直な
磁化容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂
直記録層４とが順に積層された構成からなっている。

【０００５】そしてかかる構成の垂直磁気記録媒体１に
対して情報の記録・再生を行う垂直磁気ヘッド５からの
記録磁界は前記垂直記録層４を垂直に磁化した後、その
直下の前記軟磁性層３を水平方向に通過して再び垂直記
録層４を垂直に通って前記垂直磁気ヘッド５へ帰還する
磁気回路により記録される。また、既に記録された垂直
記録層４から漏洩する記録磁界により垂直磁気ヘッド５
の主磁極６が磁化され、それと鎖交するコイル７に生じ
る電圧を再生信号として出力することによって再生を行
っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記垂直磁
気記録媒体１における高透磁率な軟磁性層３は、上記の
ように垂直磁気ヘッド５の主磁極６からの記録磁界の強
度を高めるなど、記録・再生時の垂直磁気ヘッド５の一
部の機能を担っており、記録・再生効率を向上させる役
割を果たしている。

【０００７】しかしながら、その軟磁性層３の存在によ
り、逆にこの記録媒体１に対向する垂直磁気ヘッド５の
主磁極６先端に記録・再生用の磁界と無関係な外部から
の浮遊磁界までが必然的に集中し、これが強い磁界とな
って対向する垂直記録層４を磁化するという現象が生じ
る。

【０００８】この浮遊磁界の発生源は、磁気ディスク装
置内の主にディスク回転用モータ、ヘッド位置制御用の
ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）などであり、いずれも垂
直磁気記録媒体１と接近した位置に配置されており、通
常、これらの部分から漏洩してくる浮遊磁界は記録磁界
の数千分の一程度と微弱なものであるが、この微弱な浮
遊磁界も前記軟磁性層３の広い領域に吸収されて対向す
る垂直磁気ヘッド５の主磁極６先端に集中することで、
垂直記録層４の記録磁化を減磁、或いは消磁するほどに
まで異常に高められる。

【０００９】また、この現象は記録再生効率が高くなる
ほど強くなり、前記軟磁性層３の存在が浮遊磁界による
記録磁化を消失させる危険性を高めている。従って、集
中によって磁界強度が高められた浮遊磁界により前記垂
直記録層４の記録磁化を減磁させたり、その磁界強度が
著しく高くなると消去（消磁）させてしまうという大き
な欠点があった。

【００１０】そこでこのような問題を解決する方法とし
て図８に示すように Ni-Fe膜からなる高透磁率な軟磁性
層13が配設された非磁性なディスク基板12上の最外周縁
端部と最内周縁端部に該軟磁性層13と磁気的に分離され
たNiFe膜からなる軟磁性な磁界遮蔽層14を設け、該磁界
遮蔽層14を含む軟磁性層13上に該軟磁性層13面に垂直な
磁化容易軸を有するCoCrからなる垂直記録層15を積層状
に設けた構造の垂直磁気記録媒体11が提案されている。

【００１１】しかし、そのような媒体構造にあっても、
より強い浮遊磁界下ではその浮遊磁界の前記軟磁性層13
への侵入を十分に遮断しきれないという問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、高透磁率な軟磁
性層に対する浮遊磁界の侵入を十分に抑制し、対応する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端への磁界集中による垂直記
録層の記録磁化の減磁、或いは消磁等を防止した新規な
垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、請求項１の発明では、非磁性基板上に、
高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる二層
膜構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層が配設さ
れた非磁性基板上の最外周縁端部と最内周縁端部の少な
くとも一方に、該軟磁性層よりも高透磁率、高飽和磁束
密度な軟磁性の外部磁場吸収層を設けた構成とする。

【００１３】また、請求項２の発明では、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
二層膜構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層が配
設された非磁性基板上の最外周縁端部と最内周縁端部の
少なくとも一方に、該軟磁性層と磁気的に分離された透
磁率、飽和磁束密度が該軟磁性層よりも高い軟磁性の外
部磁場吸収層を設けた構成とする。

【００１４】また、請求項３の発明は、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
二層膜構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層が非
磁性層を介して配設され、その非磁性基板上の最外周縁
端部と最内周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性層と
磁気的に分離された透磁率、飽和磁束密度が該軟磁性層
よりも高く、かつ厚い膜厚の軟磁性の外部磁場吸収層を
設けた構成とする。

【００１５】更に、請求項４の発明は、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
二層膜構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、
非磁性基板上の最外周縁端部及び最内周縁端部と該非磁
性基板間において該軟磁性層と磁気的に分離された透磁
率、飽和磁束密度が該軟磁性層よりも高く、かつ厚い膜
厚の軟磁性の外部磁場吸収層により囲まれた構成とす
る。

【００１６】

【作用】本発明の垂直磁気記録媒体では、軟磁性層が配
設された非磁性基板上の最外周縁端部、或いは該最外周
縁端部と最内周縁端部に、該軟磁性層を取り囲むように
その軟磁性層よりも高透磁率、高飽和磁束密度な軟磁性
の外部磁場吸収層をリング状に設け、その外部磁場吸収
層を含む軟磁性層上に垂直記録層を積層した媒体構成と
することにより、前記記録媒体の外周側面、或いは内、
外周側面から軟磁性層へ侵入する磁界強度の強い浮遊磁
界の大半は、前記軟磁性層の外周部、或いは該外周部と
内周部に設けたリング状の外部磁場吸収層内に吸収さ
れ、かつそこを通って浮遊磁界発生源へ帰還するループ
が形成されるので前記軟磁性層への進入を効果的に阻止
することができる。

【００１７】また、軟磁性層が配設された非磁性基板上
の最外周縁端部、或いは最外周縁端部と最内周縁端部
に、該軟磁性層を取り囲むようにその該軟磁性層と非磁
性分離層を介して磁気的に分離された透磁率、飽和磁束
密度が該軟磁性層よりも高い軟磁性の外部磁場吸収層を
リング状に設け、その非磁性分離層及び外部磁場吸収層
を含む軟磁性層上に垂直記録層を積層した媒体構成とす
ることにより、前記媒体の外周側面、或いは内、外周側
面から軟磁性層へ進入する磁界強度の強い浮遊磁界の大
半は、前記軟磁性層の外周部、或いは該外周部と内周部
に磁気的に分離して設けたリング状の外部磁場吸収層内
に吸収され、かつそこを通って浮遊磁界発生源へ帰還す
るループが形成されるので前記軟磁性層への侵入をより
効果的に阻止することができる。

【００１８】また、軟磁性層が非磁性層を介して配設さ
れた非磁性基板上の最外周縁端部と最内周縁端部に、該
軟磁性層と非磁性分離層を介して磁気的に分離された透
磁率、飽和磁束密度が該軟磁性層よりも高く、かつ厚い
膜厚の軟磁性の外部磁場吸収層をリング状に設け、該非
磁性分離層及び外部磁場吸収層を含む軟磁性層上に垂直
記録層を積層した媒体構成とすることにより、前記媒体
の内、外周側面から軟磁性層へ進入する磁界強度の強い
浮遊磁界の大半は、前記軟磁性層の外周部と内周部に磁
気的に分離して設けたリング状の外部磁場吸収層内に吸
収され、かつそこを通って浮遊磁界発生源へ帰還するル
ープが形成されるので前記軟磁性層への侵入をより効果
的に阻止することができる。

【００１９】更に、軟磁性層を、非磁性基板上の最外周
縁端部及び最内周縁端部と該非磁性基板間において該軟
磁性層と非磁性分離層を介して磁気的に分離された透磁
率、飽和磁束密度が該軟磁性層よりも高く、かつ厚い膜
厚の軟磁性の外部磁場吸収層により取り囲むように設
け、該外部磁場吸収層及び非磁性分離層を含む軟磁性層
上に垂直記録層を積層した媒体構成とすることにより、
前記媒体の内、外周側面から軟磁性層へ進入する磁界強
度の強い浮遊磁界の大半は、前記軟磁性層を磁気的に分
離して取り囲む外部磁場吸収層内に吸収され、かつそこ
を通って浮遊磁界発生源へ帰還するループが形成される
ので前記軟磁性層への侵入を極めて効果的に阻止するこ
とができる。

【００２０】従って、上記のような結果から、前記媒体
と対向する垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の
集中が解消し、垂直記録層の記録磁化の減磁、或いは消
磁等を防止することが可能となる。

【００２１】

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
第１実施例を示す要部断面斜視図である。

【００２２】図において、22はNiＰめっき表面処理を施
したアルミニウム円板、またはガラス円板等からなる非
磁性のディスク基板であり、該ディスク基板22上に１μ
ｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層（透磁率
＝〜1000、飽和磁束密度＝〜10000 Gauss)23と、そのデ
ィスク基板22の最外周縁端部に１μｍの膜厚で数mm幅の
リング状のCoZrNb膜からなる前記軟磁性層23よりも高透
磁率( 〜2000) で高飽和磁束密度( 〜130000 Gauss) な
軟磁性の外部磁場吸収層24を設け、該軟磁性層23と外部
磁場吸収層24上に、更に該軟磁性層23面に垂直な磁化容
易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記録
層25が積層状に配設されている。

【００２３】従って、このような構成の垂直磁気記録媒
体21に対して、例えば比較的接近した位置にあるヘッド
位置制御用のボイスコイルモータ（ＶＣＭ）等から漏洩
する浮遊磁界は、その浮遊磁界の強度が比較的強くても
前記軟磁性層23の外周部を取り囲むように設けたリング
状の外部磁場吸収層24内に吸収され、かつそこを通って
再び前記浮遊磁界発生源へリターンする磁界ループが形
成されるため、その内側の前記軟磁性層23への侵入を効
果的に阻止することができる。

【００２４】よって、該垂直磁気記録媒体21と対向する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解消
され、従来のような対応する垂直記録層25の記録磁化を
減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能と
なる。

【００２５】なお、このような構成の垂直磁気記録媒体
21を製造する一実施例としては、図２(a) に示すように
例えばNiＰめっき表面処理を施したアルミニウム円板等
からなる非磁性のディスク基板22上にレジスト膜を塗着
し、該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程によりパタ
ーニングして該ディスク基板22の最外周縁端部に数mm幅
のリング状のレジストマスク31を形成する。

【００２６】引続き、そのリング状のレジストマスク31
を含むディスク基板22上に、供給電力パワー密度を 5.5
Ｗ／cm² ，スパッタガス圧を５mTorr ，基板温度を 200
℃とするスパッタ条件によるスパッタリング法により１
μｍの膜厚のNiFe膜を被着した後、前記レジストマスク
31を有機溶剤等により溶解除去して高透磁率な軟磁性層
23を形成する。

【００２７】次に図２(b) に示すようにレジストマスク
31の除去跡を含む前記軟磁性層23上に再びレジスト膜を
塗着し、該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程により
パターニングして前記軟磁性層23上のみを被覆するレジ
ストマスク32を形成し、そのレジストマスク32を含むデ
ィスク基板22上に前記スパッタ条件によるスパッタリン
グ法により１μｍの膜厚のCoZrNb膜を被着した後、前記
レジストマスク32を除去して図２(c) に示すように前記
軟磁性層23の外周部に、該軟磁性層23よりも高透磁率で
高飽和磁束密度な軟磁性の外部磁場吸収層24を形成す
る。

【００２８】次に、前記外部磁場吸収層24及び軟磁性層
23の表面を同一平面に平坦化した後、該外部磁場吸収層
24を含む軟磁性層23上に更に該軟磁性層23面に垂直な磁
化容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直
記録層25をスパッタリング法等により被着形成すること
により、図１に示す所望の垂直磁気記録媒体21を得るこ
とができる。なお、必要に応じて前記垂直記録層25上に
保護膜及び潤滑膜等を設けている。

【００２９】図３は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
２実施例を示す要部断面斜視図であり、図１と同等部分
には同一符号を付している。この図で示す実施例が図１
で示す実施例と異なる点は、非磁性なディスク基板22上
に１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層
（透磁率＝〜1000、飽和磁束密度＝〜10000 Gauss)43
と、そのディスク基板22の最外周縁端部と最内周縁端部
に１μｍの膜厚で数mm幅のリング状のCoZrNb膜からなる
前記軟磁性層43よりも高透磁率( 〜2000) で高飽和磁束
密度( 〜130000 Gauss) な軟磁性の外部磁場吸収層44a
と44b とを配設し、該軟磁性層43と外部磁場吸収層44a
及び44b 上に、更に該軟磁性層43面に垂直な磁化容易軸
を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記録層25
を積層状に配設した点である。

【００３０】このような構成の垂直磁気記録媒体41によ
っても、前記図１の実施例と同様に比較的接近した位置
にあるヘッド位置決め用のボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）とディスク回転用モータ等から漏洩する浮遊磁界
は、その浮遊磁界の強度が比較的強くても前記軟磁性層
43の内、外周部を取り囲むように設けたリング状の外部
磁場吸収層44a 及び44b 内に吸収され、かつそこを通っ
て再び前記浮遊磁界発生源にリターンする磁界ループが
形成されるため、その内側の前記軟磁性層43への浮遊磁
界の侵入をより効果的に阻止することができる。

【００３１】従って、前記垂直磁気記録媒体41と対向す
る垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解
消され、従来のような対応する垂直記録層25の記録磁化
を減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能
となる。

【００３２】また、図４は本発明に係る垂直磁気記録媒
体の第３実施例を示す要部断面斜視図であり、図３と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図３で示す第２実施例と異なる点は、非磁性なディス
ク基板22上に１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な
軟磁性層（透磁率＝〜1000、飽和磁束密度＝〜10000 Ga
uss)52と、その軟磁性層52の外周及び内周に磁気的に分
離する１μｍの膜厚で 0.5mm幅のカーボン膜からなる非
磁性分離層53a と53b を介して、そのディスク基板22の
最外周縁端部と最内周縁端部に１μｍの膜厚で数mm幅の
リング状のCoZrNb膜からなる前記軟磁性層52よりも高透
磁率( 〜2000) で高飽和磁束密度( 〜130000 Gauss) な
軟磁性の外部磁場吸収層44a と44b とを配設し、該軟磁
性層52と非磁性分離層53a, 53b及び外部磁場吸収層44a,
44b上に、更に該軟磁性層52面に垂直な磁化容易軸を有
する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記録層25を積
層状に配設した点である。

【００３３】このような構成の垂直磁気記録媒体51によ
っても、比較的接近した位置にあるヘッド位置決め用の
ボイスコイルモータ及びディスク回転用モータ等から漏
洩する浮遊磁界は、その浮遊磁界の強度が比較的強くて
も前記軟磁性層52の内、外周部を磁気的に分離して取り
囲むように設けたリング状の外部磁場吸収層44a 及び44
b 内に吸収され、かつそこを通って再び前記浮遊磁界発
生源にリターンする磁界ループが形成されるため、その
内側の前記軟磁性層52への浮遊磁界の侵入を図３による
第２実施例よりも効果的に阻止することができる。

【００３４】従って、前記垂直磁気記録媒体51と対向す
る垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解
消され、従来のような対応する垂直記録層25の記録磁化
を減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能
となる。

【００３５】なお、この第３実施例の変形例として、例
えば前記非磁性なディスク基板上に高透磁率な軟磁性層
と、その軟磁性層の外周に磁気的に分離するカーボン膜
からなる非磁性分離層を介して、そのディスク基板の最
外周縁端部にリング状のCoZrNb膜からなる前記軟磁性層
よりも高透磁率で高飽和磁束密度な軟磁性の外部磁場吸
収層とを配設し、該軟磁性層と非磁性分離層及び外部磁
場吸収層上に、更にCoCr膜からなる垂直記録層を積層状
に配設した構成の垂直磁気記録媒体とすることによって
も、比較的接近した位置にあるヘッド位置決め用のボイ
スコイルモータ等から漏洩する浮遊磁界の前記軟磁性層
への侵入を前記図１による第１実施例よりも効果的に阻
止することができる。

【００３６】また、図５は本発明に係る垂直磁気記録媒
体の第４実施例を示す要部断面斜視図であり、図４と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図４で示す第３実施例と異なる点は、非磁性なディス
ク基板22上に９μｍの膜厚の Al₂O₃膜からなる非磁性層
62を介して１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟
磁性層（透磁率＝〜1000、飽和磁束密度＝〜10000Gaus
s)52と、その軟磁性層52の外周及び内周に磁気的に分離
する１μｍの膜厚で0.5mm幅のカーボン膜からなる非磁
性分離層53a と53b を介して、そのディスク基板22の最
外周縁端部と最内周縁端部に10μｍの膜厚で数mm幅のリ
ング状のCoZrNb膜からなる前記軟磁性層52よりも高透磁
率( 〜2000) で高飽和磁束密度( 〜130000 Gauss) な軟
磁性の外部磁場吸収層63a と63b とを配設し、該軟磁性
層52と非磁性分離層53a, 53b及び外部磁場吸収層63a, 6
3b上に、更に該軟磁性層52面に垂直な磁化容易軸を有す
る0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記録層25を積層
状に配設した点にある。

【００３７】このような構成の垂直磁気記録媒体61によ
っても、比較的接近した位置にあるヘッド位置決め用の
ボイスコイルモータ及びディスク回転用モータ等から漏
洩する浮遊磁界は、その浮遊磁界の強度が比較的強くて
も前記軟磁性層52の内、外周部を磁気的に分離して取り
囲むように設けた厚い膜厚のリング状の外部磁場吸収層
63a 及び63b 内に吸収され、かつそこを通って再び前記
浮遊磁界発生源にリターンする磁界ループが形成される
ため、その内側の前記軟磁性層52への浮遊磁界の侵入を
図４による第３実施例よりも効果的に阻止することがで
きる。

【００３８】従って、前記垂直磁気記録媒体61と対向す
る垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解
消され、従来のような対応する垂直記録層25の記録磁化
を減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能
となる。

【００３９】なお、この第４実施例の変形例として、例
えば前記非磁性なディスク基板上にAl₂O₃膜からなる非
磁性層を介してNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層と、
その軟磁性層の外周に磁気的に分離するカーボン膜から
なる非磁性分離層を介して、そのディスク基板の最外周
縁端部にリング状のCoZrNb膜からなる前記軟磁性層より
も高透磁率で高飽和磁束密度な軟磁性の外部磁場吸収層
とを配設し、該軟磁性層と外部磁場吸収層及び非磁性分
離層上に、更にCoCr膜からなる垂直記録層を積層状に配
設した構成の垂直磁気記録媒体とすることによっても、
比較的接近した位置にあるヘッド位置決め用のボイスコ
イルモータ等から漏洩する浮遊磁界の前記軟磁性層への
侵入を前記図１による第１実施例よりも、より効果的に
阻止することができる。

【００４０】更に、図６は本発明に係る垂直磁気記録媒
体の第５実施例を示す要部断面斜視図である。本実施例
では、図示のようにNiＰめっき表面処理を施したアルミ
ニウム円板、またはガラス円板等からなる非磁性のディ
スク基板22上に、８μｍの膜厚のCoZrNb膜からなる高透
磁率( 〜2000) で高飽和磁束密度( 〜130000 Gauss) な
軟磁性の外部磁場吸収層72と、該外部磁場吸収層72上に
磁気的に分離する１μｍの膜厚の Al₂O₃膜からなる非磁
性分離層73を介して１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透
磁率な軟磁性層（透磁率＝〜1000、飽和磁束密度＝〜10
000 Gauss)74を積層状に設けている。

【００４１】また、前記外部磁場吸収層72は更に、ディ
スク基板22上の最外周縁端部と最内周縁端部で前記非磁
性分離層73を介して軟磁性層74の内外周端面を取り囲む
形状に配設され、その外部磁場吸収層72及び非磁性分離
層73を含む軟磁性層74上に、更に該軟磁性層74面に垂直
な磁化容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる
垂直記録層25が積層状に配設している。

【００４２】従って、このような構成の垂直磁気記録媒
体71に対して比較的接近した位置にあるヘッド位置決め
用のボイスコイルモータ及びディスク回転用モータ等か
ら漏洩する浮遊磁界は、その浮遊磁界の強度が比較的強
くても前記軟磁性層74の周囲を磁気的に分離して取り囲
む外部磁場吸収層72内に吸収され、かつそこを通って再
び前記浮遊磁界発生源にリターンする磁界ループが形成
されることから、その内側の前記軟磁性層74への浮遊磁
界の侵入を極めて効果的に阻止することができる。

【００４３】このため、該垂直磁気記録媒体71と対向す
る垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解
消され、従来のような磁界集中による垂直記録層25の記
録磁化を減磁、或いは消磁する等の障害を容易に防止す
ることが可能となる。

【００４４】なお、以上の実施例ではNiFe膜からなる軟
磁性層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた場合
の例について説明したが、めっき法等により成膜するよ
うにしてもよく、また、必要に応じて垂直記録層上に保
護膜や潤滑膜を設けることはいうまでもない。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体によれば、高透磁率な軟磁性層
の外周縁端面、またはその内、外周縁端面、或いは垂直
記録層の配設面以外の内、外周面に、前記軟磁性層より
も高透磁率で高飽和磁束密度な軟磁性の外部磁場吸収層
を設けた構成、或いは該軟磁性層と磁気的に分離する非
磁性分離層を介して前記外部磁場吸収層を設けた構成と
することにより、当該垂直磁気記録媒体の周囲に漏洩し
てくる浮遊磁界、或いは比較的強い浮遊磁界の軟磁性層
への侵入が前記外部磁場吸収層により効果的に阻止する
ことができる。

【００４６】従って、従来のような垂直磁気記録媒体と
対向する垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集
中が解消し、その磁界集中による垂直記録層の記録磁化
を減磁、或いは消磁する等の障害を容易に防止すること
が可能となる優れた利点を有し、信頼性が向上するな
ど、実用上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の第１実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図２】 本発明の第１実施例の垂直磁気記録媒の製造
方法の一例を工程順に示す要部断面図である。

【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体の第２実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図５】 本発明の垂直磁気記録媒体の第４実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図６】 本発明の垂直磁気記録媒体の第５実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図７】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面斜視図である。

【図８】 従来の垂直磁気記録媒体の他の例を説明する
ための要部断面斜視図である。

【符号の説明】

２１，４１，５１，６１，７１ 垂直磁気記録媒体 ２２ ディスク基板 ２３，４３，５２、７４ 軟磁性層 ２４，４４ａ，４４ｂ，６３ａ，６３ｂ，７２ 外部
磁場吸収層 ２５ 垂直記録層 ３１，３２ レジストマスク ５３ａ，５３ｂ，７３ 非磁性分離層 ６２ 非磁性層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板(22)上に、高透磁率な軟磁性
   層(23)と垂直記録層(25)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(23)が配設された非磁性基板(22)上の最外
   周縁端部と最内周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性
   層(23)よりも高透磁率、高飽和磁束密度な軟磁性の外部
   磁場吸収層(24)を設けたことを特徴とする垂直磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】 非磁性基板(22)上に、高透磁率な軟磁性
   層(52)と垂直記録層(25)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(52)が配設された非磁性基板(22)上の最外
   周縁端部と最内周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性
   層(52)と磁気的に分離された透磁率、飽和磁束密度が該
   軟磁性層(52)よりも高い軟磁性の外部磁場吸収層(44a,
   44b)を設けたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性基板(22)上に、高透磁率な軟磁性
   層(52)と垂直記録層(25)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(52)が非磁性層(62)を介して配設され、そ
   の非磁性基板(22)上の最外周縁端部と最内周縁端部の少
   なくとも一方に、該軟磁性層(52)と磁気的に分離された
   透磁率、飽和磁束密度が該軟磁性層(52)よりも高く、か
   つ厚い膜厚の軟磁性の外部磁場吸収層(63a, 63b)を設け
   たことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 非磁性基板(22)上に、高透磁率な軟磁性
   層(74)と垂直記録層(25)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(74)は、非磁性基板(22)上の最外周縁端部
   及び最内周縁端部と該非磁性基板(22)間において該軟磁
   性層(74)と磁気的に分離された透磁率、飽和磁束密度が
   該軟磁性層(74)よりも高く、かつ厚い膜厚の軟磁性の外
   部磁場吸収層(72)により囲まれた構成を有することを特
   徴とする垂直磁気記録媒体。